專利名稱：有機(jī)el 顯示器的修復(fù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)EL顯示器的修復(fù)方法。尤其是涉及ー種在有機(jī)EL顯示器的制造エ序中，在制造エ序中在像素電極中混入異物或在像素電極的表面附著異物時(shí)，對(duì)因該異物引起的產(chǎn)生短路的缺陷進(jìn)行修復(fù)的有機(jī)EL顯示器的修復(fù)方法。
背景技術(shù)：
近年來，利用了有機(jī)EL元件的自發(fā)光型的有機(jī)EL顯示器作為新一代顯示器備受 期待。有機(jī)EL顯示器為自發(fā)光方式，顯示明亮鮮明的圖像。因此，具有視角廣闊、應(yīng)答性高等優(yōu)異的特征。另外，由于不需要背光源，因此具有薄膜化簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。因此，有望在將來利用于大畫面TV等。構(gòu)成有機(jī)EL顯示器的有機(jī)EL元件形成于TFT基板上的絕緣膜的表面。所述有機(jī)EL元件具有配置于絕緣膜上的像素電極、配置于像素電極上的含有熒光分子的有機(jī)功能層和配置于有機(jī)功能層上的對(duì)置電扱。近年來，伴隨有機(jī)EL顯示器的大型化、高精細(xì)化，在TFT基板上的絕緣膜上形成像素電極時(shí)，在像素電極內(nèi)混入異物的概率變高。如果在像素電極內(nèi)混入異物，則在像素電極上形成有機(jī)功能層和對(duì)置電極時(shí)，像素電極和對(duì)置電極經(jīng)由異物電連接。因此，在流過電流時(shí)，因異物而引起短路。如果引起短路，則在該像素電極上的有機(jī)功能層中不會(huì)流過電流。因此，有機(jī)功能層不發(fā)光，混入了異物的像素成為缺陷像素。另外，由于短路，未能有助于發(fā)光的更多的電流在像素電極和對(duì)置電極之間流過。因此，有機(jī)EL元件的發(fā)光效率降低。因此，提出有各種各樣的方法，所述方法在電極等中混入異物時(shí)，除去該異物而對(duì)像素電極及有機(jī)功能層進(jìn)行修復(fù)。(例如，參照專利文獻(xiàn)1、2)。專利文獻(xiàn)I的修復(fù)方法如圖9所示。專利文獻(xiàn)I公開了使旋轉(zhuǎn)工具4與附著有異物2的電極墊I接觸來除去所述異物的方法。旋轉(zhuǎn)工具4在前端的表面具有粗糙化而成的研磨面3。另外，在專利文獻(xiàn)I中提出了一邊從設(shè)置于旋轉(zhuǎn)工具前端的研磨材料射出ロ噴射研磨液，一邊還用研磨液對(duì)電極墊進(jìn)行研磨，除去異物的方案。專利文獻(xiàn)2的修復(fù)方法如圖10所示。在專利文獻(xiàn)2中公開了由激光振蕩器6用激光7照射混入有機(jī)EL元件的有機(jī)層5的異物2，將異物2和其周圍的有機(jī)層一起除去，由此，修復(fù)像素。激光7根據(jù)異物的尺寸，用物鏡8等集中后，對(duì)異物2進(jìn)行照射。除此之外，已知有如下方法對(duì)異物的周圍照射激光等高能射線而電隔離異物的方法(例如，參照專利文獻(xiàn):T5);使用粘合劑剝離含有異物的像素的有機(jī)功能層，向該像素補(bǔ)充有機(jī)功能層的材料油墨的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)6);使像素中的異物附著在膠帶上，通過剝離膠帶從像素中除去異物的方法(例如，專利文獻(xiàn)7參照)；以及在有機(jī)發(fā)光層中的異物上進(jìn)ー步形成有機(jī)發(fā)光層或絕緣層的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)8)。專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開平4-367295號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本特開2004-119243號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 :日本特開2004-227852號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 :美國專利申請(qǐng)公開第2004/0202777號(hào)說明書專利文獻(xiàn)5 :美國專利申請(qǐng)公開第2004/0082252號(hào)說明書專利文獻(xiàn)6 :日本特開2011-48984號(hào)公報(bào)
