專利名稱：一種封裝薄膜及制造該封裝薄膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝薄膜及制造該封裝薄膜的方法，屬于薄膜封裝領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
研究表明，空氣中的水汽和氧氣等成分對(duì)0LED(英文全稱為OrganicLight-Emitting Diode,中文譯為有機(jī)發(fā)光二極管)，OTFT (英文全稱為0rganicthin-film transistor,中文譯為有機(jī)薄膜晶體管)，DSSC (英文全稱為Dye_sensitizedsolarcell,中文譯為燃料敏化太陽能電池)等對(duì)水氧敏感的光電子器件的壽命影響很大。其主要原因在于(以下用OLED來進(jìn)行說明)=OLED器件在工作時(shí)需要從陰極注入電子，但是水汽容易與空穴傳輸層以及電子傳輸層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，進(jìn)而引起OLED器件的失效。因此，需要對(duì)OLED進(jìn)行有效封裝，以使器件的各功能層與大氣中的水汽和氧氣等隔開，以此來提高OLED的使用壽命?！鹘y(tǒng)的封裝方式是在剛性基板上制造電極和各有機(jī)功能層，然后加裝一蓋板，并將基板和蓋板用環(huán)氧樹脂粘接。這樣就在基板和蓋板之間形成了一個(gè)罩子，把器件和空氣隔開，空氣中的水汽和氧氣等只能通過基板和蓋板之間的環(huán)氧樹脂向器件的內(nèi)部滲透，這種封裝方式一定程度上改善了 OLED的使用壽命，但是，柔性O(shè)LED產(chǎn)品以及柔性太陽能電池產(chǎn)品的出現(xiàn)，對(duì)上述傳統(tǒng)封裝方式提出了很大挑戰(zhàn)，柔性O(shè)LED產(chǎn)品以及柔性太陽能電池產(chǎn)品要求封裝結(jié)構(gòu)對(duì)水汽的滲透率低于5X 10_6gm_2/d，對(duì)氧氣的滲透率低于10_5cm3m_2/d，上述封裝方式難以滿足該要求，從而無法滿足柔性封裝的要求。為了滿足柔性封裝的要求，近年來薄膜封裝成為了 OLED產(chǎn)品以及太陽能電池等光電子器件封裝的首要選擇，為了提高薄膜的水氧阻隔能力，多層薄膜封裝成為薄膜封裝的首要選擇，在多層薄膜封裝中，所述薄膜從內(nèi)到外依次包括氧化物層、有機(jī)物層、氧化物層等，所述氧化物層一般都是通過濺射沉積形成的氧化物層，在濺射過程中，濺射離子會(huì)損傷OLED器件的陰極，導(dǎo)致OLED器件的驅(qū)動(dòng)電壓變大，電流效率降低，從而降低了 OLED器件的使用性能；同時(shí)，陰極損傷后，導(dǎo)致OLED器件的水氧阻隔能力變差。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種能夠防止在濺射過程中對(duì)光電子器件的陰極造成損傷的封裝薄膜。為此，本發(fā)明提供一種封裝薄膜，包括至少兩個(gè)氧化物層和位于相鄰所述氧化物層之間的至少一有機(jī)物層，在最內(nèi)層的所述氧化物層和所述有機(jī)物層之間設(shè)置一緩沖層，所述緩沖層的厚度在50nm-l ii m之間。所述緩沖層的內(nèi)部具有若干個(gè)均勻和/或非均勻分布的鉍(Bi)原子團(tuán)簇，所述Bi原子團(tuán)簇至少在一個(gè)方向上的長度為5-35nm,相鄰所述Bi原子團(tuán)簇的間隙小于50nm。若干所述Bi原子團(tuán)簇均勻分布。所述Bi原子團(tuán)簇為球形。
所述緩沖層的內(nèi)部具有若干個(gè)均勻和/或非均勻分布的孔洞，所述孔洞至少在一個(gè)方向上的長度為5-35nm，相鄰所述孔洞之間的間隙小于50nm。若干所述孔洞均勻分布。
所述孔洞為球形。所述緩沖層由Si3N4、SiO2或者TiO2中的一種或多種復(fù)合形成。所述緩沖層由Si3N4、SiO2或者TiO2中的一種或多種復(fù)合成網(wǎng)狀形成。所述Bi原子團(tuán)簇4的總的原子體積比占所述緩沖層3的總體積的20-50%。本發(fā)明提供的封裝薄膜具有以下優(yōu)點(diǎn)I.本發(fā)明提供一種封裝薄膜，包括至少兩個(gè)氧化物層和位于相鄰所述氧化物層之間的至少一有機(jī)物層，在最內(nèi)層的所述氧化物層和所述有機(jī)物層之間設(shè)置一緩沖層，所述緩沖層的厚度在50nm-l y m之間。由于在最內(nèi)層的所述氧化物層和所述有機(jī)物層之間設(shè)置一緩沖層，并且所述緩沖層的厚度在50nm-l u m之間，因此，當(dāng)采用濺射方式沉積最內(nèi)層的氧化物層時(shí)，所述緩沖層會(huì)對(duì)所述濺射離子進(jìn)行緩沖，不會(huì)使得所述濺射離子損傷光電子器件的陰極，提高了光電子器件的使用性能和水氧阻隔能力。需要說明的是，在本發(fā)明的上述技術(shù)方案中，上述所述緩沖層的厚度范圍是必須的，這主要是基于以下兩個(gè)方面的考慮第一、所述緩沖層設(shè)置太薄，容易使得所述緩沖效果不明顯，從而不能有效地防止濺射離子對(duì)陰極造成損傷；第二、所述緩沖層設(shè)置太厚，將加大所述緩沖層的制造難度，同時(shí)，由于所述緩沖層上疊加有有機(jī)物層，將不利于有機(jī)物層的完全疊加，因此，本發(fā)明的技術(shù)方案，在經(jīng)過反復(fù)實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上得出所述緩沖層在上述厚度范圍內(nèi)能夠同時(shí)滿足較佳的緩沖效果并便于制造。2.本發(fā)明提供一種封裝薄膜，所述緩沖層的內(nèi)部分布有若干個(gè)均勻和/或非均勻分布的Bi原子團(tuán)簇，所述Bi原子團(tuán)簇至少在一方向上的長度為5-35nm，相鄰所述Bi原子團(tuán)簇的間隙小于50nm。Bi原子團(tuán)簇本身具有較好的量子限制效應(yīng)，此處，將所述Bi原子團(tuán)簇的尺寸限制在5-35這一納米級(jí)別，并且所述Bi原子團(tuán)簇均勻和/或非均勻分布，這使得所述Bi原子團(tuán)簇的不侵潤性較好，從而使得本發(fā)明的封裝薄膜具有較高的水氧阻隔能力。3.本發(fā)明提供一種封裝薄膜，所述緩沖層的內(nèi)部分布有若干個(gè)均勻和/或非均勻分布的Bi原子團(tuán)簇，所述Bi原子團(tuán)簇至少在一個(gè)方向上的長度為5-35nm，相鄰所述Bi原子團(tuán)簇的間隙小于50nm。所述緩沖層由Si3N4、SiO2或者TiO2中的一種或多種復(fù)合成網(wǎng)狀形成。