專利名稱：一種共模濾波器的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及共模濾波器，特別是涉及ー種包括多層結(jié)構(gòu)的疊層式的共模濾波器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的疊層式共模濾波器的分解結(jié)構(gòu)示意圖如圖I所示，包括上基板7、下基板6以及在中間設置的多層線圈引導層，通常，第一線圈沿第一線圈引導層I上絲印圖形的端子U —端子a —第二線圈引導層2上絲印圖形的端子b — r—第三線圈引導層3上絲印圖形的端子P — d—第四線圈引導層4上絲印圖形的端子f — η—第五線圈引導層5上絲印圖形的端子k — h。第二線圈沿第一線圈引導層I上絲印圖形的端子t — s —第二線圈引 導層2上絲印圖形的端子q — c—第三線圈引導層3上絲印圖形的端子e — ο—第四線圈引導層4上絲印圖形的端子m — g —第五線圈引導層5上絲印圖形的端子i — j。上述結(jié)構(gòu)的疊層式共模濾波器，各層本體的材料選用介電陶瓷材料時，即為疊層式介電陶瓷共模濾波器；各層本體的材料選用鐵氧體材料吋，即為疊層式鐵氧體共模濾波器。對于第一種共模濾波器，疊層式介電陶瓷共模濾波器，由于其采用的是介電陶瓷材料，介電陶瓷材料相對磁導率低(約等于1)，其要得到較大的共模阻抗，就需要繞制較多線圈圈數(shù)，即較多的線圈引導層，這樣導致エ藝復雜，銀漿耗用較大。對于第二種共模濾波器，疊層式鐵氧體共模濾波器，由于其采用的是高磁導率的鐵氧體材料，所以其相對于第一種共模濾波器，不需繞制較多線圈圈數(shù)就能達到相對較大的共模阻抗，但第二種共模濾波器的不足就是漏磁嚴重，共模濾波器在差模狀態(tài)下插損較大，而鐵氧體材料相對介電常數(shù)較大會造成線圈間雜散電容較大，從而導致產(chǎn)品差模狀態(tài)下自諧頻率較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是彌補上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出ー種共模濾波器，既能不需繞制較多線圈圈數(shù)就能得到較大的共模阻抗，差模阻抗可盡可能的低，同時又能使漏磁減少。本發(fā)明的技術(shù)問題通過以下的技術(shù)方案予以解決
ー種共模濾波器，包括從上至下疊層設置的上基板(17)、上線圈引導層(16)、磁芯基板層(14)、下線圈引導層(12)、下基板(11)、第一線圈(21)和第二線圈(22);所述上線圈引導層(16)、磁芯基板層(14)、下線圈引導層(12)的多個相同位置上分別設置有通孔；所述上線圈引導層(16)、磁芯基板層(14)、下線圈引導層(12)上所述相同位置上的通孔分別組成對應于所述第一線圈(21)的第al通孔組、第a2通孔組、……、第an通孔組以及對應于所述第二線圈(22)的第bl通孔組、第b2通孔組、……、第bn通孔組；所述第一線圈(21)依次從上往下穿過所述第al通孔組、從下往上穿過所述第a2通孔組、從上往下穿過所述第a3通孔組、……、沿P方向穿過所述第an通孔組，當η為奇數(shù)吋，ρ方向為從上往下；當η為偶數(shù)吋，ρ方向為從下往上；各個所述通孔組設置的相對位置使得所述第一線圈(21)在所述共模濾波器從上至下的透視圖中為螺旋線形狀；所述第二線圈(22)依次從上往下穿過所述第bl通孔組、從下往上穿過所述第b2通孔組、從上往下穿過所述第b3通孔組、……、沿P方向穿過所述第bn通孔組，當η為奇數(shù)吋，ρ方向為從上往下；當η為偶數(shù)吋，P方向為從下往上；各個所述通孔組的設置相對位置使得所述第二線圈(22)在所述共模濾波器從上至下的透視圖中為螺旋線形狀，且使得所述第二線圈(22)的螺旋線與所述第ー線圈(21)的螺旋線寬度相等、螺旋方向相對；所述磁芯基板層(14)包括至少ー層基板，各層所述基板上均設置磁芯，所述磁芯沿閉合圖形設置，在所述共模濾波器從上至下的透視圖中，所述閉合圖形穿過所述第一線圈(21)的螺旋線和所述第二線圈(22)的螺旋線。本發(fā)明的技術(shù)問題通過以下進ー步的技術(shù)方案予以解決