·
專利文獻(xiàn)7 :美國專利第5902678號(hào)說明書專利文獻(xiàn)8 :日本特開2011-48984號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題但是，如圖11所示，專利文獻(xiàn)I的方法通過使所述旋轉(zhuǎn)工具與電極墊接觸來除去異物，因此，機(jī)械地破壞異物。由此，有可能在原先存在異物的場(chǎng)所10的周圍，在電極墊上以殘?jiān)男问綒埩粲裳心ザa(chǎn)生的異物的加工片9。如果研磨后在像素電極上有加工片的殘?jiān)鼤r(shí)，則該加工片成為異物，導(dǎo)致像素的缺陷。另外，通過研磨，有時(shí)會(huì)損傷像素電極的表面，像素電極的反射面變粗糙。如果在像素電極上有損傷，則在使有機(jī)功能層發(fā)光時(shí)，像素電極上的光的反射效率低下引起像素的亮度降低。在使用了研磨液的情況下，研磨液本身對(duì)像素電極產(chǎn)生影響，有可能降低電阻值等電極性能。另外，有機(jī)EL顯示器的像素電極的大小非常小，因此，難以應(yīng)用前端具有研磨面的旋轉(zhuǎn)工具。在專利文獻(xiàn)2的方法中，如圖12所示，異物的加工片9向經(jīng)激光照射的部分的周圍飛散，有可能成為異物而導(dǎo)致像素的缺陷。另外，有可能由于激光的熱而在用激光所除去的部分12的周圍形成毛刺(バリ)。該毛刺11成為缺陷的主要原因，簡(jiǎn)言之，成為與對(duì)置電極的接點(diǎn)，有可能產(chǎn)生短路。另外，由于激光的熱而對(duì)經(jīng)激光照射的部分的周圍造成損傷。本發(fā)明是為解決上述問題而完成的，其目的在于，提供一種有機(jī)EL顯示器的修復(fù)方法，所述方法在像素電極中混入異物或在像素電極的表面附著異物時(shí)，對(duì)異物的周圍部不會(huì)造成損傷等影響，能夠局部修復(fù)因異物導(dǎo)致的產(chǎn)生短路的缺陷。解決問題的方法為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供以下的有機(jī)EL顯示器的修復(fù)方法。[I] 一種有機(jī)EL顯示器的修復(fù)方法，其為能夠制造有機(jī)EL顯示器的有機(jī)EL顯示器的修復(fù)方法，所述有機(jī)EL顯示器具有含TFT的具有驅(qū)動(dòng)電路的基板，以及在所述基板上配置成矩陣狀的多個(gè)有機(jī)EL元件，且所述有機(jī)EL元件含有配置于所述基板上的像素電極、配置于像素電極上的有機(jī)層、以及配置于所述有機(jī)層上的對(duì)置電極，其特征在于，所述修復(fù)方法包括在所述基板上形成像素電極從而對(duì)應(yīng)于各有機(jī)EL元件的エ序；檢測(cè)混入到所述像素電極的異物的エ序；以及
將混入到所述像素電極的異物壓入(押し込む)所述像素電極的內(nèi)部的エ序。[2]如[I]所述的有機(jī)EL顯示器的修復(fù)方法，其中，針對(duì)混入到所述像素電極的異物，將前端為半球狀的微細(xì)的針(針)向下方壓下，使異物和像素電極的一部分一起塑性變形，將異物嵌入像素電極內(nèi)。[3]如[I]所述的有機(jī)EL顯示器的修復(fù)方法，其中，針對(duì)混入到所述像素電極的異物，一邊使輥旋轉(zhuǎn)，一邊將輥向基板整體推壓并使基板相對(duì)于輥相對(duì)移動(dòng)，使從像素電極突出(突出した)的異物塑性變形從而使像素電極表面平坦化。[4]如[1] [3]中任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示器的修復(fù)方法，其中，還含有在所述基板上形成絕緣膜的エ序，在所述基板上形成像素電極的エ序?yàn)樵谒鼋^緣膜上形成像素電極從而對(duì)應(yīng)于各有機(jī)EL元件的エ序?！ぐl(fā)明效果由于本發(fā)明在像素電極中混入了異物時(shí)，將異物壓入像素電極的內(nèi)部，因此，能夠簡(jiǎn)單地消除突出到像素電極表面的異物。另外，由于僅將異物壓入像素電極的內(nèi)部，因此，對(duì)異物的周圍部沒有產(chǎn)生損傷、不會(huì)在異物除去時(shí)產(chǎn)生加工片。因此，能夠進(jìn)行對(duì)周圍部沒有影響的局部修復(fù)。


