薄膜晶體管基板及具備薄膜晶體管基板的顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種薄膜晶體管基板及具備薄膜晶體管基板的顯示裝置，該薄膜晶體管基板，包括一基板、一柵極、一柵極介電層、一通道層、一源極、一漏極及一光遮蔽層。柵極設(shè)置于基板。柵極介電層設(shè)置于柵極及基板上。通道層設(shè)置于柵極介電層上。源極與漏極設(shè)置于通道層上并與通道層接觸，且漏極與源極之間具有一間隔。光遮蔽層遮蔽間隔。通道層包括一氧化物半導(dǎo)體。
【專利說明】薄膜晶體管基板及具備薄膜晶體管基板的顯示裝置 【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明關(guān)于一種薄膜晶體管基板及具備薄膜晶體管基板的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的進(jìn)步，顯示裝置已經(jīng)廣泛的被運(yùn)用在各種領(lǐng)域，尤其是液晶顯示裝置， 因具有體型輕薄、低功率消耗及無輻射等優(yōu)越特性，已經(jīng)漸漸地取代傳統(tǒng)陰極射線管顯示 裝置，而應(yīng)用至許多種類的電子產(chǎn)品中，例如移動(dòng)電話、可攜式多媒體裝置、筆記型電腦、液 晶電視及液晶螢眷等等。
[0003]就液晶顯不裝置而目，習(xí)知的多晶娃薄I旲晶體管具有約100cm2/Vs左右的遷移 率，但其必須于450°C以上的溫度下進(jìn)行制造，因而僅能形成于高耐熱性的基板上，而不適 合應(yīng)用于大面積或可撓性的基板。此外，習(xí)知的非晶硅薄膜晶體管雖然能以較低的溫度，約 300°C，進(jìn)行制造，但由于此種非晶硅薄膜晶體管僅具有約IcmVVs左右的遷移率，因而無法 適用于高精細(xì)度的面板。
[0004]對(duì)此,有業(yè)者提出以金屬氧化物半導(dǎo)體，例如是非結(jié)晶氧化銦鎵鋅(amorphous indium gallium zinc oxide, a-1GZO),作為薄膜晶體管的通道層(channel layer)。雖然， 非結(jié)晶氧化銦鎵鋅薄膜晶體管具有優(yōu)于非晶硅薄膜晶體管的遷移率的優(yōu)點(diǎn)，且其在工藝上 也較多晶硅薄膜晶體管的工藝簡單，但由于非結(jié)晶氧化銦鎵鋅對(duì)于光、水及氧氣皆十分的 敏感。
[0005]因此，如何提供一種薄膜晶體管基板及具備薄膜晶體管基板的顯示裝置，使其能 夠有效隔絕光線的照射，以提升薄膜晶體管的穩(wěn)定性，并同時(shí)能夠提高開口率，已成為重要 課題之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的為提供一種能夠有效隔絕光線的照射，以提升薄 膜晶體管的穩(wěn)定性，并同時(shí)能夠提高開口率的薄膜晶體管基板及具備薄膜晶體管基板的顯 示裝置。
[0007]為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種薄膜晶體管基板包括一基板、一柵極、一柵極介 電層(gate insulating layer)、一通道層、一源極、一漏極及一光遮蔽層。柵極設(shè)置于基 板。柵極介電層設(shè)置于柵極及基板上。通道層設(shè)置于柵極介電層上。源極與漏極設(shè)置于通 道層上并與通道層接觸，且漏極與源極之間具有一間隔。光遮蔽層遮蔽間隔。通道層包括 一氧化物半導(dǎo)體。
[0008]為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種顯示裝置包括一薄膜晶體管基板、一對(duì)向基板、 一液晶層及一背光模塊。薄膜晶體管基板具有一基板、一柵極、一柵極介電層、一通道層、一 源極、一漏極及一光遮蔽層。柵極設(shè)置于基板。柵極介電層設(shè)置于柵極及基板上。通道層 設(shè)置于柵極介電層上。源極與漏極設(shè)置于通道層上并與通道層接觸，且漏極與源極之間具 有一間隔。光遮蔽層遮蔽間隔。通道層包括一氧化物半導(dǎo)體。對(duì)向基板與薄膜晶體管基板相對(duì)設(shè)置。液晶層設(shè)置于薄膜晶體管基板與對(duì)向基板之間。背光模塊設(shè)置于薄膜晶體管基 板相對(duì)于對(duì)向基板的另一側(cè)。
