專利名稱：窄邊接地的小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉一種氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片，特別涉及一種窄邊接地的小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片。
背景技術(shù)：
氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向輸入的功率，如果不能承受要求的功率，負(fù)載就會(huì)燒壞，可能導(dǎo)致整個(gè)設(shè)備燒壞。目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負(fù)載片來(lái)吸收通信部件中反向輸入功率，要求基本的尺寸越來(lái)越小，而需要吸收的功率越來(lái)越大。
目前國(guó)內(nèi)功率能達(dá)到150瓦負(fù)載片一種是選用BeO材料，這種材料是有毒的，在生產(chǎn)過(guò)程中很容易對(duì)環(huán)境造成污染，對(duì)生產(chǎn)人員的身體健康帶來(lái)一定的危害。另一種是使用較大尺寸的氮化鋁基板(基板尺寸為6. 35 * 9. 55 * Imm),這種大尺寸的氮化鋁基板并不滿足通行基站小型化的要求。目前國(guó)內(nèi)氮化鋁基板在5. 7 * 8.9 * Imm的尺寸上只能做出能承受100W功率的負(fù)載片。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能夠承受150W的功率性能優(yōu)越的氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種窄邊接地的小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片，其包括一尺寸為5.7 * 8.9 * Imm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。優(yōu)選的，所述電路中導(dǎo)線轉(zhuǎn)彎處采用斜切角設(shè)計(jì)上述技術(shù)方案具有如下有益效果該結(jié)構(gòu)的窄邊接地的小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片具有良好的VSWR性能，2G頻段以內(nèi)的駐波比達(dá)到1.05 1，3G頻段以內(nèi)的駐波比達(dá)到I. 10 I，在尺寸為5. 7 * 8. 9 * I. Omm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達(dá)到150W。同時(shí)滿足了客戶需要在設(shè)備上橫向擺放負(fù)載片進(jìn)行焊接的要求。上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。本發(fā)明的具體實(shí)施方式
由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。


圖I為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。如圖I所示,該窄邊接地的 小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片包括一尺寸為5. 7 * 8. 9 * Imm的氮化鋁基板1，氮化鋁基板I的背面印刷有背導(dǎo)層，氮化鋁基板I的正面印刷有電阻3及導(dǎo)線2，導(dǎo)線2連接電阻3形成負(fù)載電路，負(fù)載電路的接地端與背導(dǎo)層通過(guò)銀漿電連接，從而使負(fù)載電路接地導(dǎo)通。背導(dǎo)層及導(dǎo)線2由導(dǎo)電銀漿印刷而成，電阻3由電阻漿料印刷而成。電阻3上印刷有玻璃保護(hù)膜4。導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜4的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜5。該結(jié)構(gòu)的窄邊接地的小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片，通過(guò)線路的優(yōu)化設(shè)計(jì)，把焊盤設(shè)計(jì)在寬邊，把接地設(shè)計(jì)在窄邊，得到了良好的VSWR性能，2G頻段以內(nèi)的駐波比達(dá)到I. 05 1，3G頻段以內(nèi)的駐波比達(dá)到I. 10:1，在尺寸為5.7 * 8.9 * Imm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達(dá)到150W，同時(shí)使其特性達(dá)到了 3G，使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣，也更加能夠與設(shè)備進(jìn)行良好的匹配。據(jù)檢測(cè)該氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片能承受的功率非常穩(wěn)定，能夠完全達(dá)到通信期間吸收所需要功率的要求，以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種窄邊接地的小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種窄邊接地的小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片，其特征在于其包括一尺寸為5. 7 * 8. 9 * Imm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的窄邊接地的小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片，其特征在于所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的窄邊接地的小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片，其特征在于所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的窄邊接地的小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片，其特征在于所述電路中導(dǎo)線轉(zhuǎn)彎處采用斜切角設(shè)計(jì)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種窄邊接地的小尺寸大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片，其包括一尺寸為5.7＊8.9＊1mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。該結(jié)構(gòu)窄邊接地的大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片具有良好的VSWR性能，在5.7＊8.9＊1mm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達(dá)到150W，同時(shí)使其特性達(dá)到了3G，使得此尺寸的氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片在性能卓越的前提下功率提高到150W，使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣，也更加能夠與設(shè)備進(jìn)行良好的匹配。
文檔編號(hào)H01P1/22GK102709651SQ20121021669
公開日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月28日
發(fā)明者陳建良 申請(qǐng)人:蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司