圖I是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I中的壓入異物的微細(xì)的針的剖面圖；圖2(Ar(C)是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式I中壓入異物的狀態(tài)的剖面圖；圖3是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式2中配置于基板上的旋轉(zhuǎn)輥的立體圖；圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2中的旋轉(zhuǎn)輥和異物的剖面圖；圖5(A廣(C)是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式2中通過旋轉(zhuǎn)輥壓入異物的狀態(tài)的剖面圖；圖6是表示像素電極上的異物的剖面圖；圖7是在有異物的像素電極上形成有機(jī)層和對(duì)置電極時(shí)的剖面圖；圖8是表示在壓入異物后的像素電極上形成有機(jī)層和對(duì)置電極時(shí)的剖面圖；圖9是表示使用前端表面具有經(jīng)粗糙化的研磨面的旋轉(zhuǎn)工具來除去異物的現(xiàn)有的方法的圖；圖10是表示用激光除去異物的現(xiàn)有的方法的圖；圖11是表示通過現(xiàn)有的方法使用前端表面具有經(jīng)粗糙化的研磨面的旋轉(zhuǎn)工具來除去異物后的電極的圖；圖12是表示通過現(xiàn)有的方法用激光除去異物后的有機(jī)層的圖。符號(hào)說明I電極墊2 異物3研磨面4旋轉(zhuǎn)工具5、23 有機(jī)層
6激光振蕩器7 激光8 物鏡9加工片10原先存在異物的場(chǎng)所11 毛刺12用激光除去的部分21像素電極 22對(duì)置電極31針的前端部32壓碎而塑性變形的異物41旋轉(zhuǎn)輥51絕緣膜52TFT 基板
具體實(shí)施例方式以下，ー邊參照附圖ー邊對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。I、本發(fā)明的有機(jī)EL面板的修復(fù)方法本發(fā)明在制造特別是大畫面的有機(jī)EL顯示器時(shí)發(fā)揮效果。這是因?yàn)樵谥圃齑螽嬅娴挠袡C(jī)EL顯示器時(shí)，在像素電極中產(chǎn)生缺陷的可能性變高。如果異物混入到像素電極中，在像素電極和對(duì)置電極之間經(jīng)由異物產(chǎn)生短路，該像素不發(fā)光的可能性變大?；蛘?，由于漏電在電極間流過的電流量増大，而導(dǎo)致發(fā)光效率降低的可能性變大。本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器的修復(fù)方法可以包括(I)第一エ序，在含TFT的具有驅(qū)動(dòng)電路的基板上形成絕緣膜；(2)第二エ序，在絕緣膜上形成像素電極從而對(duì)應(yīng)于各有機(jī)EL元件；(3)第三エ序，檢測(cè)混入到像素電極內(nèi)的異物；以及(4)第四エ序，將所述混入到像素電極內(nèi)的異物壓入像素電極的內(nèi)部。以下，對(duì)各個(gè)エ序進(jìn)行詳細(xì)說明。(I)在第一エ序中，準(zhǔn)備含TFT的具有驅(qū)動(dòng)電路的基板(以下，稱為“TFT基板”)。在TFT基板上形成如下驅(qū)動(dòng)電路該驅(qū)動(dòng)電路具有在基板上配置成矩陣狀的薄膜晶體管(以下，也簡(jiǎn)稱為“TFT”)。在該TFT基板表面上形成絕緣膜從而覆蓋TFT。由于在絕緣膜表面上形成像素電極，因此，絕緣膜為平坦的膜。絕緣膜可以通過在TFT基板上涂布作為絕緣膜材料的樹脂材料并使其固化而形成。涂布的樹脂材料的例子包括例如感光性樹脂。因此，絕緣膜由例如感光性樹脂的固化物構(gòu)成。(2)在第二エ序中，在TFT基板上的絕緣膜表面上例如矩陣狀地圖案化像素電極。就像素電極而言，通過濺射或蒸鍍等在TFT基板上的絕緣膜表面整體上形成由像素電極材料構(gòu)成的金屬膜，使用例如光刻法對(duì)成膜的金屬膜進(jìn)行蝕刻，由此，在TFT基板上形成矩陣狀圖案。