由于Bi原子團(tuán)簇和Si3N4' SiO2以及TiO2的可濕性不同，在由Si3N4' SiO2或者TiO2中的一種或多種復(fù)合成的緩沖層上按照上述尺寸以及間隙分布所述Bi原子團(tuán)簇，并形成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，這進(jìn)一步加大了所述封裝薄膜的水氧阻隔能力。4.本發(fā)明提供一種封裝薄膜，所述緩沖層的內(nèi)部分布有若干個(gè)均勻和/或非均勻分布的孔洞，所述孔洞至少在一個(gè)方向上的尺寸為5-35nm，相鄰所述孔洞之間的間隙小于50nm。將所述封裝薄膜設(shè)置成上述結(jié)構(gòu)使得該封裝薄膜具有較高的光透過率，提高了 OLED器件的效率。5.本發(fā)明提供一種封裝薄膜，所述緩沖層由Si3N4、Si02或者TiO2中的一種或多種復(fù)合形成。上述材料本身的光學(xué)透過率較高，反射率低；并且所述緩沖層的內(nèi)部分布有若干個(gè)均勻和/或非均勻分布的孔洞，所述孔洞至少在一個(gè)方向上的尺寸為5-35nm，相鄰所述孔洞之間的間隙小于50nm，這兩方面相結(jié)合使得本發(fā)明提供的封裝薄膜的光透過率更高，反射率更低，從而更加有利于光提取。


為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中圖I是本發(fā)明提供的封裝薄膜在封裝過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明提供的封裝薄膜的緩沖層的一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明提供的封裝薄膜的緩沖層的另一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中附圖標(biāo)記表示為I-氧化物層；2_有機(jī)物層；3_緩沖層；4_Bi原子團(tuán)簇；5_孔洞；6_有機(jī)材料層；7-玻璃基板。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的封裝薄膜及封裝薄膜的制造方法進(jìn)行詳細(xì)的說明。實(shí)施例I圖I顯示了本實(shí)施例提供的一種封裝薄膜用于OLED器件封裝過程中的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，I為氧化物層；2為有機(jī)物層；3為緩沖層；4為Bi原子團(tuán)簇；6為有機(jī)材料層；7為玻璃基板，有機(jī)材料層6和玻璃基板7形成了需要封裝的OLED器件。圖I同時(shí)展示了本實(shí)施例提供的一種封裝薄膜，包括兩個(gè)成分為Al2O3且厚度為500A的氧化物層I和位于相鄰所述氧化物層I之間的成分為聚丙烯酸酯且厚度為0. 5pm的一有機(jī)物層2，在最內(nèi)層的所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2之間設(shè)置一緩沖層3，所述緩沖層3的厚度為50nm，所述緩沖層的成分為TiO2。在本實(shí)施例中，所述氧化物層I為2個(gè)，所述有機(jī)物層2為I個(gè)，當(dāng)然，所述氧化物層I也可以設(shè)置為三個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為兩個(gè)，或者所述氧化物層I設(shè)置為四個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為三個(gè)，依次類推，所述有機(jī)物層2的設(shè)置層數(shù)總是少于所述氧化物層I的設(shè)置層數(shù)，兩者的差值為I層，相鄰所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2形成
疊加結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，所述緩沖層3的成分為TiO2,當(dāng)然，除了 TiO2之外，對(duì)于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而言，所述緩沖層3的材料還可以是單獨(dú)的Si3N4或單獨(dú)SiO2或單獨(dú)的其他氧化物，當(dāng)然，所述緩沖層3的材料還可以是以上三種材料的組合或者以上三種材料中任意兩種的組合。在本實(shí)施例中，為了使得所述封裝薄膜具有較高的水氧阻隔能力，所述緩沖層3(見圖2)的內(nèi)部分布有若干個(gè)均勻分布的Bi原子團(tuán)簇4，所述Bi原子團(tuán)簇4的總的原子體積比占所述緩沖層3的總體積的20%，所述Bi原子團(tuán)簇4在所述緩沖層3上至少在一個(gè)方向上的長度為5nm,相鄰所述Bi原子團(tuán)簇4的間隙為30nm。在本實(shí)施例中，所述Bi原子團(tuán)簇4為球形且均勻分布在所述緩沖層3的內(nèi)部。當(dāng)然，為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，所述Bi原子團(tuán)簇4的形狀以及是否均勻分布不受限制。本實(shí)施例中，為了實(shí)現(xiàn)最佳的水氧阻隔效果，所述Bi原子團(tuán)簇4設(shè)置為球形且均勻分布。
在本實(shí)施例中，相鄰所述Bi原子團(tuán)簇4之間的間隙為30nm。當(dāng)然，在此，30nm只是一個(gè)最優(yōu)的實(shí)施例，所述Bi原子團(tuán)簇4之間的間隙在小于50nm時(shí)都能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。本實(shí)施例提供的封裝薄膜的制造方法依次包括以下步驟A.在所述有機(jī)材料層6上以TiO2和Bi原子團(tuán)簇4為原料在25°C下采用共濺射的方式形成Bi原子團(tuán)簇4及所述緩沖層3;B.在所述緩沖層3上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsedDC reactive s puttering))的方式形成第一層所述氧化物層I;C.在所述氧化物層I上以聚丙烯酸酯為原料采用散蒸鍍(英文全稱為flashevaporation)的方式形成所述有機(jī)物層2;
