薄膜晶體管基板及其制造方法和包括該基板的顯示器的制造方法
【專利摘要】一種薄膜晶體管基板及其制造方法和包括該基板的顯示器，該薄膜晶體管基板包括基板及多個(gè)薄膜晶體管。所述多個(gè)薄膜晶體管包括第一電極層、第一絕緣層、氧化物半導(dǎo)體層、第二電極層及第二絕緣層。第一電極層形成于基板上，其包括柵極部。第一絕緣層覆蓋第一電極層。氧化物半導(dǎo)體層形成于第一絕緣層上。第二電極層形成于氧化物半導(dǎo)體層上，其包括源極部及漏極部位于對(duì)應(yīng)柵極部的兩端，源極部及漏極部之間具有第一間隔。第二絕緣層覆蓋氧化物半導(dǎo)體層與第二電極層。其中，第二電極層的邊緣位于氧化物半導(dǎo)體層邊緣之內(nèi)，第二電極層包括銅。
【專利說明】薄膜晶體管基板及其制造方法和包括該基板的顯示器 【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種顯示器，且特別是涉及包含銅及氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管基 板、其顯示器及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]平面薄型的液晶顯示器或有機(jī)電激發(fā)光二極管(OLED)顯示器由于功率消耗低，因 此被廣泛使用于電子設(shè)備上。主動(dòng)式(Active)液晶顯示器或有機(jī)電激發(fā)光二極管顯示器上 的基板上具有多個(gè)薄膜晶體管(Thin-Film Transistor, TFT),以控制每一個(gè)像素(pixel) 單元的出光效果，顯示畫面灰階。
[0003]薄膜晶體管的主動(dòng)層如果使用氧化物半導(dǎo)體，例如為氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO)，相較于一般常用的非晶硅(a_Si )半導(dǎo)體而言具有較大的電 子遷移率、較低的功率消耗與較小的晶體管面積的優(yōu)點(diǎn)，而相較于一般低溫多晶硅半導(dǎo)體 (LTPS)而言則具有較低的工藝成本與較易大型化的優(yōu)點(diǎn)。故于大尺寸或高分辨率的顯示器 中，使用氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管是未來的趨勢(shì)。
[0004]如圖1所示的傳統(tǒng)顯示器其薄膜晶體管基板的剖面圖，薄膜晶體管基板I包括基 板10及薄膜晶體管。薄膜晶體管包括柵極部11、柵極絕緣層12、中介金屬層13、氧化物半 導(dǎo)體層14、源極部15a、漏極部15b、絕緣保護(hù)層(passivation layer)16、接觸孔洞(via)19 以及像素電極(pixel electrode)17。其中，源極部15a與漏極部15b的材料為銅(Copper, Cu)。
[0005]柵極部11形成于基板10上。柵極絕緣層12為硅的氧化物或氮化物(例如SiOx 或SiNx)，且整層覆蓋基板10與柵極部11。氧化物半導(dǎo)體層14形成于柵極絕緣層12上， 且位于相對(duì)應(yīng)的柵極11上方。
[0006]為了避免漏極部15a與源極部15b的銅離子擴(kuò)散至柵極絕緣層12形成移動(dòng)離子， 影響薄膜晶體管的電特性及可靠度，因此一中介金屬層13會(huì)先形成于柵極絕緣層12上，且 位于相對(duì)應(yīng)的漏極部15a與源極部15b之下。除此之外，漏極部15a、源極部15b的銅金屬 與柵極絕緣層12的附著性(adhesion)不佳，通過中介金屬層13的設(shè)置，可以增加附著性 避免劈裂(peeling)。
[0007]絕緣保護(hù)層16為硅的氧化物或氮化物(例如SiOx或SiNx)，且整層覆蓋漏極部 15a、源極部15b、氧化物半導(dǎo)體層14與柵極絕緣層12，以達(dá)到保護(hù)絕緣的效果。接著，于絕 緣保護(hù)層16上方定義接觸孔洞19，并且形成于像素電極17于絕緣保護(hù)層16上，其中接觸 孔洞19用以使像素電極17往下延伸而電性連接源極部15b。
[0008]另外，請(qǐng)參照?qǐng)D2，圖2為另一種薄膜晶體管基板的剖面圖。相較于圖1，圖2的薄 膜晶體管基板I’的薄膜晶體管還包括蝕刻停止層(Etch Stop Layer, ESL) 18形成于氧化 物半導(dǎo)體層14之上，以防止蝕刻過程對(duì)氧化物半導(dǎo)體層14背通道(back channel)部分的傷害。