在像素電極形成吋，特別是在通過濺射或蒸鍍?cè)赥FT基板上形成金屬膜時(shí)，有時(shí)在像素電極中混入異物。圖6表示混入有異物的像素電極的剖面圖。例如，在像素電極21中存在因異物2引起的缺陷部(以下，簡(jiǎn)稱為“缺陷部”)的情況下，在后續(xù)エ序中形成對(duì)置電扱。于是，如圖7的剖面圖所示，像素電極21和對(duì)置電極22經(jīng)由異物2引起漏電。而且，電流未在有機(jī)層23中流過，有機(jī)層23變得不發(fā)光。因此，具有缺陷部的有機(jī)EL元件成為非點(diǎn)燈的缺陷像素。在以下的第三エ序及第四エ序的說明中，對(duì)在這樣的像素電極的缺陷部中用于抑制亮度降低的措施進(jìn)行說明。(3)在第三エ序中，檢測(cè)混入到像素電極的異物。對(duì)于檢測(cè)混入到像素電極的異物的方法沒有特別的限定，有利用使用了顯微鏡的外觀檢查的方法及圖案檢查方法及圖形檢查方法等。圖案檢查方法或圖形檢查方法含有通過比較鄰接的元件彼此來檢測(cè)缺陷部的·“圖案對(duì)圖案(Die to Die)檢查方式”、通過比較元件和設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)來檢測(cè)缺陷部的“圖案對(duì)數(shù)據(jù)庫(Die to Datebase)檢查方式”。在檢測(cè)到混入到像素電極的異物時(shí)進(jìn)入到第四エ序，對(duì)像素電極實(shí)施用于抑制因異物引起的短路等缺陷的修復(fù)處理。另一方面，在像素電極內(nèi)未檢測(cè)到異物的情況下，省略第四エ序，繼續(xù)進(jìn)入到有機(jī)EL元件的制造エ序。(4)在第四エ序中，將在第三エ序所檢測(cè)的在像素電極內(nèi)混入的異物壓入像素電極的內(nèi)部，使異物及異物周圍的像素電極部分發(fā)生塑性變形，從而使異物不會(huì)突出到像素電極表面。為了將混入到像素電極內(nèi)的異物壓入像素電極的內(nèi)部，只要使用將前端制成半球形狀的微細(xì)的針即可。用于壓入異物的微細(xì)的針使用相對(duì)于異物直徑足夠大的針。通過該針將異物完全地壓入像素電極內(nèi)。針的材料可以為鎢及不銹鋼等硬質(zhì)的金屬材料。用于壓入異物的微細(xì)的針與能夠移動(dòng)到基板上的給定的位置的控制裝置連接。另夕卜，微細(xì)的針安裝在可在上下方向移動(dòng)的軸上。使微細(xì)的針移動(dòng)到在第三エ序檢測(cè)出的混入到像素電極中的異物的位置。然后，下降針的前端部到針的前端部與混入到像素電極中的異物接觸的位置，并直接將異物向下方按壓使異物發(fā)生塑性變形。然后，使針下降至像素電極的表面的更靠下方。這樣，異物完全塑性變形，另外，同時(shí)，異物周圍的像素電極的部分也在一定程度上推壓異物至發(fā)生塑性變形的程度。由于至塑性變形的推壓カ根據(jù)材料而不同，因此，推壓針的カ根據(jù)材料適宜調(diào)整。用微細(xì)的針使異物塑性變形后，拉起針，確認(rèn)從像素電極的表面突出的異物在像素電極內(nèi)被壓碎。由于從像素電極的表面突出的異物消失，因此，可抑制在后續(xù)エ序中形成的對(duì)置電極和像素電極之間產(chǎn)生短路。另外，在本發(fā)明中，也可以代替在絕緣膜上而直接在基板上或在基板上的所述絕緣膜之外的其它層上制作像素電極。此時(shí)，可省略形成絕緣膜的エ序或代替為形成其它層的エ序。另外，將混入到像素電極中的異物壓入像素電極的內(nèi)部的方法可以為如下方法在形成像素電極后，ー邊使基板移動(dòng)，ー邊用旋轉(zhuǎn)的輥擠壓基板的形成有像素電極的表面?；蛘咭部梢詾槿缦路椒ㄓ贸叽绫然宕蟮?、表面平滑的平板擠壓基板的形成有像素電極的表面。這樣，本發(fā)明能夠簡(jiǎn)單地抑制因異物引起的短路。