專利名稱：像素陣列基板、顯示面板、接觸窗結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素陣列基板、顯示面板及接觸窗結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤其涉及一種良率佳的像素陣列基板、顯示面板、接觸窗結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工藝中，常需要在作為隔離的絕緣層中形成接觸窗(Contact Window)結(jié)構(gòu)，借以連接上下兩層導(dǎo)電層，或是連接半導(dǎo)體基底與低層導(dǎo)電層。圖I為一種公知的接觸窗結(jié)構(gòu)。為使第一導(dǎo)電層140及第二導(dǎo)電層170能做電性連接，在第一導(dǎo)電層140上依序覆蓋第一絕緣層150與第二絕緣層160之后，會(huì)以蝕刻方式制作出接觸窗100A。之后，再覆蓋上第二層導(dǎo)電層170。然而，第一絕緣層150與第二絕緣層160由不同材料所構(gòu)成，因此在蝕刻工藝中第一絕緣層150的被蝕刻速率大于第二絕緣層160的被蝕刻速率。如此一來，因?yàn)榈谝唤^緣層150被蝕刻的較快，導(dǎo)致覆蓋其上的第二絕緣層160有部分尚未被蝕刻，而這部分會(huì)懸空于第一絕緣層150上方。因此，后續(xù)形成的第二導(dǎo)電層170無法完整地覆蓋接觸窗100A，使第二導(dǎo)電層170的可靠度產(chǎn)生問題。此外，第二導(dǎo)電層170后續(xù)可能會(huì)再覆蓋上另外的兩層導(dǎo)電層與一層絕緣層以作為電容。但第二絕緣層160的懸空部分會(huì)使后續(xù)覆蓋上的絕緣層產(chǎn)生一樣的懸空問題，導(dǎo)致作為電容的上下電極而應(yīng)該互相絕緣的兩個(gè)導(dǎo)電層導(dǎo)通，最終使得電容失效。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供一種接觸窗結(jié)構(gòu)，可解決其中絕緣層懸空的問題。本發(fā)明提供一種像素陣列基板與顯示面板，可解決良率不佳的問題。本發(fā)明提供一種接觸窗結(jié)構(gòu)的制造方法，可解決其中絕緣層懸空的問題。本發(fā)明提出一種接觸窗結(jié)構(gòu)，包括一第一導(dǎo)體層、一第一絕緣層、一第二絕緣層以及一第二導(dǎo)體層。第一導(dǎo)體層配置于一基板上。第一絕緣層覆蓋第一導(dǎo)體層與基板，且具有一第一接觸窗。其中第一導(dǎo)體層的一部分暴露于第一接觸窗。第二絕緣層覆蓋第一絕緣層，且具有一第二接觸窗，其中第一接觸窗暴露于第二接觸窗。第一絕緣層的材質(zhì)不同于第二絕緣層的材質(zhì)。對于相同蝕刻液，第一絕緣層的被蝕刻速率大于第二絕緣層的被蝕刻速率，第二絕緣層靠近第一絕緣層的部分的被蝕刻速率大于第二絕緣層遠(yuǎn)離第一絕緣層的部分的被蝕刻速率。第二導(dǎo)體層覆蓋第一接觸窗與第二接觸窗，并接觸第一導(dǎo)體層暴露于第一接觸窗的部分。本發(fā)明提出一種像素陣列基板，此像素陣列基板包括前述的接觸窗結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提出一種顯示面板，包括一對向基板、一顯示介質(zhì)與前述的像素陣列基板。顯示介質(zhì)配置于對向基板與像素陣列基板之間。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述的接觸窗結(jié)構(gòu)的第一絕緣層的材質(zhì)為氧化硅。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述的接觸窗結(jié)構(gòu)的第二絕緣層的材質(zhì)為氮化硅，且第二絕緣層靠近第一絕緣層的部分的氮硅比大于第二絕緣層遠(yuǎn)離第一絕緣層的部分的氮硅比。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述的接觸窗結(jié)構(gòu)中，其中對于相同蝕刻液，第二絕緣層從靠近第一絕緣層的部分至遠(yuǎn)離第一絕緣層的部分的被蝕刻速率是漸進(jìn)變化。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述的接觸窗結(jié)構(gòu)中，其中對于相同蝕刻液，第二絕緣層從靠近第一絕緣層的部分至遠(yuǎn)離第一絕緣層的部分的被蝕刻速率是兩階段變化。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述的接觸窗結(jié)構(gòu)中還包括一第一透明導(dǎo)電層、一第二透明導(dǎo)電層以及一第三絕緣層。第一透 明導(dǎo)電層覆蓋并接觸第二導(dǎo)體層。第三絕緣層配置于第一透明導(dǎo)電層與第二透明導(dǎo)電層之間，以形成一電容。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述的像素陣列基板還包括多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)單元。