ー種共模濾波器，包括從上至下疊層設置的上基板(17)、上線圈引導層(16)、磁芯基板層(14)、下線圈引導層(12)、下基板(11)、第一線圈(21)和第二線圈(22);所述上線圈引導層(16)、磁芯基板層(14)、下線圈引導層(12)的多個相同位置上分別設置有通孔；所述上線圈引導層(16)、磁芯基板層(14)、下線圈引導層(12)上所述相同位置上的通孔分別組成對應于所述第一線圈(21)的第al通孔組、第a2通孔組、……、第an通孔組以及對應于所述第二線圈(22)的第bl通孔組、第b2通孔組、……、第bn通孔組；所述第一線圈
(21)依次從下往上穿過所述第al通孔組、從上往下穿過所述第a2通孔組、從下往上穿過所述第a3通孔組、……、沿pi方向穿過所述第an通孔組，當η為奇數(shù)吋，pi方向為從下往上；當11為偶數(shù)吋，pi方向為從上往下；各個所述通孔組設置的相對位置使得所述第一線圈(21)在所述共模濾波器從上至下的透視圖中為螺旋線形狀；所述第二線圈(22)依次從下往上穿過所述第bl通孔組、從上往下穿過所述第b2通孔組、從下往上穿過所述第b3通
孔組、......、沿pl方向穿過所述第bn通孔組,當η為奇數(shù)時，pi方向為從下往上；當η為
偶數(shù)吋，Pl方向為從上往下；各個所述通孔組的設置相對位置使得所述第二線圈(22)在所述共模濾波器從上至下的透視圖中為螺旋線形狀，且使得所述第二線圈(22)的螺旋線與所述第一線圈(21)的螺旋線寬度相等、螺旋方向相対；所述磁芯基板層(14)包括至少ー層基板，各層所述基板上均設置磁芯，所述磁芯沿閉合圖形設置，在所述共模濾波器從上至下的透視圖中，所述閉合圖形穿過所述第一線圈(21)的螺旋線和所述第二線圈(22)的螺旋線。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)對比的有益效果是
本發(fā)明的共模濾波器，通過通孔的設置配合兩個線圈的繞制，使兩個線圈繞制的各圈在空間上呈螺旋形式，可最大程度地降低差模電感。同時磁芯基板層上設置磁芯，磁芯所在閉合圖形穿過所述第一線圈的螺旋線和第二線圈的螺旋線，磁芯即穿過兩個線圈圍繞圈住的內(nèi)部空間，這樣兩個線圈各自通電后產(chǎn)生的磁力線將集中于共模濾波器內(nèi)部的閉合磁路磁芯內(nèi)，即可減少漏磁；同時在兩個線圈各自圍繞圈住的內(nèi)部空間中因為有磁芯的存在，所以內(nèi)部空間相對磁導率高，從而可使共模濾波器不需要要繞制較多線圈圈數(shù)，即可達到較大的共模阻抗值。進一歩地，共模濾波器各基板的本體材料選用低介電常數(shù)的陶瓷材料，可以提高差模信號的3dB截至頻率，同時提高了線圈匝間的絕緣電阻。


圖I是現(xiàn)有技術(shù)中的疊層式共模濾波器的分解結(jié)構(gòu)示意 圖2是本發(fā)明具體實施方式
一的共模濾波器的分解結(jié)構(gòu)示意 圖3是本發(fā)明具體實施方式
一的共模濾波器中五層基板的放大示意圖；圖4是本發(fā)明具體實施方式
一的共模濾波器從上往下的透視 圖5是本發(fā)明具體實施方式
一的共模濾波器中磁芯按曲線的閉合圖形繞制的示意圖；圖6是本發(fā)明具體實施方式
