發(fā)光二極管陣列及發(fā)光二極管芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明揭露一種發(fā)光二極管陣列，其包括基板、多個(gè)發(fā)光二極管單元、至少一導(dǎo)光結(jié)構(gòu)及數(shù)條互聯(lián)機(jī)。上述發(fā)光二極管單元位于基板且彼此電性隔離。每一發(fā)光二極管單元包括n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層、p側(cè)氮化物半導(dǎo)體層及主動(dòng)層。導(dǎo)光結(jié)構(gòu)位于相鄰二發(fā)光二極管單元之間的一間隔?；ヂ?lián)機(jī)電性連接上述發(fā)光二極管單元。另外，本發(fā)明揭露一種發(fā)光二極管芯片。采用本發(fā)明可將光線引導(dǎo)至正面出光，以提升正面的出光亮度。
【專利說明】發(fā)光二極管陣列及發(fā)光二極管芯片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于ー種發(fā)光二極管陣列及發(fā)光二極管芯片，且特別是有關(guān)于ー種具有導(dǎo)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管陣列及發(fā)光二極管芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)是ー種半導(dǎo)體ニ極管基光源。當(dāng)ニ極管被施加正向偏壓(被開啟)時(shí)，該裝置內(nèi)的電子可與電洞重新結(jié)合并以光子的形式釋放能量。這種效應(yīng)被稱為電致發(fā)光，而光的顔色(對(duì)應(yīng)于光子的能量)取決于半導(dǎo)體的能隙。當(dāng)作為光源使用吋，LED與白熾光源相比展示出許多優(yōu)點(diǎn)。這些優(yōu)點(diǎn)包括較低的能耗、較長(zhǎng)的壽命、改良的穩(wěn)健性(robustness)、較小的尺寸、更快的切換以及更好的耐用性及可靠性。
[0003]然而，傳統(tǒng)發(fā)光二極管除了從其正面出光外，亦從其側(cè)面出光，如此導(dǎo)致從正面出光的光線亮度降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明有關(guān)于ー種具有導(dǎo)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管陣列及發(fā)光二極管芯片。
[0005]可將光線引導(dǎo)至正面出光，以提升正面的出光亮度。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的ー實(shí)施例，提出ー種發(fā)光二極管陣列。發(fā)光二極管陣列包括一基板、數(shù)個(gè)發(fā)光二極管單元、至少ー導(dǎo)光結(jié)構(gòu)及多條互聯(lián)機(jī)。上述發(fā)光二極管單元位于基板且彼此電性隔離。各發(fā)光二極管包括一 n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層、一 p側(cè)氮化物半導(dǎo)體層及ー主動(dòng)層。主動(dòng)層位于n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層與p側(cè)氮化物半導(dǎo)體層之間。導(dǎo)光結(jié)構(gòu)位于相鄰ニ發(fā)光二極管單元之間的ー間隔。上述互聯(lián)機(jī)電性連接發(fā)光二極管單元。
[0007]其中，該導(dǎo)光結(jié)構(gòu)與該些發(fā)光二極管單元彼此電性隔離。
[0008]其中，該導(dǎo)光結(jié)構(gòu)與該發(fā)光二極管單元的結(jié)構(gòu)相同。
[0009]其中，該導(dǎo)光結(jié)構(gòu)系于相鄰ニ該發(fā)光二極管單元之間的該間隔形成時(shí)，同時(shí)形成于該間隔中。
[0010]其中，該發(fā)光二極管單元更包括:一未摻雜層，該未摻雜層位于該n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層與該基板之間。
[0011]其中該導(dǎo)光結(jié)構(gòu)的垂直剖面系為上窄下寬的型態(tài)。
[0012]其中，該導(dǎo)光結(jié)構(gòu)的形狀系選自于由柱狀、墻狀及其組合所構(gòu)成的群組。
[0013]其中，該導(dǎo)光結(jié)構(gòu)包括:一第一導(dǎo)光墻，鄰近該發(fā)光二極管的一第一邊長(zhǎng)；以及ー第二導(dǎo)光墻，鄰近該發(fā)光二極管的一第二邊長(zhǎng)；其中，該第一邊長(zhǎng)與該第二邊長(zhǎng)系為該發(fā)光ニ極管的相鄰兩邊，該第一導(dǎo)光墻與該第二導(dǎo)光墻相互連接或不連接。
[0014]其中，該互聯(lián)機(jī)的至少一部分位于該間隔上，且該互聯(lián)機(jī)與該導(dǎo)光結(jié)構(gòu)錯(cuò)開設(shè)置。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的另ー實(shí)施例，提出ー種發(fā)光二極管芯片。發(fā)光二極管芯片包括一基板、ー發(fā)光二極管單元及至少ー導(dǎo)光墻。發(fā)光二極管單元位于基板上且包括一 n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層、一 P側(cè)氮化物半導(dǎo)體層及一主動(dòng)層，主動(dòng)層位于n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層與p側(cè)氮化物半導(dǎo)體層之間。導(dǎo)光墻鄰近發(fā)光二極管單元的一邊緣。