D.在所述有機(jī)物層2上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsed DC reactive sputtering))的方式形成第二層所述氧化物層I,進(jìn)而形成實(shí)施例的封裝薄膜。實(shí)施例2本實(shí)施例提供的一種封裝薄膜，包括三個(gè)成分為Al2O3且厚度為I OOOA的氧化物層I和位于相鄰所述氧化物層I之間的成分為聚對(duì)二甲苯且厚度為I. Oym的兩個(gè)有機(jī)物層2，在最內(nèi)層的所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2之間設(shè)置一緩沖層3，所述緩沖層3的厚度為I U m,所述緩沖層的成分為SiO2。在本實(shí)施例中，所述氧化物層I為三個(gè)，所述有機(jī)物層2為兩個(gè)，當(dāng)然，所述氧化物層I也可以設(shè)置為兩個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為一個(gè)，或者所述氧化物層I設(shè)置為四個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為三個(gè)，依次類推，所述有機(jī)物層2的設(shè)置層數(shù)總是少于所述氧化物層I的設(shè)置層數(shù)，兩者的差值為I層，相鄰所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2形成
疊加結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，所述緩沖層3的成分為SiO2,當(dāng)然，除了 SiO2之外，對(duì)于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而言，所述緩沖層3的材料還可以是單獨(dú)的Si3N4或單獨(dú)TiO2或單獨(dú)的其他氧化物，當(dāng)然，所述緩沖層3的材料還可以是以上三種材料的組合或者以上三種材料中任意兩種的組合。在本實(shí)施例中，為了使得所述封裝薄膜具有較高的水氧阻隔能力，所述緩沖層3(見圖2)的內(nèi)部分布有若干個(gè)均勻分布的Bi原子團(tuán)簇4，所述Bi原子團(tuán)簇4的總的原子體積比占所述緩沖層3的總體積的50%，所述Bi原子團(tuán)簇4在所述緩沖層3上至少在一個(gè)方向上的長度為35nm，相鄰所述Bi原子團(tuán)簇4的間隙為20nm。在本實(shí)施例中，所述Bi原子團(tuán)簇4為球形且均勻分布在所述緩沖層3的內(nèi)部。當(dāng)然，為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，所述Bi原子團(tuán)簇4的形狀以及是否均勻分布不受限制。本實(shí)施例中，為了實(shí)現(xiàn)最佳的水氧阻隔效果，所述Bi原子團(tuán)簇4設(shè)置為球形且均勻分布。在本實(shí)施例中，相鄰所述Bi原子團(tuán)簇4之間的間隙為20nm。當(dāng)然，在此，20nm只是一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，所述Bi原子團(tuán)簇4之間的間隙在小于50nm時(shí)都能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。本實(shí)施例提供的封裝薄膜的制造方法依次包括以下步驟A.在所述有機(jī)材料層6上以SiO2和Bi原子團(tuán)簇4為原料在70°C下采用共濺射的方式形成Bi原子團(tuán)簇4及所述緩沖層3;B.在所述緩沖層3上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsedDC reactive s puttering))的方式形成第一層所述氧化物層I;C.在所述氧化物層I上以聚對(duì)二甲苯為原料采用散蒸鍍(英文全稱為flashevaporation)的方式形成第一層所述有機(jī)物層2;D.在所述有機(jī)物層2上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsed DC reactives puttering))的方式形成第二層所述氧化物層I ;依次類推，形成所有氧化物層I和有機(jī)物層2，使得相鄰所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2形成疊加結(jié)構(gòu)，進(jìn)而形成所述封裝薄膜。實(shí)施例3·本實(shí)施例提供的一種封裝薄膜，包括四個(gè)成分為Al2O3且厚度為800A的氧化物層·I和位于相鄰所述氧化物層I之間的成分為聚苯乙烯且厚度為0. 7 Pm的一有機(jī)物層2，在最內(nèi)層的所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2之間設(shè)置一緩沖層3，所述緩沖層3的厚度為lOOnm，所述緩沖層的成分為Si3N4。在本實(shí)施例中，所述氧化物層I為四個(gè)，所述有機(jī)物層2為三個(gè)，當(dāng)然，所述氧化物層I也可以設(shè)置為三個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為兩個(gè)，或者所述氧化物層I設(shè)置為兩個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為一個(gè)，依次類推，所述有機(jī)物層2的設(shè)置層數(shù)總是少于所述氧化物層I的設(shè)置層數(shù)，兩者的差值為I層，相鄰所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2形成
疊加結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，所述緩沖層3的成分為Si3N4,當(dāng)然，除了 Si3N4之外，對(duì)于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而言，所述緩沖層3的材料還可以是單獨(dú)的SiO2或單獨(dú)TiO2或單獨(dú)的其他氧化物，當(dāng)然，所述緩沖層3的材料還可以是以上三種材料的組合或者以上三種材料中任意兩種的組合。在本實(shí)施例中，為了使得所述封裝薄膜具有較高的水氧阻隔能力，所述緩沖層3(見圖2)的內(nèi)部分布有若干個(gè)均勻分布的Bi原子團(tuán)簇4，所述Bi原子團(tuán)簇4的總的原子體積比占所述緩沖層3的總體積的30%，所述Bi原子團(tuán)簇4在所述緩沖層3上至少在一個(gè)方向上的長度為20nm，相鄰所述Bi原子團(tuán)簇4的間隙為40nm。