一的共模濾波器中磁芯按不規(guī)則多邊形的閉合圖形繞制的不意 圖7是本發(fā)明具體實施方式
一的共模濾波器中通過共模信號時的電流流向示意 圖8為圖7沿AA方向的剖面 圖9是本發(fā)明具體實施方式
一的共模濾波器中通過差模信號時的電流流向示意 圖10為圖9沿AA方向的剖面 圖11是本發(fā)明具體實施方式
ニ的共模濾波器中五層基板的放大示意 圖12是本發(fā)明具體實施方式
ニ的共模濾波器從上往下的透視圖?！?br> 具體實施例方式下面結(jié)合具體實施方式
并對照附圖對本發(fā)明做進ー步詳細說明。如圖2所示，為本具體實施方式
中的疊層式共模濾波器的分解結(jié)構(gòu)示意圖。共模濾波器包括從上至下疊層設置的上基板17、上線圈引導層16、上通孔連通層15、磁芯基板層14、下通孔連通層13、下線圈引導層12、下基板11、第一線圈(圖中未示出)和第二線圈(圖中未示出)。其中，磁芯基板層14由第一基板141和第二基板142組成。在其余實施方式中，磁芯基板層也可由ー個基板或者更多個基板組成。其中，上線圈引導層16、上通孔連通層15、磁芯基板層14、下通孔連通層13和下線圈引導層12的多個相同位置上分別設置有通孔。上線圈引導層16、磁芯基板層14、下線圈引導層12上相同位置上的通孔分別組成對應于第一線圈21的第一一通孔組、第一二通孔組、……、第一 η通孔組以及對應于第二線圈22的第二一通孔組、第二二通孔組、……、第二 η通孔組。具體來說，如圖3所示，從上述各層結(jié)構(gòu)的放大示意圖中可知，對應于同一位置，各層基板上均設置ー個通孔，該多個通孔組成通孔組。如對應于第一線圈繞制路徑，針對各層基板的X位置，上述各層分別設置通孔16al、15al、141al、142al、13al和12al，該多個通孔組成第一通孔組；針對各層基板的Y位置，上述各層分別設置通孔16a2、15a2、141a2、142a2、13a2和12a2，該多個通孔組成第二通孔組。對應于第二線圈繞制路徑，針對各層基板的W位置，上述各層分別設置通孔16bl、15bl、141bl、142bl、13bl和12bl，該多個通孔組成第一通孔組；針對各層基板的Z位置，上述各層分別設置通孔16b2、15b2、141b2、142b2、13b2和12b2，該多個通孔組成第二通孔組。為區(qū)分第一線圈通過的第一通孔組和第ニ線圈通過的第一通孔組，因此將第一線圈通過的第一通孔組在定義為第al通孔組，將第ニ線圈通過的第一通孔組在定義為第bl通孔組，對于第二通孔組、第三通孔組、……、第η通孔組的定義依次類推，即后續(xù)要通過第一線圈的通孔組為al、a2、a3、……、an通孔組；后續(xù)要通過第二線圈的通孔組為bl、b2、b3、……、bn通孔組。各層基板上設置上述通孔組后，各線圈按如下所述方式進行繞制
如圖3所示，第一線圈沿箭頭所示從上上線圈引導層開始依次從上往下穿過第al通孔組(即依次穿過通孔16al、15al、141al、142al、13al和12al)，到達通孔12al后，從通孔12al穿過沿下線圈引導層12的底部到達通孔12a2，然后沿箭頭所示從下往上穿過第a2通孔組(即依次穿過通孔12a2、13a2、142a2、141a2、15a2和16a2)、到達通孔16a2后，沿箭頭所示從上往下穿過第a3通孔組，依次類推……，到達第an通孔組吋，沿從上往下或從下往上的方向穿過第an通孔組。穿過第an通孔組的具體方向由設置的通孔個數(shù)決定，即由η決定，當η為奇數(shù)吋，第一線圈最終從下線圈引導層12穿出，因此穿過第an通孔組的方向為從上往下；當η為偶數(shù)吋，第一線圈將回到上線圈引導層16穿出，因此穿過第an通孔組的方向為從下往上。第一線圈按照上述方式穿過通孔，其最終的卷繞形式即由各個通孔組的相對位置決定，各個通孔組的設置相對位置使得第一線圈在共模濾波器從上至下的透視圖中為螺旋線形狀。如圖4所示，為本具體實施方式