每一像素驅(qū)動(dòng)單兀包括一像素電極與一對向電極。像素電極具有多個(gè)第一條狀圖案，對向電極具有多個(gè)第二條狀圖案，而第一條狀圖案與第二條狀圖案交替排列。對向電極與像素電極相互電性絕緣。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述的像素陣列基板的像素驅(qū)動(dòng)單元的像素電極與對向電極位于同一平面上。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述的像素陣列基板的像素驅(qū)動(dòng)單元的像素電極與對向電極位于不同平面上。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述的像素陣列基板還包括多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)單元，每一像素驅(qū)動(dòng)單元包括一像素電極與一對向電極。像素電極具有多個(gè)第一條狀圖案且位于同一平面上，對向電極位于像素電極下方，且像素電極與對向電極相互電性絕緣。本發(fā)明提出一接觸窗結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下列步驟。首先，形成一第一導(dǎo)體層于一基板上。接著形成一第一絕緣層以覆蓋第一導(dǎo)體層與基板。之后，形成一第二絕緣層以覆蓋第一絕緣層。其中，第一絕緣層的材質(zhì)不同于第二絕緣層的材質(zhì)。對于相同蝕刻液，第一絕緣層的被蝕刻速率大于第二絕緣層的被蝕刻速率。在第二絕緣層中，靠近第一絕緣層的部分的被蝕刻速率大于遠(yuǎn)離第一絕緣層的部分的被蝕刻速率。在形成第一絕緣層與第二絕緣層后，接著蝕刻第一絕緣層與第二絕緣層，以于第一絕緣層形成一第一接觸窗，以及于第二絕緣層形成一第二接觸窗。其中，第一導(dǎo)體層的一部分暴露于第一接觸窗，第一接觸窗暴露于第二接觸窗。最后，形成一第二導(dǎo)體層以覆蓋第一接觸窗與第二接觸窗，并接觸第一導(dǎo)體層暴露于第一接觸窗的部分。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述的接觸窗結(jié)構(gòu)的制造方法里，形成第二絕緣層的方法包括使用硅烷與氨氣進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝，并于進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝的過程中調(diào)低氨氣對硅烷的比例。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述的接觸窗結(jié)構(gòu)的制造方法里，進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝的過程時(shí)，前段時(shí)的氨氣對硅烷的比例為七比一，后段時(shí)的氨氣對硅烷的比例為三比一。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述的接觸窗結(jié)構(gòu)的制造方法里，進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝的過程中，調(diào)低氨氣對硅烷的比例的方式是漸進(jìn)調(diào)低。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述的接觸窗結(jié)構(gòu)的制造方法里，蝕刻第一絕緣層與第二絕緣層的方法包括先進(jìn)行干式蝕刻再進(jìn)行濕式蝕刻。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述的接觸窗結(jié)構(gòu)的制造方法，在形成該第二導(dǎo)體層之后還包括進(jìn)行下列步驟。形成一第一透明導(dǎo)電層以覆蓋并接觸第二導(dǎo)體層。形成一第三絕緣層以覆蓋第一透明導(dǎo)電層。形成一第二透明導(dǎo)電層于第三絕緣層上，以形成一電容。基于上述，在本發(fā)明的像素陣列基板、顯示面板、接觸窗結(jié)構(gòu)及其制造方法中，接觸窗結(jié)構(gòu)的第二絕緣層在靠近第一絕緣層的部分的被蝕刻速率與第一絕緣層較為相近。如此可提高接觸窗結(jié)構(gòu)的良率。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。


