專利名稱：檢測(cè)器件制造方法、檢測(cè)器件和檢測(cè)系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施例的一個(gè)公開方面涉及一種制造應(yīng)用于比如醫(yī)用成像診斷裝置、非破壞性檢查裝置和使用放射線的分析裝置的檢測(cè)器件的技術(shù)。實(shí)施例的一個(gè)公開方面還涉及檢測(cè)器件和檢測(cè)系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
近來，薄膜半導(dǎo)體制造技術(shù)已用于包括下述像素陣列的類型的檢測(cè)器件的領(lǐng)域中，在所述像素陣列中，開關(guān)元件(比如，TFT (薄膜晶體管))和用于將放射線或光轉(zhuǎn)換為電荷的轉(zhuǎn)換元件(比如，光電二極管)彼此組合。國(guó)際公開W02007/01357中所公開的相關(guān)技術(shù)的檢測(cè)器件包括設(shè)置在電極上的轉(zhuǎn)換元件，這些電極排列在基板上，針對(duì)每個(gè)像素被隔離，并且由透明導(dǎo)電氧化物制成。相關(guān)技術(shù)的檢測(cè)器件還包括通過形成在層間絕緣層中的接觸孔與電極連接的開關(guān)元件，所述層 間絕緣層設(shè)置在基板與電極之間，并且由有機(jī)材料制成。轉(zhuǎn)換元件的雜質(zhì)半導(dǎo)體層和半導(dǎo)體層在層間絕緣層上被部分移除，以使得轉(zhuǎn)換元件針對(duì)每個(gè)像素被隔離。然而，在試圖制造國(guó)際公開W02007/01357中所公開的檢測(cè)器件時(shí)，一種制造方法包括這樣的操作，在所述操作中，當(dāng)形成后來變?yōu)檗D(zhuǎn)換元件的雜質(zhì)半導(dǎo)體層的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜時(shí)，層間絕緣層進(jìn)入曝露狀態(tài)。因此，在一些情況下，當(dāng)形成雜質(zhì)半導(dǎo)體膜時(shí)，層間絕緣層的表面是曝露的。因此，根據(jù)膜形成工藝的類型，層間絕緣層的有機(jī)材料可部分分散并混合到雜質(zhì)半導(dǎo)體層中。這引起了下述問題，即，轉(zhuǎn)換元件的雜質(zhì)半導(dǎo)體層被有機(jī)污染，并且雜質(zhì)半導(dǎo)體層中的缺陷和雜質(zhì)半導(dǎo)體層與半導(dǎo)體層之間的界面處的缺陷增多，由此轉(zhuǎn)換元件中的暗電流增大。為了防止層間絕緣層曝露，可將由無機(jī)材料制成的絕緣層設(shè)置在層間絕緣層上方。然而，在這樣的情況下，轉(zhuǎn)換元件的電極(該電極由透明導(dǎo)電氧化物制成)設(shè)置在該絕緣層上。透明導(dǎo)電氧化物在以非晶態(tài)形成它之后通過多結(jié)晶化形成。透明導(dǎo)電氧化物中的內(nèi)部應(yīng)力在多結(jié)晶化期間改變。因?yàn)橛蔁o機(jī)材料制成的絕緣層比由有機(jī)材料制成的層間絕緣層硬并且具有更高的結(jié)合能，所以下述問題可發(fā)生，即，絕緣層在透明導(dǎo)電氧化物的多結(jié)晶化期間不能跟隨內(nèi)部應(yīng)力的改變，并且轉(zhuǎn)換元件的電極從絕緣層剝落。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，實(shí)施例提供一種檢測(cè)器件，其可減少有機(jī)材料混合到轉(zhuǎn)換元件的雜質(zhì)半導(dǎo)體層中，并且可抑制轉(zhuǎn)換元件的電極的剝落。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，提供一種制造檢測(cè)器件的方法，所述檢測(cè)器件包括排列在基板上的多個(gè)像素，并且還包括層間絕緣層，所述像素各自包括開關(guān)元件和轉(zhuǎn)換元件，所述開關(guān)元件設(shè)置在所述基板上，所述轉(zhuǎn)換元件包括設(shè)置在電極上的雜質(zhì)半導(dǎo)體層，所述電極設(shè)置在所述開關(guān)元件之上，針對(duì)每個(gè)像素被隔離，并且由與所述開關(guān)元件接合的透明導(dǎo)電氧化物制成，所述層間絕緣層由有機(jī)材料制成，設(shè)置在多個(gè)開關(guān)元件與所述多個(gè)電極之間，并且覆蓋所述開關(guān)元件，所述方法包括以下操作形成所述電極和絕緣構(gòu)件的操作，所述電極與所述層間絕緣層接觸，所述絕緣構(gòu)件均由無機(jī)材料制成，并且被設(shè)置為覆蓋所述電極中的相鄰兩個(gè)之間的層間絕緣層；以及形成雜質(zhì)半導(dǎo)體膜的操作，所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜覆蓋所述絕緣構(gòu)件和所述電極，并且變?yōu)樗鲭s質(zhì)半導(dǎo)體層。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，提供一種檢測(cè)器件，其包括排列在基板上的多個(gè)像素，所述像素各自包括開關(guān)元件和轉(zhuǎn)換元件，所述開關(guān)元件設(shè)置在所述基板上，所述轉(zhuǎn)換元件包括設(shè)置在電極上的雜質(zhì)半導(dǎo)體層，所述電極設(shè)置在所述開關(guān)元件之上方，針對(duì)每個(gè)像素被隔離，并且由與所述開關(guān)元件接合的透明導(dǎo)電氧化物制成；層間絕緣層，所述層間絕緣層由有機(jī)材料制成，設(shè)置在所述基板與所述多個(gè)電極之間，并且覆蓋所述開關(guān)元件；以及絕緣構(gòu)件，所述絕緣構(gòu)件均由無機(jī)材料制成，設(shè)置在所述層間絕緣層上而覆蓋設(shè)置在所述層間絕緣層上且與所述層間絕緣層接觸的所述電極中的相鄰兩個(gè)之間的層間絕緣層，所述雜質(zhì)半導(dǎo)體層是通過在所述絕緣構(gòu)件上方分離已形成在所述絕緣構(gòu)件和所述電極上方的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜來獲得的。
通過本發(fā)明的實(shí)施例，可獲得這樣的檢測(cè)器件，其能夠減少有機(jī)材料混合到轉(zhuǎn)換元件的雜質(zhì)半導(dǎo)體層中，并且能夠抑制轉(zhuǎn)換元件的電極剝落。根據(jù)以下參照附圖對(duì)示例性實(shí)施例的描述，本發(fā)明的進(jìn)一步的特征將會(huì)變得清
/E. o


圖IA是根據(jù)第一實(shí)施例的檢測(cè)器件的每個(gè)像素的平面圖。圖IB是沿著圖IA中的線A-A'截取的截面圖。圖IC是圖IA中的像素之間的部分的放大圖。圖ID是沿著圖IA中的線B-B'截取的截面圖。圖2A、圖2C、圖2E、圖2G和圖21示出解釋制造根據(jù)第一實(shí)施例的檢測(cè)器件的方法的掩模圖案。圖2B、圖2D、圖2F、圖2H和圖2J是解釋制造根據(jù)第一實(shí)施例的檢測(cè)器件的方法的截面圖。圖3是根據(jù)第一實(shí)施例的檢測(cè)器件的等效電路圖。圖4A是根據(jù)第二實(shí)施例的檢測(cè)器件的每個(gè)像素的截面圖。圖4B是圖4A中的像素之間的部分的放大圖。圖4C是根據(jù)第二實(shí)施例的檢測(cè)器件的每個(gè)像素的另一個(gè)截面圖。圖5A、圖5C、圖5E和圖5G示出解釋制造根據(jù)第二實(shí)施例的檢測(cè)器件的方法的掩模圖案。圖5B、圖和圖5F是解釋制造根據(jù)第二實(shí)施例的檢測(cè)器件的方法的截面圖。圖6A是根據(jù)第三實(shí)施例的檢測(cè)器件的每個(gè)像素的截面圖。圖6B是圖6A中的像素之間的部分的放大圖。圖6C是根據(jù)第三實(shí)施例的檢測(cè)器件的每個(gè)像素的另一個(gè)截面圖。圖7A、圖7C、圖7E、圖7G和圖71示出解釋制造根據(jù)第三實(shí)施例的檢測(cè)器件的方法的掩模圖案。
圖7B、圖7D、圖7F、圖7H和圖7J是解釋制造根據(jù)第三實(shí)施例的檢測(cè)器件的方法的截面圖。圖8A是根據(jù)第四實(shí)施例的檢測(cè)器件的每個(gè)像素的截面圖。圖8B是圖8A中的像素之間的部分的放大圖。圖SC是根據(jù)第四實(shí)施例的檢測(cè)器件的每個(gè)像素的另一個(gè)截面圖。圖9A是根據(jù)第五實(shí)施例的檢測(cè)器件的每個(gè)像素的截面圖。圖9B是圖9A中的像素之間的部分的放大圖。圖9C是示出圖9A中的像素之間的部分的另一個(gè)例子的放大圖。
圖IOA和圖IOC示出解釋制造根據(jù)第五實(shí)施例的檢測(cè)器件的方法的掩模圖案。圖IOB和圖IOD是解釋制造根據(jù)第五實(shí)施例的檢測(cè)器件的方法的截面圖。圖IlA是根據(jù)第六實(shí)施例的檢測(cè)器件的每個(gè)像素的截面圖。圖IlB是圖IlA中的像素之間的部分的放大圖。圖12A是根據(jù)第七實(shí)施例的檢測(cè)器件的每個(gè)像素的平面圖。圖12B和圖12C是根據(jù)第七實(shí)施例的檢測(cè)器件及其修改形式的截面圖。圖12D是根據(jù)第七實(shí)施例的檢測(cè)器件的另一種修改形式的每個(gè)像素的平面圖。圖13A、圖13C、圖13E、圖13G和圖131示出解釋制造根據(jù)第七實(shí)施例的檢測(cè)器件的方法的掩模圖案。圖13B、圖13D、圖13F、圖13H和圖13J是解釋制造根據(jù)第七實(shí)施例的檢測(cè)器件的方法的截面圖。圖14是使用根據(jù)實(shí)施例的檢測(cè)器件的放射線檢測(cè)系統(tǒng)的概念圖。