中，共模濾波器從上往下的透視圖。結(jié)合圖3和圖4可知，圖3中各通孔組的相對位置通過折線連通，因此圖4中透視圖時，第一線圈21即為螺旋線形式，實線段211、212和213即對應第一線圈從上線圈引導層16上通過的部分，虛線段214、215和216即對應第一線圈從下線圈引導層12上通過的部分。第二線圈的繞制方式同第一線圈的類似，即第二線圈依次從上往下穿過所述第bl 通孔組(即依次穿過通孔16bl、15bl、141bl、142bl、13bl和12bl)、從下往上穿過所述第b2通孔組(即依次穿過通孔12b2、13b2、142b2、141b2、15b2和16b2)、從上往下穿過所述第b3通孔組、……、沿P方向穿過所述第bn通孔組，當η為奇數(shù)吋，ρ方向為從上往下；當η為偶數(shù)吋，P方向為從下往上。本具體實施方式
中，第bl、b2、……、bn通孔組中，各個通孔組的設置相對位置使得所述第二線圈在共模濾波器從上至下的透視圖中為螺旋線形狀，且使得所述第二線圈22的螺旋線與所述第一線圈21的螺旋線寬度相等、螺旋方向相対。仍然
結(jié)合圖3和圖4所示，圖3中第bl、b2、......、bn通孔組中各通孔組的相對位置也是通過
折線連通，因此圖4中透視圖時，第二線圈22即為螺旋線形式。同時通過通孔組位置的設置，使得圖4中第二線圈22的螺旋線寬度d2等于第一線圈21的螺旋線寬度dl，且第二線圈22的螺旋線的螺旋方向(如圖中箭頭s2所示為從圖中的右至左)是與第一線圈21的螺旋線的螺旋方向(如圖中箭頭Si所示為從圖中的左至右)相対的。本具體實施方式
中組成磁芯基板層14的第一基板141和第二基板142上分別設置磁芯1410和1420，磁芯1410和1420沿閉合圖形設置，在共模濾波器從上至下的透視圖中，閉合圖形穿過第一線圈的螺旋線和第二線圈的螺旋線。從圖4透視圖中可知，本具體實施方式
中磁芯的閉合圖形為矩形，矩形的ー個長邊穿過第一線圈21的螺旋線，另ー個長邊穿過第二線圈22的螺旋線。當然，磁芯設置的閉合圖形，還可以為如圖5所示的曲線或者如圖6所示的不規(guī)則的多邊形，只要閉合圖形穿過第一線圈21的螺旋線和第二線圈22的螺旋線即可。本具體實施方式
的共模濾波器的工作過程如下
如圖7所示，為共模濾波器中通過共模信號時的電流流向示意圖。圖8為圖7沿AA方向的剖面圖(兩圖僅作示意，比例尺度并不完全一致)。當共模信號通過時，第一線圈21中電流方向與第二線圈22中電流方向一致，根據(jù)安培右手定則，各線圈通電后產(chǎn)生的磁力線在閉合磁芯1410或者1420中的方向一致，磁芯中通過的磁通量相互疊加。而根據(jù)電感量L=NClVI (N為線圈匝數(shù)，Φ通過磁芯的磁通量，I為電流)，因此電感量變大，從而使得共模信號不容易通過，起到抑制共模噪聲的作用。本具體實施方式
中，共模濾波器中還設置磁芯基板層，磁芯的閉合圖形穿過第一線圈21的螺旋線和第二線圈22的螺旋線，因此兩個線圈各自圈住圍繞的部分中有磁芯通過，而磁芯相對磁導率較高，這樣線圈圈住的內(nèi)部空間相對磁導率就高，共模濾波器不需要要繞制較多線圈圈數(shù)，即可達到較大的共模阻抗值。