[0009]承上所述，因依據(jù)本發(fā)明的一種薄膜晶體管基板及具備薄膜晶體管基板的顯示裝 置，藉由設(shè)置于光遮蔽層于源極和漏極之間的間隔，阻絕光線行進(jìn)至通道層的路徑。從而實(shí) 現(xiàn)能夠有效隔絕光線的照射，以提升薄膜晶體管的穩(wěn)定性，并同時(shí)能夠提高開口率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1A為依據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種薄膜晶體管基板的剖面示意圖；
[0011]圖1B為依據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的另一種薄膜晶體管基板的剖面示意圖；
[0012]圖2A至圖2C為依據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的薄膜晶體管基板的多種變化態(tài)樣的剖面 示意圖；
[0013]圖3為依據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種顯示裝置的剖面示意圖；以及
[0014]圖4A至圖4C為依據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的顯示裝置的多種變化態(tài)樣的剖面示意 圖。
[0015]附圖標(biāo)號(hào)
[0016]1A、1B、2A、2B、2C、31:薄膜晶體管基板
[0017]11、310:柵極
[0018]12,311:柵極介電層
[0019]13、312:通道層
[0020]14,313:源極
[0021]15、314:漏極
[0022]16,315:光遮蔽層
[0023]21、316:第一鈍化層
[0024]22,317:光吸收層
[0025]23,318:第二鈍化層
[0026]24、319:透明導(dǎo)電圖案層
[0027]25:共同電極
[0028]26:導(dǎo)電層
[0029]3、4A、4B、4C:顯示裝置
[0030]32:液晶層
[0031]33:背光模塊
[0032]A:光配向膜
[0033]E:電極層
[0034]ES:刻蝕終止層
[0035]F:彩色濾光片
[0036]1:間隔
[0037]S1:基板
[0038]S2:對(duì)向基板【具體實(shí)施方式】
[0039]以下將參照相關(guān)圖式，說明依本發(fā)明較佳實(shí)施例的薄膜晶體管基板及具備薄膜晶 體管基板的顯示裝置，其中相同的元件將以相同的參照符號(hào)加以說明。
[0040]首先，請(qǐng)參照?qǐng)D1A所示，其本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種薄膜晶體管基板1A。薄膜晶 體管基板IA包括一基板S1、一柵極11、一柵極介電層12、一通道層13、一源極14、一漏極 15及一光遮蔽層16。在實(shí)施上,基板SI可為一可透光的材質(zhì),用于穿透式顯不裝置,例如 是玻璃、石英或類似物、塑膠、橡膠、玻璃纖維或其他高分子材料，較佳的可為一硼酸鹽無堿 玻璃基板(alumino silicate glass substrate)。基板SI亦可為一不透光的材質(zhì)，用于自 發(fā)光或反射式顯示裝置，例如是金屬-玻璃纖維復(fù)合板、金屬-陶瓷復(fù)合板。
[0041]柵極11設(shè)置于基板SI上，且柵極11的材質(zhì)例如是金屬(例如鋁、銅、銀、鑰、鈦)或 其合金所構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)。部分用以傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)的導(dǎo)線，可以使用與柵極11同層 且同一工藝的結(jié)構(gòu)，彼此電性相連，例如掃描線(scan line)。柵極介電層12設(shè)置于柵極 11上，且柵極介電層12可為有機(jī)材質(zhì)如有機(jī)硅氧化合物，或無機(jī)材質(zhì)如氮化硅、氧化硅、氮 氧化硅、碳化硅、氧化鋁、氧化鉿、或上述材質(zhì)的多層結(jié)構(gòu)。柵極介電層12需完整覆蓋柵極 11，并可選擇部分或全部覆蓋基板SI。
[0042]通道層13相對(duì)柵極11位置設(shè)置于柵極介電層12上。在實(shí)施上，通道層13包括 一氧化物半導(dǎo)體。其中，前述的氧化物半導(dǎo)體包括氧化物，且氧化物包括銦、鋅及錫的至少 其中之一，較佳的是氧化物半導(dǎo)體為非結(jié)晶氧化銦鎵鋅。