在本實(shí)施例中，所述Bi原子團(tuán)簇4為球形且非均勻分布在所述緩沖層3的內(nèi)部。當(dāng)然，為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，所述Bi原子團(tuán)簇4的形狀以及是否均勻分布不受限制。在本實(shí)施例中，相鄰所述Bi原子團(tuán)簇4之間的間隙為40nm。當(dāng)然，在此，40nm只是一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，所述Bi原子團(tuán)簇4之間的間隙在小于50nm時(shí)都能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。本實(shí)施例提供的封裝薄膜的制造方法依次包括以下步驟A.在所述有機(jī)材料層6上以Si3N4和Bi原子團(tuán)簇4為原料在50°C下采用共濺射的方式形成Bi原子團(tuán)簇4及所述緩沖層3;B.在所述緩沖層3上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsedDC reactive s puttering))的方式形成第一層所述氧化物層I;C.在所述氧化物層I上以聚丙烯酸酯為原料采用散蒸鍍(英文全稱為flashevaporation)的方式形成所述有機(jī)物層2;
D.在所述有機(jī)物層2上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsed DC reactive sputtering))的方式形成第二層所述氧化物層I,依次類推,形成所有氧化物層I和有機(jī)物層2，使得相鄰所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2形成疊加結(jié)構(gòu)，進(jìn)而形成所述封裝薄膜。實(shí)施例4本實(shí)施例提供的一種封裝薄膜，包括四個(gè)成分為Al2O3且厚度為700A的氧化物層I和位于相鄰所述氧化物層I之間的成分為聚醚砜且厚度為0. 9 ii m的一有機(jī)物層2，在最內(nèi)層的所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2之間設(shè)置一緩沖層3，所述緩沖層3的厚度為400nm，所述緩沖層3的成分為Si3N4、Ti02和SiO2的混合物，所述Si3N4、Ti02和SiO2的混合物形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，所述氧化物層I為四個(gè)，所述有機(jī)物層2為三個(gè)，當(dāng)然，所述氧化物層I也可以設(shè)置為三個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為兩個(gè)，或者所述氧化物層I設(shè)置為兩 個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為一個(gè)，依次類推，所述有機(jī)物層2的設(shè)置層數(shù)總是少于所述氧化物層I的設(shè)置層數(shù)，兩者的差值為I層，相鄰所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2形成
疊加結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，所述緩沖層3的成分為Si3N4、Ti02和SiO2的混合物，當(dāng)然，對(duì)于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而言，所述緩沖層3的材料還可以是單獨(dú)的SiO2或單獨(dú)TiO2或單獨(dú)的其他氧化物，當(dāng)然，所述緩沖層3的材料還可以是以上三種材料中任意兩種的組合。在本實(shí)施例中，為了使得所述封裝薄膜具有較高的水氧阻隔能力，所述緩沖層3(見圖2)的內(nèi)部分布有若干個(gè)均勻分布的Bi原子團(tuán)簇4，所述Bi原子團(tuán)簇4的總的原子體積比占所述緩沖層3的總體積的40%，所述Bi原子團(tuán)簇4在所述緩沖層3上至少在一個(gè)方向上的長度為10nm，相鄰所述Bi原子團(tuán)簇4的間隙為10nm。在本實(shí)施例中，所述Bi原子團(tuán)簇4為球形且均勻分布在所述緩沖層3的內(nèi)部。當(dāng)然，為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，所述Bi原子團(tuán)簇4的形狀以及是否均勻分布不受限制。在本實(shí)施例中，相鄰所述Bi原子團(tuán)簇4之間的間隙為10nm。當(dāng)然，在此，IOnm只是一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，所述Bi原子團(tuán)簇4之間的間隙在小于50nm時(shí)都能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。本實(shí)施例提供的封裝薄膜的制造方法依次包括以下步驟A.在所述有機(jī)材料層6上以Si3N4、TiO2, SiO2和Bi原子團(tuán)簇4為原料在50°C下采用共濺射的方式形成Bi原子團(tuán)簇4及所述緩沖層3;B.在所述緩沖層3上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsedDC reactive s puttering))的方式形成第一層所述氧化物層I;C.在所述氧化物層I上以聚丙烯酸酯為原料采用散蒸鍍(英文全稱為flashevaporation)的方式形成所述有機(jī)物層2;D.在所述有機(jī)物層2上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsed DC reactive sputtering))的方式形成第二層所述氧化物層I,依次類推,形成所有氧化物層I和有機(jī)物層2，使得相鄰所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2形成疊加結(jié)構(gòu)，進(jìn)而形成所述封裝薄膜。實(shí)施例5