具體實(shí)施例方式以下將參照附圖來詳細(xì)描述本公開的實(shí)施例。注意，本說明書中所使用的術(shù)語“放射線”不僅包括作為由通過放射性衰減發(fā)射的粒子(包括光子)形成的射束的a射線、P射線和Y射線，而且還包括具有可比的或更多的能量的射束，諸如X射線、粒子射線和宇宙射線。第一實(shí)施例首先將參照?qǐng)DIA至圖ID來描述根據(jù)第一實(shí)施例的檢測(cè)器件中的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)。圖IA是每個(gè)像素的平面圖。為了簡(jiǎn)單起見，關(guān)于轉(zhuǎn)換元件，在圖IA中僅示出了第一電極。圖IB是沿著圖IA中的線A-A'截取的截面圖，圖IC是像素末端部分(S卩，像素之間的部分)的放大圖，圖ID是沿著圖IA中的線B-B'截取的截面圖。根據(jù)第一實(shí)施例中的檢測(cè)器件中的一個(gè)像素11包括轉(zhuǎn)換元件12和TFT (薄膜晶體管)13，轉(zhuǎn)換元件12用于將放射線或光轉(zhuǎn)換為電荷，TFT (薄膜晶體管)13是用于輸出與在轉(zhuǎn)換元件12中產(chǎn)生的電荷對(duì)應(yīng)的電信號(hào)的開關(guān)元件。轉(zhuǎn)換元件12由PIN型光電二極管形成。轉(zhuǎn)換元件12堆疊在TFT 13上，TFT 13形成在絕緣基板100 (比如，玻璃基板)上，層間絕緣層120插入在轉(zhuǎn)換元件12與TFT 13之間。TFT 13包括從基板側(cè)起依次形成在基板100上的控制電極131、絕緣層132、半導(dǎo)體層133、雜質(zhì)半導(dǎo)體層134、第一主電極135和第二主電極136,雜質(zhì)半導(dǎo)體層134具有比半導(dǎo)體層133高的雜質(zhì)濃度。雜質(zhì)半導(dǎo)體層134的部分區(qū)域分別與第一主電極135和第二主電極136接觸，并且半導(dǎo)體層133的與雜質(zhì)半導(dǎo)體層134的這些部分區(qū)域接觸的區(qū)域之間的區(qū)域用作TFT的溝道區(qū)。控制電極131與控制配線15電連接。第一主電極135與信號(hào)配線16電連接，并且第二主電極136與轉(zhuǎn)換元件12的第一電極122電連接。在本實(shí)施例中，第一主電極135、第二主電極136和信號(hào)配線16 —體地形成在同一導(dǎo)電層中，并且第一主電極135用作信號(hào)配線16的一部分。保護(hù)層137被設(shè)置為覆蓋TFT13、控制配線15和信號(hào)配線16。雖然在本實(shí)施例中，使用各自主要由非晶硅制成的半導(dǎo)體層133和雜質(zhì)半導(dǎo)體層134的反交錯(cuò)式TFT被用作開關(guān)元件，但是本發(fā)明不限于這樣的例子。作為其它例子，還可使用主要由多晶硅制成的交錯(cuò)式TFT、有機(jī)TFT、氧化物TFT等。層間絕緣層120設(shè)置在基板100與以下詳細(xì)描述的多個(gè)第一電極122之間，以覆蓋多個(gè)TFT 13，并且它具有接觸孔。轉(zhuǎn)換元件12的 第一電極122和TFT 13的第二主電極136在形成在層間絕緣層120中的接觸孔中彼此電連接。轉(zhuǎn)換元件12包括從層間絕緣層側(cè)起依次形成在層間絕緣層120上的第一電極
122、第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體層123、半導(dǎo)體層124、第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體層125和第二電極126。這里，第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體層123表現(xiàn)出第一導(dǎo)電類型的極性，并且具有比半導(dǎo)體層124和第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體層125中的第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)濃度高的第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)濃度。此外，第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體層125表現(xiàn)出第二導(dǎo)電類型的極性，并且具有比第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體層123和半導(dǎo)體層124中的第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)濃度高的第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)濃度。第一導(dǎo)電類型和第二導(dǎo)電類型意指具有彼此不同極性的導(dǎo)電類型。例如，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電類型是n型時(shí)，第二導(dǎo)電類型是p型。電極配線14與轉(zhuǎn)換元件12的第二電極126電連接。轉(zhuǎn)換元件12的第一電極122在形成在層間絕緣層120中的接觸孔中與TFT 13的第二主電極136電連接。雖然本實(shí)施例利用使用各自主要由非晶硅制成的第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體層123、半導(dǎo)體層124和第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體層125的光電二極管，但是本發(fā)明不限于這樣的例子。作為另一個(gè)例子，還可使用下述元件，該元件能夠直接將放射線轉(zhuǎn)換為電荷，并且在該元件中，第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體層
123、半導(dǎo)體層124和第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體層125各自主要由非晶硒制成。由無機(jī)材料制成的絕緣構(gòu)件121被設(shè)置為與層間絕緣層120上的多個(gè)第一電極122中的相鄰兩個(gè)之間的層間絕緣層120接觸。換句話講，第一電極122和絕緣構(gòu)件121設(shè)置在層間絕緣層120上，以覆蓋層間絕緣層120。因此，當(dāng)形成變?yōu)殡s質(zhì)半導(dǎo)體層123的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜時(shí)，層間絕緣層120的表面不曝露，由此可減少有機(jī)材料混合到雜質(zhì)半導(dǎo)體層123中。而且，在本實(shí)施例中，雜質(zhì)半導(dǎo)體層123、半導(dǎo)體層124和雜質(zhì)半導(dǎo)體層125在絕緣構(gòu)件121上方均針對(duì)每個(gè)像素被分離。在用于分離這些層中的每個(gè)的干式蝕刻操作中，絕緣構(gòu)件121用作蝕刻停止層。因此，層間絕緣層120沒有曝露到干式蝕刻的物料(species)，并且可防止周圍層被有機(jī)材料污染。第一電極122由透明導(dǎo)電氧化物(比如，HO)制成。透明導(dǎo)電氧化物具有這樣的特征，即，在非晶態(tài)下，它表現(xiàn)出比多晶態(tài)下高得多的蝕刻速率和圖案可控性。由于這個(gè)原因，透明導(dǎo)電氧化物通常通過下述方法來形成，即，首先對(duì)形成為非晶態(tài)的透明導(dǎo)電氧化物進(jìn)行蝕刻，然后在退火操作中使它多結(jié)晶化。因?yàn)橥该鲗?dǎo)電氧化物的內(nèi)部應(yīng)力在退火操作中改變，所以從膜粘附性的角度來講，與透明導(dǎo)電氧化物接觸的底層膜的類型非常重要。例如，當(dāng)透明導(dǎo)電氧化物設(shè)置在由具有高表面硬度和高結(jié)合能的無機(jī)材料制成的絕緣層上時(shí)，因?yàn)橛蔁o機(jī)材料制成的絕緣層不能跟隨由ITO中的內(nèi)部應(yīng)力的改變而引起的變形，所以第一電極122可能剝落。另一方面，當(dāng)透明導(dǎo)電氧化物設(shè)置在由具有低表面硬度和低結(jié)合能的有機(jī)材料制成的層間絕緣層120上時(shí)，層間絕緣層120可以以比由所述無機(jī)材料制成的絕緣層的適應(yīng)性更強(qiáng)的方式跟隨由透明導(dǎo)電氧化物中的內(nèi)部應(yīng)力的改變而弓I起的變形。此外，通過在透明導(dǎo)電氧化物的多結(jié)晶化期間產(chǎn)生的能量，使有機(jī)材料的結(jié)合物再次與多結(jié)晶化的透明導(dǎo)電氧化物接合，從而使層間絕緣層120對(duì)應(yīng)力改變的適應(yīng)性更強(qiáng)。結(jié)果，可減少第一電極122的剝落。在本實(shí)施例中，因?yàn)榈谝浑姌O122被設(shè)置為70iim至180iim的寬度并且在其大部分與層間絕緣層120接觸，所以可減少第一電極122的剝落。在本實(shí)施例中，第一電極122將其大約5 ii m的末端設(shè)置在絕緣構(gòu)件121上,并且第一電極122與絕緣構(gòu)件121之間的粘附力低。然而，因?yàn)檫@樣的末端寬度遠(yuǎn)小于第一電極122與層間絕緣層120接觸處的寬度，所以第一電極122剝落的問題不會(huì)發(fā)生。鈍化層155被設(shè)置為覆蓋轉(zhuǎn)換元件12。