[0016]其中，該導(dǎo)光墻與該發(fā)光二極管單元彼此電性隔離或電性連接。
[0017]其中，該導(dǎo)光墻與該發(fā)光二極管單元的結(jié)構(gòu)相同。
[0018]其中，該導(dǎo)光墻與該發(fā)光二極管單元之間具有一間隔。
[0019]其中，該間隔、該導(dǎo)光墻與該發(fā)光二極管單元同時(shí)形成。
[0020]其中，該發(fā)光二極管單元更包括:一未摻雜層，該未摻雜層位于該n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層與該基板之間。
[0021 ]其中，該導(dǎo)光墻的垂直剖面為上窄下寬的型態(tài)。
[0022]其中，該導(dǎo)光墻為封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)或非封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)，且環(huán)繞該發(fā)光二極管單元。
[0023]其中，該至少ー個(gè)導(dǎo)光墻包括多個(gè)導(dǎo)光墻，該些導(dǎo)光墻分離地配置。
[0024]本發(fā)明有關(guān)于ー種具有導(dǎo)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管陣列及發(fā)光二極管芯片，可將光線引導(dǎo)至正面出光，以提升正面的出光亮度。
[0025]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1A繪示依照本發(fā)明ー實(shí)施例的發(fā)光二極管陣列的局部俯視圖。
[0027]圖1B繪示圖1A中沿方向1B-1B’的剖視圖。
[0028]圖2繪示依照本發(fā)明另ー實(shí)施例的發(fā)光二極管陣列的俯視圖。
[0029]圖3繪示依照本發(fā)明另ー實(shí)施例的發(fā)光二極管陣列的剖視圖。
[0030]圖4繪示依照本發(fā)明另ー實(shí)施例的發(fā)光二極管陣列的局部俯視圖。
[0031]圖5A繪示依照本發(fā)明ー實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片的剖視圖。
[0032]圖5B繪示圖5A中沿方向5B-5B’的剖視圖。
[0033]圖6繪示依照本發(fā)明另ー實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片的俯視圖。
[0034]圖7繪示依照本發(fā)明另ー實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片的俯視圖。
[0035]其中，附圖標(biāo)記:
[0036]100、200、300、400:發(fā)光二極管陣列
[0037]110:基板
[0038]120,420:導(dǎo)光結(jié)構(gòu)
[0039]130:發(fā)光二極管單元
[0040]130n:n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層
[0041]130p:p側(cè)氮化物半導(dǎo)體層
[0042]130a:主動(dòng)層
[0043]130u:未摻雜層
[0044]130s:邊緣側(cè)面
[0045]131:第一電極
[0046]132:第二 電極
[0047]140:互聯(lián)機(jī)
[0048]150:間隔
[0049]421:第一導(dǎo)光墻[0050]422:第二導(dǎo)光墻
[0051]500、600、700:發(fā)光二極管芯片
[0052]520:導(dǎo)光墻
[0053]520s:外側(cè)面
[0054]L:側(cè)向光
【具體實(shí)施方式】
[0055]請(qǐng)參照?qǐng)D1A，其繪示依照本發(fā)明ー實(shí)施例的發(fā)光二極管陣列的局部俯視圖。發(fā)光ニ極管陣列100包括基板110、至少ー導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120、數(shù)個(gè)發(fā)光二極管單元130及數(shù)條互聯(lián)機(jī) 140。
[0056]基板110例如是娃基板、氣化嫁基板、碳化娃基板、監(jiān)寶石基板或以上述基板再進(jìn)行圖形化等加工的基板，但并不以此為限。
[0057]導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120位于相鄰ニ發(fā)光二極管單元130之間的間隔150內(nèi)，且與發(fā)光二極管単元130彼此電性隔離。導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120的水平剖面形狀系為圓形、橢圓形或多邊形，其中多邊形例如是三角形、梯形、棱形或矩形。本實(shí)施例中，此些導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120的水平剖面形狀完全相同，然另ー實(shí)施例中亦可不完全相同。
[0058]請(qǐng)參照?qǐng)D1B，其繪示圖1A中沿1B-1B’的剖視圖。導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120的垂直剖面系為上窄下寬的型態(tài)。于部分實(shí)施例中，導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120的形狀系為柱狀(pillar)。
[0059]導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120的垂直剖面形狀可以由直線及/或曲線所構(gòu)成的形狀，如圓形的至少一部分、橢圓形的至少一部分及/或多邊形，其中多邊形例如是三角形、梯形、菱形或矩形。本實(shí)施例中，導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120的垂直剖面形狀系以梯形為例說明，梯形斜面與水平面的夾角介于約30至80度之間，較佳但非限定地是介于40至70度之間。
