專利名稱：薄膜晶體管的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具有圓形電極的薄膜晶體管(TFT)(下文稱作圓形薄膜晶體管(TFT))、包括圓形薄膜晶體管的半導體器件及其制造方法。應當指出半導體器件相應于在襯底上方包括薄膜晶體管的薄膜晶體管襯底、在襯底上方包括薄膜晶體管和液晶的液晶面板襯底或液晶模塊襯底、在襯底上方包括薄膜晶體管和發(fā)光元件的EL(電致發(fā)光)面板襯底或EL模塊襯底、用密封材料密封的在襯底上方包括薄膜晶體管和液晶的液晶面板、用密封材料密封的在襯底上方包括薄膜晶體管和發(fā)光元件的EL面板襯底、包括連接到上述面板上的FPC等的模塊、包括與該FPC等的端部連接的驅動器IC的模塊、以及包括通過COG方法等安裝到所述面板上的驅動器IC的模塊。
背景技術：
傳統(tǒng)的薄膜晶體管使用諸如光掩模的掩模來形成，因此對于每次設計的改變都需要形成一個掩模。另外，作為主流的方法，通過在襯底的整個表面上形成薄膜來形成薄膜晶體管。舉例來說，在連接電極和形成以夾住絕緣層的導線的情況中，需要在連接導線之前去除絕緣層。此外，電極、導線等的圖案化需要使用掩模使抗蝕劑曝光，這就導致步驟數(shù)量增加并且效率和環(huán)境均受廢液影響的問題。應當指出傳統(tǒng)的薄膜晶體管具有每個舉例來說彼此線性或垂直交叉的電極。另夕卜，傳統(tǒng)的薄膜晶體管具有每個最后具有不會形成閉環(huán)結構的起始點和終點的電極。因此，在每個電極的中央和端部之間，機械和電學行為是不同的。此外，在電極中有許多不需要的區(qū)域，結果占據(jù)了薄膜晶體管的廣泛區(qū)域。上述問題在具有傳統(tǒng)形狀的，特別是不使用掩模的方法(無掩模工藝)形成的薄膜晶體管中是明顯存在的。在為了解決上述問題而在傳統(tǒng)方法中通過使用掩模形成具有圓形電極的圓形薄膜晶體管的情況中，難以使每個電極形成完美的圓形形狀。最初，因為通過激光等繪出掩模，所以使用光掩模難以形成圓形形狀的完美曲線。此外，當提高精確度時，成本增加。另夕卜，當使用這種光掩模形成抗蝕劑并且進行蝕刻時，由該光掩模形成的抗蝕劑的角落部分可能被蝕刻得更多(諸如過蝕刻等)，這就導致形成變形的圓形形狀。當薄膜晶體管的源電極和漏電極具有不規(guī)則形狀時，難以形成均勻的溝道部分，這會引起薄膜晶體管特性的降低和變化。另一方面，噴墨方法已經(jīng)應用于平板顯示器領域，并且作為不使用掩模(無掩模工藝)的方法被積極地發(fā)展，通過該方法可以不使用掩模而圖案化薄膜。因為圖案被直接繪出，容易應用于大的襯底，材料的效率是高的等，所以不需要掩模的噴墨方法具有許多優(yōu)點，并且已經(jīng)被應用于濾色器、等離子體顯示器電極等的制造(舉例來說，參見非專利文獻I)。
但是，當使用這種無掩模工藝來形成具有傳統(tǒng)形狀的薄膜晶體管時，其形狀與不確定的因素，諸如落下的液滴的形狀有關。因此，難以控制電極、有源層等的形狀。按照這種方式，無掩模工藝已經(jīng)成為促進設計參數(shù)變化的主要因素，所述變化影響諸如薄膜晶體管溝道長度的特性。[非專利文獻I]T. Shimoda, Ink-jet Technology for Fabrication Processes ofFlat PanelDisplays, SID 03 DIGEST,第 1178-1181 頁。

發(fā)明內容
考慮到上述問題，本發(fā)明提供了形狀比使用無掩模工藝的傳統(tǒng)情況更容易控制的薄膜晶體管的制造方法，該方法通過諸如液滴釋放方法的無掩模方法形成薄膜晶體管(諸 如圓形薄膜晶體管)而簡化了步驟并且降低了制造時間和成本。為了解決上述問題，本發(fā)明提供了下面的措施。根據(jù)本發(fā)明，通過諸如液滴釋放方法，典型地是噴墨方法的無掩模方法，在襯底上方堆疊薄膜來形成薄膜晶體管。本發(fā)明提供了薄膜晶體管的制造方法，包括如下步驟通過液滴釋放方法在襯底上方形成第一絕緣層，通過液滴釋放方法在該第一絕緣層上方形成第一液體排斥層，通過液滴釋放方法在襯底上方形成與第一絕緣層接觸的第一導電層，通過液滴釋放方法在該第一液體排斥層和第一導電層上方形成第二液體排斥層，通過液滴釋放方法在第一導電層和襯底上方形成與第二液體排斥層接觸的第二絕緣層，去除第一液體排斥層和第二液體排斥層，在第一絕緣層上方形成第三液體排斥層，在第一導電層和第二絕緣層上方形成與第一絕緣層和第三液體排斥層接觸的第二導電層，去除第三液體排斥層，通過液滴釋放方法在第一絕緣層、第二導電層和第二絕緣層上方形成第三絕緣層，在該第三絕緣層上方形成第一半導體層，在該第一半導體層上方形成賦予一種導電類型第二半導體層，通過液滴釋放方法在第二半導體層的一部分上方形成第一掩模，使用第一掩模通過蝕刻第一半導體層和第二半導體層而形成第三半導體層和第四半導體層，去除第一掩模，通過液滴釋放方法形成與第四半導體層一部分接觸的第三導電層，通過液滴釋放方法在第三導電層和第四半導體層的一部分上方形成第四液體排斥層，通過液滴釋放方法形成與第三半導體層、第四半導體層和第四液體排斥層接觸的第四導電層，通過液滴釋放方法形成與第四導電層接觸的第五導電層，去除第四液體排斥層，使用第三導電層和第四導電層作為掩模蝕刻第三半導體層的一部分和第四半導體層的一部分，形成第五半導體層和第六半導體層，通過液滴釋放方法在第三導電層上方形成第五液體排斥層，通過液滴釋放方法在第三絕緣層、第四導電層和第五導電層上方形成與第五液體排斥層接觸的第四絕緣層，去除第五液體排斥層，以及通過液滴釋放方法形成與第三導電層和第四絕緣層接觸的第六導電層。在本發(fā)明中，通過無掩模方法，諸如液滴釋放方法在襯底上方堆疊同心圓形薄膜，從而形成具有圓形電極的圓形薄膜晶體管。可選地，還可以通過無掩模方法，諸如液滴釋放方法使用具有圓形半導體層的圓形薄膜晶體管或具有圓形絕緣層的圓形薄膜晶體管。應當指出在使用液體材料形成與中央孔洞同心的圓形薄膜的情況中，其形狀可以通過形成排斥該液體材料的液體排斥層，然后在其上方形成同心圓形薄膜來控制。