如圖9所示，為共模濾波器中通過差模信號時的電流流向示意圖。圖10為圖9沿AA方向的剖面圖(兩圖僅作示意，比例尺度并不完全一致)。當差模信號通過時，第一線圈21中電流方向與第二線圈22中電流方向相反，根據(jù)安培右手定則，各線圈通電后產(chǎn)生的磁力線在閉合磁芯1410或者1420中的方向也相反，磁芯中通過的磁通量互相抵消，因此電感量減小。而共模濾波器上兩個線圈對應的通孔組數(shù)設置相同，因此兩個線圈繞制的圈數(shù)相等，兩個線圈剖面圖上圍繞空間部分寬度dl、d2相同，厚度h均為上線圈引導層16至下線圈引導層12的距離，也即兩個線圈圍繞部分的面積也相同，因此磁芯中通過的磁通量可在最大程度上抵消。相對于現(xiàn)有技術(shù)中繞制線圈的方式，由于引出端位置固有的原因，導致兩線圈的圈數(shù)總是相差1/2圈，而本具體實施方式
線圈的繞制方式即可使兩線圈圈數(shù)相等，使得磁芯中通過的磁通量可最大程度上的抵消，從而最大程度地降低差模電感，差模信號以盡可能低的損耗通過。
本具體實施方式
中的共模濾波器，通過特殊方式設置通孔，配合線圈的特殊繞制，使線圈以螺旋方式繞制，使得有效抑制共模信號，而差模信號最大限度地以較低的損耗通過。共模濾波器中還設置磁芯基板層，磁芯的閉合圖形穿過第一線圈21的螺旋線和第二線圈22的螺旋線，這樣即使得線圈產(chǎn)生的磁力線可集中于共模濾波器內(nèi)部埋置的閉合磁路磁芯內(nèi)，相對于現(xiàn)有技術(shù)中的疊層式鐵氧體共模濾波器，即可減少漏磁。同時相對于現(xiàn)有技術(shù)中的疊層式介電陶瓷共模濾波器，共模濾波器不需要要繞制較多線圈圈數(shù)，即可達到較大的共模阻抗值。當為相同共模阻抗值時，本具體實施方式
中的共模濾波器，內(nèi)電極線圈的圈數(shù)較少，所需耗用的貴金屬漿料也較少，元件成本較低。根據(jù)上述分析，本具體實施方式
中共模濾波器中包括上通孔連通層15和下通孔連通層13，這兩層的設置可以增加上線圈引導層16至下線圈引導層12的距離，即增加線圈圍繞空間部分的高度。當磁芯基板層14中選用較多層時，也可省去上通孔連通層15和下通孔連通層13，僅由上基板17、上線圈引導層16、磁芯基板層14、下線圈引導層12、下基板11組成共模濾波器。組成的共模濾波器同樣能達到減少漏磁，且不需繞制較多線圈圈數(shù)就能得到較大的共模阻抗的效果。進ー步地，共模濾波器中上基板17、上線圈引導層16、磁芯基板層14、下線圈引導層12、下基板11的本體材料選用低介電常數(shù)的陶瓷材料，介電常數(shù)在4-30之間，低介電常數(shù)材料可以提高差模信號的3dB截止頻率，同時提高線圈匝間的絕緣電阻。而磁芯可選用相對磁導率μ盡可能大的磁芯材料,如2 < μ < 200的磁芯材料，鐵氧體材料等，磁芯相對磁導率越大，則線圈圈住圍繞部分相對磁導率就高，卷繞相同圈數(shù)的線圈即可得到較大共模阻抗值。
具體實施方式
ニ
本具體實施方式
與實施方式一的不同之處在于本具體實施方式
中，各線圈繞制時從下往上開始繞制。
具體實施方式
一中，為從上往下的繞制方式。本具體實施方式
中的共模濾波器同具體實施方式
一的組成相同，包括從上至下疊層設置的上基板、上線圈引導層、上通孔連通層、磁芯基板層、下通孔連通層、下線圈引導層、下基板、第一線圈和第二線圈。其中，磁芯基板層也由第一基板和第二基板組成。其中，上線圈引導層、上通孔連通層、磁芯基板層、下通孔連通層和下線圈引導層的多個相同位置上分別設置有通孔。本具體實施方式
中設置的通孔位置和個數(shù)均同具體實施方式
一一樣，在此不重復說明。同樣地，將第一線圈通過的第一通孔組在定義為第al通孔組，將第二線圈通過的第一通孔組在定義為第bl通孔組，對于第二通孔組、第三通孔組、……、第η通孔組的定義依次類推，即后續(xù)要通過第一線圈的通孔組為al、a2、a3、……、an通孔組；后續(xù)要通過第二線圈的通孔組為bl、b2、b3、......、bn通孔組。各層基板上設置上述通孔組后，各線圈按如下所述方式進行繞制