[0060]如圖1B所示，導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120可引導(dǎo)來自于主動(dòng)層130a的側(cè)向光L (圖1B)至正面出光，以提升發(fā)光二極管單兀的同一面的出光亮度。此外，本實(shí)施例充分利用相鄰ニ發(fā)光二極管單元130之間的間隔設(shè)置導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120，因此并不影響發(fā)光二極管單元130的出光面積。
[0061]此些發(fā)光二極管單元130形成于基板110上且彼此電性隔離。各發(fā)光二極管單元130包括n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層130n、p側(cè)氮化物半導(dǎo)體層130p及主動(dòng)層130a，其中主動(dòng)層130a位于n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層130n與p側(cè)氮化物半導(dǎo)體層130p之間。p側(cè)氮化物半導(dǎo)體層130p例如是摻雜硼(B)、銦(In)、鎵(Ga)或鋁(Al)等三價(jià)元素的氮基半導(dǎo)體層，而n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層130n例如是摻雜磷(P)、銻(Ti)、神(As)等五價(jià)元素的氮基半導(dǎo)體層。
[0062]上述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120與發(fā)光二極管單元130的結(jié)構(gòu)相同，例如，導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120包括n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層130n、p側(cè)氮化物半導(dǎo)體層130p及主動(dòng)層130a。
[0063]導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120系于相鄰ニ發(fā)光二極管單元130之間的間隔150形成吋，同時(shí)形成于間隔150中。于部分實(shí)施例中，間隔150采用蝕刻制程形成，在蝕刻制程中，間隔150從P側(cè)氮化物半導(dǎo)體層130p垂直地貫穿至n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層130n。間隔150未經(jīng)過的部分保留下來而成為發(fā)光二極管單元130及導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120。上述蝕刻制程例如是干蝕刻或濕蝕刻。
[0064]于部分實(shí)施例中，發(fā)光二極管單元130更包括未摻雜氮化物半導(dǎo)體層130u (以下簡(jiǎn)稱未摻雜層130u),例如:未摻雜氮化鎵層(u-GaN),其位于n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層130n與基板110之間。于部分實(shí)施例中，間隔150并未經(jīng)過未摻雜層130u。于部分實(shí)施例中，間隔150經(jīng)過未慘雜層130u。
[0065]此外，發(fā)光二極管單元130更包括第一電極131及第ニ電極132，其中第一電極131與p側(cè)氮化物半導(dǎo)體層130p形成奧姆接觸，而第二電極132與n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層130n形成奧姆接觸。當(dāng)?shù)谝浑姌O131 (例如作為正電極)及第ニ電極132 (例如作為負(fù)電極)被施加ー電壓時(shí)，電子將由第二電極132發(fā)出，并往主動(dòng)層130a移動(dòng),而電洞將由第一電極131發(fā)出，并往主動(dòng)層130a移動(dòng)。當(dāng)電子及電洞在主動(dòng)層130a中結(jié)合時(shí)，主動(dòng)層130a的發(fā)光材料會(huì)受激而發(fā)光。
[0066]發(fā)光二極管單元130的第一電極131與第二電極132的一者通過互聯(lián)機(jī)140電性連接于相鄰的發(fā)光二極管單元130的第一電極131與第二電極132的另ー者。此外，互聯(lián)機(jī)140的至少一部分位于間隔150上，且互聯(lián)機(jī)140與導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120系錯(cuò)開設(shè)置。
[0067]請(qǐng)參照?qǐng)D2，其繪示依照本發(fā)明另ー實(shí)施例的發(fā)光二極管陣列的俯視圖。發(fā)光二極管陣列200包括基板110、至少ー導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120、數(shù)個(gè)發(fā)光二極管單元130及數(shù)條互聯(lián)機(jī)140。本實(shí)施例中，形成于各發(fā)光二極管單元130上的第一電極131及第ニ電極132系呈對(duì)角配置。
[0068]請(qǐng)參照?qǐng)D3，其繪示依照本發(fā)明另ー實(shí)施例的發(fā)光二極管陣列的剖視圖。發(fā)光二極管陣列300包括基板110、至少ー導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120、發(fā)光二極管單元130及數(shù)條互聯(lián)機(jī)140。本實(shí)施例中，相鄰ニ發(fā)光二極管單元130間的間隔150貫穿至整個(gè)未摻雜層130u，而露出基板110。于部分實(shí)施例中，間隔150亦可僅貫穿未摻雜層130u的一部分,其中未摻雜層130u的未被貫穿的部分仍覆蓋基板110。