在本發(fā)明中，引出柵電極、源電極和漏電極的薄膜晶體管的結構被改進，形成每個電極和溝道按回路連接的形狀。在其它情況中，薄膜晶體管具有電極和溝道，每個形成像字母C(字母表)或者矩形形狀的形狀代替圓形形狀。在形成本發(fā)明的圓形薄膜晶體管中，通過代替在整個襯底上形成而僅在所需位置中選擇性地形成構成薄膜晶體管的一部分的絕緣薄膜，可以省略部分去除絕緣層的步驟。本發(fā)明提供了具有圓形電極的圓形薄膜晶體管的制造方法和半導體器件的制造方法。也就是說，在本發(fā)明的薄膜晶體管中，在整個晶體管中等間距地布置源電極、漏電極等(例如在實施方案方式中描述的、與源電極或漏電極連接的賦予P型或n型導電性的半導體層)。另外，本發(fā)明的薄膜晶體管 具有柵電極、源電極和漏電極，每個電極按回路形狀連接，并且具有在每個方向上比通過傳統(tǒng)方法形成的具有更均勻長度的溝道部分。在本發(fā)明中，如上所述，可以在每個方向上更均勻地形成薄膜晶體管的溝道部分(溝道長度)。另外，可以自由控制薄膜晶體管的溝道長度(例如控制圖IB中的寬度b)。此夕卜，還可以自由控制柵電極和用于使晶態(tài)半導體膜(crystalline semiconductor film),諸如與薄膜晶體管的溝道部分相鄰存在的雜質半導體膜與其中插有柵絕緣膜的源電極和漏電極電學連接的薄膜(諸如賦予P型或n型導電性的半導體膜)的重疊區(qū)域(例如控制圖IB中的寬度b)。通過控制用來形成液體排斥層、電極、掩模等的液滴的量可以控制薄膜晶體管的溝道長度。通過在襯底上方堆疊源電極、漏電極、層間絕緣膜、柵電極、柵絕緣膜、用來使源電極和漏電極與晶態(tài)半導體膜電學連接的薄膜(例如賦予p型或n型導電性的半導體膜)，諸如無定形半導體膜、微晶半導體膜和雜質半導體膜等，形成本發(fā)明的薄膜晶體管。此外，本發(fā)明的薄膜晶體管可以使用上柵極結構或下柵極結構。此外，可以使用溝道蝕刻型(蝕刻有源層的一部分)或者溝道停止型(通過用保護膜等保持有源層而不蝕刻有源層)作為要蝕刻半導體層的結構。但是，本發(fā)明的每一層都可以由有機物質或無機物質來形成。根據(jù)本發(fā)明的一方面，本發(fā)明提供了半導體器件的制造方法，包括以下步驟在表面的第一區(qū)域上形成第一層，在該第一層上形成包含第一種液體排斥材料的第一液體排斥層，在該第一液體排斥層上滴下第二種液體排斥材料，使得在第一層的側表面上和第一液體排斥層的側表面上形成第二液體排斥層，其中表面的第二區(qū)域由第二液體排斥層覆蓋，在表面的第三區(qū)域上方形成第二層，其中該表面的第三區(qū)域與表面的第二區(qū)域相鄰，在形成第二層后至少去除第二液體排斥層，在第一層和第二層之間的間隙中形成第三層。舉例來說，如圖2A-2D所示，形成第一絕緣層302作為第一層，形成第二絕緣層306作為第二層并且形成第二導電層308作為第三層。通過上述方法，控制第二導電層308的厚度(長度)是有利的。當形成具有同心圓形狀的源電極和漏電極時，源電極和漏電極間的距離被形成為相等的，并且更平滑地形成電極的周邊，而與掩模精確度無關。因此，可以比通過使用掩模的傳統(tǒng)工藝形成更均勻的部分溝道部分。結果，可以抑制以由于施加到薄膜邊緣部分上的應力等而薄膜剝落為代表的機械特性，并且可以抑制電學特性，諸如圓形薄膜晶體管特性的降低和變化(在同心圓形形狀中包括橢圓形等。即，可以使用在整個薄膜晶體管中均勻形成的溝道部分的形狀，包括具有橢圓形狀等的電極和溝道部分)。此外，通過形成圓形薄膜晶體管的電極，可以從電極的所有方向中引出導線。結果，可以提高導線布局的自由度，并且可以改進由于引線引起的各種問題(例如，導線彎曲時產(chǎn)生的諸如阻抗(導線電阻、導線電容、導電電感)和反射(主要對于高頻)電學問題，以及由于主要集中在薄膜邊緣部分的應力引起的諸如薄膜剝落的機械問題)。(上述圓形電極不一定具有完美的圓形形狀。也就是說，電極可以是橢圓形的等)。通過形成像環(huán)路一樣封閉形狀的每個電極，可以形成溝道長度(L)在從源電極到漏電極的方向具有均勻長度的溝道部分(因為落下的液滴不能形成直線，在通過傳統(tǒng)的液滴釋放方法形成的薄膜晶體管的電極形狀中難以形成均勻的溝道長度)。另外，可以形成設計值比傳統(tǒng)方法具有更小誤差的溝道寬度(W)(由于其邊緣部分上的效應，通過傳統(tǒng)方法形成的薄膜晶體管趨向于具有設計值的誤差)。因此，通過形成應力或電力集中的沒有邊緣部分的結構(例如，通過溝道部分的邊緣部分上電流的集中引起的靜電力或惡化)，可以抑制薄膜的剝落。(上述像環(huán)路一樣封閉的形狀包括橢圓等。即，可以使用在整個薄膜晶體管 中均勻形成的溝道部分的形狀，包括具有橢圓形狀等的電極和溝道部分)。通過形成由諸如液滴釋放方法的無掩模工藝以同心圓形鋪展的形狀的溝道和每個電極，可以更均勻地形成溝道長度(L)并且可以形成比使用掩模形成的薄膜晶體管相同區(qū)域更寬的溝道寬度(W)。因此，可以高效地使用薄膜晶體管的區(qū)域并且可以抑制其特性的變化。上述特征在集成中是特別重要的。本發(fā)明的圓形薄膜晶體管可以減少或消除使用光掩模的步驟數(shù)量或者剝離步驟的數(shù)量，從而導致步驟的簡化。另外，因為可以減少每個步驟中產(chǎn)生的各種廢液，所以可以減輕對環(huán)境的負擔。此外，可以減少制造時間和成本。