圖I是公知的一種接觸窗結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種顯示面板的剖面示意圖。圖3是圖2的像素陣列基板的局部上視圖。 圖4是圖3的像素陣列基板沿AA’線的剖面圖。圖5A到圖5F是圖4的接觸窗結(jié)構(gòu)的制造方法的剖面流程示意圖。圖6是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種顯示面板的剖面示意圖。圖7是依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種顯示面板的剖面示意圖。圖8是圖7的像素陣列基板的局部上視圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下100A :接觸窗100,231 :接觸窗結(jié)構(gòu)110、2311 :基板120 :緩沖層130、2319 :第三絕緣層140,2316 :第一導(dǎo)體層150,2315 :第一絕緣層160,2317 :第二絕緣層170、2318 :第二導(dǎo)體層200、300、400 :顯示面板210 :對向基板220 :顯示介質(zhì)230,330,430 :像素陣列基板2312 :第一緩沖層2313:第二緩沖層2314:第四絕緣層2315a :第一接觸窗2317a :第二接觸窗231a:第一透明導(dǎo)電層231b:第二透明導(dǎo)電層232,432 :像素驅(qū)動(dòng)單元2321、3321、4321 :像素電極
2321a,4321a :第一條狀圖案2322、3322、4322 :對向電極2322a:第二條狀圖案
具體實(shí)施例方式圖2是依照本發(fā)明的第一 實(shí)施例的一種顯示面板的剖面示意圖。圖2中省略部分元件以使圖面清楚。請先參考圖2。顯示面板200包括一對向基板210、一顯示介質(zhì)220、一像素陣列基板230。顯示介質(zhì)220例如是液晶分子，配置于對向基板210與像素陣列基板230之間。對向基板210例如是彩色濾光片，其具有紅色、綠色以及藍(lán)色等彩色濾光膜(圖2中未示出)的彩色濾光基板或者是無色的透明玻璃基板。圖3是圖2的像素陣列基板的局部上視圖。圖4是圖3的像素陣列基板沿AA^的剖面圖。如圖3所示，像素陣列基板230包括一接觸窗結(jié)構(gòu)231。請接著參考圖4，此接觸窗結(jié)構(gòu)231包括一第一導(dǎo)體層2316、一第一絕緣層2315、一第二絕緣層2317以及一第二導(dǎo)體層2318。第一導(dǎo)體層2316配置于一基板2311上。第一絕緣層2315覆蓋第一導(dǎo)體層2316與基板2311,且具有一第一接觸窗2315a。其中，第一導(dǎo)體層2316的一部分暴露于第一接觸窗2315a。第二絕緣層2317覆蓋第一絕緣層2315，且具有一第二接觸窗2317a。第一接觸窗2315a暴露于第二接觸窗2317a。第二導(dǎo)體層2318覆蓋第一接觸窗2315a與第二接觸窗2317a,并接觸第一導(dǎo)體層2316暴露于第一接觸窗2315a的部分。第一絕緣層2315的材質(zhì)與第二絕緣層2317的材質(zhì)不同。對于相同蝕刻液，第一絕緣層2315的被蝕刻速率大于第二絕緣層2317的被蝕刻速率。在第二絕緣層2317中，靠近第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率大于第二絕緣層2317遠(yuǎn)離第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率。換言之，相對于第二絕緣層2317遠(yuǎn)離第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率，第二絕緣層2317靠近第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率會(huì)比較接近第一絕緣層2315的被蝕刻速率。因此，蝕刻第一絕緣層2315與第二絕緣層2317后，第一絕緣層2315與第二絕緣層2317的交界處被蝕刻后會(huì)較為連續(xù)，減少部分的第二絕緣層2317懸空于第一絕緣層2315上方的機(jī)會(huì)，確保第二導(dǎo)體層2318完整而連續(xù)地覆蓋第一接觸窗2315a與第二接觸窗2317a。在本實(shí)施例中，第一絕緣層2315的材質(zhì)是氧化硅(SiOx)，第二絕緣層2317的材質(zhì)為氮化硅(SiNx)，但本發(fā)明并不以此為限。第二絕緣層2317靠近第一絕緣層2315的部分的氮硅比大于第二絕緣層2317遠(yuǎn)離第一絕緣層2315的部分的氮硅比。因此，以相同蝕刻液對第一絕緣層2315與第二絕緣層2317進(jìn)行蝕刻時(shí)，雖然第一絕緣層2315的被蝕刻速率是大于第二絕緣層2317，但遠(yuǎn)離第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率是大于靠近第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率，所以靠近第一絕緣層2315的部分的被蝕刻率跟第一絕緣層2315的被蝕刻速率相近。如此，蝕刻后可獲得斜率變化較為連續(xù)的第一接觸窗2315a與第二接觸窗2317a的剖面輪廓。本實(shí)施例所使用的蝕刻液例如是氫氟酸(HF acid)。本實(shí)施例中，對于相同蝕刻液，第二絕緣層2317從靠近第一絕緣層2315的部分至遠(yuǎn)離第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率是兩階段變化。在另一個(gè)實(shí)施例中，對于相同蝕刻液，第二絕緣層2317從靠近第一絕緣層2315的部分至遠(yuǎn)離第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率是漸進(jìn)變化。當(dāng)然，第二絕緣層2317的被蝕刻速率也可以是三階段以上的變化。