[0043]源極14與漏極15分別設(shè)置于通道層13上，且源極14和漏極15分別與通道層13 接觸，于薄膜晶體管的通道層未導(dǎo)通時(shí)，兩者電性分離。源極14與漏極15的材質(zhì)可為金屬 (例如鋁、銅、銀、鑰、鈦)或其合金所構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)。此外，源極14與漏極15之間 具有一間隔I。部分用以傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)的導(dǎo)線，可以使用與源極14與漏極15同層且同一工 藝的結(jié)構(gòu)，例如資料線(data line)。
[0044]光遮蔽層16設(shè)置于間格I上，并遮蔽間隔I。光遮蔽層16的材質(zhì)包括鉻 (chromium)、壓克力樹脂(acrylic resin)或氧化鈦(TiO2X其中，當(dāng)光遮蔽層16的材質(zhì) 是包括壓克力樹脂時(shí)，光遮蔽層16的材質(zhì)則更包括碳黑(carbon)或黑色染料。
[0045]在實(shí)際運(yùn)用時(shí)，光遮蔽層16的厚度較佳是介于0.15微米至1.2微米，且其光密度 值(optical density, 0D,或稱之為吸光值)較佳的是介于4至6。此外，為了避免光線照射 到通道層13，并有效阻絕光線行進(jìn)至通道層13的路徑，光遮蔽層16于垂直方向的投影是超 出通道層13的外緣，且超出的距離至少為I微米，較佳的是介于I微米至2微米。此外，由 于光遮蔽層16的材質(zhì)及工藝程的因素,光遮蔽層16的外緣為一朝向基板SI的表面延伸的 斜面，換言之，光遮蔽層16的外緣具有一斜角，且此斜角與水平方向之間的角度為25度至 60度。
[0046]值得一提的是，在本實(shí)施例是以源極14與漏極15直接設(shè)置于通道層13上，并與 通道層13接觸為例，然而，如圖1B所示，在其他的工藝方式下，薄膜晶體管基板IB的源極 14與漏極15可設(shè)置于一刻蝕終止(etch stop)層ES上，且源極14與漏極15的一端分別 自刻蝕終止層ES的開口與通道層13接觸。刻蝕終止層ES可為單層無機(jī)材質(zhì)如氮化硅、氧 化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鋁、氧化鉿、或上述材質(zhì)的多層結(jié)構(gòu)。
[0047]接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2A至圖2C，以進(jìn)一步說明本發(fā)明較佳實(shí)施例的薄膜晶體管基板的多種變化態(tài)樣。如圖2A所示，薄膜晶體管基板2A與薄膜晶體管基板IB相較，其區(qū)別在于， 薄膜晶體管基板2A更包括一第一鈍化層21、一光吸收層22、一第二鈍化層23及一透明導(dǎo) 電圖案層24。
[0048]在本實(shí)施例中，第一鈍化層21設(shè)置于光遮蔽層16上。光吸收層22設(shè)置于第一鈍 化層上21，且光吸收層22的厚度是介于I微米至2.5微米。第二鈍化層23設(shè)置于光吸收 層22上。透明導(dǎo)電圖案層24設(shè)置于第二鈍化層23上，且其材質(zhì)可為銦錫氧化物(ITO)JB 鋅氧化物(IZ0)、鋁鋅氧化物(AZ0)、鎘錫氧化物(CTO)、氧化錫(SnO2)、或氧化鋅(ZnO)等透 明導(dǎo)電材料。此外，光吸收層22的材質(zhì)例如是有機(jī)介電材質(zhì)，其可吸收波長為400納米以 下的光線，特別是用于吸收背光模塊(圖未顯示)反射于光遮蔽層16的光線，以更進(jìn)一步地 阻絕光線照射到通道層13，從而避免通道層13產(chǎn)生電特性的劣化。光吸收層22可選擇彩 色濾光片材質(zhì)。
[0049]再如圖2B所示，其為本發(fā)明的另一種較佳實(shí)施例的薄膜晶體管基板2B，與薄膜晶 體管基板2A相較，薄膜晶體管基板2B的第一鈍化層21是設(shè)置于源極14與漏極15上。光 吸收層22設(shè)置于光遮蔽層16上。第二鈍化層23設(shè)置于光吸收層22上。透明導(dǎo)電圖案層 24則設(shè)置于第二鈍化層23上。此外，如圖2C所示，薄膜晶體管基板2C的第一鈍化層21設(shè) 置于源極14與漏極15上。光吸收層22設(shè)置于第一鈍化層21上。第二鈍化層23設(shè)置于 光遮蔽層16上。透明導(dǎo)電圖案層24設(shè)置于第二鈍化層23上。