以下將參照?qǐng)D2A至圖2J來描述制造根據(jù)第一實(shí)施例的檢測(cè)器件的方法。具體地講，參照工藝期間的掩模圖案和截面圖來詳細(xì)描述在層間絕緣層120中形成接觸孔之后的操作。圖2A、圖2C、圖2E、圖2G和圖21是相繼的操作中所使用的光掩模的掩模圖案的示意性平面圖。圖2B、圖2D、圖2F、圖2H和圖2J是相繼的操作中的、在與圖IA中的線A-A'對(duì)應(yīng)的位置處截取的示意性截面圖。在初始狀態(tài)下，多個(gè)TFT 13設(shè)置在絕緣基板100上，保護(hù)層137設(shè)置在多個(gè)TFT13上方。通過在第二主電極136上方的保護(hù)層137的用于與光電二極管電連接的一部分中進(jìn)行蝕刻來形成接觸孔。在圖2B所示的操作中，通過使用涂布裝置(比如，旋涂器)來將作為具有感光性的有機(jī)材料的丙烯酸樹脂(acryl resin)形成為覆蓋TFT 13和保護(hù)層137的層間絕緣膜。例如，聚酰亞胺樹脂也可用作具有感光性的有機(jī)材料。然后，通過使用圖2A所示的掩模，通過曝光和顯影形成具有接觸孔的層間絕緣層120。接著，在圖2D所示的操作中，通過等離子體CVD形成由普通的無機(jī)材料(比如，氮化硅膜或氧化硅膜)制成的絕緣膜來覆蓋層間絕緣層120。然后通過利用圖2C所示的掩模對(duì)該絕緣膜進(jìn)行蝕刻來在像素之間形成絕緣構(gòu)件121。接著，在圖2F所示的操作中，通過濺射形成由ITO制成的非晶透明導(dǎo)電氧化物膜，以覆蓋層間絕緣層120和絕緣構(gòu)件121。通過使用圖2E所示的掩模對(duì)該透明導(dǎo)電氧化物膜進(jìn)行濕式蝕刻，然后對(duì)該透明導(dǎo)電氧化物膜進(jìn)行退火以便多結(jié)晶化，由此形成轉(zhuǎn)換元件的第一電極122。此時(shí)，層間絕緣層120的表面被多個(gè)絕緣構(gòu)件121和多個(gè)第一電極122覆蓋。通過多結(jié)晶化，第一電極122中的內(nèi)部應(yīng)力增大。然而，因?yàn)榈谝浑姌O122的大部分被形成為與層間絕緣層120接觸，所以它們之間的粘附性得以保持，并且不引起第一電極122剝落的問題。雖然在本實(shí)施例中ITO用作透明導(dǎo)電氧化物,但是還可有益地使用ZnO、Sn02、AT0、AZ0、CdIn204、MgIn204、ZnGa2O4 和 InGaZn04。另外還可有益地使用含有 Cu 并且能夠取銅鐵礦型非晶態(tài)的其它透明導(dǎo)電氧化物，比如CuA102。接著，在圖2H所示的操作中，通過等離子體CVD形成與作為雜質(zhì)的五價(jià)元素(t匕如，磷)混合的非晶硅膜作為第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’，以覆蓋絕緣構(gòu)件121和第一電極122。然后，通過等離子體CVD依次形成由非晶硅膜制成的半導(dǎo)體膜124’和第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’(S卩，與作為雜質(zhì)的三價(jià)元素(比如，硼)混合的非晶硅膜)。當(dāng)形成雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’時(shí)，如果層間絕緣層120沒被絕緣構(gòu)件121和第一電極122覆蓋，則層間絕緣層120曝露到等離子體。如果由有機(jī)材料制成的層間絕緣層120曝露到等離子體，則有機(jī)材料可分散并混合到雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’中。為了應(yīng)對(duì)這樣的問題，在本實(shí)施例中，層間絕緣層123被絕緣構(gòu)件121和第一電極122覆蓋，以當(dāng)形成變?yōu)榈谝粚?dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體層123的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’時(shí)，提供層間絕緣層120的表面不曝露的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)可防止有機(jī)材料分散以及有機(jī)材料混合到第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜中。然后通過濺射形成由例如Al制成的、變?yōu)殡姌O配線14的導(dǎo)電膜來覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’。此外，通過使用圖2G所示的掩模對(duì)該導(dǎo)電膜進(jìn)行濕式蝕刻，從而形成電極配線14。接著，在圖2J所示的操作中，通過濺射形成透明導(dǎo)電氧化物膜來覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’和電極配線14。然后通過使用圖21所示的掩模對(duì)該透明半導(dǎo)體氧化物膜進(jìn)行濕式蝕刻，從而形成轉(zhuǎn)換元件12的第二電極126。此外，通過下述方式來針對(duì)每個(gè)像素隔離轉(zhuǎn)換元件12，即，通過使用與圖21所示的掩模相同的掩模進(jìn)行干式蝕刻來部分移除雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’、半導(dǎo)體膜124’和雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’。隔離的轉(zhuǎn)換元件12中包括雜質(zhì)半導(dǎo)體層 125、半導(dǎo)體層124和雜質(zhì)半導(dǎo)體層123。在各絕緣構(gòu)件121上方執(zhí)行通過干式蝕刻進(jìn)行的像素隔離。因此，絕緣構(gòu)件121用作蝕刻停止層，并且層間絕緣層120沒有曝露到干式蝕刻的物料。因而，可防止周圍層被有機(jī)材料污染。此外，第一電極122被雜質(zhì)半導(dǎo)體層123覆蓋。因此，所獲得的結(jié)構(gòu)在第一電極122與半導(dǎo)體層124之間不包括所謂的肖特基結(jié)(SP，直接接合)。雖然在本實(shí)施例中透明導(dǎo)電氧化物用作第二電極126的材料，但是本發(fā)明不限于這樣的例子，只要使用導(dǎo)電膜即可。作為另一個(gè)例子，當(dāng)直接將放射線轉(zhuǎn)換為電荷的元件被用作轉(zhuǎn)換元件12時(shí)，由比如Al制成的、放射線能夠容易地通過的導(dǎo)電膜可用作第二電極
126。然后，形成鈍化層155來覆蓋轉(zhuǎn)換元件12和絕緣構(gòu)件121，由此獲得圖IB所示的結(jié)構(gòu)。當(dāng)形成鈍化層155時(shí)，層間絕緣層120不曝露，并且可防止周圍層被有機(jī)材料污染。在本實(shí)施例中，當(dāng)在圖2J所示的操作中通過干式蝕刻來針對(duì)每個(gè)像素隔離轉(zhuǎn)換元件12時(shí)，電極配線14用作蝕刻掩模。因此，如圖ID所示，雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’、半導(dǎo)體膜124’和雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’留在電極配線14的正交投影圖像位于其中的區(qū)域中，而沒有被移除。這提供了下述結(jié)構(gòu)，即，電極配線14的正交投影圖像位于其中的區(qū)域中的雜質(zhì)半導(dǎo)體層123在彼此相鄰的像素的第一電極122之間是連續(xù)的。即使對(duì)于這樣的結(jié)構(gòu)，當(dāng)雜質(zhì)半導(dǎo)體層123的電阻高得足以使得雜質(zhì)半導(dǎo)體層123可被認(rèn)為是絕緣體時(shí)，雜質(zhì)半導(dǎo)體層123也基本上針對(duì)每個(gè)像素被電隔離，并且檢測(cè)器件也可毫無問題地工作。為了獲得具有足夠高的電阻的雜質(zhì)半導(dǎo)體層123，要適當(dāng)?shù)乜刂茖雍穸群蛽诫s劑量。以下將參照?qǐng)D3來描述根據(jù)第一實(shí)施例的檢測(cè)器件的示意性等效電路。雖然為了簡(jiǎn)化解釋，圖3是3行3列的等效電路圖，但是本發(fā)明不限于這樣的例子，并且檢測(cè)器件具有n行m列(n、m :等于或大于2的自然數(shù))的像素陣列。在根據(jù)本實(shí)施例的檢測(cè)器件中，包括按行方向和列方向排列的多個(gè)像素I的轉(zhuǎn)換部分3設(shè)置在基板100的表面上。