本實(shí)施例的接觸窗結(jié)構(gòu)231還包括一第一透明導(dǎo)電層231a、一第二透明導(dǎo)電層231b以及一第三絕緣層2319。第一透明導(dǎo)電層231a覆蓋并接觸第二導(dǎo)體層2318，第三絕緣層2319配置于第一透明導(dǎo)電層231a與第二透明導(dǎo)電層231b之間，以在第一透明導(dǎo)電層231a與第二透明導(dǎo)電層231b之間形成一電容。由于本實(shí)施例的第二導(dǎo)體層2318可完整而連續(xù)地覆蓋第一接觸窗2315a與第二接觸窗2317a，因此后續(xù)的第一透明導(dǎo)電層231a與第二透明導(dǎo)電層231b可確時(shí)被第三絕緣層2319電性絕緣。如此，可提高所形成的電容的良率。在本實(shí)施例中，基板2311與第一導(dǎo)電層2316之間可以有其他材料層存在?；?311與第一導(dǎo)電層2316之間還依序包括一第一緩沖層2312、一第二緩沖層2313以及一第四絕緣層2314。第一緩沖層2312的材質(zhì)例如為氧化硅(SiOx)，第二緩沖層2313的材質(zhì)例如為氮化硅(SiNx)。第一緩沖層2312與第二緩沖層2313可防止基板2311含有的雜質(zhì)擴(kuò)散到上層的其他材料層而造成損壞。配置在第一導(dǎo)電層2316下的第四絕緣層2314則可提供絕緣效果，使第一導(dǎo)電層2316能與下方其他導(dǎo)電材料絕緣。
圖5A到圖5F是圖4的接觸窗結(jié)構(gòu)的制造方法的剖面流程示意圖。請先參考圖5A，依序在基板2311上形成第一緩沖層2312、第二緩沖層2313與第四絕緣層2314?；?311的材質(zhì)可以是玻璃、石英或是其他類似材質(zhì)。形成此三層結(jié)構(gòu)的方法可以是化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition, CVD),但并不限于此,亦可使用其它適合的工藝方式,本發(fā)明并不對此加以限制。接著請參考圖5B,形成第一導(dǎo)體層2316,第一導(dǎo)體層2316為圖案化結(jié)構(gòu)，于第四絕緣層2314之上。接著，如圖5C所示，形成一第一絕緣層2315以覆蓋第一導(dǎo)體層2316與基板2311。再來請參考圖形成一第二絕緣層2317以覆蓋第一絕緣層2315。其中，第一絕緣層2315與第二絕緣層2317能夠使第一導(dǎo)體層2316與后續(xù)形成的其他導(dǎo)體層電性絕緣。此外，第一絕緣層2315的材質(zhì)不同于第二絕緣層2317的材質(zhì)。對于相同蝕刻液，第一絕緣層2315的被蝕刻速率大于第二絕緣層2317的被蝕刻速率。第二絕緣層2317靠近第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率大于第二絕緣層2317遠(yuǎn)離第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率。請接著參考圖5E，在圖5E的步驟中，蝕刻第一絕緣層2315與第二絕緣層2317。在此步驟中，會(huì)在第一絕緣層2315蝕刻出一第一接觸窗2315a，并且在第二絕緣層2317蝕刻出一第二接觸窗2317a。此第一接觸窗2315a會(huì)暴露于第二接觸窗2317a。蝕刻后的第一絕緣層2315與第二絕緣層2317會(huì)讓第一導(dǎo)體層2316的一部分暴露于第一接觸窗2315a。接著，請參考圖5F，在蝕刻步驟后，形成一第二導(dǎo)體層2318以覆蓋第一接觸窗2315a與第二接觸窗2317a。此第二導(dǎo)體層2318會(huì)接觸前述第一導(dǎo)體層2316暴露于第一接觸窗2315a的部分。因此，第二導(dǎo)體層2318和第一導(dǎo)體層2316接觸的部分可產(chǎn)生電性連接。在本實(shí)施例中，第一絕緣層2315的材質(zhì)為氧化硅，可以使用化學(xué)氣相沉積工藝來制備。第二絕緣層2317的材料是氮化硅，故可用硅烷(SiH4)與氨氣(NH3)進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝形成氮化硅。硅烷提供氮化硅中硅的來源，氨氣提供氮化硅中氮的來源。為了使第二絕緣層2317在靠近第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率大于第二絕緣層2317遠(yuǎn)離第一絕緣層2315的部分的被蝕刻速率，可以在進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝的過程中，漸漸調(diào)低氨氣對硅烷的比例，使化學(xué)氣相沉積工藝中行成的氮化硅層的氮硅比(N/Si)漸漸變小。在本實(shí)施例中，沉積前段的氨氣對硅烷的比例調(diào)整為七比一，而后段時(shí)的氨氣對硅烷的比例調(diào)