因此，本發(fā)明能夠以低成本減少有機(jī)EL兀件的缺陷，能夠以聞成品率制造聞品質(zhì)的有機(jī)EL兀件。2、本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器可通過上述含有本發(fā)明的修復(fù)方法的有機(jī)EL顯示器的制造方法來制造。本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器為頂部發(fā)光型(top emssion)且主動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)(active matrix)型，具有TFT基板和在TFT基板上配置成矩陣狀的有機(jī)EL元件。在TFT基板上形成含有配置成矩陣狀的薄膜晶體管(以下也簡(jiǎn)稱為“TFT” )的用于使有機(jī)EL元件發(fā)光的驅(qū)動(dòng)電路。形成TFT的基板材料的例子包括碳化硅(SiC)及氧化鋁(AL2O3)、氮化鋁(AlN)、玻璃、硅、鍺晶片等。各TFT具有源電極及漏電極、由連接源電極和漏電極的半導(dǎo)體層構(gòu)成的·通道、控制通道的柵電極、和使柵電極與源電極及漏電極絕緣的柵極絕緣膜。TFT基板在表面也可以具有絕緣膜51 (平坦化膜)。絕緣膜的材料只要具有絕緣性即可，沒有特別限定，例如為丙烯酸樹脂及聚酰亞胺等。有機(jī)EL元件具有配置于形成在TFT基板上的絕緣膜上的像素電極、配置于像素電極上的有機(jī)功能層、以及配置于有機(jī)功能層上的對(duì)置電扱。另外，有機(jī)EL元件還可以進(jìn)ー步具有用于規(guī)定有機(jī)功能層的堤岸(bank)。像素電極為導(dǎo)電性的部件。像素電極通常作為陽極發(fā)揮功能，但也可以作為陰極發(fā)揮功能。另外，像素電極優(yōu)選具有光反射性。這樣的像素電極的材料的例子包括APC合金(銀、鈀、銅的合金)、及ARA(銀、銣、金的合金)、MoCr (鑰和鉻的合金)、NiCr (鎳和鉻的合金)等。另外，像素電極也可以通過設(shè)置于TFT面板的絕緣膜的接觸孔與TFT的漏電極或源電極連接。有機(jī)功能層具有包含有機(jī)發(fā)光材料的有機(jī)發(fā)光層。有機(jī)發(fā)光層中所含的有機(jī)發(fā)光材料優(yōu)選為可用涂布法形成有機(jī)發(fā)光層的高分子有機(jī)發(fā)光材料。高分子有機(jī)發(fā)光材料的例子包括聚苯こ炔(polyphenylene vinylene)及其衍生物、聚こ炔及其衍生物、聚亞苯基及其衍生物、聚對(duì)苯こ烯(polyparaphenylene ethylene)及其衍生物、聚3_己基噻吩及其衍生物、聚芴及其衍生物等。另外，有機(jī)發(fā)光層根據(jù)有機(jī)EL元件的配置位置發(fā)出紅、綠或藍(lán)中的任意光。有機(jī)功能層也可以進(jìn)一歩具有空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層等。堤岸為用于規(guī)定有機(jī)功能層的絕緣性的障壁。堤岸也可以通過利用曝光、顯影使作為感光性材料的抗蝕劑材料形成圖案(patterning)來形成。對(duì)置電極為配置于有機(jī)功能層上的導(dǎo)電性的部件。對(duì)置電極通常作為陰極發(fā)揮功能，但也可以作為陽極發(fā)揮功能。另外，對(duì)置電極優(yōu)選具有光透過性。這樣的對(duì)置電極的材料的例子包括ITO、IZO等。對(duì)置電極的厚度約為lOOnm。在本發(fā)明中，如圖6的剖面圖所示，可在像素電極21中混入異物2。在通過濺射或蒸鍍形成像素電極吋，電極材料即金屬粒子及裝置內(nèi)的污垢等作為異物混入像素電極21中。異物具有例如可在像素電極和對(duì)置電極之間產(chǎn)生短路的尺寸，但對(duì)異物的尺寸、種類沒有限定。本發(fā)明的特征在于，針對(duì)混入到像素電極內(nèi)的異物，利用例如前端為半球狀的微細(xì)的針來推壓使異物和像素電極發(fā)生塑性變形。從像素電極表面突出的異物發(fā)生塑性變形并被壓入像素電極內(nèi)部，因此，在后續(xù)エ序中形成對(duì)置電極時(shí)，未產(chǎn)生因異物引起的短路。