每個(gè)像素I包括轉(zhuǎn)換元件12和TFT 13，轉(zhuǎn)換元件12用于將放射線或光轉(zhuǎn)換為電荷，TFT 13用于輸出與在轉(zhuǎn)換元件12中產(chǎn)生的電荷對(duì)應(yīng)的電信號(hào)。用于通過波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換將放射線轉(zhuǎn)換為可見光的閃爍器(未示出)可在包括第二電極126的一側(cè)被設(shè)置在轉(zhuǎn)換元件12的表面上。每根電極配線14與按列方向排列的多個(gè)轉(zhuǎn)換元件12的第二電極126共同地連接。每根控制配線15與按行方向排列的多個(gè)TFT 13的控制電極131共同地連接，并且它還與驅(qū)動(dòng)電路2電連接。驅(qū)動(dòng)電路2相繼地或同時(shí)地將驅(qū)動(dòng)脈沖供給按列方向排列的多根控制配線15，由此來自像素的電信號(hào)以行為單位并行地輸出到按行方向排列的多根信號(hào)配線16。每根信號(hào)配線16與按列方向排列的多個(gè)TFT 13的第一主電極135共同地連接，并且它還與讀取電路4電連接。讀取電路4對(duì)于每根信號(hào)配線16包括積分放大器5以及采樣和保持電路6，積分放大器5用于對(duì)來自信號(hào)配線16的電信號(hào)進(jìn)行積分和放大，采樣和保持電路6用于采樣并保持被積分放大器5放大并且從積分放大器5輸出的電信號(hào)。讀取電路4還包括復(fù)用器7和A/D轉(zhuǎn)換器8，復(fù)用器7用于將從多個(gè)采樣和保持電路6并行輸出的電信號(hào)轉(zhuǎn)換為串行電信號(hào)，A/D轉(zhuǎn)換器8用于將輸出的電信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。參考電勢(shì)Vref從電源電路9供給積分放大器5的非反相輸入端子。此外，電源電路9與按行方向排列的多根電極配線14電連接，從而將偏壓電勢(shì)Vs供給轉(zhuǎn)換元件12的第二電極126。以下將描述根據(jù)本實(shí)施例的檢測(cè)器件的操作。參考電勢(shì)Vref通過TFT 13施加于每個(gè)轉(zhuǎn)換元件12的第一電極122，并且用于分離由放射線或可見光產(chǎn)生的電子空穴對(duì)的偏壓電勢(shì)Vs施加于第二電極126。在這種狀態(tài)下，當(dāng)已通過樣本的放射線或者與該放射線對(duì) 應(yīng)的可見光進(jìn)入轉(zhuǎn)換元件12時(shí)，其被轉(zhuǎn)換為電荷，所述電荷在轉(zhuǎn)換元件12中累積。當(dāng)通過從驅(qū)動(dòng)電路2施加于控制配線15的驅(qū)動(dòng)脈沖使TFT 13進(jìn)入導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)，輸出與累積的電荷對(duì)應(yīng)的電信號(hào)到信號(hào)配線16。該電信號(hào)然后被讀取電路4作為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)讀取到外部。第二實(shí)施例以下將參照?qǐng)D4A至圖4C來描述根據(jù)第二實(shí)施例的檢測(cè)器件中的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)。圖4A是沿著與圖IA中的線A-A'對(duì)應(yīng)的線截取的截面圖，圖4B是像素末端部分(SP，像素之間的部分)的放大圖，圖4C是沿著與圖IA中的線B-B’對(duì)應(yīng)的線截取的截面圖。第二實(shí)施例中的與以上在第一實(shí)施例中描述的組件相同的組件用相同的標(biāo)號(hào)表不，并且省略這些組件的詳細(xì)描述。在第一實(shí)施例中，如圖ID所示，在電極配線14的正交投影圖像位于其中的區(qū)域中的雜質(zhì)半導(dǎo)體層123在相鄰像素的第一電極122之間是連續(xù)的。然而，在第二實(shí)施例中，緊接在形成雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’之后形成雜質(zhì)半導(dǎo)體層123。因此，如圖4C所示，可獲得具有其中雜質(zhì)半導(dǎo)體層123針對(duì)每個(gè)像素被分離的結(jié)構(gòu)的像素。以下將參照?qǐng)D5A至圖5G來描述制造根據(jù)第二實(shí)施例的檢測(cè)器件的方法。圖5A、圖5C、圖5E和圖5G是相繼的操作中所使用的光掩模的掩模圖案的示意性平面圖。圖5B、圖和圖5F是相繼的操作中的、在與圖IA中的線A-A’對(duì)應(yīng)的位置處截取的示意性截面圖。省略與第一實(shí)施例中描述的操作相同的操作的詳細(xì)描述。具體地講，因?yàn)橹钡叫纬傻谝浑姌O122為止的操作與以上參照?qǐng)D2A至圖2F描述的這些操作相同，所以描述后面的操作。在圖5B所示的操作中，通過等離子體CVD將與作為雜質(zhì)的五價(jià)元素(諸如磷)混合的非晶硅膜形成為第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’，以覆蓋絕緣構(gòu)件121和第一電極122。當(dāng)形成雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’時(shí)，如果層間絕緣層120沒有被絕緣構(gòu)件121和第一電極122覆蓋，則層間絕緣層120曝露到等離子體。如果由有機(jī)材料制成的層間絕緣層120曝露到等離子體，則有機(jī)材料可分散并混合到雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’中。為了應(yīng)對(duì)這樣的問題，在本實(shí)施例中，層間絕緣層120被絕緣構(gòu)件121和第一電極122覆蓋，以當(dāng)形成變?yōu)榈谝粚?dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體層123的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’時(shí)，提供層間絕緣層120的表面不曝露的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)可防止有機(jī)材料分散以及有機(jī)材料混合到第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜中。然后使用圖5A所示的掩模對(duì)雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’進(jìn)行干式蝕刻，從而形成雜質(zhì)半導(dǎo)體層123。在各絕緣構(gòu)件121上方執(zhí)行通過干式蝕刻進(jìn)行的像素隔離。因此，絕緣構(gòu)件121用作蝕刻停止層，并且層間絕緣層120沒有曝露到干式蝕刻的物料。因而，可防止雜質(zhì)半導(dǎo)體層123被有機(jī)材料污染。這里，第一電極122具有被雜質(zhì)半導(dǎo)體層123覆蓋的形式。接著，在圖所示的操作中，通過等離子體CVD依次形成由非晶硅膜制成的半導(dǎo)體膜124’和第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’(即，與作為雜質(zhì)的三價(jià)元素(比如，硼)混合的非晶硅膜)，以覆蓋絕緣構(gòu)件121和雜質(zhì)半導(dǎo)體層123。然后通過濺射形成由例如Al制成的、變?yōu)殡姌O配線14的導(dǎo)電膜來覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’。此外，通過使用圖5C所示的掩模對(duì)該導(dǎo)電膜進(jìn)行濕式蝕刻，從而形成電極配線14。
接著，在圖5F所示的操作中，通過濺射形成透明導(dǎo)電氧化物膜來覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’和電極配線14。然后通過使用圖5E所示的掩模對(duì)該透明導(dǎo)電氧化物膜進(jìn)行濕式蝕亥IJ，從而形成轉(zhuǎn)換元件12的第二電極126。此外，通過下述方式針對(duì)每個(gè)像素隔離轉(zhuǎn)換元件12，S卩，通過使用與圖5E所示的掩模相同的掩模進(jìn)行干式蝕刻來移除雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’和半導(dǎo)體膜124’。隔離的轉(zhuǎn)換元件12中包括雜質(zhì)半導(dǎo)體層125、半導(dǎo)體層124和雜質(zhì)半導(dǎo)體層123。在各絕緣構(gòu)件121的上方執(zhí)行通過干式蝕刻進(jìn)行的像素隔離。因此，絕緣構(gòu)件121用作蝕刻停止層，并且層間絕緣層120沒有曝露到干式蝕刻的物料。因而，可防止周圍層被有機(jī)材料污染。此外，第一電極122被雜質(zhì)半導(dǎo)體層123覆蓋。因此，所獲得的結(jié)構(gòu)在第一電極122與半導(dǎo)體層124之間不包括所謂的肖特基結(jié)(S卩，直接接合)。雖然在本實(shí)施例中透明導(dǎo)電氧化物用作第二電極126的材料，但是本發(fā)明不限于這樣的例子，只要使用導(dǎo)電膜即可。