圖IA和IB是表示實施方案I的圓形薄膜晶體管的結構的圖。圖2A至2D是表示實施方案I的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。圖3A至3D是表示實施方案I的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。圖4A至4C是表示實施方案I的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。圖5A和5B是表不實施方案2的圓形薄膜晶體管的結構的圖。圖6A至6C是表示實施方案2的圓形薄膜晶體管的結構的圖。圖7A和7B是表示實施方案2的圓形薄膜晶體管的結構的圖。圖8A和8B是表示實施方案3的圓形薄膜晶體管的結構的圖。圖9A至9D是表示實施方案3的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。圖IOA至IOD是表示實施方案3的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。圖IlA和IlB是表示實施方案3的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。圖12A和12B是表示實施方案4的圓形薄膜晶體管的結構的圖。圖13是表示實施方案4的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。圖14A和14B是表示實施方案4的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。圖15A和15B是表不實施方案5的圓形薄膜晶體管的結構的圖。圖16A至16D是表示實施方案5的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。圖17A至17D是表示實施方案5的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。圖18A和18B是表示實施方案5的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。
圖19A和19B是表示實施方案6的圓形薄膜晶體管的結構的圖。圖20A至20D是表示實施方案6的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。圖21A至21D是表示實施方案6的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。圖22k和22B是表示實施方案7的圓形薄膜晶體管的結構的圖。圖23A至23D是表示實施方案7的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。圖24A至24D是表示實施方案7的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。圖25A至2 是表示實施方案7的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。圖26A和26B是表示實施方案7的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。
圖27A和27B是表示實施方案8的圓形薄膜晶體管的結構的圖。圖28A至28D是表示實施方案8的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。圖29A至29D是表示實施方案8的圓形薄膜晶體管的制造方法的圖。圖30是表示在像素部分中使用本發(fā)明的圓形薄膜晶體管情況的圖。
具體實施例方式盡管將參考附圖通過實施方案詳細地說明本發(fā)明，但是應當理解各種變化和修改對于本領域技術人員將是明顯的。因此，除非這些變化和修改背離了本發(fā)明的范圍，否則它們應當被解釋為包括在本發(fā)明之內。注意在不同附圖中實施方案中的相同部分用相同的附圖標記表示。另外，下文中所述的襯底包括對其應用基本處理的襯底，諸如具有緩沖層的襯。[實施方案I]參考圖IA至4C對本發(fā)明的圓形薄膜晶體管的結構和制造方法進行說明。圖IA是本發(fā)明的圓形薄膜晶體管的頂部平面視圖并且圖IB是其剖視圖。如圖IB所不,在襯底101上方形成第一絕緣層101和第一導電層103,然后形成第二絕緣層104和第二導電層105。應當指出此處第一導電層103用作柵極導線，并且第二導電層105用作柵電極。注意第二導電層105用第三絕緣層106覆蓋。此外，在第三絕緣層106上方形成半導體層107和108作為有源層。在位于圓形薄膜晶體管中央部分的半導體層108的上方形成用作源電極的第三導電層109。在遠離圓形薄膜晶體管中央部分的半導體層108的上方形成用作漏電極的第四導電層110。應當指出與第四導電層110接觸形成用作漏導線的第五導電層111。形成第四絕緣層112，使之覆蓋第三絕緣層106、第四導電層110和第五導電層111。