整為三比一。由于沉積過程中第二絕緣層2317是覆蓋在第一絕緣層2315上，因此工藝中，前段氨氣對硅烷的比例為七比一所形成的氮化硅(氮硅比大)會(huì)沉積的較靠近第一絕緣層2315。后段氨氣對硅烷的比例為三比一所形成的氮化硅(氮硅比小)，會(huì)接著沉積在前段沉積的氮化硅上。因此在第二絕緣層2317中，靠近第一絕緣層2315的部分的氮硅比會(huì)大于第二絕緣層2317中遠(yuǎn)離第一絕緣層2315的部分，并藉此調(diào)整第二絕緣層2317的被蝕刻速率。工藝中調(diào)整氨氣對硅烷的比例使沉積的氮化硅具有不同的氮硅比，可使后續(xù)蝕刻步驟中，第二絕緣層2317中靠近第一絕緣層2315的部分能與第一絕緣層2315的被蝕刻率較相近。此外，在蝕刻步驟中，形成第一絕緣層2315的第一接觸窗2315a與第二絕緣層2317的第二接觸窗2317a的方式，可以是先進(jìn)行干式蝕刻，再進(jìn)行濕式蝕刻。 然而，調(diào)整化學(xué)氣相沉積工藝過程中，氨氣對硅烷的比例的方式并不限于上述方法。在另一個(gè)實(shí)施例里，進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝的過程中，調(diào)低氨氣對硅烷的比例是以漸進(jìn)調(diào)低的方式進(jìn)行，這同樣可達(dá)到使第二絕緣層2317靠近第一絕緣層2315的部分的氮硅比會(huì)大于第二絕緣層2317遠(yuǎn)離第一絕緣層2315的部分的氮硅比，使后續(xù)蝕刻步驟中第二絕緣層2317靠近第一絕緣層2315的部分的被蝕刻率較其遠(yuǎn)離的部分大。請?jiān)賲⒖紙D4，在本實(shí)施例中，經(jīng)由圖5F的步驟形成第二導(dǎo)體層2318之后，還可形成一第一透明導(dǎo)電層231a以覆蓋并接觸第二導(dǎo)體層2318。接著，再形成一第三絕緣層2319覆蓋在第一透明導(dǎo)電層231a上，隨后形成一第二透明導(dǎo)電層231b于第三絕緣層2319上。第一透明導(dǎo)電層231a與第二透明導(dǎo)電層231b會(huì)形成一電容。由圖5A到圖5F的制備流程并配合上述形成第一透明導(dǎo)電層231a、第三絕緣層2319以及第二透明導(dǎo)電層231b的步驟所形成的接觸窗結(jié)構(gòu)231結(jié)構(gòu)將如圖4所示。請接著參考圖2與圖3。本實(shí)施例的顯示面板200的像素陣列基板230還包括多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)單元232，圖3中僅示意性地示出其中一個(gè)。每一像素驅(qū)動(dòng)單元232包括一像素電極2321與一對向電極2322。像素電極2321具有多個(gè)第一條狀圖案2321a。對向電極2322具有多個(gè)第二條狀圖案2322a。第一條狀圖案2321a與第二條狀圖案2322a呈現(xiàn)交替排列，且對向電極2322與像素電極2321相互電性絕緣。換言之，本實(shí)施例的示面板200是一般所稱的共平面切換(In-Plane Switching, IPS)式顯示面板,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員亦可作等效的設(shè)計(jì)變更如圖2所示，像素電極2321與對向電極2322位于不同平面上。請接著參考圖6。圖6是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖。顯不面板300包括一對向基板210、一顯不介質(zhì)220、一像素陣列基板330。由于本實(shí)施例與第一實(shí)施例實(shí)質(zhì)上相似因此采用相同的標(biāo)號(hào)來表示相同或近似的元件。在像素陣列基板330中，同樣使用了圖4所示的接觸窗結(jié)構(gòu)231。本實(shí)施例與前述第一實(shí)施例的主要的差異是在于本實(shí)施例的顯示面板300中，像素電極3321與對向電極3322位于同一平面上，其中所述多個(gè)對向電極3322與該第一導(dǎo)體層2316、第二導(dǎo)體層2318及第一透明導(dǎo)電層231a電性連接，像素電極3321與第二透明導(dǎo)電層231b電性連接。本實(shí)施例的顯示面板300也是共平面切換式顯示面板。請?jiān)賲⒖紙D7。圖7是依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種顯示面板的剖面示意圖。圖8是圖7的像素陣列基板的局部上視圖。顯不面板400包括一對向基板210、一顯不介質(zhì)220、一像素陣列基板430。本實(shí)施例與第一實(shí)施例實(shí)質(zhì)上相似因此米用相同的標(biāo)號(hào)來表不相同或近似的元件，且在像素陣列基板430中，同樣使用了圖4所示的接觸窗結(jié)構(gòu)231。