[0009]上述中介金屬層13例如為鑰(Molybdenum,Mo)或鈦(Titanium,Ti)。在柵極絕緣層12形成之后，鑰或鈦會(huì)整層連續(xù)沉積并覆蓋柵極絕緣層12，上方再覆蓋銅，接著通過蝕 刻過程，將可以形成上述漏極部15a、源極部15b及中介金屬層13。然而，于蝕刻過程中，部 分鑰或鈦可能未被蝕刻而殘留，因此造成薄膜晶體管電性異常甚至功能失效，影響其可靠 性與良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明提供一種薄膜晶體管基板，此薄膜晶體管基板包括基板及多個(gè)薄膜晶體 管。薄膜晶體管包括第一電極層、第一絕緣層、氧化物半導(dǎo)體層、第二電極層以及第二絕緣 層。第一電極層形成于基板上，其包括柵極部。第一絕緣層覆蓋第一電極層。氧化物半導(dǎo) 體層形成于柵極絕緣層上。第二電極層形成于氧化物半導(dǎo)體上，其包括源極部及漏極部位 于對(duì)應(yīng)柵極部的兩端，源極部及漏極部之間具有第一間隔。第二絕緣層覆蓋氧化物半導(dǎo)體 層與第二電極層。其中，第二電極層邊緣于氧化物半導(dǎo)體層邊緣之內(nèi)，第二電極層包括銅。
[0011]本發(fā)明提供一種顯示器，其包括顯示面板、驅(qū)動(dòng)電路及外觀件。顯示面板包括薄膜 晶體管基板。薄膜晶體管基板包括基板、多個(gè)薄膜晶體管、多條相互平行的掃描線以及多條 相互平行的數(shù)據(jù)線。薄膜晶體管包括第一電極層、第一絕緣層、氧化物半導(dǎo)體層、第二電極 層以及第二絕緣層。第一電極層形成于基板上，其包括柵極部。第一絕緣層覆蓋第一電極 層。氧化物半導(dǎo)體層形成于柵極絕緣層上。第二電極層形成于氧化物半導(dǎo)體上，其包括源 極部及漏極部位于對(duì)應(yīng)柵極部的兩端，源極部及漏極部之間具有第一間隔。第二絕緣層覆 蓋氧化物半導(dǎo)體層與第二電極層。其中，第二電極層邊緣于氧化物半導(dǎo)體層邊緣之內(nèi)，第二 電極層包括銅。
[0012]本發(fā)明提供一種薄膜晶體管基板的制造方法。首先，提供基板。接著形成第一電 極層于基板上，且第一電極層包括柵極部。之后，形成第一絕緣層覆蓋第一電極層。形成氧 化物半導(dǎo)體層于第一絕緣層上。接著，形成第二電極層于氧化物半導(dǎo)體層上，第二電極層包 括位于對(duì)應(yīng)柵極部的兩端的源極部及漏極部，源極部及漏極部之間具有第一間隔。最后，形 成第二絕緣層覆蓋氧化物半導(dǎo)體層與第二電極層。其中，第二電極層邊緣于氧化物半導(dǎo)體 層邊緣之內(nèi)，第二電極層包括銅。
[0013]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管基板、其顯示器與其制造方法，其中 所述薄膜晶體管的第二電極層形成于氧化物半導(dǎo)體層上，且所述第二電極層與氧化物半導(dǎo) 體層之間具有良好的黏著性。相較于傳統(tǒng)薄膜晶體管，本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管使用單 純的銅作為第二電極層，省略了中介金屬層，故具有較低的成本、較為簡化的工藝、較佳的 良率與較好的穩(wěn)定度。
[0014]為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說 明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅是用來說明本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的權(quán)利要求范圍 作任何的限制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1為傳統(tǒng)液晶面板的薄膜晶體管基板的剖面圖。
[0016]圖2為傳統(tǒng)液晶面板的另一種薄膜晶體管基板的剖面圖。
[0017]圖3是本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管基板的剖面圖。[0018]圖4是本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管基板的平面圖
[0019]圖5是本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管基板的剖面圖。
[0020]圖6是本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管基板的剖面圖。
[0021]圖7是本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管基板的剖面圖。
[0022]圖8至圖11為薄膜晶體管基板制造方法的部分步驟所形成的半成品的平面圖。 [0023]【主要元件符號(hào)說明】
[0024]1、I’:傳統(tǒng)薄膜晶體管基板
[0025]3、3’、3”、3”’:薄膜晶體管基板
[0026]10、30:基板
[0027]11,31:第一電極層
[0028]12,32:第一絕緣層
[0029]13:中介金屬層
[0030]14、33、33’:氧化物半導(dǎo)體層
[0031]31a:柵極部
[0032]34:第二電極層