[0069]由發(fā)光二極管單元130的垂直剖面觀察，導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120的頂端位置(如頂面)大致對(duì)齊P側(cè)氮化物半導(dǎo)體層130p頂端(如頂面)，導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120的底端(如底面)大致對(duì)齊未摻雜層130u的底端(如底面)。
[0070]請(qǐng)參照?qǐng)D4，其繪示依照本發(fā)明另ー實(shí)施例的發(fā)光二極管陣列的局部俯視圖。發(fā)光二極管陣列400包括基板110、至少ー導(dǎo)光結(jié)構(gòu)420、發(fā)光二極管單元130及數(shù)條互聯(lián)機(jī)140。
[0071]導(dǎo)光結(jié)構(gòu)420包括第一導(dǎo)光墻(wall) 421及第ニ導(dǎo)光墻422，其中第一導(dǎo)光墻鄰近發(fā)光二極管的第一邊長(zhǎng)，第二導(dǎo)光墻鄰近發(fā)光二極管的第二邊長(zhǎng)，且第一邊長(zhǎng)與第二邊長(zhǎng)系為發(fā)光二極管的相鄰兩邊，可以斜交或正交。上述第一導(dǎo)光墻與第二導(dǎo)光墻可以相互連接或不連接。另外，相鄰發(fā)光二極管的第一導(dǎo)光墻可以相互連接或不連接；相鄰發(fā)光二極管的第二導(dǎo)光墻可以相互連接或不連接。因此，第一導(dǎo)光墻與第二導(dǎo)光墻的交會(huì)形式具有多種實(shí)施態(tài)樣，例如，十字形或X字形、T字形、L字形或V字形。
[0072]此外，導(dǎo)光結(jié)構(gòu)420的垂直剖面形狀相似于導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120，容此不再贅述。
[0073]請(qǐng)參照?qǐng)D5A，其繪示依照本發(fā)明ー實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片的剖視圖。發(fā)光二極管芯片500包括基板110、至少ー個(gè)導(dǎo)光墻520及發(fā)光二極管單元130，其中發(fā)光二極管單元130形成于基板110上。
[0074]導(dǎo)光墻520與發(fā)光二極管單元130彼此電性隔離或電性連接。導(dǎo)光墻520鄰近發(fā)光二極管單元130的ー邊緣，此處的”鄰近”指的是靠近但不直接接觸。于部分實(shí)施例中，導(dǎo)光墻520靠近但不接觸發(fā)光二極管單元130的邊緣側(cè)面130s ;于部分實(shí)施例中，導(dǎo)光墻520可接觸發(fā)光二極管單元130的邊緣側(cè)面130s，例如，導(dǎo)光墻520的外側(cè)面520s與發(fā)光ニ極管單元130的邊緣側(cè)面130s對(duì)齊，如共面或共線。
[0075]請(qǐng)參照?qǐng)D5B，其繪示圖5A中沿方向5B-5B’的剖視圖。導(dǎo)光墻520與發(fā)光二極管単元130的結(jié)構(gòu)相同，容此不再贅述。
[0076]導(dǎo)光墻520與發(fā)光二極管單元130之間具有間隔150，其中間隔150、導(dǎo)光墻520與發(fā)光二極管單元130系同時(shí)形成，其形成方法相似上述間隔150、導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120與發(fā)光二極管單元130的形成方法，容此不再贅述。本實(shí)施例中，間隔150垂直地貫穿至發(fā)光層124，而未經(jīng)過n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層。于部分實(shí)施例中，間隔150貫穿至少部分的n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層。于部分實(shí)施例中，間隔150可貫穿至少部分的未摻雜層130u。于ー特定實(shí)施例中，間隔150貫穿整個(gè)未摻雜層130u，導(dǎo)光墻520的頂端位置(如頂面)大致對(duì)齊p側(cè)氮化物半導(dǎo)體層130p頂端(如頂面)，導(dǎo)光墻520的底端(如底面)大致對(duì)齊未摻雜層130u的底端(如底面)。
[0077]此外，導(dǎo)光墻520的垂直剖面系為上窄下寬的型態(tài)，其垂直剖面形狀相似于上述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)120，容此不再贅述。
[0078]請(qǐng)參照?qǐng)D6，其繪示依照本發(fā)明另ー實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片的俯視圖。發(fā)光二極管芯片600中，導(dǎo)光墻520系為封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)且環(huán)繞發(fā)光二極管單元130。于部分實(shí)施例中，導(dǎo)光墻520可呈開放環(huán)形，其同樣環(huán)繞發(fā)光二極管單元130。
[0079]請(qǐng)參照?qǐng)D7，其繪示依照本發(fā)明另ー實(shí)施例的發(fā)光二極管芯片的俯視圖。發(fā)光二極管芯片700中，導(dǎo)光墻包括數(shù)個(gè)導(dǎo)光墻520，系分離地配置，且鄰近發(fā)光二極管單元130的數(shù)個(gè)邊緣。于部分實(shí)施例中，多個(gè)導(dǎo)光墻520可環(huán)繞發(fā)光二極管單元130的所有邊緣。
