發(fā)光二極管及其制造方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管，其包括間隔設(shè)置的第一電極及第二電極、設(shè)于第一電極及第二電極之間的基板、及分別設(shè)置于第一電極及第二電極上頂面的發(fā)光芯片，所述第一電極的頂面位于所述第二電極頂面所在平面的一側(cè)上方，從而使得所述發(fā)光芯片之間具有一高度差，所述基板的頂面的相對(duì)兩端分別連接第一電極的頂面及第二電極的頂面相互靠近的一端，并且所述基板的頂面自靠近第一電極的一端朝向靠近第二電極的一端傾斜延伸。本發(fā)明還涉及一種發(fā)光二極管的制造方法。
【專利說(shuō)明】發(fā)光二極管及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件及其制造方法，特別設(shè)計(jì)一種發(fā)光二極管及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(發(fā)光芯片)作為一種新興的光源，目前已廣泛應(yīng)用于多種照明場(chǎng)合之中，并大有取代傳統(tǒng)光源的趨勢(shì)。
[0003]而在目前使用的白光發(fā)光芯片中，人們通常將藍(lán)光發(fā)光芯片作為激發(fā)光源，激發(fā)YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔鋁石榴石)熒光粉得到黃光，黃光和藍(lán)光發(fā)光芯片發(fā)出的剩余的藍(lán)光再混合后得到所需要的白光，但是這種方法得到的白光色溫偏高，對(duì)人眼的刺激較大，難于滿足普通的照明需求。
[0004]為了解決上述問(wèn)題，通常會(huì)把紅色熒光粉加入到黃色熒光粉中來(lái)加強(qiáng)白光中的紅色成分，可以降低溫，但是由于目前紅色熒光粉具有較低的轉(zhuǎn)換效率，其光通量大大降低，很難得到實(shí)際應(yīng)用。為了解決這一問(wèn)題，目前通常用紅光芯片代替紅色熒光粉，通過(guò)分別控制通過(guò)紅光芯片和藍(lán)光芯片的電流大小來(lái)產(chǎn)生低色溫高顯色性的白光，并取得了良好的效果，但是通常情況下，人們都把藍(lán)光發(fā)光芯片與紅光發(fā)光芯片固定于同一水平面相互靠近的位置上。然而如此設(shè)置的藍(lán)光發(fā)光芯片與紅光發(fā)光芯片發(fā)出的光線在二者靠近的內(nèi)側(cè)強(qiáng)度較大，在遠(yuǎn)離內(nèi)側(cè)的二相對(duì)外側(cè)強(qiáng)度較弱，如此導(dǎo)致二者發(fā)出的光線混合后容易出現(xiàn)不均勻的情況，進(jìn)而影響了整個(gè)發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的發(fā)光二極管。
[0006]一種發(fā)光二極管，其包括間隔設(shè)置的第一電極及第二電極、設(shè)于第一電極及第二電極之間的基板、及分別設(shè)置于第一電極及第二電極上頂面的發(fā)光芯片，所述第一電極的頂面位于所述第二電極頂面所在平面的一側(cè)上方，從而使得所述發(fā)光芯片之間具有一高度差，所述基板的頂面的相對(duì)兩端分別連接第一電極的頂面及第二電極的頂面相互靠近的一端，并且所述基板的頂面自靠近第一電極的一端朝向靠近第二電極的一端傾斜延伸。
[0007]一種發(fā)光二極管的制造方法，其包括:
提供第一電極及第二電極，使第一電極的頂面位于第二電極的頂面上方，且第一電極的頂面平行于第二電極的頂面；
提供基板，將該基板結(jié)合于第一電極及第二電極，且使基板的頂面相對(duì)兩端分別連接第一電極的頂面及第二電極的頂面相互靠近的一端，并且所述基板的頂面自靠近第一電極的一端朝向靠近第二電極的一端傾斜延伸；
在該基板上形成開(kāi)設(shè)有收容孔的封裝體，該收容孔包括第一收容孔及第二收容孔；提供至少二發(fā)光芯片，將發(fā)光芯片分別固定于第一電極及第二電極的頂面上，從而使得所述發(fā)光芯片之間具有一高度差，且所述發(fā)光芯片分別位于第一收容部及第二收容部的底部；
切割封裝體形成多個(gè)獨(dú)立的發(fā)光二極管。