[0050]此外，需特別注意的是，以上為了方便說明，圖1A、圖1B及圖2A至圖2C所顯示的 各元件的高度及寬度的尺寸關(guān)系(比例)僅為示意，并不代表實(shí)際的尺寸關(guān)系。其次，在實(shí)施 時(shí)，薄膜晶體管基板更包括一共同電極(common electrode)及一導(dǎo)電層。如圖2A至圖2C 所示，共同電極25設(shè)置于基板SI上，導(dǎo)電層26是設(shè)置于第二鈍化層23與光吸收層22之 間，并沿光吸收層22向共同電極25延伸，且與共同電極25電性連接。由于，此處所述的共 同電極25與導(dǎo)電層26的材料與設(shè)置方式，皆為本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】具有通常知識(shí)者所熟 知，故此處不再贅述。
[0051]接著，請(qǐng)參照?qǐng)D3，其為本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種顯示裝置3。顯示裝置3包括一 薄膜晶體管基板31、一對(duì)向基板S2、一液晶層32及一背光模塊33。
[0052]薄膜晶體管基板31包括一基板S1、一柵極310、一柵極介電層311、一通道層312、 一源極313、一漏極314、一光遮蔽層315、一第一鈍化層316、一光吸收層317、一第二鈍化層 318及一透明導(dǎo)電圖案層319。柵極310設(shè)置于基板SI上。其中，前述的基板SI可為一可 透光的材質(zhì)所構(gòu)成，例如是玻璃、石英或類似物。
[0053]柵極介電層311設(shè)置于柵極310上。通道層312設(shè)置于柵極介電層311上，且通 道層312包括一氧化物半導(dǎo)體。其中，前述的氧化物半導(dǎo)體包括氧化物，且氧化物包括銦、 鋅及錫的至少其中之一，較佳的是氧化物半導(dǎo)體為非結(jié)晶氧化銦鎵鋅。
[0054]源極313與漏極314分別設(shè)置于通道層312上，并分別與通道層312接觸。其中， 柵極310、源極313與漏極314的材質(zhì)可為金屬、合金或金屬與合金所構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。此 夕卜，源極313與漏極314之間具有一間隔I。光遮蔽層315設(shè)置于間格I上，并遮蔽間隔I。 光遮蔽層315的材質(zhì)包括鉻、壓克力樹脂或氧化鈦。其中，當(dāng)光遮蔽層315的材質(zhì)是包括壓 克力樹脂時(shí)，光遮蔽層315的材質(zhì)則更包括碳黑或黑色染料。
[0055]在實(shí)施上，光遮蔽層315的厚度較佳是介于0.15微米至1.2微米，且其光密度值較佳的是介于4至6。此外，為了避免光線照射到通道層312，并有效阻絕光線行進(jìn)至通道 層312的路徑，光遮蔽層315于垂直方向的投影是超出通道層312的外緣，且超出的距離至 少為I微米，且較佳的是介于I微米至2微米。
[0056]第一鈍化層316設(shè)置于光遮蔽層315上。光吸收層317設(shè)置于第一鈍化層上316, 且光吸收層317的厚度是介于I微米至2.5微米。第二鈍化層318設(shè)置于光吸收層317上。 透明導(dǎo)電圖案層319設(shè)置于第二鈍化層318上，且其材質(zhì)可為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁 鋅氧化物、鎘錫氧化物、氧化錫、或氧化鋅等透明導(dǎo)電材料。此外，光吸收層317可吸收波長 為400納米以下的光線。光吸收層317可選擇彩色濾光片材質(zhì)。
[0057]對(duì)向基板S2與薄膜晶體管基板31相對(duì)設(shè)置,并具有一電極層E及一光配向膜A。 對(duì)向基板S2可為一可透光的材質(zhì)，例如是玻璃、石英或類似物。其中，在實(shí)際運(yùn)用時(shí)，薄膜 晶體管基板31的基板SI與對(duì)向基板S2可選用不同的材質(zhì)，例如是對(duì)向基板S2使用鐘玻 璃基板，而基板SI使用硼酸鹽無堿玻璃基板。此外，電極層E是設(shè)置于對(duì)向基板S2面對(duì)薄 膜晶體管基板31的一側(cè),而光配向膜A則設(shè)置于電極層E。對(duì)向基板S2與電極層E之間亦 可插入彩色濾光片F(xiàn)作為彩色化顯示之用。
[0058]液晶層32設(shè)置于薄膜晶體管基板31與對(duì)向基板S2之間。背光模塊33設(shè)置于薄 膜晶體管基板31相對(duì)于對(duì)向基板S2的另一側(cè)，并發(fā)出光線，使光線自薄膜晶體管基板31 的基板SI通過液晶層32，再由對(duì)向基板S2射出。此外，針對(duì)背光模塊33所發(fā)出并反射于 光遮蔽層315的光線，可藉由光吸收層317予以吸收，以更進(jìn)一步地阻絕光線照射到通道層 312，從而避免通道層312產(chǎn)生電特性的劣化。