如圖11所示，第一線圈沿箭頭所示從下線圈引導層12開始依次從下往上穿過第al通孔組(即依次穿過通孔12al、13al、142al、141al、15al和16al)，到達通孔16al后，從通孔16al穿過后沿上線圈引導層16的頂部到達通孔16a2，然后沿箭頭所示從上往下穿過第a2通孔組(即依次穿過通孔16a2、15a2、141a2、142a2、13a2和12a2)、到達通孔12a2后，從通孔12a2穿過沿下線圈引導層12的底部到達通孔12a3，然后從下往上穿過第a3通孔組，依次類推……，到達第an通孔組吋，沿從下往上或從上往下的方向穿過第an通孔組。穿過第an 通孔組的具體方向由設置的通孔個數(shù)決定，即由η決定，當η為奇數(shù)吋，第一線圈最終從上線圈引導層16穿出，因此穿過第an通孔組的方向為從下往上；當η為偶數(shù)吋，第一線圈將回到下線圈引導層12穿出，因此穿過第an通孔組的方向為從上往下。第一線圈按照上述方式穿過通孔，其最終的卷繞形式即由各個通孔組的相對位置決定，各個通孔組的設置相對位置使得第一線圈在共模濾波器從上至下的透視圖中為螺旋線形狀。如圖12所示，為本具體實施方式
中，共模濾波器從上往下的透視圖。結(jié)合圖11和圖12可知，圖11中各通孔組的相對位置通過折線連通，因此圖12中透視圖時，第一線圈21即為螺旋線形式，實線段214,215和216即對應第一線圈從上線圈引導層16上通過的部分，虛線段211、212和213即對應第一線圈從下線圈引導層12上通過的部分。第二線圈的繞制方式同第一線圈的類似，即第二線圈依次從下往上穿過所述第bl通孔組(即依次穿過通孔12bl、13bl、142bl、141bl、15bl和16bl)、從上往下穿過所述第b2通孔組(即依次穿過通孔16b2、15b2、141b2、142b2、13b2和12b2)、從下往上穿過所述第b3
通孔組、......、沿pl方向穿過所述第bn通孔組，當η為奇數(shù)時，pl方向為從下往上；當η
為偶數(shù)吋，P方向為從上往下。本具體實施方式
中，第bl、b2、……、bn通孔組中，各個通孔組的設置相對位置使得所述第二線圈在共模濾波器從上至下的透視圖中為螺旋線形狀，且使得所述第二線圈22的螺旋線與所述第一線圈21的螺旋線寬度相等、螺旋方向相対。仍
然結(jié)合圖11和圖12所示，圖11中第bl、b2、......、bn通孔組中各通孔組的相對位置也是
通過折線連通，因此圖12中透視圖時，第二線圈22即為螺旋線形式。同時通過通孔組位置的設置，使得圖12中第二線圈22的螺旋線寬度d2等于第一線圈21的螺旋線寬度dl，且第ニ線圈22的螺旋線的螺旋方向(如圖中箭頭s2所示為從圖中的右至左)是與第一線圈21的螺旋線的螺旋方向(如圖中箭頭Si所示為從圖中的左至右)相対的。本具體實施方式
中組成磁芯基板層的第一基板和第二基板上分別設置磁芯，磁芯沿閉合圖形設置，在共模濾波器從上至下的透視圖中，閉合圖形穿過第一線圈的螺旋線和第二線圈的螺旋線。從圖12透視圖中可知，本具體實施方式
中磁芯(1410和1420)的閉合圖形為矩形，矩形的ー個長邊穿過第一線圈21的螺旋線，另ー個長邊穿過第二線圈22的螺旋線。同樣地，，磁芯設置的閉合圖形，還可以為曲線或者不規(guī)則的多邊形，只要閉合圖形穿過第一線圈21的螺旋線和第二線圈22的螺旋線即可。
本具體實施方式
中的共模濾波器，僅線圈在各層的繞制方式上是從下往上，與具體實施方式
一從上往下有所不同，但其組成、各組成的位置設置關系以及共模濾波器的エ作過程均同具體實施方式
一相同，因此本具體實施方式
中的共模濾波器同樣能達到具體實施方式
