專(zhuān)利名稱(chēng)：復(fù)合襯底、其制造方法與發(fā)光組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域有關(guān)于一種復(fù)合襯底、其制造方法與發(fā)光組件，尤其涉及一種具有緩沖層的復(fù)合襯底、其制造方法與發(fā)光組件。
背景技術(shù)：
光電組件屬于國(guó)內(nèi)近年來(lái)的明星產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體、發(fā)光二極管的產(chǎn)值高居世界前端，例如氮化鎵系化合物半導(dǎo)體材料可應(yīng)用于做為短波長(zhǎng)發(fā)光組件的半導(dǎo)體材料而受到快速研發(fā)。氮化鎵(GaN)系化合物半導(dǎo)體主要以藍(lán)寶石單晶作為為襯底，于其上藉由金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法(metal-organic chemical vapor deposition, M0CVD,又稱(chēng)為有機(jī)金屬化學(xué)汽相淀積)或分子束魚(yú)晶法(molecular beam epitaxy, MBE,又稱(chēng)為分子束外延)等方法而形成多層結(jié)構(gòu)。具體而言，在藍(lán)寶石襯底上先形成緩沖層，再依序壘晶成長(zhǎng)η型GaN層、InGaN (氮化銦鎵)發(fā)光層、P型GaN層的壘晶結(jié)構(gòu)，即可制作出發(fā)光二極管。值得說(shuō)明的是，壘晶結(jié)構(gòu)與襯底之間的緩沖層可以改善壘晶結(jié)構(gòu)的質(zhì)量，進(jìn)而提高半導(dǎo)體發(fā)光組件的發(fā)光效率。在現(xiàn)有技術(shù)中，緩沖層大多以金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法所制作，例如將有機(jī)金屬與一氮來(lái)源在前述襯底上反應(yīng)以生長(zhǎng)出氮化物半導(dǎo)體，但金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法系屬于高溫工藝，故其工藝能源的消耗及設(shè)備的損耗相當(dāng)大；另外，在實(shí)際的工藝中，金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法較難成長(zhǎng)氮化鎵材質(zhì)的緩沖層，也較難掌握氮化鎵材質(zhì)的緩沖層的質(zhì)量，故對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光組件的質(zhì)量/特性造成影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種復(fù)合襯底的制造方法，其主要是將原子層沉積工藝/等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝導(dǎo)入緩沖層的制作，并揭露最佳化的工藝條件，故在具體實(shí)施例中，本發(fā)明制作出良好質(zhì)量的氮化物緩沖層，并可利用所述復(fù)合襯底制造特性較佳的半導(dǎo)體發(fā)光組件。本發(fā)明實(shí)施例系提供一種復(fù)合襯底的制造方法，包含以下步驟:提供一襯底；交替地提供一含第三族元素前驅(qū)物與一含氮前驅(qū)物于該襯底上，以原子層沉積工藝及等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝的其中之一在該襯底上形成一氮化物緩沖層；以及在溫度300°C至1600°C的范圍下對(duì)該氮化物緩沖層執(zhí)行一退火步驟。本發(fā)明實(shí)施例系提供一種復(fù)合襯底，其包括:一襯底及一沉積于該襯底的一表面上的氮化物緩沖層，其中氮化物緩沖層系以原子層沉積工藝及等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝的其中之一所形成，之后經(jīng)過(guò)一退火步驟處理所得。