以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的修復(fù)方法的實(shí)施方式進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施方式。(實(shí)施方式I)在以下的說明中，以在第三エ序中檢測(cè)出混入到像素電極中的異物為例,對(duì)第三エ序的后續(xù)エ序即第四エ序進(jìn)行說明。將像素電極及異物的材料設(shè)為鋁。使鎢制的微細(xì)的針移動(dòng)到第三エ序中檢測(cè)出的異物的位置。圖I表示使鎢針移動(dòng)到異物的位置時(shí)的狀態(tài)。微細(xì)的針的半球部的基端的粗細(xì)例如相對(duì)于異物大小為2、倍。例如如果異物的大小為廣1011111，則上述針的上述基端的粗細(xì)為20飛011111。針的前端 部31 (前端為半圓球狀的微細(xì)的針的前端部)通過放電加工加工成半球狀形狀。使針的前端部下降至與混入到像素電極21中的異物2接觸的位置，直接向下方按壓該異物使異物發(fā)生塑性變形。圖2(A)是表示異物變形時(shí)的圖。對(duì)鋁施加20kg/mm2 (196MPa)以上的カ時(shí)發(fā)生塑性變形。因此，使針的前端部31下降時(shí)，用20kg/mm2以上的力將針的前端部31推壓到異物2處。此時(shí)，在不會(huì)將微細(xì)的針壓入至像素電極的厚度以上的程度下壓入微細(xì)的針。如圖2(B)所示，至異物2完全塑性變形為止，使針的前端部31下降至下方后，如圖2(C)所示，拉起針的前端部31。而且，確認(rèn)突出到像素電極21表面的異物2在像素電極內(nèi)被壓碎(壓碎而塑性變形的異物32)。微細(xì)的針的前端部為半球狀，因此。即使像素電極21發(fā)生一定程度的變形，變形后的部分也具有光滑的表面。圖8表示用微細(xì)的針壓入像素電極上的異物后，形成有機(jī)層和對(duì)置電極時(shí)的剖面圖。如圖8所示，在用微細(xì)的針壓入異物的像素電極上，可不間斷地形成有機(jī)層23及對(duì)置電極22的膜。進(jìn)而，以抑制因異物引起的短路的方式形成有機(jī)層23及對(duì)置電極22。這樣，通過相對(duì)于異物推壓微細(xì)的針，可簡(jiǎn)單且不對(duì)缺陷部的周圍部造成影響地修復(fù)像素電極。需要說明的是，本實(shí)施方式I的壓入微細(xì)的針的修復(fù)方法不僅在像素電極形成エ序后，在堤岸形成エ序后也可以應(yīng)用。(實(shí)施方式2)在實(shí)施方式2中，對(duì)用旋轉(zhuǎn)的軸壓碎像素電極中的異物而發(fā)生塑性變形的形態(tài)進(jìn)行說明。形成像素電極后，旋轉(zhuǎn)表面平滑且表面用硬膜覆蓋的輥，使其與形成像素電極后的TFT基板52接觸。輥的寬度優(yōu)選寬于TFT基板52的寬度。通過使用寬于TFT基板52寬度的輥，不會(huì)產(chǎn)生因輥的一端與TFT基板52接觸而引起的高低差異(段差)。由此，在形成有機(jī)層時(shí)，不會(huì)產(chǎn)生因上述高低差異而引起的有機(jī)層的損壞。使TFT基板52和輥接觸后，將旋轉(zhuǎn)的輥推壓至TFT基板52，使TFT基板52相對(duì)于輥進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)。這樣，將輥推壓至TFT基板52的表面。圖3表示推壓至TFT基板52上的輥的立體圖，圖4表示TFT基板52及上述輥的剖面圖。通過將旋轉(zhuǎn)輥41擠壓在TFT基板52上，以圖5的(A)、⑶、(C)這樣的順序，從像素電極21的表面突出的異物2被旋轉(zhuǎn)輥41壓碎，發(fā)生塑性變形。這樣，能夠減少從像素電極的表面突出的異物。此時(shí)，也可以用成對(duì)的2個(gè)輥夾持TFT基板52，使TFT基板52相對(duì)于輥進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，壓碎位于TFT基板52上的像素電極上的異物。對(duì)利用本實(shí)施方式2壓碎異物的修復(fù)方法而言，由于將旋轉(zhuǎn)輥推壓至像素電極形成后的TFT基板52的表面，因此，不需要第三エ序即異物的檢查。