此外，與第三導電層109接觸形成用作源導線的第六導電層113?；蛘?，在通過液滴釋放方法形成第一液體排斥層后，可以通過液滴釋放方法形成第一導電層103。在通過液滴釋放方法在襯底的上方形成第二導電層105使之與第一導電層103接觸后，可以去除第一液體排斥層。然后，可以通過液滴釋放方法形成第一絕緣層102并且形成第二液體排斥層，然后再形成第二絕緣層104。應當指出下文中將更詳細地說明上述圓形薄膜晶體管的制造方法。如圖2A所示，通過液滴釋放方法在襯底301上方形成第一絕緣層302并且通過液滴釋放方法在第一絕緣層302上方形成第一液體排斥層303。然后，通過液滴釋放方法在襯底301上方形成第一導電層304。注意由硼硅酸鋇玻璃、硼硅酸鋁玻璃等制成的玻璃襯底、石英襯底、硅襯底、金屬襯底、不銹鋼襯底、或者能耐受制造步驟加工溫度的熱量的塑料襯底都可以用作襯底301。用于液滴釋放方法的噴嘴直徑優(yōu)選設置為0. 02至100微米(更優(yōu)選30微米或更窄)，并且從該噴嘴釋放的組合物的量設置為0. 001至100皮升(更優(yōu)選10皮升或更少)。該量與噴嘴的直徑成正比地增加。但是，噴嘴的直徑可以根據(jù)要形成的圖案的形狀和尺寸適當?shù)馗淖儭榱藢⒔M合物滴在所需的地方，優(yōu)選待加工的物體和噴嘴的釋放開口彼此盡可能接近，優(yōu)選約0. I至3毫米(更優(yōu)選I毫米或更近)。噴嘴和待加工的物體移動，同時其間保持一定的距離，從而給出所需的圖案。在通過液滴釋放方法形成絕緣層(包括實施方案I中的第一至第四絕緣層)的情況中，溶解或分散在溶劑中的絕緣材料被用作從釋放開口釋放的組合物。使用樹脂材料，諸如環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、酚醛樹脂、酚醛清漆樹脂、蜜胺樹脂和聚氨酯樹脂作為所述絕緣材料。在使用這些樹脂材料的情況中，優(yōu)選通過使用溶解或分散上述材料的溶劑來控制其粘度?？梢允褂冒拥臉渲騼H由烴組成的樹脂作為用來形成液體排斥層(包括實施方案I中的第一至第五液體排斥層)的材料。更具體地說，可以使用包含分子中具有氟原子的單體的樹脂，或者包含僅由碳原子和氫原子組成的單體的樹脂。另外，可以使用諸如丙烯酸、苯并環(huán)丁烯、聚對苯二甲撐、氟代芳醚和透光聚酰亞胺的有機材料、由諸如硅氧烷基聚合物的聚合形成的化合物材料、以及包含水溶性均聚物和水溶性共聚物樹脂等。因為其優(yōu)越的平面性可以防止薄膜厚度變得極薄或者在后來形成導電層的步驟部分中導線斷裂，所以優(yōu)選使用有機材料。但是，為了防止脫氣，優(yōu)選使用包含硅的無機材料作為下層和有機材料上層來形成薄膜。具體地說，優(yōu)選通過等離子體CVD或者濺射方法形成氮化硅氧化物膜或氮化硅膜。建議用硅氧烷基聚合物作為具有由硅氧鍵組成的骨架并且至少包含氫作為取代基的材料、或者至少包含氟、烷基或者芳香烴作為取代基的材料的 代表性實例?；蛘撸梢允褂镁哂猩鲜鰲l件的各種材料。硅氧烷基聚合物具有如下優(yōu)點具有優(yōu)越的平面性、透光性和耐熱性并且能耐受在形成由硅氧烷基聚合物組成的絕緣體后在300至600°C下的熱處理。舉例來說，通過該熱處理可以同時進行氫化和烘烤。此外，還可以使用包含光敏材料的商購抗蝕劑材料。諸如，可以使用溶解或分散在溶劑中的正型抗蝕劑，諸如酚醛清漆樹脂和作為光敏材料的萘醌二疊氮化合物，或者溶解或分散在溶劑中的負型抗蝕劑，諸如基礎樹脂(base resin)、二苯基娃燒二醇、產(chǎn)生酸的試劑等。使用用來溶解或分散上述材料的溶劑控制其粘度。此外，在通過液滴釋放方法形成導電層(包括實施方案I中的第一至第六導電層)的情況中，使用溶解或分散在溶劑中的導電材料作為從釋放開口釋放的組合物。可以使用金屬，諸如 Ag(銀)、Au(金)、Cu(銅)、Ni (鎳)、Pt(鉬)、Pb(鉛)、Ir(銥)、Rh(銠)、W(鎢)和 Al (鋁)，Cd (鎘)、Zn (鋅)、Fe (鐵)、Ti (鈦)、Si (硅)、Ge (鍺)、Zr (鋯)、Ba (鋇)的微顆?；蚍稚⒌募{米顆粒，以及鹵化銀作為導電材料。此外，還可以使用用于透光導電膜的氧化銦錫(ITO)、由氧化銦錫和氧化硅組成的ITS0、有機銦、有機錫、氧化鋅、氮化鈦等。但是，從電阻值考慮，優(yōu)選使用溶解或分散在溶劑中的金、銀和銅中的任何一種作為要從釋放開口釋放的組合物。更優(yōu)選地，可以使用電阻低的銀或銅。但是當使用銀或銅時，優(yōu)選組合提供阻擋膜防護雜質。
至于所述溶劑，可以使用諸如乙酸丁酯和乙酸乙酯的酯、諸如異丙醇和乙醇的醇、諸如甲乙酮和丙酮的有機溶劑等。組合物的粘度優(yōu)選為50cp或更低。這是因為防止組合物干燥或者從釋放開口平滑地釋放該組合物。組合物的表面張力優(yōu)選為40mN/m或更低。但是，可以根據(jù)所使用的溶劑和應用適當?shù)卣{節(jié)組合物的粘度等。舉例來說，在溶劑中溶解或分散IT0、有機銦、有機錫、銀或金的組合物的粘度為5至20mPa S?？梢詫Ρ患庸の矬w的表面實施等離子體處理。這是因為當實施了等離子體處理時，物體的表面變成親液或疏液的。舉例來說，其變成親純水的并且其變成疏用醇溶解的糊劑的。至于在減壓下釋放組合物的步驟，因為當組合物被釋放并到達被加工物體時，組合物的溶劑揮發(fā)，所以可以省略或縮短隨后干燥和烘烤的步驟。因此，優(yōu)選在減壓下實施該步驟。另外，在通過釋放組合物形成絕緣層后實施干燥和烘烤的一個或兩個步驟。