本實(shí)施例提供的一種封裝薄膜，包括兩個(gè)成分為Al2O3且厚度為900A的氧化物層I和位于相鄰所述氧化物層I之間的成分為聚脲且厚度為0. 2iim的一有機(jī)物層2，在最內(nèi)層的所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2之間設(shè)置一緩沖層3，所述緩沖層3的厚度為700nm，所述緩沖層的成分為TiO2和SiO2的混合物，所述混合物形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，所述氧化物層I為2個(gè)，所述有機(jī)物層2為I個(gè)，當(dāng)然，所述氧化物層I也可以設(shè)置為三個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為兩個(gè)，或者所述氧化物層I設(shè)置為四個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為三個(gè)，依次類推，所述有機(jī)物層2的設(shè)置層數(shù)總是少于所述氧化物層I的設(shè) 置層數(shù)，兩者的差值為I層，相鄰所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2形成疊加結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，緩沖層3的成分為TiO2和SiO2的混合物，當(dāng)然，對(duì)于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而言，所述緩沖層3的材料還可以是其他氧化物的組合物或者其他單獨(dú)的氧化物，例如，Si3N4。在本實(shí)施例中，為了使得所述封裝薄膜具有較高的水氧阻隔能力，所述緩沖層3(見圖2)的內(nèi)部分布有若干個(gè)均勻分布的Bi原子團(tuán)簇4，所述Bi原子團(tuán)簇4的總的原子體積比占所述緩沖層3的總體積的10%，所述Bi原子團(tuán)簇4在所述緩沖層3上至少在一個(gè)方向上的長度為25nm，相鄰所述Bi原子團(tuán)簇4的間隙為25nm。在本實(shí)施例中，所述Bi原子團(tuán)簇4為球形且均勻分布在所述緩沖層3的內(nèi)部。當(dāng)然，為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，所述Bi原子團(tuán)簇4的形狀以及是否均勻分布不受限制。本實(shí)施例中，為了實(shí)現(xiàn)最佳的水氧阻隔效果，所述Bi原子團(tuán)簇4設(shè)置為球形且均勻分布。在本實(shí)施例中，相鄰所述Bi原子團(tuán)簇4之間的間隙為10nm。當(dāng)然，在此，IOnm只是一個(gè)最優(yōu)的實(shí)施例，所述Bi原子團(tuán)簇4之間的間隙在小于50nm時(shí)都能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。本實(shí)施例提供的封裝薄膜的制造方法依次包括以下步驟A.在所述有機(jī)材料層6上以Ti02、SiO2和Bi原子團(tuán)簇4為原料在45°C下采用共濺射的方式形成Bi原子團(tuán)簇4及所述緩沖層3;B.在所述緩沖層3上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsedDC reactive sputtering))的方式形成第一層所述氧化物層I;C.在所述氧化物層I上以聚丙烯酸酯為原料采用散蒸鍍(英文全稱為flashevaporation)的方式形成所述有機(jī)物層2;D.在所述有機(jī)物層2上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsed DC reactive sputtering))的方式形成第二層所述氧化物層I,進(jìn)而形成實(shí)施例的封裝薄膜。實(shí)施例6本實(shí)施例提供的一種封裝薄膜，包括兩個(gè)成分為Al2O3且厚度為9 OOA的氧化物層I和位于相鄰所述氧化物層I之間的成分為聚丙烯酸酯聚脲且厚度為0. 4 的一有機(jī)物層2，在最內(nèi)層的所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2之間設(shè)置一緩沖層3，所述緩沖層3的厚度為700nm，所述緩沖層的成分為TiO2和SiO2的混合物，所述混合物形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，所述氧化物層I為2個(gè)，所述有機(jī)物層2為I個(gè)，當(dāng)然，所述氧化物層I也可以設(shè)置為三個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為兩個(gè)，或者所述氧化物層I設(shè)置為四個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為三個(gè)，依次類推，所述有機(jī)物層2的設(shè)置層數(shù)總是少于所述氧化物層I的設(shè)置層數(shù)，兩者的差值為I層，相鄰所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2形成
疊加結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，緩沖層3的成分為TiO2和SiO2的混合物，當(dāng)然，對(duì)于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而言，所述緩沖層3的材料還可以是其他氧化物的組合物或者其他單獨(dú)的氧化物，例如，Si3N4。在本實(shí)施例中，為了提高光提取率，所述緩沖層3的內(nèi)部具有若干個(gè)均勻孔洞5 (見圖3)，所述孔洞5至少在一個(gè)方向上的長度為35nm，相鄰所述孔洞5之間的間隙為40nm。在此，所述孔洞5的形狀以及是否均勻分布不受限制，本實(shí)施例中，為了實(shí)現(xiàn)最佳的光提取效果，所述孔洞5設(shè)置為球形且均勻分布，相鄰所述孔洞5之間的間隙為40nm，所述孔洞5的直徑為35nm(即至少在一個(gè)方向上的長度為35nm)。當(dāng)然,在此,35nm只是一個(gè)最 優(yōu)的實(shí)施例，所述孔洞5的直徑在5-35nm之間時(shí)都能使得本發(fā)明提供的封裝薄膜具有較高的光提取率。本實(shí)施例提供的封裝薄膜的制造方法依次包括以下步驟A.在所述有機(jī)材料層6上以Ti02、SiO2和Bi原子團(tuán)簇4為原料在45°C下采用共濺射的方式形成Bi原子團(tuán)簇4及所述緩沖層3;B.以濃度為10%的磷酸對(duì)所述緩沖層3進(jìn)行蝕刻，將Bi原子團(tuán)簇4蝕刻掉，形成直徑為35nm的所述孔洞5，相鄰所述孔洞5之間的間隙為40nm ；C.