[0033]15a、34a:漏極部
[0034]15b、34b:源極部
[0035]16,35:第二絕緣層
[0036]17、36:像素電極層
[0037]18,37:蝕刻停止層
[0038]19,38:接觸孔洞
[0039]39、39’、39”、39”，:薄膜晶體管
[0040]41:掃描線
[0041]42:數(shù)據(jù)線
[0042]S1:第一間隔
[0043]S2:第二間隔
【具體實(shí)施方式】
[0044]圖3是本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管基板的剖面圖，而圖4是本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管基板的平面圖，其中圖3的剖面圖根據(jù)圖4的剖面線AA進(jìn)行剖面而獲得。薄膜晶體管基板3由位于基板30上的多個(gè)矩陣排列的薄膜晶體管39、相互平行而沿著第一軸向(例如X軸)排列的多條掃描線41與相互平行而沿著第二軸向(例如Y軸)向排列的多條數(shù)據(jù)線42所構(gòu)成。掃描線41及數(shù)據(jù)線42交錯(cuò)排列，并間隔形成多個(gè)像素單元。薄膜晶體管39 位于掃描線41及數(shù)據(jù)線42的交錯(cuò)位置，通過掃描線41及數(shù)據(jù)線42提供的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，控制各個(gè)像素單元出光情況，以顯示灰階畫面。
[0045]薄膜晶體管基板3包括基板30、薄膜晶體管39及像素電極層36。薄膜晶體管39 包括第一電極層31、第一絕緣層32、氧化物半導(dǎo)體層33、第二電極層34及第二絕緣層35。 此實(shí)施例的薄膜晶體管39為底柵極構(gòu)造。
[0046]基板30的作用為承載薄膜及元件，其表面必須具有足夠的平坦性，其材料可以是透光或是不透光的絕緣材料，例如是玻璃、塑料、玻璃纖維或包覆絕緣表層的金屬薄板 (metal foil)。
[0047]圖案化的第一電極層31位于基板30上，具有導(dǎo)線部與柵極部31a，其中導(dǎo)線部可 以是掃描線41，而柵極部凸出于掃描線41或是屬于掃描線41其中一部分，預(yù)定形成薄膜晶 體管39的柵極(gate)。柵極部31a與掃描線41為電性相連。第一電極層31的材料可以 是鋁、銅、鑰、鈦、銀、鎂等金屬，以單層、多層疊或合金方式構(gòu)成。
[0048]第一絕緣層32也稱作柵極絕緣層，其位于第一電極層31及基板30的上方，且第 一絕緣層32必須完整覆蓋第一電極層31以隔絕電極間的電性導(dǎo)通及產(chǎn)生適當(dāng)?shù)谋∧ぞ?體管通道效應(yīng)。第一絕緣層32可部分或完整覆蓋基板30。第一絕緣層32的材料可以是 SiNx、Si0x或者是其復(fù)合層疊的組合。然而本發(fā)明不限定基板30、第一電極層31以及第一 絕緣層32所使用的材料。
[0049]氧化物半導(dǎo)體層33位于第一絕緣層32的上方，并且部分覆蓋第一絕緣層32，其中 部分氧化物半導(dǎo)體層33必須位于相對(duì)柵極部31a之上，以形成薄膜晶體管的通道。氧化物 半導(dǎo)體層33的材料可以是以離子鍵鍵結(jié)的半導(dǎo)體材料，其本身具有較高的載子遷移率，以 作為感應(yīng)通道之用，例如是氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZ0)、氧化銦鎵鋅(IGZ0)、氧化銦錫鋅 (ITZO )、氧化鋁錫鋅(ATZO )、氧化鉿銦鋅(HIZO)或其組合。
[0050]圖案化的第二電極層34位于氧化物半導(dǎo)體層33的上方，其對(duì)應(yīng)于柵極部31a相 對(duì)的兩端具有源極部34b以及漏極部34a，源極部34b及漏極部34a之間具有第一間隔SI 以電性分離，并產(chǎn)生適當(dāng)?shù)谋∧ぞw管通道效應(yīng)。第二電極層34另外具有導(dǎo)線部，其可以 是數(shù)據(jù)線42。此實(shí)施例第二電極層34的源極部34b、漏極部34a與數(shù)據(jù)線42下方與第一 絕緣層32的接觸面，皆具有氧化物半導(dǎo)體層33介于其中作為附著強(qiáng)化層，氧化物半導(dǎo)體層 33面積至少大于第二電極層34面積，第二電極層34的圖形邊緣與氧化物半導(dǎo)體層33的圖 形邊緣切齊或是第二電極層34的圖形邊緣在的氧化物半導(dǎo)體層33的圖形邊緣內(nèi)。更佳的 是，氧化物半導(dǎo)體層33的圖形邊緣之內(nèi)，位于第二電極層34的數(shù)據(jù)線42下方的氧化物半 導(dǎo)體層33圖形具有一個(gè)以上的第二間隔S2，用以電性隔離氧化物半導(dǎo)體層33可能的導(dǎo)電 路徑，避免漏電產(chǎn)生影響顯示畫面。第二電極層34的材料可以是鋁、銅、鑰、鈦、銀、鎂等金 屬，以單層、多層疊或合金方式構(gòu)成。此實(shí)施例的第二電極層34為單層銅金屬。