[0008]本發(fā)明提供的發(fā)光二極管，由于收容孔的內(nèi)表面及基板頂面的反射作用，使得發(fā)光芯片具有較高的發(fā)光效率，且由于發(fā)光芯片均直接貼設(shè)于第一電極、第二電極的表面，從而通過(guò)該第一電極、第二電極增強(qiáng)了其散熱效果，再由于該第一電極及第二電極之間形成一高度差，從而減少了發(fā)光芯片之間的相互影響，從而提高了其發(fā)光效果。另外，所述基板的頂面自靠近第一電極的一端朝向靠近第二電極的一端傾斜延伸，其較豎直面具有更好的反射效果，出光效率更高。
[0009]下面參照附圖，結(jié)合【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為本發(fā)明提供的發(fā)光二極管的立體圖。
[0011]圖2至圖11為本發(fā)明第一實(shí)施例中的發(fā)光二極管制造方法的各步驟示意圖。
[0012]圖12為本發(fā)明第二實(shí)施例中的發(fā)光二極管制造方法中第一擋墻及第二擋墻的制造步驟示意圖。
[0013]主要元件符號(hào)說(shuō)明
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管，其包括間隔設(shè)置的第一電極及第二電極、設(shè)于第一電極及第二電極之間的基板、及分別設(shè)置于第一電極及第二電極上頂面的發(fā)光芯片，其特征在于:所述第一電極的頂面位于所述第二電極頂面所在平面的一側(cè)上方，從而使得所述發(fā)光芯片之間具有一高度差，所述基板的頂面的相對(duì)兩端分別連接第一電極的頂面及第二電極的頂面相互靠近的一端，并且所述基板的頂面自靠近第一電極的一端朝向靠近第二電極的一端傾斜延伸。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于:所述基板的頂面為一斜面，所述第一電極的頂面及第二電極的頂面均為平面且平行設(shè)置。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于:所述基板的頂面與第一電極、第二電極的頂面之間形成一夾角，所述夾角的角度為40至60度之間。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于:所述夾角的角度為57.5度。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于:所述第一電極頂面所在的平面上方形成第一收容部，所述第一電極頂面所在的平面與第二電極的頂面之間形成形成第二收容部，所述發(fā)光芯片分別位于第一收容部及第二收容部的底部。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于:所述第一收容部朝向第一電極傾斜延伸的內(nèi)表面與第一電極頂面之間形成的夾角等于所述第二收容部朝向第二電極傾斜延伸的內(nèi)表面與第二電極頂面之間形成夾角，且該夾角的范圍為40至60度之間。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于:所述夾角為57.5度。
8.一種發(fā)光二極管的制造方法，其包括: 提供第一電極及第二電極，使第一電極的頂面位于第二電極的頂面上方，且第一電極的頂面平行于第二電極的頂面； 提供基板，將該基板結(jié)合于第一電極及第二電極，且基板的頂面相對(duì)兩端分別連接第一電極的頂面及第二電極的頂面相互靠近的一端，并且所述基板的頂面自靠近第一電極的一端朝向靠近第二電極的一端傾斜延伸； 提供至少二發(fā)光芯片，將所述發(fā)光芯片分別位于第一電極及第二電極的頂面上，從而使得所述發(fā)光芯片之間具有一高度差。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:所述基板的頂面為斜面，且所述斜面與第一電極、第二電極的頂面之間形成的夾角為40至60度之間。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于:所述斜面與第一電極、第二電極的頂面之間形成的夾角為57.5度。
【文檔編號(hào)】H01L33/00GK103515519SQ201210210011
【公開(kāi)日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2012年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月25日
【發(fā)明者】林新強(qiáng) 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司