一中共模濾波器的效果，即有效抑制共模信號，而差模信號最大限度地以較低的損耗通過；線圈產(chǎn)生的磁力線集中于共模濾波器內(nèi)部埋置的閉合磁路磁芯內(nèi)，相對于現(xiàn)有技術(shù)中的疊層式鐵氧體共模濾波器，即可減少漏磁；同時相對于現(xiàn)有技術(shù)中的疊層式介電陶瓷共模濾波器，共模濾波器不需要要繞制較多線圈圈數(shù)，即可達到較大的共模阻抗值，當為相同共模阻抗值時，內(nèi)電極線圈的圈數(shù)較少，所需耗用的貴金屬漿料也較少，元件成本較低。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進ー步詳細說明，不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下做出若干替代或明顯變型，而且性能或用途相同，都應當視為 屬于本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.ー種共模濾波器，其特征在于包括從上至下疊層設置的上基板(17)、上線圈引導層(16)、磁芯基板層(14)、下線圈引導層(12)、下基板(11)、第一線圈(21)和第二線圈(22)； 所述上線圈引導層(16)、磁芯基板層(14)、下線圈引導層(12)的多個相同位置上分別設置有通孔；所述上線圈引導層(16)、磁芯基板層(14)、下線圈引導層(12)上所述相同位置上的通孔分別組成對應于所述第一線圈(21)的第al通孔組、第a2通孔組、……、第an通孔組以及對應于所述第二線圈(22)的第bl通孔組、第b2通孔組、……、第bn通孔組； 所述第一線圈(21)依次從上往下穿過所述第al通孔組、從下往上穿過所述第a2通孔組、從上往下穿過所述第a3通孔組、……、沿P方向穿過所述第an通孔組，當η為奇數(shù)吋，P方向為從上往下；當η為偶數(shù)吋，P方向為從下往上；各個所述通孔組設置的相對位置使得所述第一線圈(21)在所述共模濾波器從上至下的透視圖中為螺旋線形狀； 所述第二線圈(22)依次從上往下穿過所述第bl通孔組、從下往上穿過所述第b2通孔 組、從上往下穿過所述第b3通孔組、……、沿P方向穿過所述第bn通孔組，當η為奇數(shù)吋，P方向為從上往下；當η為偶數(shù)吋，P方向為從下往上；各個所述通孔組的設置相對位置使得所述第二線圈(22)在所述共模濾波器從上至下的透視圖中為螺旋線形狀，且使得所述第ニ線圈(22)的螺旋線與所述第一線圈(21)的螺旋線寬度相等、螺旋方向相對； 所述磁芯基板層(14)包括至少ー層基板，各層所述基板上均設置磁芯，所述磁芯沿閉合圖形設置，在所述共模濾波器從上至下的透視圖中，所述閉合圖形穿過所述第一線圈(21)的螺旋線和所述第二線圈(22)的螺旋線。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的共模濾波器，其特征在于所述磁芯的閉合圖形為矩形，所述矩形的一個長邊穿過所述第一線圈(21)的螺旋線，另ー個長邊穿過第二線圈(22)的螺旋線。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的共模濾波器，其特征在于所述磁芯的閉合圖形為曲線或者不規(guī)則的多邊形。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的共模濾波器，其特征在于所述共模濾波器還包括上通孔連通層(15 )和下通孔連通層(13 )，所述上通孔連通層(15 )設置于所述上線圈引導層(16 )和磁芯基板層(14)之間，所述下通孔連通層(13)設置于所述磁芯基板層(14)和下線圈引導層(12)之間；所述上通孔連通層(15)和下通孔連通層(13)上開設有通孔，開設通孔的位置對應于所述線圈引導層(16)、磁芯基板層(14)、下線圈引導層(12)上開設通孔的位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的共模濾波器，其特征在干所述上基板(17)、上線圈引導層(16)、磁芯基板層(14)、下線圈引導層(12)、下基板(11)的本體材料為介電常數(shù)為ε的陶瓷材料，4 < ε <30。