作為另一個(gè)例子，當(dāng)直接將放射線轉(zhuǎn)換為電荷的元件用作轉(zhuǎn)換元件12時(shí)，由例如Al制成的、放射線能夠容易地通過的導(dǎo)電膜可用作第二電極126。然后，形成鈍化層155來覆蓋轉(zhuǎn)換元件12和絕緣構(gòu)件121，由此獲得圖4A和圖4C所示的結(jié)構(gòu)。當(dāng)形成鈍化層155時(shí)，層間絕緣層120沒有被曝露，并且可防止周圍層被有機(jī)材料污染。雖然在本實(shí)施例中通過使用圖5A所示的掩模在圖5B所示的操作中單獨(dú)地(individually)形成雜質(zhì)半導(dǎo)體層123,但是可通過使用圖5G所示的掩模、而不是圖5A所示的掩模來移除雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’。在這樣的情況下，在先移除圖5G所示的部分中的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’之后，在圖5F所示的操作中通過利用圖5E所示的掩模進(jìn)行干式蝕刻來移除雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’、半導(dǎo)體膜124’和雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’。結(jié)果，可獲得其中雜質(zhì)半導(dǎo)體層123針對(duì)每個(gè)像素被隔離的轉(zhuǎn)換元件12。此外，通過使用圖5G所示的掩模，在圖5F所示的操作中僅通過干式蝕刻來基本上確定雜質(zhì)半導(dǎo)體層123的面積。因此，與使用圖5A所示的掩模并且考慮用于雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’的干式蝕刻操作和用于半導(dǎo)體膜124’的干式蝕刻操作之間的對(duì)準(zhǔn)的情況相比，可增大雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’的面積。第三實(shí)施例以下將參照?qǐng)D6A至圖6C來描述根據(jù)第三實(shí)施例的檢測(cè)器件中的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)。圖6A是沿著與圖IA中的線A-A'對(duì)應(yīng)的線截取的截面圖，圖6B是像素末端部分(SP，像素之間的部分)的放大圖，圖6C是沿著與圖IA中的線B-B'對(duì)應(yīng)的線截取的截面圖。第三實(shí)施例中的與以上在前述實(shí)施例中描述的組件相同的組件用相同的標(biāo)號(hào)表示，并且省略這些組件的詳細(xì)描述。第一電極122的末端在第一實(shí)施例中設(shè)置在絕緣構(gòu)件121上，而第一電極122的末端在第三實(shí)施例中設(shè)置在層間絕緣層120與絕緣構(gòu)件121之間。通過這樣的布置，由透明導(dǎo)電氧化物制成的第一電極122整個(gè)僅位于層間絕緣層120上，并且層間絕緣層120與第一電極122之間的粘附力與第一實(shí)施例中的粘附力相比可增大。以下將參照?qǐng)D7A至圖7J來描述制造根據(jù)第三實(shí)施例的檢測(cè)器件的方法。具體地講，參照工藝期間的掩模圖案和截面圖來詳細(xì)描述在層間絕緣層中形成接觸孔之后的操作。圖7A、圖7C、圖7E、圖7G和圖71是相繼的操作中所使用的光掩模的掩模圖案的示意性平面圖。圖7B、7D、7F、7H和7J是相繼的操作中的、在與圖IA中的線A-A'對(duì)應(yīng)的位置處截取的示意性截面圖。省略第三實(shí)施例中的與以上在前述實(shí)施例中描述的操作相同的操作的詳細(xì)描述。 在圖7B所示的操作中，將作為具有感光性的有機(jī)材料的丙烯酸樹脂形成為層間絕緣膜來覆蓋TFT 13和保護(hù)層137。然后通過使用圖7A所示的掩模來形成具有接觸孔的層間絕緣層120。接著，在圖7D所示的操作中，通過濺射形成由ITO制成的非晶透明導(dǎo)電氧化物膜來覆蓋層間絕緣層120。通過使用圖7C所示的掩模對(duì)該透明導(dǎo)電氧化物膜進(jìn)行濕式蝕刻，然后對(duì)該透明導(dǎo)電氧化物進(jìn)行退火以便多結(jié)晶化，從而形成轉(zhuǎn)換元件的第一電極122。通過多結(jié)晶化，第一電極122中的內(nèi)部應(yīng)力增大。然而，因?yàn)檎麄€(gè)第一電極122被形成為與層間絕緣層120接觸，所以它們之間的粘附性得以保持，并且沒有引起第一電極122剝落的問題。接著，在圖7F所示的操作中，通過等離子體CVD形成由無機(jī)材料(比如，氮化硅膜)制成的絕緣膜來覆蓋層間絕緣層120和第一電極122。然后通過使用圖7E所示的掩模對(duì)該絕緣膜進(jìn)行蝕刻來在相鄰兩個(gè)像素之間形成絕緣構(gòu)件121。因而，層間絕緣層120的表面被絕緣構(gòu)件121和第一電極122覆蓋。接著，在圖7H所示的操作中，通過等離子體CVD將與作為雜質(zhì)的五價(jià)元素(比如，磷)混合的非晶硅膜形成為第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’來覆蓋絕緣構(gòu)件121和第一電極122。然后，通過等離子體CVD依次形成由非晶硅膜制成的半導(dǎo)體膜124’和第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’(S卩，與作為雜質(zhì)的三價(jià)元素(比如，硼)混合的非晶硅膜)。在本實(shí)施例中，層間絕緣層120被絕緣構(gòu)件121和第一電極122覆蓋，以當(dāng)形成變?yōu)榈谝粚?dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體層123的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’時(shí)，提供層間絕緣層120的表面沒有曝露的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)可防止有機(jī)材料分散以及有機(jī)材料混合到第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜中。然后通過濺射形成由例如Al制成的、變?yōu)殡姌O配線14的導(dǎo)電膜來覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’。此外，通過使用圖7G所示的掩模對(duì)該導(dǎo)電膜進(jìn)行濕式蝕刻，從而形成電極配線14。接著，在圖7J所示的操作中，通過濺射形成透明導(dǎo)電氧化物膜來覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’和電極配線14。然后通過使用圖71所示的掩模進(jìn)行濕式蝕刻來移除該透明導(dǎo)電氧化物膜，從而形成轉(zhuǎn)換元件12的第二電極126。此外，通過下述方式針對(duì)每個(gè)像素隔離轉(zhuǎn)換元件12，即，通過使用與圖71所示的掩模相同的掩模進(jìn)行干式蝕刻來部分移除雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’、半導(dǎo)體膜124’和雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’。隔離的轉(zhuǎn)換元件12中包括雜質(zhì)半導(dǎo)體層125、半導(dǎo)體層124和雜質(zhì)半導(dǎo)體層123。在絕緣構(gòu)件121上執(zhí)行通過干式蝕刻進(jìn)行的像素隔離。因此，絕緣構(gòu)件121用作蝕刻停止層，并且層間絕緣層120沒有曝露到干式蝕刻的物料。因而，可防止周圍層被有機(jī)材料污染。然后，形成鈍化層155來覆蓋轉(zhuǎn)換元件12和絕緣構(gòu)件121，由此獲得圖6A所示的結(jié)構(gòu)。當(dāng)形成鈍化層155時(shí)，層間絕緣層120沒有曝露，并且可防止周圍層被有機(jī)材料污染。在通過本實(shí)施例獲得的結(jié)構(gòu)中，電極配線14的正交投影圖像位于其中的區(qū)域中的雜質(zhì)半導(dǎo)體層123在彼此相鄰的像素的第一電極122之間是連續(xù)的。即使對(duì)于這樣的結(jié)構(gòu)，當(dāng)雜質(zhì)半導(dǎo)體層123的電阻高得足以使得雜質(zhì)半導(dǎo)體層123可被認(rèn)為是絕緣體時(shí)，雜質(zhì)半導(dǎo)體層123也基本上針對(duì)每個(gè)像素被電隔離，并且檢測(cè)器件可毫無問題地工作。第四實(shí)施例以下將參照?qǐng)D8A至圖SC來描述根據(jù)第四實(shí)施例的檢測(cè)器件中的一個(gè)像素的結(jié) 構(gòu)。圖8A是沿著與圖IA中的線A-A’對(duì)應(yīng)的線截取的截面圖，圖SB是像素末端部分(SP，像素之間的部分)的放大圖，圖8C是沿著與圖IA中的B-B'對(duì)應(yīng)的線截取的截面圖。第四實(shí)施例中的與以上在第三實(shí)施例中描述的組件相同的組件用相同的標(biāo)號(hào)表示，并且省略這些組件的詳細(xì)描述。