因此，能夠更簡(jiǎn)單且有效地進(jìn)行有機(jī)EL顯示器的修復(fù)。另外，適于大型基板的顯示器及有機(jī)EL照明等制造中的修復(fù)方法。エ業(yè)實(shí)用性本發(fā)明的有機(jī)EL顯示器的修復(fù)方法在異物混入到像素電極中而形成缺陷部的情況下，將異物用例如微細(xì)的針壓入像素電極的內(nèi)部。因此，能夠僅局部修復(fù)因從像素電極突出的異物而引起的缺陷部。因此，能夠通過降低有機(jī)EL顯示器的漏電電流來實(shí)現(xiàn)防止發(fā)光·減少及降低消耗電能。另外，能夠以高成品率制造有機(jī)EL顯示器。另外，除有機(jī)EL顯示器的修復(fù)之外，也可應(yīng)用于因電極的異物等引起的短路部的局部絕緣而導(dǎo)致的需要修復(fù)的器件的制造等。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)EL顯示器的修復(fù)方法，其為能夠制造有機(jī)EL顯示器的有機(jī)EL顯示器的修復(fù)方法，所述有機(jī)EL顯示器具有 含TFT的具有驅(qū)動(dòng)電路的基板，以及在所述基板上配置成矩陣狀的多個(gè)有機(jī)EL元件，且所述有機(jī)EL元件含有配置于所述基板上的像素電極、配置于像素電極上的有機(jī)層、以及配置于所述有機(jī)層上的對(duì)置電極，其特征在于，所述修復(fù)方法包括 在所述基板上形成像素電極從而對(duì)應(yīng)于各有機(jī)EL元件的工序； 檢測(cè)混入到所述像素電極的異物的工序；以及 將混入到所述像素電極的異物壓入所述像素電極的內(nèi)部的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)EL顯示器的修復(fù)方法，其中，針對(duì)混入到所述像素電極的異物，將前端為半球狀的微細(xì)的針向下方壓下，使異物和像素電極的一部分一起塑性變形，將異物嵌入像素電極內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)EL顯示器的修復(fù)方法，其中，針對(duì)混入到所述像素電極的異物，一邊使棍旋轉(zhuǎn)，一邊將棍向基板整體推壓并使基板相對(duì)于棍相對(duì)移動(dòng)，使從像素電極突出的異物塑性變形，從而使像素電極表面平坦化。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)EL顯示器的修復(fù)方法，其中，還含有在所述基板上形成絕緣膜的工序， 在所述基板上形成像素電極的工序?yàn)樵谒鼋^緣膜上形成像素電極從而對(duì)應(yīng)于各有機(jī)EL元件的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)EL顯示器的修復(fù)方法。所述有機(jī)EL顯示器的修復(fù)方法在有機(jī)EL顯示器的制造中，在像素電極中混入異物或在像素電極的表面附著異物并因該異物產(chǎn)生缺陷的情況下，僅簡(jiǎn)單地局部修復(fù)缺陷部，且在修復(fù)后不會(huì)產(chǎn)生對(duì)修復(fù)部周圍的損傷。在有機(jī)EL顯示器的制造中，通過檢測(cè)混入到像素電極的異物，針對(duì)混入到像素電極的異物，向下方壓下前端為半球狀的微細(xì)的針，使異物和像素電極的一部分一起塑性變形，將異物嵌入像素電極內(nèi)，由此修復(fù)異物導(dǎo)致的缺陷。通過將異物壓入像素電極來防止因異物引起的短路缺陷。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102790011SQ20121015242
公開日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2012年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月17日
發(fā)明者宮澤和利 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社