本發(fā)明實(shí)施例系提供一種發(fā)光組件，包含:一復(fù)合襯底,該復(fù)合襯底包括一襯底及一沉積于該襯底的一表面上的氮化物緩沖層，其中氮化物緩沖層系以原子層沉積工藝及等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝的其中之一所形成， 之后經(jīng)過(guò)一退火步驟處理所得；以及一形成于該復(fù)合襯底的該氮化物緩沖層上的壘晶結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明具有以下有益的效果:本發(fā)明可利用原子層沉積工藝/等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝的工藝特性，在低溫下沉積氮化物以作為緩沖層，藉由原子層沉積工藝的自限成膜及逐層成長(zhǎng)的方式沉積出高質(zhì)量、高穩(wěn)定性、高均勻性之氮化物薄膜，并應(yīng)用襯底及氮化物緩沖層所構(gòu)成的復(fù)合襯底制作半導(dǎo)體發(fā)光組件，進(jìn)以提高半導(dǎo)體發(fā)光組件的特性。為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。


圖1系顯示本發(fā)明所述復(fù)合襯底的示意圖。圖2系顯示本發(fā)明所述發(fā)光組件的示意圖。圖3系顯示本發(fā)明所述三乙基鎵的曝氣時(shí)間與單一原子層沉積循環(huán)的成長(zhǎng)速率的實(shí)驗(yàn)曲線。圖4系顯示本發(fā)明所述氫氣流量與單一原子層沉積循環(huán)的成長(zhǎng)速率的實(shí)驗(yàn)曲線。圖5系顯示本發(fā)明所述氨氣流量與單一原子層沉積循環(huán)的成長(zhǎng)速率的實(shí)驗(yàn)曲線。

圖6A系顯示本發(fā)明所述氮化鎵緩沖層成長(zhǎng)在(100)硅襯底上，襯底溫度由200°C變化至500°C的沉積速率圖。圖6B系顯示本發(fā)明所述氮化鎵緩沖層成長(zhǎng)在(111)硅襯底上，襯底溫度由200°C變化至500°C的沉積速率圖。圖6C系顯示本發(fā)明所述氮化鎵緩沖層成長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底上，襯底溫度由200°C變化至500°C的沉積速率圖。圖7A系顯示本發(fā)明所述氮化鎵緩沖層在(100)硅襯底上，襯底溫度由200°C變化至500°C的低掠角X光繞射圖。圖7B系顯示本發(fā)明所述氮化鎵緩沖層在(111)硅襯底上，襯底溫度由200°C變化至500°C的低掠角X光繞射圖。圖7C系顯示本發(fā)明所述氮化鎵緩沖層在藍(lán)寶石襯底上，襯底溫度由200°C變化至500°C的低掠角X光繞射圖。圖8A系顯示本發(fā)明所述氮化鎵緩沖層中鎵的漫系光譜軌道的X-光光電子能譜圖。圖SB系顯示本發(fā)明所述氮化鎵緩沖層中氮的銳系光譜軌道的X-光光電子能譜圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明
10、襯底；101、表面；11、氮化物緩沖層；12、壘晶結(jié)構(gòu)；
121、第一型半導(dǎo)體層；122、發(fā)光層；123、第二型半導(dǎo)體層；
13、第一電極；14、第二電極。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的復(fù)合襯底、其制造方法與發(fā)光組件的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明所提出的復(fù)合襯底可以供一半導(dǎo)體組件，例如發(fā)光二極管、激光二極管、光偵測(cè)器進(jìn)行壘晶之用，而本發(fā)明所提出的復(fù)合襯底的制造方法系采用低溫工藝在襯底上形成緩沖層，而所形成的緩沖層本質(zhì)上為多層原子層結(jié)構(gòu)，其具有排列致密、均勻度高等的優(yōu)點(diǎn)。請(qǐng)參考圖1，本發(fā)明所提出的復(fù)合襯底的制造方法至少包括以下步驟:
步驟一:提供一襯底10。所述襯底10的材料可以是藍(lán)寶石(sapphire)、硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、砷化鎵(GaAs)、鋁鎂酸鈧(ScAlMg04)、氧化銅鍶(SrCu2O2 )、鎵酸鋰(LiGaO2 )、偏招酸鋰(LiAlO2 )、氧化乾穩(wěn)定氧化錯(cuò)(Yttria-StabilizedZirconia，YSZ)、玻璃或其它商用供壘晶用的襯底。步驟二:交替地提供一含第三族元素前驅(qū)物(precursor)與一含氮(N)前驅(qū)物于襯底10上，以原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)工藝及等離子體增強(qiáng)型原子層沉積(plasma-enhanced atomic layer deposition, PEALD)工藝的其中之一，在襯底10上形成一氮化物緩沖層11。在此步驟中，主要是利用原子層沉積或等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝，在襯底10的表面101上形成氮化物緩沖層11 ;其中原子層沉積工藝又可稱(chēng)做加熱式原子層沉積工藝(thermal mode ALD),其主要利用熱動(dòng)能驅(qū)動(dòng)前驅(qū)物進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)；而等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝則又稱(chēng)做等離子體輔助原子層沉積工藝(plasma-assisted atomic layer deposition),其主要導(dǎo)入等離子體作為化學(xué)反應(yīng)的能量來(lái)源。但不論兩者其中的差異，本發(fā)明主要利用原子層沉積或等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝所提供的低溫反應(yīng)條件來(lái)節(jié)省能源消耗，并增進(jìn)設(shè)備的妥善率；且利用原子層沉積工藝/等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝的自限成膜(self-limiting growth)及逐層成長(zhǎng)(layer-by-layer growth)的特點(diǎn)，使得原子層沉積工藝/等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝可以在每次原子層沉積循環(huán)(ALD cycle)中，只成長(zhǎng)單層原子層(monolayer),故可在大面積工藝中形成無(wú)孔洞結(jié)構(gòu)且均勻度良好的薄膜質(zhì)量，且工藝具有極高的再現(xiàn)性及穩(wěn)定性。一般而言，原子層沉積工藝/等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝需交替通入兩種前驅(qū)物，并在通入兩前驅(qū)物之間施以注入惰性氣體及泵浦抽氣，將未反應(yīng)的前驅(qū)物以及副產(chǎn)物帶離腔體，且通入的第一前驅(qū)物具有高度的活性，使其進(jìn)行化學(xué)吸附(chemicaladsorption)于襯底10的表面101,并可和第二前驅(qū)物進(jìn)行反應(yīng)。以本發(fā)明所述氮化物緩沖層11為例，原子層沉積工藝/等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝在一個(gè)原子層沉積循環(huán)(ALD cycle)中的反應(yīng)步驟可包括以下:
S1:將含氮前驅(qū)物(又稱(chēng)先驅(qū)物)注入反應(yīng)腔體，如氨氣(NH3),含氮前驅(qū)物可吸附于襯底10的表面101,而在襯底10的表面101形成單一層NH基,其曝氣時(shí)間可為0.1秒。由于含氮前驅(qū)物的吸附反應(yīng)具有自我限制(self-limiting)的特性，使過(guò)多的含氮前驅(qū)物不會(huì)吸附于襯底10的表面101，被泵浦的抽氣帶離開(kāi)反應(yīng)腔體。S2:通入載送氣體將多余未吸附于襯底10的表面101的含氮前驅(qū)物分子抽走，所述載送氣體可為高純度的氬氣或是氮?dú)獾鹊龋瞬襟E的吹氣(purge)時(shí)間可為2-10秒，故可藉由持續(xù)注入惰性氣體及泵浦抽氣，將未反應(yīng)的含氮前驅(qū)物，以及含氮前驅(qū)物與襯底10反應(yīng)所生成的副產(chǎn)物帶離腔體。