在第三實(shí)施例中，如圖6C所示，電極配線14的正交投影圖像位于其中的區(qū)域中的雜質(zhì)半導(dǎo)體層123在彼此相鄰的像素的第一電極122之間是連續(xù)的。然而，在第四實(shí)施例中，如第二實(shí)施例中那樣，緊接在形成雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’之后形成雜質(zhì)半導(dǎo)體層123。因此，如圖8C所示，獲得其中雜質(zhì)半導(dǎo)體層123在像素之間分離的像素結(jié)構(gòu)。第四實(shí)施例中的制造方法直到形成絕緣構(gòu)件121的操作為止與以上在第三實(shí)施例中描述的圖7B、圖7D和圖7F的操作類似，并且形成雜質(zhì)半導(dǎo)體層123的操作之后的操作與以上在第二實(shí)施例中描述的這些操作類似。因此，省略第四實(shí)施例中的制造方法的詳細(xì)描述。第五實(shí)施例以下將參照?qǐng)D9A至圖9C來描述根據(jù)第五實(shí)施例的檢測(cè)器件中的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)。圖9A是沿著與圖IA中的線A-A'對(duì)應(yīng)的線截取的截面圖，圖9B是像素末端部分(像素之間的部分)的放大圖。圖9C是示出像素末端部分(即，像素之間的部分)的另一個(gè)例子的放大圖。第五實(shí)施例中的與以上在前述實(shí)施例中描述的組件相同的組件用相同的標(biāo)號(hào)表示，并且省略這些組件的詳細(xì)描述。在第一實(shí)施例中，半導(dǎo)體層124、雜質(zhì)半導(dǎo)體層125和第二電極126針對(duì)每個(gè)像素被分離。另一方面，在第五實(shí)施例中，如圖9A所不,半導(dǎo)體層124a、雜質(zhì)半導(dǎo)體層125a和第二電極126a均不針對(duì)每個(gè)像素被分離。因?yàn)榈谝浑姌O122和雜質(zhì)半導(dǎo)體層123均針對(duì)每個(gè)像素被分離，所以轉(zhuǎn)換元件12對(duì)于每個(gè)第一電極122被單個(gè)化(individualize)了。因此，通過第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，開口率與第一實(shí)施例中的開口率相比可增大。為了進(jìn)一步確保第一電極122的單個(gè)化，如圖9C所示，可設(shè)置具有比半導(dǎo)體層124a高的氫濃度的、具有大約5nm的非常薄的厚度的半導(dǎo)體層160來覆蓋絕緣構(gòu)件121和雜質(zhì)半導(dǎo)體層123。因?yàn)榘雽?dǎo)體層160具有比半導(dǎo)體層124a和雜質(zhì)半導(dǎo)體層123高的比電阻(specific resistance),所以可減少相鄰像素之間的泄漏。此外，通過將半導(dǎo)體層160的厚度設(shè)置為足夠薄以使得能夠顯現(xiàn)出隧道效應(yīng)，電荷可在雜質(zhì)半導(dǎo)體層123與半導(dǎo)體層124a之間移動(dòng)，由此轉(zhuǎn)換元件12可用作光電二極管。而且，因?yàn)榈诙姌O126a不針對(duì)每個(gè)像素被分離，所以可省去作為減小開口率的組件的電極配線14。然而，當(dāng)僅存在第二電極126a的情況下電阻太高時(shí)，所以更有益的是也提供電極配線14。在這樣的情況下，因?yàn)榘雽?dǎo)體層124a和第二電極126a均不針對(duì)每個(gè)像素被分離，所以電極配線14可設(shè)置在電極配線14的正交投影圖像與絕緣構(gòu)件121重疊的位置處，并且可設(shè)置電極配線14，而不減小開口率。以下將參照?qǐng)DIOA至圖IOD來描述制造根據(jù)第五實(shí)施例的檢測(cè)器件的方法。圖IOA和圖IOC是相繼的操作中所使用的光掩模的掩模圖案的示意性平面圖。圖IOB和圖IOD是相繼的操作中的、在與圖IA中的線A-A'對(duì)應(yīng)的位置處截取的示意性截面圖。省略與第一實(shí)施例中描述的操作相同的操作的詳細(xì)描述。具體地講，因?yàn)橹钡叫纬傻谝浑姌O122為止的操作都與以上參照?qǐng)D2A至圖2F描述的這些操作相同，所以描述后面的操作。在圖IOB所示的操作中，通過等離子體CVD將與作為雜質(zhì)的五價(jià)元素(比如，磷)混合的非晶硅膜形成為第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’來覆蓋絕緣構(gòu)件121和第一電極122。在本實(shí)施例中，層間絕緣層120被絕緣構(gòu)件121和第一電極122覆蓋，以提供當(dāng)形成 變?yōu)榈谝粚?dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體層123的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’時(shí)層間絕緣層120的表面不曝露的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)可防止有機(jī)材料分散以及有機(jī)材料混合到第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜中。然后通過利用圖IOA所示的掩模進(jìn)行干式蝕刻來部分地移除雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’，從而形成雜質(zhì)半導(dǎo)體層123。在各絕緣構(gòu)件121上方執(zhí)行通過干式蝕刻進(jìn)行的像素隔離。因此，絕緣構(gòu)件121用作蝕刻停止層，并且層間絕緣層120沒有曝露到干式蝕刻的物料。因而，可防止雜質(zhì)半導(dǎo)體層123被有機(jī)材料污染。接著，在圖IOD所示的操作中，通過等離子體CVD形成變?yōu)榘雽?dǎo)體層124a的非晶硅膜來覆蓋絕緣層121和雜質(zhì)半導(dǎo)體層123。此外，通過等離子體CVD形成與作為雜質(zhì)的三價(jià)元素(比如，硼)混合的非晶硅膜，該膜變?yōu)榈诙?dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125a。在提供圖9C所示的半導(dǎo)體層160的情況下，有益的是，當(dāng)形成非晶硅膜時(shí)，首先以較高的氫濃度形成大約5nm厚度的非晶硅膜，并且進(jìn)一步以較低的氫濃度形成非晶硅膜。然后，通過濺射形成由例如Al制成的、變?yōu)殡姌O配線14的導(dǎo)電膜來覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體層125。此外，通過使用圖IOC所示的掩模對(duì)該導(dǎo)電膜進(jìn)行濕式蝕刻，從而形成電極配線14。接著，通過濺射形成由透明導(dǎo)電氧化物制成的第二電極126a來覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’和電極配線14。此外，形成鈍化層155來覆蓋第二電極126a，從而獲得圖9A所示的結(jié)構(gòu)。第六實(shí)施例將參照?qǐng)DIIA和圖IlB來描述根據(jù)第六實(shí)施例的檢測(cè)器件中的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)。圖IlA是沿著與圖IA中的線A-A'對(duì)應(yīng)的線截取的截面圖，圖IlB是像素末端部分(S卩，像素之間的部分)的放大圖。第六實(shí)施例中的與以上在前述實(shí)施例中描述的組件相同的組件用相同的標(biāo)號(hào)表示，并且省略這些組件的詳細(xì)描述。在第三實(shí)施例中，半導(dǎo)體層124、雜質(zhì)半導(dǎo)體層125和第二電極126針對(duì)每個(gè)像素被分離。另一方面，在第六實(shí)施例中，如圖IlA所示，半導(dǎo)體層124a、雜質(zhì)半導(dǎo)體層125a和第二電極126a均不針對(duì)每個(gè)像素被分離。因?yàn)榈谝浑姌O122和雜質(zhì)半導(dǎo)體層123均針對(duì)每個(gè)像素被分離，所以轉(zhuǎn)換元件12是對(duì)于每個(gè)第一電極122單個(gè)化的。因此，通過第六實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，開口率與第三實(shí)施例中的開口率相比可增大。此外，因?yàn)榈诙姌O126a不針對(duì)每個(gè)像素被分離，所以可省去作為減小開口率的組件的電極配線14。然而，當(dāng)僅存在第二電極126a的情況下電阻太高時(shí)，更有益的是也提供電極配線14。在這樣的情況下，因?yàn)榘雽?dǎo)體層124a和第二電極126a均不針對(duì)每個(gè)像素被分離，所以電極配線14可設(shè)置在電極配線14的正交投影圖像與絕緣構(gòu)件121重疊的位置處，并且可設(shè)置電極配線14，而不減小開口率。第六實(shí)施例中的制造方法直到形成絕緣構(gòu)件121的操作為止與以上在第三實(shí)施例中描述的圖7B、圖7D和圖7F的操作類似，并且形成雜質(zhì)半導(dǎo)體層123的操作之后的操作與以上在第五實(shí)施例中描述的這些操作類似。因此，省略第六實(shí)施例中的制造方法的詳細(xì)描述。 