[0051]第二絕緣層35位于第二電極層34及氧化物半導(dǎo)體層33上，且必須完整覆蓋第 二電極層34及氧化物半導(dǎo)體層33以達(dá)到絕緣保護(hù)的效果。第二絕緣層35的材料可以是 SiNx.SiOx或者是其復(fù)合層疊的組合。由第一電極層31至第二絕緣層35的結(jié)構(gòu)即為一完 整的薄膜晶體管39，可執(zhí)行開關(guān)的效果。
[0052]值得說明的是，由于第一絕緣層32的材料是SiNx、SiOx等非導(dǎo)體材料，與第二電 極層34的金屬材料附著力差，而氧化物半導(dǎo)體層33的材質(zhì)是以離子鍵鍵結(jié)的半導(dǎo)體材料， 對(duì)于第二電極層34的金屬材料及第一絕緣層32的非導(dǎo)體材料皆具有良好的附著性，因此 介于其中可以增加第二電極層34與第一絕緣層32的附著性。此外，氧化物半導(dǎo)體層33還 可以作為擴(kuò)散阻擋層，以防止氧化物半導(dǎo)體層33上方第二電極層34的金屬離子進(jìn)入氧化 物半導(dǎo)體層33下方的第一絕緣層32，形成移動(dòng)載子而降低第一絕緣層32的絕緣特性，進(jìn)而 影響半導(dǎo)體組件的可靠性。
[0053]除此之外，本實(shí)施例使用氧化物半導(dǎo)體層33取代一般薄膜晶體管基板使用的中介金屬層，可以解決傳統(tǒng)中介金屬層于蝕刻流程產(chǎn)生殘留物的問題。由于第二電極層34可 以是單一層金屬銅，蝕刻液的選擇及蝕刻流程較為單純?nèi)菀?，且不容易產(chǎn)生殘留物的問題。 因此，相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)施例薄膜晶體管基板的良率較佳，且其工藝得以簡化以減少成 本。
[0054]另外，第二絕緣層35具有接觸孔洞38，且位在相對(duì)于源極部34b上方的位置(如圖 4所示)。像素電極層36位于第二絕緣層35上方，且覆蓋部分的第二絕緣層35以及全部的 接觸孔洞38，其中像素電極層36通過接觸孔洞38往下延伸而電性連接源極34b，接收驅(qū)動(dòng) 信號(hào)。各個(gè)像素的像素電極層36必須電性隔離，并以各個(gè)薄膜晶體管39進(jìn)行驅(qū)動(dòng)操作顯 示層(未示出)以顯示灰階畫面。完成第一電極層31至像素電極層36的結(jié)構(gòu)即完成薄膜晶 體管基板的主要部分(可增加其他層別以具有其他特性)。薄膜晶體管基板為顯示面板的主 體，搭配顯示層(例如液晶、有機(jī)電激發(fā)光材料、電泳粒子等)、彩色濾光片基板即成為一顯 示面板。而顯示面板可搭配驅(qū)動(dòng)電路及外觀件成為一顯示器。
[0055]在此請(qǐng)注意，氧化物半導(dǎo)體層33于本實(shí)施例中，其邊緣僅略凸出于(也可切齊)第 二電極層34的源極34b、漏極34a與數(shù)據(jù)線42的邊緣，此外，位于數(shù)據(jù)線42下方的氧化物 半導(dǎo)體33可電性相連或具有第二間隔S2而電性不相連(如圖9所示)。需要說明的是，氧 化物半導(dǎo)體層33于其他實(shí)施例中，將可以不被定義，而為整層覆蓋第一絕緣層32。
[0056]請(qǐng)接著參照?qǐng)D5，圖5是本發(fā)明另一實(shí)施例的液晶面板的薄膜晶體管基板3’的剖 面圖。相較于圖4的實(shí)施例，圖5的薄膜晶體管39’還包括蝕刻停止層37形成于氧化物半 導(dǎo)體層33之上，且對(duì)應(yīng)于柵極部31a的位置及介于源極部34b與漏極部34a之間，用以封 閉氧化物半導(dǎo)體層33未被源極部34b與漏極部34a覆蓋的開口，以保護(hù)蝕刻過程中蝕刻液 對(duì)氧化物半導(dǎo)層33背通道的傷害，從而提升薄膜晶體管的良率及導(dǎo)電特性。蝕刻停止層37 的材料可以是SiNx、SiOx或者是其復(fù)合層疊的組合。
[0057]請(qǐng)參照?qǐng)D6，圖6是本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管基板的剖面圖。相較于圖4的 實(shí)施例，薄膜晶體管39”的氧化物半導(dǎo)體層33’為整層覆蓋第一絕緣層32，而未被定義。
[0058]請(qǐng)參照?qǐng)D7，圖7是本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管基板的剖面圖。相較于圖5的 實(shí)施例，薄膜晶體管39”’的氧化物半導(dǎo)體層33’為整層覆蓋第一絕緣層32，而未被定義。
[0059]請(qǐng)接著依序參照?qǐng)D8至圖11與圖4，圖8至圖11為顯示器的薄膜晶體管基板的制 造方法的部分步驟所形成的半成品的平面圖。然而，需要說明的是，下述的制造方法僅是本 發(fā)明的其中一種實(shí)施例，其步驟與順序皆非用以限制本發(fā)明。