干燥步驟和烘烤步驟是熱處理的步驟，但是每個步驟的目的、溫度和時間是不同的。舉例來說，在100°C的溫度下實施干燥步驟三分鐘，并且在200至350°C的溫度下實施烘烤步驟15至120分鐘。通過激光輻照、快速熱退火和使用加熱爐等在常壓或減壓下實施干燥步驟和烘烤步驟。注意實施熱處理的時間沒有特別限制。為了實施干燥步驟和烘烤步驟，優(yōu)選可以事先加熱襯底，并且那時的溫度通常設置在100至800°C (優(yōu)選200至350°C )，但是該溫度取決于襯底的材料等。根據(jù)這些步驟，通過揮發(fā)組合物中的溶劑或者化學消除分散劑加速熔化和焊接，從而使周圍的樹脂固化并收縮。連續(xù)波或脈沖波氣體激光器或者固態(tài)激光器都可以用于激光輻照。受激準分子激光器、Ar激光器等都可以用作前者的氣體激光器，而使用晶體，諸如用Cr、Nd等摻雜的YAG或YVO4的激光器可以用作后者的固態(tài)激光器。考慮激光的吸收比，優(yōu)選使用連續(xù)波激光器?；蛘撸瑑?yōu)選使用組合脈沖激光器和連續(xù)波振蕩的所謂混合激光輻照。注意可以根據(jù)襯底101的耐熱性瞬時進行幾微秒至幾十秒的激光熱處理輻照，使得不會毀壞襯底101。通過瞬時加熱襯底從幾微秒至幾分鐘，同時使用在惰性氣體氣氛中發(fā)射紫外光到紅外光的紅外燈、鹵素燈等快速升高溫度來實施快速熱退火(RTA)。瞬時進行這種處理，因此基本上只有薄膜的上表面被加熱，而不會不利地影響下面的薄膜。即，具有低耐熱的襯底，諸如塑料襯底不會受所述熱處理的影響。應當指出液滴釋放方法有兩種方法，即按需求型和連續(xù)型，此處兩種方法都可以使用。此外，用于液滴釋放方法的大概有壓電型和加熱型噴頭，并且此處兩種都可以使用。壓電型噴頭使用壓電物質受電壓變形的性質，并且加熱型噴頭通過噴嘴中提供的加熱器使組合物沸騰而釋放組合物。接下來，通過液滴釋放方法形成第二液體排斥層305，以覆蓋第一導電層304的一部分。另外，通過液滴釋放方法在襯底301和第一導電層304上方形成第二絕緣層306 (參見圖2B)。去除第一液體排斥層303和第二液體排斥層305并且在第一絕緣層302上方形成 第三液體排斥層307 (參見圖2C)。形成第二導電層308，與第一導電層304、第一絕緣層302和第二絕緣層306接觸(參見圖2D)。應當指出第二導電層308用作柵電極。如圖3A所示，去除第三液體排斥層307并且通過液滴釋放方法在第二導電層308、第一絕緣層302和第二絕緣層306上方形成第三絕緣層309。注意第三絕緣層309用作柵絕緣膜。另外，在第三絕緣層309上方堆疊賦予p型或n型導電性的第一半導體膜310和第二半導體層311。通過液滴釋放方法在第二半導體層311的一部分上方形成第一掩模312。使用第一掩模312同時蝕刻第一半導體層310和第二半導體層311，然后形成賦予p型或n型導電性的第三半導體層313和第四半導體層314。應當指出第三半導體層313用作有源層(參見圖3B)。去除第一掩模312并且通過液滴釋放方法在第四半導體層314上方形成第三導電層315。應當指出第三導電層315用作源電極或者漏電極(參見圖3C)。通過液滴釋放方法在第四半導體層314和第三導電層315上方形成第四液體排斥層316。通過液滴釋放方法在第四半導體層314的一部分和第三絕緣層309的一部分上方形成第四導電層317。通過液滴釋放方法在第四導電層317的一部分和第三絕緣層309的一部分上方形成第五導電層318。注意第四導電層317用作源電極或者漏電極并且第五導電層318用作該源電極的引出導線或者該漏電極的引出導線(參見圖3D)。如圖4A所示，去除第四液體排斥層316，并且使用第三導電層315和第四導電層317作為掩模同時蝕刻第三半導體層313和第四半導體層314的一部分，從而形成第五半導體層319和第六半導體層320。注意第五半導體層319用作有源層。第六半導體層320具有電學連接用作有源層的第五半導體層319與各用作源電極或漏電極的第三導電層315或第四導電層317的作用。通過液滴釋放方法在第三導電層上方形成第五液體排斥層322。通過液滴釋放方法在第五半導體層319、第四導電層317和第五導電層318上方形成第四絕緣層323。注意第四絕緣層323用作層間絕緣膜(圖4B)。去除第五液體排斥層322，并且通過液滴釋放方法在第三導電層315和第四絕緣層323上方形成第六導電層324。注意第六導電層324用作源電極的引出導線或者漏電極的引出導線。通過在上述制造步驟中形成第六導電層324代替形成第三導電層315，可以實現(xiàn)第三導電層315的功能。在此情況中，通過液滴釋放方法在第四半導體層上方形成用于形成第四半導體層的掩模，然后使用上述掩模和第六導電層作為掩模蝕刻第四半導體層，從而形成第五半導體層和第六半導體層。此后，去除上述掩模，并且施用液體排斥處理，從而代替形成第三導電層315，在第四半導體層上方不會形成電極以外的元件。通過施用被施用到第三導電層315的液體排斥處理至第四半導體層314，可以形成用作第三導電層的第六導電層324。通過諸如濺射方法和蒸發(fā)方法的公知方法堆疊薄膜，可以形成通過上述工藝的液滴釋放方法而形成的薄膜。在此情況中，可以通過液滴釋放方法形成掩模而形成具有所需形狀的薄膜晶體管。但是，在通過諸如濺射方法和蒸發(fā)方法的公知方法形成薄膜，因此難以在常溫下形成薄膜的情況中，需要使用耐熱襯底并且當堆疊薄膜時需要提供抗熱措施。