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的共模濾波器，其特征在干所述磁芯為相對磁導率為μ的磁芯材料，2 < μ < 200。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的的共模濾波器，其特征在于所述磁芯為鐵氧體材料。
8.ー種共模濾波器，其特征在于包括從上至下疊層設置的上基板(17)、上線圈引導層(16)、磁芯基板層(14)、下線圈引導層(12)、下基板(11)、第一線圈(21)和第二線圈(22)； 所述上線圈引導層(16)、磁芯基板層(14)、下線圈引導層(12)的多個相同位置上分別設置有通孔；所述上線圈引導層(16)、磁芯基板層(14)、下線圈引導層(12)上所述相同位置上的通孔分別組成對應于所述第一線圈(21)的第al通孔組、第a2通孔組、……、第an通孔組以及對應于所述第二線圈(22)的第bl通孔組、第b2通孔組、……、第bn通孔組；所述第一線圈(21)依次從下往上穿過所述第al通孔組、從上往下穿過所述第a2通孔組、從下往上穿過所述第a3通孔組、……、沿pi方向穿過所述第an通孔組，當η為奇數(shù)吋，Pl方向為從下往上；當η為偶數(shù)吋，pi方向為從上往下；各個所述通孔組設置的相對位置使得所述第一線圈(21)在所述共模濾波器從上至下的透視圖中為螺旋線形狀； 所述第二線圈(22)依次從下往上穿過所述第bl通孔組、從上往下穿過所述第b2通孔組、從下往上穿過所述第b3通孔組、……、沿pi方向穿過所述第bn通孔組，當η為奇數(shù)吋，Pl方向為從下往上；當η為偶數(shù)吋，pi方向為從上往下；各個所述通孔組的設置相對位置使得所述第二線圈(22)在所述共模濾波器從上至下的透視圖中為螺旋線形狀，且使得所述第二線圈(22)的螺旋線與所述第一線圈(21)的螺旋線寬度相等、螺旋方向相對； 所述磁芯基板層(14)包括至少ー層基板，各層所述基板上均設置磁芯，所述磁芯沿閉合圖形設置，在所述共模濾波器從上至下的透視圖中，所述閉合圖形穿過所述第一線圈(21)的螺旋線和所述第二線圈(22)的螺旋線。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種共模濾波器，包括從上至下疊層設置的上基板、上線圈引導層、磁芯基板層、下線圈引導層、下基板、第一線圈和第二線圈，通過各層基板上通孔的設置配合兩個線圈的繞制，使兩個線圈繞制的各圈在空間上呈螺旋形式。同時磁芯基板層上設置磁芯，磁芯沿閉合圖形設置，在所述共模濾波器從上至下的透視圖中，所述閉合圖形穿過所述第一線圈的螺旋線和所述第二線圈的螺旋線。本發(fā)明的共模濾波器，通過線圈的特殊繞制配合磁芯的閉合圖形設置，可最大程度地降低差模電感，且兩個線圈各自通電后產(chǎn)生的磁力線將集中于共模濾波器內(nèi)部的閉合磁路磁芯內(nèi)，即可減少漏磁，同時共模濾波器不需要要繞制較多線圈圈數(shù)，即可達到較大的共模阻抗值。
文檔編號H01F27/28GK102682953SQ20121016858
公開日2012年9月19日 申請日期2012年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月28日
發(fā)明者伍雋, 包承育, 龐新鋒, 漆珂, 石棟, 郭海 申請人:深圳順絡電子股份有限公司