請同時(shí)參考圖7與圖8，具體而言，本實(shí)施例與前述第一實(shí)施例的主要的差異是在于本實(shí)施例中，顯示面板400的像素陣列基板430的像素驅(qū)動(dòng)單元432中，每一像素驅(qū)動(dòng)單元432包括一像素電極4321與一對向電極4322。像素電極4321具有多個(gè)第一條狀圖案4321a且前述的第一條狀圖案4321a位于同一平面上。對向電極4322位于像素電極4321下方，且像素電極4321與對向電極4322相互電性絕緣。換言之，本實(shí)施例的顯示面板400以邊際場切換(Fringe Field Switching,FFS)式顯示面板 為例進(jìn)行說明，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員亦可作等效的設(shè)計(jì)變更。此外，在第三實(shí)施例中，關(guān)于其他元件的位置配置、制備方法以及材料皆與第一實(shí)施例相似，因此不再加以贅述。綜上所述，本發(fā)明的接觸窗結(jié)構(gòu)及其制造方法中，第二絕緣層在靠近第一絕緣層的部分的被蝕刻速率與第一絕緣層相近。如此可避免第二絕緣層因?yàn)楸晃g刻速率較慢而懸空于下方已被蝕刻的第一絕緣層，進(jìn)而確保后續(xù)形成的材料層的完整性，提高產(chǎn)品的可靠度。此接觸窗結(jié)構(gòu)可應(yīng)用在像素陣列基板上，并可將前述像素陣列基板用于顯示面板當(dāng)中。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)作些許的更動(dòng)與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種接觸窗結(jié)構(gòu)，包括 一第一導(dǎo)體層，配置于一基板上； 一第一絕緣層，覆蓋該第一導(dǎo)體層與該基板，且具有一第一接觸窗，其中該第一導(dǎo)體層的一部分暴露于該第一接觸窗； 一第二絕緣層，覆蓋該第一絕緣層，且具有一第二接觸窗，其中該第一接觸窗暴露于該第二接觸窗，該第一絕緣層的材質(zhì)不同于該第二絕緣層的材質(zhì)，對于相同蝕刻液，該第一絕緣層的被蝕刻速率大于該第二絕緣層的被蝕刻速率，該第二絕緣層靠近該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率大于該第二絕緣層遠(yuǎn)離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率；以及 一第二導(dǎo)體層，覆蓋該第一接觸窗與該第二接觸窗并接觸該第一導(dǎo)體層暴露于該第一接觸窗的部分。
2.如權(quán)利要求I所述的接觸窗結(jié)構(gòu)，其中該第一絕緣層的材質(zhì)為氧化硅。
3.如權(quán)利要求2所述的接觸窗結(jié)構(gòu)，其中該第二絕緣層的材質(zhì)為氮化硅，且該第二絕緣層靠近該第一絕緣層的部分的氮硅比大于該第二絕緣層遠(yuǎn)離該第一絕緣層的部分的氮硅比。
4.如權(quán)利要求I所述的接觸窗結(jié)構(gòu)，其中對于相同蝕刻液，該第二絕緣層從靠近該第一絕緣層的部分至遠(yuǎn)離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率是漸進(jìn)變化。
5.如權(quán)利要求I所述的接觸窗結(jié)構(gòu)，其中對于相同蝕刻液，該第二絕緣層從靠近該第一絕緣層的部分至遠(yuǎn)離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率是兩階段變化。
6.如權(quán)利要求I所述的接觸窗結(jié)構(gòu)，還包括 一第一透明導(dǎo)電層，覆蓋并接觸該第二導(dǎo)體層； 一第二透明導(dǎo)電層；以及 一第三絕緣層，配置于該第一透明導(dǎo)電層與該第二透明導(dǎo)電層之間，以形成一電容。
7.一種像素陣列基板，包括一接觸窗結(jié)構(gòu)，其中該接觸窗結(jié)構(gòu)包括 一第一導(dǎo)體層，配置于一基板上； 一第一絕緣層，覆蓋該第一導(dǎo)體層與該基板，且具有一第一接觸窗，其中該第一導(dǎo)體層的一部分暴露于該第一接觸窗； 一第二絕緣層，覆蓋該第一絕緣層，且具有一第二接觸窗，其中該第一接觸窗暴露于該第二接觸窗，該第一絕緣層的材質(zhì)不同于該第二絕緣層的材質(zhì)，對于相同蝕刻液，該第一絕緣層的被蝕刻速率大于該第二絕緣層的被蝕刻速率，該第二絕緣層靠近該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率大于該第二絕緣層遠(yuǎn)離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率；以及 一第二導(dǎo)體層，覆蓋該第一接觸窗與該第二接觸窗并接觸該第一導(dǎo)體層暴露于該第一接觸窗的部分。
8.如權(quán)利要求7所述的像素陣列基板，其中該第一絕緣層的材質(zhì)為氧化硅。
9.如權(quán)利要求8所述的像素陣列基板，其中該第二絕緣層的材質(zhì)為氮化硅，且該第二絕緣層靠近該第一絕緣層的部分的氮硅比大于該第二絕緣層遠(yuǎn)離該第一絕緣層的部分的氮硅比。