第七實(shí)施例以下將參照?qǐng)D12A和圖12B來描述根據(jù)第七實(shí)施例的檢測(cè)器件中的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)。圖12A是檢測(cè)器件的每個(gè)像素的平面圖，圖12B是沿著圖12A中的線C-C'截取的截面圖。第七實(shí)施例中的與以上在前述實(shí)施例中描述的組件相同的組件用相同的標(biāo)號(hào)表示，并且省略這些組件的詳細(xì)描述。在前述實(shí)施例中，電極配線14與轉(zhuǎn)換元件12的第二電極126直接連接。另一方面，在第七實(shí)施例中，如圖12B所示，電極配線14通過設(shè)置在第二電極126上的絕緣層127和層間絕緣層128的相應(yīng)接觸孔與第二電極126電連接。這樣的結(jié)構(gòu)使得能夠在形成轉(zhuǎn)換元件12之后形成電極配線14。在第二實(shí)施例和第四實(shí)施例中，當(dāng)形成轉(zhuǎn)換元件12時(shí)，通過下述兩個(gè)操作使轉(zhuǎn)換元件12單個(gè)化，所述兩個(gè)操作為形成第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123，然后形成半導(dǎo)體層124和第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125。另一方面，在第七實(shí)施例中，可通過下述方式來使轉(zhuǎn)換元件12單個(gè)化，S卩，相繼地形成雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’、半導(dǎo)體膜124’和雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’，然后相繼地對(duì)這些膜進(jìn)行干式蝕刻。通過相繼地形成雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’、半導(dǎo)體膜124’和雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’，可獲得下述轉(zhuǎn)換元件，在所述轉(zhuǎn)換元件中，雜質(zhì)半導(dǎo)體層123與半導(dǎo)體層124之間以及半導(dǎo)體層124與雜質(zhì)半導(dǎo)體層125之間的各界面處的結(jié)晶狀態(tài)更加令人滿意。以下將參照?qǐng)D13A至圖13J來描述制造根據(jù)第七實(shí)施例的檢測(cè)器件的方法。圖13A、圖13C、圖13E、圖13G和圖131是相繼的操作中所使用的光掩模的掩模圖案的示意性平面圖。圖13B、圖13D、圖13F、圖13H和圖13J是相繼的操作中的、在與圖12A中的線C-C'對(duì)應(yīng)的位置處截取的示意性截面圖。省略與前述實(shí)施例中描述的操作相同的操作的詳細(xì)描述。具體地講，因?yàn)橹钡叫纬傻谝浑姌O122為止的操作都與以上參照?qǐng)D2A至圖2F描述的這些操作相同，所以描述后面的操作。在圖13B所示的操作中，通過等離子體CVD將與作為雜質(zhì)的五價(jià)元素(比如，磷)混合的非晶硅膜形成為第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’來覆蓋絕緣構(gòu)件121和第一電極122。然后，通過等離子體CVD依次形成由非晶硅膜制成的半導(dǎo)體膜124’和第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’(S卩，與作為雜質(zhì)的三價(jià)元素(比如，硼)混合的非晶硅膜)。在本實(shí)施例中，層間絕緣層120被絕緣構(gòu)件121和第一電極122覆蓋，以提供當(dāng)形成變?yōu)榈谝粚?dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體層123的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’時(shí)層間絕緣層120的表面不曝露的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)可防止有機(jī)材料分散以及有機(jī)材料混合到第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜中。接著，通過濺射形成透明導(dǎo)電氧化物膜來覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’，然后通過使用圖13A所示的掩模來對(duì)該透明導(dǎo)電氧化物膜進(jìn)行濕式蝕刻，從而形成轉(zhuǎn)換元件12的第二電極126。此外，通過下述方式針對(duì)每個(gè)像素隔離轉(zhuǎn)換元件12，S卩，通過使用與圖13A所示的掩模相同的掩模進(jìn)行干式蝕刻來移除雜質(zhì)半導(dǎo)體膜125’、半導(dǎo)體膜124’和雜質(zhì)半導(dǎo)體膜123’。隔離的轉(zhuǎn)換元件12中包括雜質(zhì)半導(dǎo)體層125、半導(dǎo)體層124和雜質(zhì)半導(dǎo)體層123。接著，在圖13D所示的操作中，通過等離子體CVD形成由無機(jī)材料(比如，氮化硅膜)制成的絕緣膜來覆蓋轉(zhuǎn)換元件12和絕緣構(gòu)件121。當(dāng)形成該絕緣膜時(shí)，層間絕緣層120沒有曝露，并且可防止周圍層被有機(jī)材料污染。然后通過使用圖13C所示的掩模對(duì)該絕緣膜進(jìn)行干式蝕刻，從而形成絕緣層127。
接著，在圖13F所示的操作中，將作為具有感光性的有機(jī)材料的丙烯酸樹脂形成為層間絕緣膜來覆蓋第二電極126和絕緣層127。然后通過使用圖13E所示的掩模來形成具有接觸孔的層間絕緣層128。接著，在圖13H所示的操作中，通過濺射形成透明導(dǎo)電氧化物膜。然后通過使用圖13G所示的掩模來對(duì)該透明導(dǎo)電氧化物膜進(jìn)行濕式蝕刻，從而形成導(dǎo)電層129。接著，在圖13J所示的操作中，通過濺射形成由例如Al制成的、變?yōu)殡姌O配線14的導(dǎo)電膜。此外，通過使用圖131所示的掩模對(duì)該導(dǎo)電膜進(jìn)行濕式蝕刻，從而形成電極配線14。通過該操作，電極配線14和轉(zhuǎn)換元件12的第二電極126通過導(dǎo)電層129彼此電連接。在這個(gè)時(shí)候，可通過使用透明導(dǎo)電氧化物形成導(dǎo)電層129來抑制開口率的減小。然后，形成鈍化層155來覆蓋電極配線14、導(dǎo)電層129和層間絕緣層128，由此獲得圖12B所示的結(jié)構(gòu)。雖然第七實(shí)施例中的像素之間的上述結(jié)構(gòu)與第二實(shí)施例中的該結(jié)構(gòu)類似，但是第七實(shí)施例可毫無問題地被修改為具有與第四實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)類似的結(jié)構(gòu)。在這樣的情況下，在沿著圖12A中的線C-C'截取的截面處獲得圖12C所示的結(jié)構(gòu)。而且，如圖12D所示，電極配線14可設(shè)置在像素之間。在這樣的情況下，因?yàn)橛衫鏏l制成的電極配線14設(shè)置在像素之間，所以可提供電極配線14，而不減小開口率。因?yàn)殡姌O配線14如網(wǎng)格(grid)那樣工作，所以可改善MTF (調(diào)制傳遞函數(shù))。因?yàn)槠珘弘妱?shì)Vs不僅可沿如在圖紙中所看到的垂直方向供給，而且還可沿左方向和右方向供給，所以可防止可歸因于偏壓電勢(shì)供給延遲的圖像不均勻性等的產(chǎn)生。應(yīng)用例子以下將參照?qǐng)D14來描述使用根據(jù)實(shí)施例的檢測(cè)器件的放射線檢測(cè)系統(tǒng)。由作為放射源的X射線管6050產(chǎn)生的X射線6060通過患者或受檢查者6061的胸部6062，并且進(jìn)入包括在放射線檢測(cè)器件6040中的轉(zhuǎn)換部分3 (參見圖3)中的轉(zhuǎn)換元件12。入射在轉(zhuǎn)換元件12上的X射線包括關(guān)于患者6061身體內(nèi)部的信息。當(dāng)X射線入射時(shí)，放射線在轉(zhuǎn)換部分3中被轉(zhuǎn)換為電荷，從而獲得電信息。該電信息被轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，并且在圖像處理器6070 (其為信號(hào)處理單元的例子)中經(jīng)過圖像處理，以使得可在控制室中的顯示器6080 (其為顯示單元的例子)上觀察該信息。所獲得的信息可通過發(fā)送處理單元(比如，電話線6090)被傳送到遠(yuǎn)程位置，或者可顯示在顯示器6081 (其為顯示單元的另一個(gè)例子)上，或者可存儲(chǔ)在醫(yī)生室中等另一個(gè)位置處的記錄單元(比如，光盤)中，以使得遠(yuǎn)程位置處的或醫(yī)生室中的醫(yī)生可進(jìn)行診斷。作為替代方案，所獲得的信息還可被膠片處理器6100記錄在作為記錄介質(zhì)的膠片6110上，膠片處理器6100是記錄單元的另一個(gè)例子。雖然已參照示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是要理解本發(fā)明不限于所公開的示 例性實(shí)施例。所附權(quán)利要求的范圍應(yīng)被賦予最寬泛的解釋，以涵蓋所有這樣的修改以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。