在第一絕緣層302上方形成任意尺寸的第三液體排斥層307 (圖2C)，然后形成任意尺寸的第二導電層308，使之與第一導電層304、第一絕緣層302和第二絕緣層306接觸(圖2D)。因此，可以控制溝道方向中的柵電極的長度。通過液滴釋放方法在第四半導體層314的上方形成任意尺寸的第三導電層315 (圖3C)。隨后，通過液滴釋放方法在第四半導體層314和第三導電層315的上方形成任意尺寸的第四液體排斥層316。通過液滴釋放方法在第四半導體層314的一部分和第三絕緣層309的一部分上方形成第四導電層317。此外，通過液滴釋放方法在第四導電層317的一部分和第三絕緣層309的一部分上方形成第五導電層318 (圖3D)。接著，如圖4A所示，去除第四液體排斥層316。使用第三導電層315和第四導電層317作為掩模同時蝕刻第三半導體層313和第四半導體層314的一部分，從而形成第五半導體層319和第六半導體層320。結果，可以自由地控制薄膜晶體管的溝道長度。通過實施上述方法之一或兩種，可以自由地控制溝道長度和柵電極與薄膜重疊區(qū)域的長度之一或兩者，所述薄膜用于使晶態(tài)半導體膜，諸如與圓形薄膜晶體管的溝道部分相鄰存在的雜質半導體膜與源電極和漏電極電學連接。 [實施方案2]將參考圖5A至7B說明本發(fā)明的圓形薄膜晶體管的結構和制造方法。應當指出在實施方案2中，在使用液體排斥施用方法的情況中可以使用在實施方案I中說明的方法。此夕卜，在實施方案I中說明的材料可以被用作用于形成絕緣層(包括實施方案2中的第一至第四絕緣層)、液體排斥層(包括實施方案2中的第一至第五液體排斥層)和導電層(包括實施方案2中的第一至第五導電層)的材料。圖5A是本發(fā)明的圓形薄膜晶體管的頂部平面視圖，圖5B是其剖視圖。如圖5B所不,在襯底201上方形成第一絕緣層202和第一導電層203,并且形成第二絕緣層204和第二導電層205。應當指出第一導電層203此處用作柵導線并且第二導電層205此處用作柵電極。注意第二導電層205用第三絕緣層206覆蓋。此外，在第三絕緣層206上方形成半導體層207和208作為有源層。在遠離圓形薄膜晶體管中央部分的半導體層208的上方形成用作漏電極的第三導電層209。應當指出形成用作漏導線的第四導電層210與第三導電層209接觸。形成第四絕緣層211，覆蓋第三絕緣層206、第三導電層209和第四導電層210。在位于圓形薄膜晶體管中央部分的半導體層208的上方形成用作源電極和源導線的第五導電層212。應當指出下文將更詳細地說明上述圓形薄膜晶體管的制造方法。在實施方案2中，在相同的步驟中形成在實施方案I的不同步驟中形成的第三導電層315和第六導電層324。注意與實施方案I中相同的步驟將用相同附圖中的相同附圖標記來說明，并且此處省略了其說明。即，參考圖6A至7B，實施方案2將說明在實施方案I的圖3B中形成第三半導體層313和第四半導體層314的步驟后的步驟。去除圖3B中的形成的第一掩模312，并且如圖6A所示，通過液滴釋放方法在第四半導體層314的上方形成第二掩模340。通過液滴釋放方法在第四半導體層314和第二掩模340的上方形成第四液體排斥層341。通過液滴釋放方法在第四半導體層314的一部分和第三絕緣層309的一部分上方形成第三導電層342。通過液滴釋放方法在第三導電層342的一部分和第三絕緣層309的一部分上方形成第四導電層343。應當指出第三導電層342用作源電極或漏電極。第四導電層343用作源電極的引出導線或者漏電極的引出導線(圖6B)。去除第四液體排斥層341，并且使用第二掩模340和第三導電層342作為掩模同時蝕刻第三半導體層313和第四半導體層314的一部分，從而形成賦予p型或n型導電性的第五半導體層344和第六半導體層345。應當指出第五半導體層344用作有源層并且第六半導體層345具有電學連接用作有源層的第五半導體層344與在后續(xù)步驟中形成的源電極和漏電極的功能(圖6C)。通過液滴釋放方法在第二掩模340的上方形成第五液體排斥層346，并且通過液滴釋放方法在第三絕緣層309、第五半導體層344、第六半導體層345、第三導電層342和第四導電層343的上方形成第四絕緣層347。應當指出第四絕緣層347用作層間絕緣膜(圖7A)。去除第五液體排斥層346和第二掩模340，并且通過液滴釋放方法在第六半導體層345和第四絕緣層347的上方形成第五導電層348。應當指出第五導電層348用作源電極和源電極的引出導線，或者漏電極和漏電極的引出導線。 通過諸如濺射方法和蒸發(fā)方法的公知方法堆疊薄膜，可以形成通過上述工藝的液滴釋放方法形成的薄膜。在此情況中，可以通過液滴釋放方法形成掩模而形成具有所需形狀的薄膜晶體管。但是，在通過諸如濺射方法和蒸發(fā)方法的公知方法形成薄膜，因此難以在常溫下形成薄膜的情況中，需要使用耐熱襯底并且當堆疊薄膜時需要提供抗熱措施。如圖6A所示，通過液滴釋放方法在第四半導體層314的上方形成任意尺寸的第二掩模340，并且通過液滴釋放方法在第四半導體層314和第二掩模340的上方形成任意尺寸的第四液體排斥層341。接著，通過液滴釋放方法在第四半導體層314的一部分和第三絕緣層309的一部分上方形成第三導電層342。此外，通過液滴釋放方法在第三導電層342的一部分和第三絕緣層309的一部分上方形成第四導電層343。應當指出第三導電層342用作源電極或漏電極。第四導電層343用作源電極的引出導線或者漏電極的引出導線(圖6B)。去除第四液體排斥層341，并且使用第二掩模340和第三導電層342作為掩模同時蝕刻第三半導體層313和第四半導體層314的一部分，從而形成賦予p型或n型導電性的第五半導體層344和第六半導體層345。