10.如權(quán)利要求7所述的像素陣列基板，其中對于相同蝕刻液，該第二絕緣層從靠近該第一絕緣層的部分至遠(yuǎn)離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率是漸進(jìn)變化。
11.如權(quán)利要求7所述的像素陣列基板，其中對于相同蝕刻液，該第二絕緣層從靠近該第一絕緣層的部分至遠(yuǎn)離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率是兩階段變化。
12.如權(quán)利要求7所述的像素陣列基板，其中該接觸窗結(jié)構(gòu)還包括 一第一透明導(dǎo)電層，覆蓋并接觸該第二導(dǎo)體層； 一第二透明導(dǎo)電層；以及 一第三絕緣層，配置于該第一透明導(dǎo)電層與該第二透明導(dǎo)電層之間，以形成一電容。
13.如權(quán)利要求7所述的像素陣列基板，還包括多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)單元，每一像素驅(qū)動(dòng)單元包括一像素電極與一對向電極，所述多個(gè)像素電極具有多個(gè)第一條狀圖案，所述多個(gè)對向電極與所述多個(gè)像素電極相互電性絕緣，所述多個(gè)對向電極具有多個(gè)第二條狀圖案，而所述多個(gè)第一條狀圖案與所述多個(gè)第二條狀圖案交替排列。
14.如權(quán)利要求13所述的像素陣列基板，其中所述多個(gè)像素電極與所述多個(gè)對向電極 位于同一平面上。
15.如權(quán)利要求13所述的像素陣列基板，其中所述多個(gè)像素電極與所述多個(gè)對向電極位于不同平面上。
16.如權(quán)利要求7所述的像素陣列基板，還包括多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)單元，每一像素驅(qū)動(dòng)單元包括一像素電極與一對向電極，所述多個(gè)像素電極具有多個(gè)第一條狀圖案且位于同一平面上，所述多個(gè)對向電極位于所述多個(gè)像素電極下方，且所述多個(gè)像素電極與所述多個(gè)對向電極相互電性絕緣。
17.—種顯不面板,包括 一對向基板； 一顯不介質(zhì)； 一像素陣列基板，包括一接觸窗結(jié)構(gòu)，其中該顯示介質(zhì)配置于該對向基板與該像素陣列基板之間，該接觸窗結(jié)構(gòu)包括 一第一導(dǎo)體層，配置于一基板上； 一第一絕緣層，覆蓋該第一導(dǎo)體層與該基板，且具有一第一接觸窗，其中該第一導(dǎo)體層的一部分暴露于該第一接觸窗； 一第二絕緣層，覆蓋該第一絕緣層，且具有一第二接觸窗，其中該第一接觸窗暴露于該第二接觸窗，該第一絕緣層的材質(zhì)不同于該第二絕緣層的材質(zhì)，對于相同蝕刻液，該第一絕緣層的被蝕刻速率大于該第二絕緣層的被蝕刻速率，該第二絕緣層靠近該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率大于該第二絕緣層遠(yuǎn)離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率；以及 一第二導(dǎo)體層，覆蓋該第一接觸窗與該第二接觸窗并接觸該第一導(dǎo)體層暴露于該第一接觸窗的部分。
18.如權(quán)利要求17所述的顯示面板，其中該第一絕緣層的材質(zhì)為氧化硅。
19.如權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中該第二絕緣層的材質(zhì)為氮化硅，且該第二絕緣層靠近該第一絕緣層的部分的氮硅比大于該第二絕緣層遠(yuǎn)離該第一絕緣層的部分的氮硅比。
20.如權(quán)利要求17所述的顯示面板，其中對于相同蝕刻液，該第二絕緣層從靠近該第一絕緣層的部分至遠(yuǎn)離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率是漸進(jìn)變化。
21.如權(quán)利要求17所述的顯示面板，其中對于相同蝕刻液，該第二絕緣層從靠近該第一絕緣層的部分至遠(yuǎn)離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率是兩階段變化。
22.如權(quán)利要求17所述的顯示面板，其中該接觸窗結(jié)構(gòu)還包括 一第一透明導(dǎo)電層，覆蓋并接觸該第二導(dǎo)體層； 一第二透明導(dǎo)電層；以及 一第三絕緣層，配置于該第一透明導(dǎo)電層與該第二透明導(dǎo)電層之間，以形成一電容。
23.如權(quán)利要求17所述的顯示面板，其中該像素陣列基板還包括多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)單元，每一像素驅(qū)動(dòng)單元包括一像素電極與一對向電極，所述多個(gè)像素電極具有多個(gè)第一條狀圖案，所述多個(gè)對向電極與所述多個(gè)像素電極相互電性絕緣，所述多個(gè)對向電極具有多個(gè)第二條狀圖案，而所述多個(gè)第一條狀圖案與所述多個(gè)第二條狀圖案交替排列。