權(quán)利要求
1.一種制造檢測(cè)器件的方法，所述檢測(cè)器件包括排列在基板上的多個(gè)像素，并且還包括層間絕緣層，所述像素各自包括開關(guān)元件和轉(zhuǎn)換元件，所述開關(guān)元件設(shè)置在所述基板上，所述轉(zhuǎn)換元件包括設(shè)置在電極上的雜質(zhì)半導(dǎo)體層，所述電極設(shè)置在所述開關(guān)元件之上，針對(duì)每個(gè)像素被隔離，并且由與所述開關(guān)元件接合的透明導(dǎo)電氧化物制成，所述層間絕緣層由有機(jī)材料制成，設(shè)置在所述基板與多個(gè)所述電極之間，并且覆蓋所述開關(guān)元件，所述方法包括 形成所述電極和絕緣構(gòu)件，所述電極與所述層間絕緣層接觸，所述絕緣構(gòu)件均由無機(jī)材料制成，并且被設(shè)置為覆蓋所述電極中的相鄰兩個(gè)之間的層間絕緣層；和 形成雜質(zhì)半導(dǎo)體膜，所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜覆蓋所述絕緣構(gòu)件和所述電極，并且變?yōu)樗鲭s質(zhì)半導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造檢測(cè)器件的方法，其中，形成所述電極包括形成由無機(jī)材料制成并且覆蓋所述層間絕緣層的絕緣膜；從所述絕緣膜形成所述絕緣構(gòu)件；形成覆蓋所述層間絕緣層和所述絕緣構(gòu)件的透明導(dǎo)電氧化物膜；以及從所述透明導(dǎo)電氧化物膜形成所述電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造檢測(cè)器件的方法，其中，形成所述電極包括形成覆蓋所述層間絕緣層的透明導(dǎo)電氧化物膜；從所述透明導(dǎo)電氧化物膜形成所述電極；形成由無機(jī)材料制成并且覆蓋所述層間絕緣層和所述電極的絕緣膜；以及從所述絕緣膜形成所述絕緣構(gòu)件。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造檢測(cè)器件的方法，還包括移除所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜的在所述絕緣構(gòu)件上方的一部分，從而形成所述雜質(zhì)半導(dǎo)體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造檢測(cè)器件的方法，其中，形成雜質(zhì)半導(dǎo)體膜還包括形成覆蓋所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜的半導(dǎo)體膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造檢測(cè)器件的方法，其中，移除所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜的一部分包括移除所述絕緣構(gòu)件上方的所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜的一部分和所述半導(dǎo)體膜的一部分，從而分別從所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜形成所述雜質(zhì)半導(dǎo)體層和從所述半導(dǎo)體膜形成所述轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造檢測(cè)器件的方法，其中，移除所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜的一部分還包括形成覆蓋所述雜質(zhì)半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造檢測(cè)器件的方法，其中，移除所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜的一部分包括移除所述絕緣構(gòu)件上方的所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜和所述半導(dǎo)體膜，從而分別從所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜形成所述雜質(zhì)半導(dǎo)體層和從所述半導(dǎo)體膜形成所述轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造檢測(cè)器件的方法，還包括在形成前述半導(dǎo)體膜之前，形成具有比前述半導(dǎo)體膜高的氫濃度的半導(dǎo)體膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造檢測(cè)器件的方法，還包括 形成雜質(zhì)半導(dǎo)體膜，所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜具有與前述雜質(zhì)半導(dǎo)體層的導(dǎo)電類型不同的導(dǎo)電類型，并且覆蓋所述半導(dǎo)體膜； 形成導(dǎo)電膜，所述導(dǎo)電膜覆蓋所述不同的導(dǎo)電類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體層，并且變?yōu)樗鲛D(zhuǎn)換元件的對(duì)置電極，該電極不同于之前所述的電極；和 在下述位置處形成與所述導(dǎo)電膜接合的電極配線，在所述位置，所述電極配線的正交投影圖像與所述絕緣構(gòu)件重疊。
11.一種檢測(cè)器件，包括 基板； 多個(gè)像素，所述多個(gè)像素排列在所述基板上，所述像素各自包括開關(guān)元件和轉(zhuǎn)換元件，所述開關(guān)元件設(shè)置在所述基板上，所述轉(zhuǎn)換元件包括設(shè)置在電極上的雜質(zhì)半導(dǎo)體層，所述電極設(shè)置在所述開關(guān)元件之上，針對(duì)每個(gè)像素被隔離，并且由與所述開關(guān)元件接合的透明導(dǎo)電氧化物制成； 層間絕緣層，所述層間絕緣層由有機(jī)材料制成，設(shè)置在多個(gè)所述開關(guān)元件與多個(gè)所述電極之間，并且覆蓋所述開關(guān)元件；和 絕緣構(gòu)件，所述絕緣構(gòu)件均由無機(jī)材料制成，設(shè)置在所述層間絕緣層上而覆蓋設(shè)置在所述層間絕緣層上且與所述層間絕緣層接觸的所述電極中的相鄰兩個(gè)之間的層間絕緣層，通過在每個(gè)所述絕緣構(gòu)件上方的位置處分離形成在所述絕緣構(gòu)件和所述電極上方的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜，形成所述雜質(zhì)半導(dǎo)體層。
12.—種檢測(cè)系統(tǒng)，包括 根據(jù)權(quán)利要求11所述的檢測(cè)器件； 信號(hào)處理單元，所述信號(hào)處理單元被配置為處理來自所述檢測(cè)器件的信號(hào)； 記錄單元，所述記錄單元被配置為記錄來自所述信號(hào)處理單元的信號(hào)； 顯示單元，所述顯示單元被配置為顯示來自所述信號(hào)處理單元的信號(hào)；和 發(fā)送處理單元，所述發(fā)送處理單元被配置為發(fā)送來自所述信號(hào)處理單元的信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種檢測(cè)器件制造方法、檢測(cè)器件和檢測(cè)系統(tǒng)。在制造檢測(cè)器件的方法中，所述檢測(cè)器件包括排列在基板上的多個(gè)像素，并且還包括層間絕緣層，所述像素各自包括開關(guān)元件和轉(zhuǎn)換元件，所述轉(zhuǎn)換元件包括設(shè)置在電極上的雜質(zhì)半導(dǎo)體層，所述電極設(shè)置在所述開關(guān)元件之上，針對(duì)每個(gè)像素被隔離，并且由與所述開關(guān)元件接合的透明導(dǎo)電氧化物制成，所述層間絕緣層由有機(jī)材料制成，設(shè)置在所述開關(guān)元件與所述電極之間，并且覆蓋所述開關(guān)元件，所述方法包括形成絕緣構(gòu)件，所述絕緣構(gòu)件均由無機(jī)材料制成，并且被設(shè)置為與層間絕緣層接觸地覆蓋所述電極中的相鄰兩個(gè)之間的層間絕緣層；和形成雜質(zhì)半導(dǎo)體膜，所述雜質(zhì)半導(dǎo)體膜覆蓋所述絕緣構(gòu)件和所述電極，并且變?yōu)樗鲭s質(zhì)半導(dǎo)體層。
文檔編號(hào)H01L27/146GK102810547SQ201210168410
公開日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月31日
發(fā)明者藤吉健太郎, 望月千織, 渡邊實(shí), 大藤將人, 橫山啟吾, 川鍋潤(rùn), 和山弘 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社