結果，可以自由地控制薄膜晶體管的溝道長度。通過實施上述方法之一或兩者，可以自由地控制溝道長度和柵電極與薄膜重疊區(qū)域的長度之一或兩者，所述薄膜用于使晶態(tài)半導體膜，諸如與圓形薄膜晶體管的溝道部分相鄰存在的雜質半導體膜與源電極和漏電極電學連接。[實施方案3]將參考圖8A至IlB說明本發(fā)明的圓形薄膜晶體管的結構和制造方法。應當指出在實施方案3中，在使用液體排斥施用方法的情況中可以使用在實施方案I中說明的方法。此外，在實施方案I中說明的材料可以被用作用于形成絕緣層(包括實施方案3中的第一至第四絕緣層)、液體排斥層(包括實施方案3中的第一至第六液體排斥層)和導電層(包括實施方案3中的第一至第六導電層)的材料。圖8A是本發(fā)明的圓形薄膜晶體管的頂部平面視圖，圖SB是其剖視圖。如圖8B所不,在襯底1401上方形成第一絕緣層1402和第一導電層1403,并且形成第二絕緣層1404和第二導電層1405。應當指出第一導電層1403此處用作柵導線并且第二導電層1405此處用作柵電極。注意第二導電層1405用第三絕緣層1406覆蓋。此外，在第三絕緣層1406的上方形成半導體層1407和1408作為有源層。通過向半導體層1407的一部分中添加賦予p型或n型導電性的雜質來形成半導體層1408。在位于圓形薄膜晶體管中央部分的半導體層1408的上方形成用作源電極的第三導電層1409。在遠離圓形薄膜晶體管中央部分的半導體層1408的上方形成用作漏電極的第四導電層
1410。應當指出形成用作漏導線的第五導電層1411與第四導電層1410接觸。形成第四絕緣層1412，覆蓋第三絕緣層1406、第四導電層1410和第五導電層
1411。形成用作源導線的第六導電層1413與第三導電層1409接觸。下文將更詳細地說明上述圓形薄膜晶體管的制造方法。實施方案3將說明半導體層的結構與實施方案I或2不同的情況的制造方法。注意與實施方案I中相同的步驟將用相同附圖中的相同附圖標記來說明，并且此處省略了其說明。即，參考圖9A至11B，實施方案3將說明在實施方案I的圖2D中形成第二導電層308的步驟后的步驟。如圖9A所示，去除第三液體排斥層307并且在第二導電層308、第一絕緣層302和第二絕緣層306上方形成第三絕緣層309。注意第三絕緣層309用作柵絕緣膜。接著，在第三絕緣層309上方形成第一半導體層360并且通過液滴釋放方法在第一半導體層360上方形成第一掩模361，從而形成第二半導體層362。應當指出第二半導體層362用作有源層(圖 9B)。去除第一掩模361，并且通過液滴釋放方法在第二半導體層362的上方形成第四液體排斥層363。通過液滴釋放方法在第二半導體層362的上方形成第二掩模364 (圖9C和 9D)。去除第四液體排斥層363，并且使用第二掩模364向第二半導體層362中添加高或低濃度的賦予P型或n型導電性的雜質，從而在第二半導體層362的一部分的上方形成第三半導體層365。應當指出第三導電層365被賦予p型或n型導電性，并且具有電學連接有源層和電極的功能(圖10A)。去除第二掩模364，并且通過液滴釋放方法在第三半導體層365的上方形成第三導電層366。應當指出第三導電層366用作源電極或漏電極(圖10B)。通過液滴釋放方法在第二半導體層362和第三導電層366的上方形成第五液體排斥層367 (圖10C)。通過液滴釋放方法形成第四導電層368，使之與第三半導體層365接觸。此外，通過液滴釋放方法形成第五導電層369，使之與第四導電層368接觸。應當指出第四導電層368用作漏電極或源電極。第五導電層369用作漏電極的引出導線或者源電極的引出導線(圖 10D)。去除第五液體排斥層367，并且通過液滴釋放方法在第三導電層366的上方形成第六液體排斥層370。在第三絕緣層309、第二半導體層362、第四導電層368和第五導電層369的上方形成第四絕緣層371。應當指出第四絕緣層371用作層間絕緣膜(圖11A)。去除第六液體排斥層370，并且通過液滴釋放方法形成第六導電層372，與第三導電層366接觸。應當指出第六導電層372用作源電極和用于源電極的引出導線，或者漏電、極和用于漏電極的引出導線。通過形成第六導電層372代替上述制造步驟中形成的第三導電層366，可以實現(xiàn)第三導電層366的功能。在此情況中，施用液體排斥處理，從而代替形成第三導電層366，在第四半導體層上方不 會形成電極以外的元件。換句話說，向第三半導體層365施用被施用到第三導電層366的液體排斥處理，進行圖IOD和IlA所示的步驟，并且去除代替形成第三導電層366而施用到第三半導體層365，使得不會形成電極以外的元件的液體排斥處理，從而可以形成用作第三導電層366的第六導電層372。在實施方案3中，通過在不去除第二掩模364的情形下由液滴釋放方法在第三半導體層365的上方形成第三導電層366和第四導電層368，可以完成用作源電極或漏電極的導電層。在此情況中，第二掩模364需要由對隨后步驟不會有不利影響的物質，諸如絕緣材料組成。上述第二掩模364在降低制造時間和成本并且進一步平整薄膜方面是有效的。通過諸如濺射方法和蒸發(fā)方法的公知方法堆疊薄膜，可以形成通過上述工藝的液滴釋放方法形成的薄膜。在此情況中，可以通過液滴釋放方法形成掩模而形成具有所需形狀的薄膜晶體管。但是，在通過諸如濺射方法和蒸發(fā)方法的公知方法形成薄膜，因此難以在常溫下形成薄膜的情況中，需要使用耐熱襯底并且當堆疊薄膜時需要提供抗熱措施。通過液滴釋放方法在第二半導體層362的上方形成任意尺寸的第四液體排斥層363。