在所述緩沖層3上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsedDC reactive s puttering))的方式形成第一層所述氧化物層I;D.在所述氧化物層I上以聚丙烯酸酯為原料采用散蒸鍍(英文全稱為flashevaporation)的方式形成所述有機(jī)物層2;E.在所述有機(jī)物層2上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsed DC reactive sputtering))的方式形成第二層所述氧化物層I,進(jìn)而形成實(shí)施例的封裝薄膜。實(shí)施例7本實(shí)施例提供的一種封裝薄膜，包括三個(gè)成分為Al2O3且厚度為500A的氧化物層I和位于相鄰所述氧化物層I之間的成分為聚丙烯酸酯且厚度為0. 5iim的一有機(jī)物層2，在最內(nèi)層的所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2之間設(shè)置一緩沖層3，所述緩沖層3的厚度為I U m，所述緩沖層的成分為Ti02、SiO2以及Si3N4的混合物，所述混合物形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，所述氧化物層I為三個(gè)，所述有機(jī)物層2為兩個(gè)，當(dāng)然，所述氧化物層I也可以設(shè)置為兩個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為一個(gè)，或者所述氧化物層I設(shè)置為四個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為三個(gè)，依次類推，所述有機(jī)物層2的設(shè)置層數(shù)總是少于所述氧化物層I的設(shè)置層數(shù)，兩者的差值為I層，相鄰所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2形成疊加結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，緩沖層3的成分為Ti02、Si3N4以及SiO2的混合物，當(dāng)然，對(duì)于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而言，所述緩沖層3的材料還可以是其他氧化物的組合物或者其他單獨(dú)的氧化物，例如，Si3N4。在本實(shí)施例中，為了提高光提取率，所述緩沖層3的內(nèi)部具有若干個(gè)均勻孔洞5(見圖3),所述孔洞5至少在一個(gè)方向上的長度為5nm,相鄰所述孔洞5之間的間隙為30nm。在此，所述孔洞5的形狀以及是否均勻分布不受限制，本實(shí)施例中，為了實(shí)現(xiàn)較佳的光提取效果，所述孔洞5設(shè)置為球形且非均勻分布，相鄰所述孔洞5之間的間隙為30nm，所述孔洞5的直徑為5nm (即至少在一個(gè)方向上的長度為5nm)。當(dāng)然,在此,5nm只是一個(gè)較佳的實(shí)施例，所述孔洞5的直徑在5-35nm之間時(shí)都能使得本發(fā)明提供的封裝薄膜具有較高的光提取率。本實(shí)施例提供的封裝薄膜的制造方法依次包括以下步驟A.在所述有機(jī)材料層6上以Ti02、SiO2, Si3N4和Bi原子團(tuán)簇4為原料在45°C下采用共濺射的方式形成Bi原子團(tuán)簇4及所述緩沖層3;B.以濃度為50%的磷酸對(duì)所述緩沖層3進(jìn)行蝕刻，將Bi原子團(tuán)簇4蝕刻掉，形成直徑為5nm的所述孔洞5，相鄰所述孔洞5之間的間隙為30nm ； C.在所述緩沖層3上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsedDC reactive sputtering))的方式形成第一層所述氧化物層I;D.在所述氧化物層I上以聚丙烯酸酯為原料采用散蒸鍍(英文全稱為flashevaporation)的方式形成所述有機(jī)物層2;E.在所述有機(jī)物層2上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsed DC reactive sputtering))的方式形成第二層所述氧化物層I,依次類推,形成所有氧化物層I和有機(jī)物層2，使得相鄰所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2形成疊加結(jié)構(gòu)，進(jìn)而形成實(shí)施例的封裝薄膜。實(shí)施例8本實(shí)施例提供的一種封裝薄膜，包括三個(gè)成分為Al2O3且厚度為I OOOA的氧化物層I和位于相鄰所述氧化物層I之間的成分為聚丙烯酸酯且厚度為Ium的一有機(jī)物層2，在最內(nèi)層的所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2之間設(shè)置一緩沖層3，所述緩沖層3的厚度為50nm，所述緩沖層的成分為TiO2。在本實(shí)施例中，所述氧化物層I為兩個(gè)，所述有機(jī)物層2為一個(gè)，當(dāng)然，所述氧化物層I也可以設(shè)置為三個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為兩個(gè)，或者所述氧化物層I設(shè)置為四個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為三個(gè)，依次類推，所述有機(jī)物層2的設(shè)置層數(shù)總是少于所述氧化物層I的設(shè)置層數(shù)，兩者的差值為I層，相鄰所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2形成
疊加結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，緩沖層3的成分為TiO2,當(dāng)然，對(duì)于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而言，所述緩沖層3的材料還可以是其他氧化物的組合物或者其他單獨(dú)的氧化物，例如，Si3N4。在本實(shí)施例中，為了提高光提取率，所述緩沖層3的內(nèi)部具有若干個(gè)均勻孔洞5 (見圖3)，所述孔洞5至少在一個(gè)方向上的長度為20nm，相鄰所述孔洞5之間的間隙為10nm。在此，所述孔洞5的形狀以及是否均勻分布不受限制，本實(shí)施例中，為了實(shí)現(xiàn)較佳的光提取效果，所述孔洞5設(shè)置為球形且均勻分布，相鄰所述孔洞5之間的間隙為10nm，所述孔洞5的直徑為20nm(即至少在一個(gè)方向上的長度為20nm)。當(dāng)然，在此，20nm只是一個(gè)較佳的實(shí)施例，所述孔洞5的直徑在5-35nm之間時(shí)都能使得本發(fā)明提供的封裝薄膜具有較高的光提取率。本實(shí)施例提供的封裝薄膜的制造方法依次包括以下步驟