[0060]于圖8中，首先，提供基板30。然后，形成圖案化具有多個(gè)柵極部31a及多條掃描 線41 (導(dǎo)線部)的第一電極層31于基板30上,其中掃描線41沿著第一軸向排列，且每一 掃描線41電性連接多個(gè)柵極部31a。接著，形成第一絕緣層32覆蓋基板30、掃描線41以 與柵極部31a。
[0061]接著，請(qǐng)參照?qǐng)D9，形成氧化物半導(dǎo)體層33于第一絕緣層32上。然后，對(duì)氧化物半 導(dǎo)體層33進(jìn)行定義，于其他實(shí)施例中，也可以增加多個(gè)第二間隔S2或不對(duì)氧化物半導(dǎo)體層 33進(jìn)行定義。
[0062]在此請(qǐng)注意，于其他實(shí)施例中，還可以包括形成蝕刻停止層37于對(duì)應(yīng)于柵極部上 方的氧化物半導(dǎo)體層33上。
[0063]然后，請(qǐng)參照?qǐng)D10，形成圖案化的第二電極層34于氧化物半導(dǎo)體層33上，第二電極層34的邊緣于氧化物半導(dǎo)體層33的邊緣之內(nèi)，第二電極層34包括多條相互平行的數(shù)據(jù) 線42、多個(gè)漏極34a以及多個(gè)相對(duì)應(yīng)的源極34b，彼此具有第一間隔SI，其中數(shù)據(jù)線42沿著 第二軸向排列，且每一數(shù)據(jù)線42電性連接多個(gè)漏極34a。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D11，形成第二絕緣 層35，并定義出多個(gè)接觸孔洞38。最后，請(qǐng)參照?qǐng)D4，形成對(duì)應(yīng)所述多個(gè)像素區(qū)域的薄膜晶 體管的多個(gè)像素電極層36。
[0064]綜合以上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管基板、其顯示器與其制造方法， 其中所述薄膜晶體管的第二電極層形成于氧化物半導(dǎo)體層上，且所述第二電極層與氧化物 半導(dǎo)體層之間具有良好的黏著性。相較于傳統(tǒng)薄膜晶體管，本發(fā)明實(shí)施例使用單純的銅作 為第二電極層，省略了中介金屬層，且可以使用單純的金屬蝕刻液來定義第二電極層，故具 有較低的成本、較為簡化的工藝、較佳的良率與較好的穩(wěn)定度。
[0065]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，其并非用以限定本發(fā)明的專利保護(hù)范圍。任何本 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)，所作的更動(dòng)及潤飾的等效替換，仍 為本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管基板，其特征在于，所述薄膜晶體管基板包括:基板；第一電極層，位于所述基板上，包括柵極部；第一絕緣層，覆蓋所述第一電極層；氧化物半導(dǎo)體層，位于所述第一絕緣層上；以及第二電極層，位于所述氧化物半導(dǎo)體層上，包括源極部及漏極部，所述源極部及所述漏極部位于與所述柵極部相對(duì)應(yīng)的兩端；其中，所述第二電極層的邊緣位于所述氧化物半導(dǎo)體層的邊緣內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體層整面覆蓋所述第一絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體層包括第二間隔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體層為ZnO、 IZO、IGZO、ITZ0、ATZ0、HIZ0 的其中一種或其組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述第二電極層的材料為單層銅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述薄膜晶體管基板還包括蝕刻停止層，所述蝕刻停止層位于所述氧化物半導(dǎo)體層的上方。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述薄膜晶體管基板還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述第二電極層與所述氧化物半導(dǎo)體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述第二絕緣層具有接觸孔洞，所述接觸孔洞與所述源極部相對(duì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述第二絕緣層上具有像素電極層，所述像素電極層經(jīng)由所述接觸孔洞往下延伸而電性連接所述源極部。