24.如權(quán)利要求23所述的顯示面板，其中所述多個(gè)像素電極與所述多個(gè)對向電極位于同一平面上。
25.如權(quán)利要求23所述的顯示面板，其中所述多個(gè)像素電極與所述多個(gè)對向電極位于不 同平面上。
26.如權(quán)利要求17所述的顯示面板，其中該像素陣列基板還包括多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)單元，每一像素驅(qū)動(dòng)單元包括一像素電極與一對向電極，所述多個(gè)像素電極具有多個(gè)第一條狀圖案且位于同一平面上，所述多個(gè)對向電極位于所述多個(gè)像素電極下方，且所述多個(gè)像素電極與所述多個(gè)對向電極相互電性絕緣，其中所述多個(gè)對向電極與該第一導(dǎo)體層電性連接。
27.一種接觸窗結(jié)構(gòu)的制造方法，包括 形成一第一導(dǎo)體層于一基板上； 形成一第一絕緣層以覆蓋該第一導(dǎo)體層與該基板； 形成一第二絕緣層以覆蓋該第一絕緣層，其中該第一絕緣層的材質(zhì)不同于該第二絕緣層的材質(zhì)，對于相同蝕刻液，該第一絕緣層的被蝕刻速率大于該第二絕緣層的被蝕刻速率，該第二絕緣層靠近該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率大于該第二絕緣層遠(yuǎn)離該第一絕緣層的部分的被蝕刻速率； 蝕刻該第一絕緣層與該第二絕緣層，以于該第一絕緣層形成一第一接觸窗，并于該第二絕緣層形成一第二接觸窗，其中該第一導(dǎo)體層的一部分暴露于該第一接觸窗，該第一接觸窗暴露于該第二接觸窗；以及 形成一第二導(dǎo)體層以覆蓋該第一接觸窗與該第二接觸窗，并接觸該第一導(dǎo)體層暴露于該第一接觸窗的部分。
28.如權(quán)利要求27所述的接觸窗結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成該第二絕緣層的方法包括使用硅烷與氨氣進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝，并于進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝的過程中調(diào)低氨氣對硅 >烷的比例。
29.如權(quán)利要求28所述的接觸窗結(jié)構(gòu)的制造方法，其中進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝的過程中，前段時(shí)的氨氣對硅烷的比例為七比一，后段時(shí)的氨氣對硅烷的比例為三比一。
30.如權(quán)利要求28所述的接觸窗結(jié)構(gòu)的制造方法，其中進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝的過程中，調(diào)低氨氣對硅烷的比例的方式是漸進(jìn)調(diào)低。
31.如權(quán)利要求27所述的接觸窗結(jié)構(gòu)的制造方法，其中蝕刻該第一絕緣層與該第二絕緣層的方法包括先進(jìn)行干式蝕刻再進(jìn)行濕式蝕刻。
32.如權(quán)利要求27所述的接觸窗結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在形成該第二導(dǎo)體層之后還包括形成一第一透明導(dǎo)電層以覆蓋并接觸該第二導(dǎo)體層； 形成一第三絕緣層以覆蓋該第一透明導(dǎo)電層；以及形成一第二透明導(dǎo)電層于該第三絕緣層上，以形成一電容。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素陣列基板、顯示面板、接觸窗結(jié)構(gòu)及其制造方法。接觸窗結(jié)構(gòu)包括一第一導(dǎo)體層、一第一絕緣層、一第二絕緣層以及一第二導(dǎo)體層。第一絕緣層覆蓋第一導(dǎo)體層與一基板，且具有一第一接觸窗。第二絕緣層覆蓋第一絕緣層，且具有一第二接觸窗。第二導(dǎo)體層覆蓋第一接觸窗與第二接觸窗，并接觸第一導(dǎo)體層暴露于第一接觸窗的部分。第一絕緣層與第二絕緣層的材質(zhì)不同，對于相同蝕刻液，第一絕緣層的被蝕刻速率大于第二絕緣層的被蝕刻速率。第二絕緣層靠近第一絕緣層的部分的被蝕刻速率大于第二絕緣層遠(yuǎn)離第一絕緣層的部分的被蝕刻速率。綜上所述，本發(fā)明可提高接觸窗結(jié)構(gòu)的良率，確保后續(xù)形成的材料層的完整性，從而提高產(chǎn)品的可靠度。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102749779SQ20121025951
公開日2012年10月24日 申請日期2012年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月28日
發(fā)明者徐文斌, 趙之堯, 陳明炎, 陳育懋 申請人:友達(dá)光電股份有限公司