[0059]需特別注意的是，當(dāng)在使用其他的工藝方式時(shí)，顯示裝置的薄膜晶體管基板的組 成可更包含一刻蝕終止層，且薄膜晶體管基板的源極和漏極可設(shè)置于刻蝕終止層上，源極 與漏極的一端則可分別自刻蝕終止層的開口與通道層接觸。
[0060]接著，請(qǐng)參照?qǐng)D4A至圖4C，以說明依據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的顯示裝置的多種變化 態(tài)樣。如圖4A所示，顯示裝置4A與顯示裝置3相較，顯示裝置4A采用薄膜晶體管基板2A 的組成結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，薄膜晶體管基板2A的源極14和漏極15設(shè)置于刻蝕終止層ES 上，且薄膜晶體管基板2A的第一鈍化層21設(shè)置于光遮蔽層16上。光吸收層22設(shè)置于第 一鈍化層上21，且光吸收層22的厚度是介于I微米至2.5微米。第二鈍化層23設(shè)置于光 吸收層22上。透明導(dǎo)電圖案層24設(shè)置于第二鈍化層23上。光吸收層22用以吸收波長為 400納米以下的光線，特別是用于吸收背光模塊33反射于光遮蔽層16的光線，以更進(jìn)一步 地阻絕光線照射到通道層13。光吸收層22可選擇彩色濾光片材質(zhì)。
[0061]此外，如圖4B和圖4C所示，顯示裝置4B與顯示裝置4C與顯示裝置4A的區(qū)別在 于，顯示裝置4B及顯示裝置4C分別具有薄膜晶體管基板2B與薄膜晶體管基板2C。由于顯 示裝置4B及顯示裝置4C與上述實(shí)施例的顯示裝置4A、薄膜晶體管基板2B和薄膜晶體管基 板2C具有相同的技術(shù)特征，故于此不再贅述。
[0062]綜上所述，因依據(jù)本發(fā)明的一種薄膜晶體管基板及具備薄膜晶體管基板的顯示裝 置，藉由設(shè)置于光遮蔽層于源極和漏極之間的間隔，以遮蔽間隔，并阻絕光線行進(jìn)至通道層 的路徑。從而實(shí)現(xiàn)能夠有效隔絕光線的照射，以提升薄膜晶體管的穩(wěn)定性，并同時(shí)能夠提高 開口率。
[0063]以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對(duì)其進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于的權(quán)利要求中。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管基板，其特征在于，所述薄膜晶體管基板包括:一基板；一柵極，設(shè)置于所述基板；一柵極介電層，設(shè)置于所述柵極及所述基板上；一通道層，設(shè)置于所述柵極介電層上；一源極，設(shè)置于所述通道層上并與所述通道層接觸；一漏極，設(shè)置于所述通道層上并與所述通道層接觸，且與所述源極之間具有一間隔；以及一光遮蔽層，遮蔽所述間隔，其中所述通道層包括一氧化物半導(dǎo)體。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體包括氧化物， 且所述氧化物包括銦、鋅及錫的至少其中之一。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述光遮蔽層的材質(zhì)包括鉻、壓克力樹脂或氧化鈦。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述光遮蔽層的厚度介于0.15 微米至1.2微米。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述光遮蔽層的光密度值介于4 至6。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述光遮蔽層于垂直方向的投影超出所述通道層的外緣I微米至2微米。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述薄膜晶體管基板包括: 一第一鈍化層，設(shè)置于所述光遮蔽層上；一光吸收層，設(shè)置于所述第一鈍化層上；一第二鈍化層，設(shè)置于所述光吸收層上；以及一透明導(dǎo)電圖案層，設(shè)置于所述第二鈍化層上。
8.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述薄膜晶體管基板包括: 一第一鈍化層，設(shè)置于所述源極與所述漏極上；一光吸收層，設(shè)置于所述光遮蔽層上；一第二鈍化層，設(shè)置于所述光吸收層上；以及一透明導(dǎo)電圖案層，設(shè)置于所述第二鈍化層上。