S3:將含第三族元素前驅(qū)物注入反應(yīng)腔體，如三乙基鎵(Triethyl Gallium, Ga(C2H5)3)分子，含第三族元素前驅(qū)物會(huì)與吸附于襯底10的單一層NH基進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，其曝氣時(shí)間可為0.1秒，副產(chǎn)物為有機(jī)分子?；瘜W(xué)反應(yīng)生成單原子層的氮化物緩沖層11 (即氮化鎵層)，且該單原子層的表面上則可形成在下一次原子層沉積循環(huán)中與含氮前驅(qū)物反應(yīng)的新表面。S4:如同步驟S2，持續(xù)注入惰性氣體及泵浦抽氣，將未反應(yīng)的含第三族元素前驅(qū)物以及反應(yīng)的副產(chǎn)物帶離腔體。因此，藉由交替地提供含第三族元素前驅(qū)物與含氮前驅(qū)物于襯底10上，即可藉由控制氮化物緩沖層11的原子層沉積循環(huán)的次數(shù)，以精準(zhǔn)地控制氮化物緩沖層11的厚度，更可藉由此逐層成長(zhǎng)(layer-by-layer)的方式，以達(dá)到高質(zhì)量、高穩(wěn)定性、高均勻性的薄膜。如同前述，在一具體實(shí)施例中，氮化物緩沖層11系為氮化鎵(GaN)層，而含第三族兀素前驅(qū)物系為三甲基嫁(Trimethyl Gallium, TMGa)、三乙基嫁(Triethyl Gallium，TEGa)、三溴化嫁(Gallium Tribromide,GaBr3)、三氯化嫁(Gallium Trichloride,GaCl3)>三異丙基嫁(Triisopropyl Gallium)或三(二甲基酸氨基)嫁(Tris (Dimethylamido)Gallium)等等，該含氮前驅(qū)物系為氨氣(NH3)、氨氣等離子體或氮?dú)馀c氫氣(N2+H2)等離子體等等。
在另一具體實(shí)施例中，氮化物緩沖層11系為氮化鋁(AlN)層，而含第三族元素前驅(qū)物系為仲丁醇招(Aluminum sec-butoxide)、溴化招(Aluminum tribromide)、氯化招(Aluminum trichloride)、乙酉享二乙基招(Diethyl Aluminum ethoxide)、三(乙基甲基氨基)招(Tris (ethylmethylamido) Aluminum)、三乙基招(Triethyl Aluminum)、三異丁基招(Triisobutyl Aluminum)、三甲基招(Trimethyl Aluminum)、三(二乙基氨基)招(Tris(diethylamido)Aluminum)或三(二甲基氨基)In Tris (dimethylamino)Aluminum 等等，該含氮前驅(qū)物系為氨氣、氨氣等離子體或氮?dú)馀c氫氣(N2+H2)等離子體等等。在又一具體實(shí)施例中，氮化物緩沖層11系為氮化銦(InN)層，而含第三族元素前驅(qū)物系為三甲基銦(Trimethyl Indium, TMIn )、乙酰丙酮銦(Indium (III)acetylacetonate)、氯化亞銦(Indium (I)chloride)、醋酸銦水合物(Indium (III )acetatehydrate)、氯化銦(Indium (II) chloride)或醋酸銦(Indium (III) acetate)等等，該含氮前驅(qū)物系為氨氣、氨氣等離子體或氮?dú)馀c氫氣(N2+H2)等離子體等等。步驟三:在溫度300°C至1600°C的范圍下對(duì)氮化物緩沖層11執(zhí)行一退火步驟。其較佳的條件為在400°C至1200°C的溫度范圍下對(duì)氮化物緩沖層11執(zhí)行退火，以提高氮化物緩沖層11的結(jié)晶特性。以下本發(fā)明將針對(duì)氮化物緩沖層11為氮化鎵(GaN)進(jìn)行具體的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)說(shuō)明，而在以下的實(shí)驗(yàn)中，主要是采用等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝，其中襯底10系選用(100)硅襯底、(111)硅襯底及藍(lán)寶石襯底。100、111表示硅片晶體的參考面規(guī)定取向，(100)硅就是參考面規(guī)定取向?yàn)?00的硅片，(111)硅就是參考面規(guī)定取向?yàn)?11的硅片。第三族元素前驅(qū)物系為三乙基鎵[Triethyl Gallium，TEGa，化學(xué)式為Ga (C2H5) 3]，而氮前驅(qū)物則為氨氣(NH3),且通入氫氣來(lái)幫助化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行，具體的工藝條件可參考下表:
權(quán)利要求
1.一種復(fù)合襯底的制造方法，其特征在于，包含以下步驟: 提供一襯底； 交替地提供一含第三族元素前驅(qū)物與一含氮前驅(qū)物于該襯底上，以原子層沉積工藝及等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝的其中之一在該襯底上形成一氮化物緩沖層；以及 對(duì)該氮化物緩沖層執(zhí)行一退火步驟。
2.如權(quán)利要求1所述復(fù)合襯底的制造方法，其特征在于，該襯底系為藍(lán)寶石襯底、硅襯底、碳化硅襯底、氮化鎵襯底、氧化鋅襯底、砷化鎵襯底、鋁鎂酸鈧襯底、氧化銅鍶襯底、鎵酸鋰襯底、偏鋁酸鋰襯底、氧化釔穩(wěn)定氧化鋯襯底或玻璃襯底，在形成氮化物緩沖層的步驟中，系將該襯底加熱至200°C至500°C的范圍。
3.如權(quán)利要求1所述復(fù)合襯底的制造方法，其特征在于，在交替地提供一含第三族元素前驅(qū)物與一含氮前驅(qū)物于該襯底上的步驟中，該第三族元素前驅(qū)物系為仲丁醇鋁、溴化招、氣化招、乙醇二乙基招、二(乙基甲基氣基)招、二乙基招、二異丁基招、二甲基招、二 (二乙基氨基)鋁或三(二甲基氨基)鋁，該氮前驅(qū)物系為氨氣、氨氣等離子體或氮?dú)馀c氫氣等離子體。
4.如權(quán)利要求1所述復(fù)合襯底的制造方法，其特征在于，在交替地提供一含第三族元素前驅(qū)物與一含氮前驅(qū)物于該襯底上的步驟中，該第三族元素前驅(qū)物系為三甲基鎵、三乙基鎵、三溴化鎵、三氯化鎵、三異丙基鎵或三(二甲基酰氨基)鎵，該氮前驅(qū)物系為氨氣、氨氣等離子體或氮?dú)馀c氫氣等離子體。
5.如權(quán)利要求1所述復(fù)合襯底的制造方法，其特征在于，在交替地提供一含第三族元素前驅(qū)物與一含氮前驅(qū)物于該襯底上的步驟中，該第三族元素前驅(qū)物系為三甲基銦、乙酰丙酮銦、氯化亞銦、醋酸銦水合物、氯化銦或醋酸銦，該氮前驅(qū)物系為氨氣、氨氣等離子體或氮?dú)馀c氫氣等離子體。
6.如權(quán)利要求1所述復(fù)合襯底的制造方法，其特征在于，該退火步驟系在溫度300°C至1600°C的范圍下對(duì)該氮化物緩沖層所執(zhí)行。
7.如權(quán)利要求1所述復(fù)合襯底的制造方法，其特征在于，該退火步驟系在溫度400°C至1200°C的范圍下對(duì)該氮化物緩沖層所執(zhí)行。
8.如權(quán)利要求3、4或5所述復(fù)合襯底的制造方法，其特征在于，在交替地提供一第三族元素前驅(qū)物與一氮前驅(qū)物于該襯底上的步驟中，通入氨氣的流量系為15至45標(biāo)況毫升每分。
9.如權(quán)利要求8所述復(fù)合襯底的制造方法，其特征在于，在交替地提供一第三族元素前驅(qū)物與一氮前驅(qū)物于該襯底上的步驟中，進(jìn)一步包括通入氫氣，而通入氫氣的流量系為大于O、小于10標(biāo)況毫升每分。
10.如權(quán)利要求8所述復(fù)合襯底的制造方法，其特征在于，在交替地提供一第三族元素前驅(qū)物與一氮前驅(qū)物于該襯底上的步驟中，該第三族元素前驅(qū)物的曝氣時(shí)間系介于0.03至0.25秒之間。
11.一種復(fù)合襯底，其包括: 一襯底及一沉積于該襯底的一表面上的氮化物緩沖層，其特征在于，氮化物緩沖層系以原子層沉積工藝及等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝的其中之一所形成。
12.如權(quán)利要求11所述復(fù)合襯底，其特征在于，該氮化物緩沖層系為一氮化鋁層，其系交替地提供一含第三族元素前驅(qū)物與一含氮前驅(qū)物于該襯底上所沉積者，該第三族元素前驅(qū)物系為仲丁醇鋁、溴化鋁、氯化鋁、乙醇二乙基鋁、三(乙基甲基氨基)鋁、三乙基鋁、三異丁基鋁、三甲基鋁、三(二乙基氨基)鋁或三(二甲基氨基)鋁，該氮前驅(qū)物系為氨氣、氨氣等離子體或氮?dú)馀c氫氣等離子體。