A.在所述有機(jī)材料層6上以TiO2和Bi原子團(tuán)簇4為原料在45°C下采用共濺射的方式形成Bi原子團(tuán)簇4及所述緩沖層3;B.以濃度為30%的磷酸對(duì)所述緩沖層3進(jìn)行蝕刻，將Bi原子團(tuán)簇4蝕刻掉，形成直徑為20nm的所述孔洞5，相鄰所述孔洞5之間的間隙為IOnm ；C.在所述緩沖層3上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsedDC reactive sputtering) )的方式形成第一層所述氧化物層I;D.在所述氧化物層I上以聚丙烯酸酯為原料采用散蒸鍍(英文全稱為flashevaporation)的方式形成所述有機(jī)物層2;E.在所述有機(jī)物層2上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsed DC reactive sputtering))的方式形成第二層所述氧化物層I,依次類推,形成所有氧化物層I和有機(jī)物層2，使得相鄰所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2形成疊加結(jié)構(gòu)，進(jìn)而形成實(shí)施例的封裝薄膜。實(shí)施例9本實(shí)施例提供的一種封裝薄膜，包括四個(gè)成分為Al2O3且厚度為800A的氧化物層I和位于相鄰所述氧化物層I之間的成分為聚丙烯酸酯且厚度為0. 6 y m的三個(gè)有機(jī)物層2，在最內(nèi)層的所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2之間設(shè)置一緩沖層3，所述緩沖層3的厚度為700nm，所述緩沖層的成分為SiO2。在本實(shí)施例中，所述氧化物層I為四個(gè)，所述有機(jī)物層2為三個(gè)，當(dāng)然，所述氧化物層I也可以設(shè)置為三個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為兩個(gè)，或者所述氧化物層I設(shè)置為兩個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為一個(gè)，依次類推，所述有機(jī)物層2的設(shè)置層數(shù)總是少于所述氧化物層I的設(shè)置層數(shù)，兩者的差值為I層，相鄰所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2形成
疊加結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，緩沖層3的成分為SiO2,當(dāng)然，對(duì)于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而言，所述緩沖層3的材料還可以是其他氧化物的組合物或者其他單獨(dú)的氧化物，例如，Si3N4。在本實(shí)施例中，為了提高光提取率，所述緩沖層3的內(nèi)部具有若干個(gè)非均勻孔洞
5(見圖3)，所述孔洞5至少在一個(gè)方向上的長度為15nm，相鄰所述孔洞5之間的間隙為25nm。在此，所述孔洞5的形狀以及是否均勻分布不受限制，本實(shí)施例中，為了實(shí)現(xiàn)較佳的光提取效果，所述孔洞5設(shè)置為球形且非均勻分布，相鄰所述孔洞5之間的間隙為25nm，所述孔洞5的直徑為15nm(即至少在一個(gè)方向上的長度為15nm)。當(dāng)然,在此，15nm只是一個(gè)較佳的實(shí)施例，所述孔洞5的直徑在5-35nm之間時(shí)都能使得本發(fā)明提供的封裝薄膜具有較高的光提取率。本實(shí)施例提供的封裝薄膜的制造方法依次包括以下步驟A.在所述有機(jī)材料層6上以SiO2和Bi原子團(tuán)簇4為原料在45°C下采用共濺射的方式形成Bi原子團(tuán)簇4及所述緩沖層3;B.以濃度為40%的磷酸對(duì)所述緩沖層3進(jìn)行蝕刻，將Bi原子團(tuán)簇4蝕刻掉，形成直徑為15nm的所述孔洞5，相鄰所述孔洞5之間的間隙為25nm ；C.在所述緩沖層3上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsedDC reactive s puttering))的方式形成第一層所述氧化物層I;D.在所述氧化物層I上以聚丙烯酸酯為原料采用散蒸鍍(英文全稱為flashevaporation)的方式形成所述有機(jī)物層2;E.在所述有機(jī)物層2上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsed DC reactive sputtering))的方式形成第二層所述氧化物層I,依次類推,形成所有氧化物層I和有機(jī)物層2，使得相鄰所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2形成疊加結(jié)構(gòu)，進(jìn)而形成實(shí)施例的封裝薄膜。實(shí)施例10本實(shí)施例提供的一種封裝薄膜，包括四個(gè)成分為Al2O3且厚度為900A的氧化物層I和位于相鄰所述氧化物層I之間的成分為聚丙烯酸酯且厚度為0. 8 i! m的三個(gè)有機(jī)物層2，在最內(nèi)層的所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2之間設(shè)置一緩沖層3，所述緩沖層3的厚度為400nm，所述緩沖層的成分為Si3N4。在本實(shí)施例中，所述氧化物層I為四個(gè)，所述有機(jī)物層2為三個(gè)，當(dāng)然，所述氧化物 層I也可以設(shè)置為三個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為兩個(gè)，或者所述氧化物層I設(shè)置為兩個(gè)，相應(yīng)地所述有機(jī)物層2設(shè)置為一個(gè)，依次類推，所述有機(jī)物層2的設(shè)置層數(shù)總是少于所述氧化物層I的設(shè)置層數(shù)，兩者的差值為I層，相鄰所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2形成