9.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述薄膜晶體管基板包括: 一第一鈍化層，設(shè)置于所述源極與所述漏極上；一光吸收層，設(shè)置于所述第一鈍化層上；一第二鈍化層，設(shè)置于所述光遮蔽層上；以及一透明導(dǎo)電圖案層，設(shè)置于所述第二鈍化層上。
10.如權(quán)利要求7、8或9中任一權(quán)利要求所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述光吸收層吸收波長為400納米以下的光線。
11.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括 :一薄膜晶體管基板，具有一基板、一柵極、一柵極介電層、一通道層、一源極、一漏極及一光遮蔽層，所述柵極設(shè)置于所述基板，所述柵極介電層設(shè)置于所述柵極及所述基板上，所述通道層設(shè)置于所述柵極介電層上，所述源極設(shè)置于所述通道層上并與所述通道層接觸， 所述漏極設(shè)置于所述通道層上并與所述通道層接觸，且所述漏極與所述源極之間具有一間隔，所述光遮蔽層遮蔽所述間隔，其中所述通道層包括一氧化物半導(dǎo)體；一對(duì)向基板，與所述薄膜晶體管基板相對(duì)設(shè)置；一液晶層，設(shè)置于所述薄膜晶體管基板與所述對(duì)向基板之間；以及一背光模塊，設(shè)置于所述薄膜晶體管基板相對(duì)于所述對(duì)向基板的另一側(cè)。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體包括氧化物，且所述氧化物包括銦、鋅及錫的至少其中之一。
13.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于，所述光遮蔽層的材質(zhì)包括鉻、壓克力樹脂或氧化鈦。
14.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于，所述光遮蔽層的厚度介于0.15微米至1.2微米，且所述光遮蔽層的光密度值介于4至6。
15.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于，所述光遮蔽層于垂直方向的投影超出所述通道層的外緣I微米至2微米。
16.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管基板包括:一第一鈍化層，設(shè)置于所述光遮蔽層上；一光吸收層，設(shè)置于所述第一鈍化層上；一第二鈍化層，設(shè)置于所述光吸收層上；以及一透明導(dǎo)電圖案層，設(shè)置于所述第二鈍化層上。
17.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管基板包括:一第一鈍化層，設(shè)置于所述源·極與所述漏極上；一光吸收層，設(shè)置于所述光遮蔽層上；一第二鈍化層，設(shè)置于所述光吸收層上；以及一透明導(dǎo)電圖案層，設(shè)置于所述第二鈍化層上。
18.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管基板包括:一第一鈍化層，設(shè)置于所述源極與所述漏極上；一光吸收層，設(shè)置于所述第一鈍化層上；一第二鈍化層，設(shè)置于所述光遮蔽層上；以及一透明導(dǎo)電圖案層，設(shè)置于所述第二鈍化層上。
19.如權(quán)利要求16、17或18中任一權(quán)利要求所述的顯示裝置，其特征在于，所述光吸收層吸收波長為400納米以下的光線。
20.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于，所述對(duì)向基板的一側(cè)具有一電極層及一光配向膜，所述光配向膜設(shè)置于所述電極層。
【文檔編號(hào)】H01L23/552GK103579354SQ201210259586
【公開日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2012年7月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月25日
【發(fā)明者】沈宏明, 黃婉玲, 楊凱能, 謝朝樺 申請(qǐng)人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美電子股份有限公司