10.一種顯示器，其特征在于，所述顯示器包括:驅(qū)動(dòng)電路；外觀件；以及顯示面板，包括薄膜晶體管基板，所述薄膜晶體管基板，包括:基板；第一電極層，位于所述基板上，包括柵極部；第一絕緣層，覆蓋所述第一電極層；氧化物半導(dǎo)體層，位于所述第一絕緣層上；以及第二電極層，位于所述氧化物半導(dǎo)體層上，包括源極部及漏極部，所述源極部及所述漏極部位于與所述柵極部相對(duì)應(yīng)的兩端；其中，所述第二電極層的邊緣位于所述氧化物半導(dǎo)體層的邊緣內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示器，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體層整面覆蓋所述第一絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示器，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體層包括第二間隔。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示器，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體層為ZnO、IZO、IGZO、ITZO、ATZO、HIZO的其中之一或其組合。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示器，其特征在于，所述第二電極層的材料為銅。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示器，其特征在于，所述薄膜晶體管基板還包括蝕刻停止層，所述蝕刻停止層位于所述氧化物半導(dǎo)體層上。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示器，其特征在于，所述薄膜晶體管基板還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述第二電極層與所述氧化物半導(dǎo)體層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示器，其特征在于，所述第二絕緣保護(hù)層具有接觸孔洞， 所述接觸孔洞與所述源極部相對(duì)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示器，其特征在于，所述第二絕緣層上具有像素電極層， 所述像素電極層經(jīng)由所述接觸孔洞往下延伸而電性連接所述源極部。
19.一種薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶體管基板的制造方法包括下列步驟:提供基板；在所述基板上形成第一電極層，所述第一電極層包括柵極部；形成第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述第一電極層；在所述第一絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層；在所述氧化物半導(dǎo)體層上形成第二電極層，所述第二電極層包括源極部及漏極部，且所述源極部及所述漏極部位于與所述柵極部相對(duì)應(yīng)的兩端；以及 形成第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述氧化物半導(dǎo)體層與所述第二電極層；在所述第二絕緣層上形成接觸孔洞，其中所述接觸孔洞與所述源極部相對(duì)；在所述第二絕緣層上形成像素電極層，其中所述像素電極層通過所述接觸孔洞電性連接所述源極部；其中，所述第二電極層的邊緣位于所述氧化物半導(dǎo)體層的邊緣內(nèi)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的薄膜晶體 管基板的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶體管基板的制造方法還包括:在所述氧化物半導(dǎo)體層的上方形成蝕刻停止層，其中所述蝕刻停止層位于所述氧化物半導(dǎo)體層上。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK103579355SQ201210259588
【公開日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2012年7月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月25日
【發(fā)明者】周政旭 申請(qǐng)人:群康科技 (深圳) 有限公司, 奇美電子股份有限公司