疊加結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，緩沖層3的成分為Si3N4，當(dāng)然，對(duì)于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而言，所述緩沖層3的材料還可以是其他氧化物的組合物或者其他單獨(dú)的氧化物，例如，Si02。在本實(shí)施例中，為了提高光提取率，所述緩沖層3的內(nèi)部具有若干個(gè)非均勻分布的孔洞5 (見圖3)，所述孔洞5至少在一個(gè)方向上的長度為25nm，相鄰所述孔洞5之間的間隙為15nm。在此，所述孔洞5的形狀以及是否均勻分布不受限制，本實(shí)施例中，為了實(shí)現(xiàn)較佳的光提取效果，所述孔洞5設(shè)置為球形且非均勻分布，相鄰所述孔洞5之間的間隙為15nm,所述孔洞5的直徑為25nm (即至少在一個(gè)方向上的長度為25nm)。當(dāng)然，在此，25nm只是一個(gè)較佳的實(shí)施例，所述孔洞5的直徑在5-35nm之間時(shí)都能使得本發(fā)明提供的封裝薄膜具有較高的光提取率。本實(shí)施例提供的封裝薄膜的制造方法依次包括以下步驟A.在所述有機(jī)材料層6上以Si3N4和Bi原子團(tuán)簇4為原料在45°C下采用共濺射的方式形成Bi原子團(tuán)簇4及所述緩沖層3;B.以濃度為25%的磷酸對(duì)所述緩沖層3進(jìn)行蝕刻，將Bi原子團(tuán)簇4蝕刻掉，形成直徑為25nm的所述孔洞5，相鄰所述孔洞5之間的間隙為15nm ；C.在所述緩沖層3上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsedDC reactive sputtering))的方式形成第一層所述氧化物層I;D.在所述氧化物層I上以聚丙烯酸酯為原料采用散蒸鍍(英文全稱為flashevaporation)的方式形成所述有機(jī)物層2;E.在所述有機(jī)物層2上以Al2O3為原料采用脈沖直流反應(yīng)濺射(英文全稱為pulsed DC reactive s puttering))的方式形成第二層所述氧化物層I,依次類推,形成所有氧化物層I和有機(jī)物層2，使得相鄰所述氧化物層I和所述有機(jī)物層2形成疊加結(jié)構(gòu)，進(jìn)而形成實(shí)施例的封裝薄膜。在上述所有實(shí)施例1-10中，所述Bi原子團(tuán)簇是指若干個(gè)Bi原子聚集在一起形成的原子團(tuán)簇。
顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無需也無法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所 引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種封裝薄膜，包括至少兩個(gè)氧化物層(I)和位于相鄰所述氧化物層(I)之間的至少一有機(jī)物層(2)，其特征在于在最內(nèi)層的所述氧化物層(I)和所述有機(jī)物層(2)之間設(shè)置一緩沖層(3)，所述緩沖層(3)的厚度在50nm-l y m之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝薄膜，其特征在于所述緩沖層(3)的內(nèi)部分布有若干個(gè)均勻和/或非均勻分布的Bi原子團(tuán)簇(4)，所述Bi原子團(tuán)簇(4)至少在一個(gè)方向上的長度為5_35nm,相鄰所述Bi原子團(tuán)簇(4)的間隙小于50nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝薄膜，其特征在于若干所述Bi原子團(tuán)簇(4)均勻分布。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的封裝薄膜，其特征在于所述Bi原子團(tuán)簇(4)為球形。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝薄膜，其特征在于所述緩沖層的內(nèi)部分布有若干個(gè)均勻和/或非均勻分布的孔洞(5)，所述孔洞(5)至少在一個(gè)方向上的長度為5-35nm，相鄰所 述孔洞(5)之間的間隙小于50nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝薄膜，其特征在于若干所述孔洞(5)均勻分布。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝薄膜，其特征在于所述孔洞(5)為球形。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的封裝薄膜，其特征在于所述緩沖層(3)由Si3N4、SiO2或者TiO2中的一種或多種復(fù)合形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝薄膜，其特征在于所述緩沖層(3)由Si3N4、SiO2或者TiO2中的一種或多種復(fù)合為網(wǎng)狀形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求2-9任一所述的封裝薄膜，其特征在于所述Bi原子團(tuán)簇4的總的原子體積比占所述緩沖層3的總體積的20-50%。
全文摘要
本發(fā)明提供一種封裝薄膜，包括至少兩個(gè)氧化物層和位于相鄰所述氧化物層之間的至少一有機(jī)物層，在最內(nèi)層的所述氧化物層和所述有機(jī)物層之間設(shè)置一緩沖層，所述緩沖層的厚度在50nm-1μm之間。由于在最內(nèi)層的所述氧化物層和所述有機(jī)物層之間設(shè)置一緩沖層，并且所述緩沖層的厚度在50nm-1μm之間，因此，當(dāng)采用濺射方式沉積最內(nèi)層的氧化物層時(shí)，所述緩沖層會(huì)對(duì)所述濺射離子進(jìn)行緩沖，不會(huì)使得所述濺射離子損傷光電子器件的陰極，提高了光電子器件的使用性能和水氧阻隔能力。
文檔編號(hào)H01L51/52GK102751446SQ201210223170
公開日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2012年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月31日
發(fā)明者平山秀雄, 邱勇, 黃秀頎 申請(qǐng)人:昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司