13.如權(quán)利要求11所述復(fù)合襯底，其特征在于，該氮化物緩沖層系為一氮化鎵層，其系交替地提供一含第三族元素前驅(qū)物與一含氮前驅(qū)物于該襯底上所沉積者，該第三族元素前驅(qū)物系為三甲基鎵、三乙基鎵、三溴化鎵、三氯化鎵、三異丙基鎵或三(二甲基酰氨基)鎵，該氮前驅(qū)物系為氨氣、氨氣等離子體或氮?dú)馀c氫氣等離子體。
14.如權(quán)利要求11所述復(fù)合襯底，其特征在于，該氮化物緩沖層系為一氮化銦層，其系交替地提供一含第三族元素前驅(qū)物與一含氮前驅(qū)物于該襯底上所沉積者，該第三族元素前驅(qū)物系為三甲基銦、乙酰丙酮銦、氯化亞銦、醋酸銦水合物、氯化銦或醋酸銦，該氮前驅(qū)物系為氨氣、氨氣等離子體或氮?dú)馀c氫氣等離子體。
15.如權(quán)利要求12、13或14所述復(fù)合襯底，其特征在于，該襯底系為藍(lán)寶石襯底、硅襯底、碳化硅襯底、氮化鎵襯底、氧化鋅襯底、砷化鎵襯底、鋁鎂酸鈧襯底、氧化銅鍶襯底、鎵酸鋰襯底、偏鋁酸鋰襯底、氧化釔穩(wěn)定氧化鋯襯底或玻璃襯底。
16.一種發(fā)光組件，包含: 一復(fù)合襯底，該復(fù)合襯底包括一襯底及一沉積于該襯底的一表面上的氮化物緩沖層，其特征在于，氮化物緩沖層系以原子層沉積工藝及等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝的其中之一所形成；以及 一形成于該復(fù)合襯底的該氮化物緩沖層上的壘晶結(jié)構(gòu)。
17.如權(quán)利要求16所述發(fā)光組件，其特征在于，該氮化物緩沖層系為一氮化鋁層，其系交替地提供一含第三族元素前驅(qū)物與一含氮前驅(qū)物于該襯底上所沉積者，該第三族元素前驅(qū)物系為仲丁醇鋁、溴化鋁、氯化鋁、乙醇二乙基鋁、三(乙基甲基氨基)鋁、三乙基鋁、三異丁基鋁、三甲基鋁、三(二乙基氨基)鋁或三(二甲基氨基)鋁，該氮前驅(qū)物系為氨氣、氨氣等離子體或氮?dú)馀c氫氣等離子體。
18.如權(quán)利要求16所述發(fā)光組件，其特征在于，該氮化物緩沖層系為一氮化鎵層，其系交替地提供一含第三族元素前驅(qū)物與一含氮前驅(qū)物于該襯底上所沉積者，該第三族元素前驅(qū)物系為三甲基鎵、三乙基鎵、三溴化鎵、三氯化鎵、三異丙基鎵或三(二甲基酰氨基)鎵，該氮前驅(qū)物系為氨氣、氨氣等離子體或氮?dú)馀c氫氣等離子體。
19.如權(quán)利要求16所述發(fā)光組件，其特征在于，該氮化物緩沖層系為一氮化銦層，其系交替地提供一含第三族元素前驅(qū)物與一含氮前驅(qū)物于該襯底上所沉積者，該第三族元素前驅(qū)物系為三甲基銦、乙酰丙酮銦、氯化亞銦、醋酸銦水合物、氯化銦或醋酸銦，該氮前驅(qū)物系為氨氣、氨氣等離子體或氮?dú)馀c氫氣等離子體。
20.如權(quán)利要求17、18或19所述發(fā)光組件，其特征在于，該襯底系為藍(lán)寶石襯底、硅襯底、碳化硅襯底、氮化鎵襯底、氧化鋅襯底、砷化鎵襯底、鋁鎂酸鈧襯底、氧化銅鍶襯底、鎵酸鋰襯底、偏鋁酸鋰襯底、氧化釔穩(wěn)定氧化鋯襯底或玻璃襯底。
21.如權(quán)利要求20所述發(fā)光組件，其特征在于，該壘晶結(jié)構(gòu)至少包括一設(shè)于該氮化物緩沖層上的第一型半導(dǎo)體層、一設(shè)于該第一型半導(dǎo)體層上之發(fā)光層及一設(shè)于該發(fā)光層上的第二型半導(dǎo)體層。
全文摘要
一種復(fù)合襯底的制造方法，包含以下步驟提供一襯底；交替地提供一含第三族元素前驅(qū)物與一含氮前驅(qū)物于該襯底上，以原子層沉積工藝及等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝的其中之一在該襯底上形成一氮化物緩沖層；以及在溫度300℃至1600℃的范圍下對(duì)該氮化物緩沖層執(zhí)行一退火步驟。
文檔編號(hào)H01L33/00GK103219434SQ201210161260
公開(kāi)日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2012年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月18日
發(fā)明者陳敏璋, 林明志, 徐文慶 申請(qǐng)人:陳敏璋, 昆山中辰矽晶有限公司