[0080]當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.ー種發(fā)光二極管陣列，其特征在于，包括: 一基板； 多個(gè)發(fā)光二極管單元，位于該基板上且彼此電性隔離，每ー發(fā)光二極管單元包括: 一n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層； 一P側(cè)氮化物半導(dǎo)體層；與 一主動(dòng)層，位于該n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層與該p側(cè)氮化物半導(dǎo)體層之間； 至少ー導(dǎo)光結(jié)構(gòu)，位于相鄰二該發(fā)光二極管單元之間的ー間隔；及 多條互聯(lián)機(jī)，電性連接該些發(fā)光二極管單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，該導(dǎo)光結(jié)構(gòu)與該些發(fā)光二極管單元彼此電性隔離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，該導(dǎo)光結(jié)構(gòu)與該發(fā)光二極管單元的結(jié)構(gòu)相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，該導(dǎo)光結(jié)構(gòu)系于相鄰二該發(fā)光二極管單元之間的該間隔形成時(shí)，同時(shí)形成于該間隔中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，該發(fā)光二極管單元更包括: 一未摻雜層，該未摻雜層位于該n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層與該基板之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二`極管陣列，其特征在于，該導(dǎo)光結(jié)構(gòu)的垂直剖面系為上窄下寬的型態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，該導(dǎo)光結(jié)構(gòu)的形狀系選自于由柱狀、墻狀及其組合所構(gòu)成的群組。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在于，該導(dǎo)光結(jié)構(gòu)包括: 一第一導(dǎo)光墻，鄰近該發(fā)光二極管的一第一邊長(zhǎng)；以及 一第二導(dǎo)光墻，鄰近該發(fā)光二極管的一第二邊長(zhǎng)； 其中，該第一邊長(zhǎng)與該第二邊長(zhǎng)系為該發(fā)光二極管的相鄰兩邊，該第一導(dǎo)光墻與該第二導(dǎo)光墻相互連接或不連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管陣列，其特征在干，該互聯(lián)機(jī)的至少一部分位于該間隔上，且該互聯(lián)機(jī)與該導(dǎo)光結(jié)構(gòu)錯(cuò)開設(shè)置。
10.ー種發(fā)光二極管芯片,其特征在于,包括: 一基板； ー發(fā)光二極管單元，位于該基板上且包括: 一n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層； 一 P側(cè)氮化物半導(dǎo)體層； 一主動(dòng)層，位于該n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層與該p側(cè)氮化物半導(dǎo)體層之間 '及 至少ー導(dǎo)光墻，鄰近該發(fā)光二極管單元的一邊緣。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該導(dǎo)光墻與該發(fā)光二極管単元彼此電性隔離或電性連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該導(dǎo)光墻與該發(fā)光二極管單元的結(jié)構(gòu)相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該導(dǎo)光墻與該發(fā)光二極管単元之間具有一間隔。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該間隔、該導(dǎo)光墻與該發(fā)光二極管單元同時(shí)形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該發(fā)光二極管單元更包括: 一未摻雜層，該未摻雜層位于該n側(cè)氮化物半導(dǎo)體層與該基板之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該導(dǎo)光墻的垂直剖面為上窄下寬的型態(tài)。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該導(dǎo)光墻為封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)或非封閉環(huán)形結(jié)構(gòu)，且環(huán)繞該發(fā)光二極管單元。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該至少ー個(gè)導(dǎo)光墻包括多個(gè)導(dǎo)光墻，該些導(dǎo)光墻分離地`配置。
【文檔編號(hào)】H01L27/15GK103515407SQ201210202715
【公開日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2012年6月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月15日
【發(fā)明者】楊適存, 陳嘉南, 劉恒 申請(qǐng)人:華夏光股份有限公司