通過液滴釋放方法在半導體層362的上方形成任意尺寸的第二掩模364 (圖9C和9D)。去除第四液體排斥層363，并且使用第二掩模364向第二半導體層362中添加高或低濃度的賦予P型或n型導電性的雜質，從而在第二半導體層362的一部分的上方形成第三半導體層365。結果，可以自由地控制薄膜晶體管的溝道長度。通過實施上述方法之一或兩者，可以自由地控制溝道長度和柵電極與薄膜(例如賦予P型或n型導電性的半導體膜)重疊區(qū)域的長度之一或兩者，所述薄膜用于使晶態(tài)半導體膜，諸如與圓形薄膜晶體管的溝道部分相鄰存在的雜質半導體膜與源電極和漏電極電學連接。[實施方案4]將參考圖12A至14B說明本發(fā)明的圓形薄膜晶體管的結構和制造方法。應當指出在實施方案4中，在使用液體排斥施用方法的情況中可以使用在實施方案I中說明的方法。此外，在實施方案I中說明的材料可以被用作用于形成絕緣層(包括實施方案4中的第一至第四絕緣層)、液體排斥層(包括實施方案4中的第一至第六液體排斥層)和導電層(包括實施方案4中的第一至第六導電層)的材料。圖12A是本發(fā)明的圓形薄膜晶體管的頂部平面視圖，圖12B是其剖視圖。如圖12B所不,在襯底501上方形成第一絕緣層502和第一導電層503,并且形成第二絕緣層504和第二導電層505。應當指出第一導電層503此處用作柵導線并且第二導電層505此處用作柵電極。注意第二導電層505用第三絕緣層506覆蓋。此外，在第三絕緣層506的上方形成半導體層507和508作為有源層。通過向半導體層507的一部分中添加賦予p型或n型導電性的雜質來形成半導體層508。在遠離圓形薄膜晶體管中央部分的半導體層508的上方形成用作漏電極的第三導電層509。應當指出形成用作漏導線的第四導電層510與第三導電層509接觸。
形成第四絕緣層511,覆蓋第三絕緣層506、第三導電層509和第四導電層510。在位于圓形薄膜晶體管中央部分的半導體層508的上方形成用作源電極和源導線的第五導電層512。下文將更詳細地說明上述圓形薄膜晶體管的制造方法。在實施方案4中，在相同的步驟中形成在實施方案3的不同步驟中形成的第三導電層366和第六導電層372。注意與實施方案I和3中相同的步驟將用相同附圖中的相同附圖標記來說明，并且此處省略了其說明。即，參考圖13至14B，實施方案4將說明在實施方案3的圖IOA中形成第三半導體層365的步驟后的步驟。如圖13所示，去除第二掩模364，并且在第三半導體層365和第三絕緣層309的上方形成第三導電層381，并且通過液滴釋放方法在第三導電層381和第三絕緣層309的上方 形成第四導電層382。結果，完成用作源電極或漏電極的第三導電層和用作源電極或漏電極的第四導電層。通過在不去除第二掩模的情形下由液滴釋放方法在第三半導體層上方形成第三導電層，可以形成用作源電極或漏電極的導電層。第二掩?？梢园凑赵瓨颖挥米鹘^緣層，因此需要使用對隨后步驟不具有不利作用的物質。去除第五液體排斥層，并且通過液滴釋放方法在第三半導體層的上方形成第六液體排斥層。通過由液滴釋放方法在第四導電層的一部分、第三絕緣層、第二半導體層和第三導電層的上方形成第四絕緣層，可以形成用作層間絕緣膜的絕緣膜(圖14A)。去除第六液體排斥層，并且通過液滴釋放方法形成第六導電層。結果，完成用作源電極和用于源電極的引出導線，或者漏電極和用于漏電極的引出導線的導電層(圖14B)。在實施方案4中，去除第二掩模364，但是不一定必須去除。在此情況中，第二掩模364需要由不具有不利影響的物質，諸如絕緣體組成。如上所述的第二掩模364在除制造時間和成本并且進一步平整薄膜方面是有效的。通過諸如濺射方法和蒸發(fā)方法的公知方法堆疊薄膜，可以形成通過上述工藝的液滴釋放方法形成的薄膜。在此情況中，可以通過液滴釋放方法形成掩模而形成具有所需形狀的薄膜晶體管。但是，在通過諸如濺射方法和蒸發(fā)方法的公知方法形成薄膜，因此難以在常溫下形成薄膜的情況中，需要使用耐熱襯底并且當堆疊薄膜時需要提供抗熱措施。通過實施上述方法之一或兩者，可以自由地控制溝道長度和柵電極與薄膜(例如賦予P型或n型導電性的半導體膜)重疊區(qū)域的長度之一或兩者，所述薄膜用于使晶態(tài)半導體膜，諸如與圓形薄膜晶體管的溝道部分相鄰存在的雜質半導體膜與源電極和漏電極電學連接。[實施方案5]將參考圖15A至18B說明本發(fā)明的圓形薄膜晶體管的結構和制造方法。應當指出在實施方案5中，在使用液體排斥施用方法的情況中可以使用在實施方案I中說明的方法。此外，在實施方案I中說明的材料可以被用作用于形成絕緣層(包括實施方案5中的第一和第二絕緣層)、液體排斥層(包括實施方案5中的第一至第六液體排斥層)和導電層(包括實施方案5中的第一至第六導電層)的材料。圖15A是本發(fā)明的圓形薄膜晶體管的頂部平面視圖，圖15B是其剖視圖。
如圖15B所示，在襯底601的上方形成半導體層602和603。在位于圓形薄膜晶體管中央部分的半導體層603的上方形成用作源電極的第一導電層604。在遠離圓形薄膜晶體管中央部分的半導體層603的上方形成用作漏電極的第二導電層605。應當指出形成用作漏導線的第三導電層606與第二導電層605接觸。形成第一絕緣層607,覆蓋襯底601、第二導電層605和第三導電層606。在第一絕緣層607的上方形成用作柵電極的第四導電層608，并且在第一絕緣層607和第四導電層608的上方形成第二絕緣層609。形成用作源導線的第五導電層610與第一導電層604接觸，并且在第二絕緣層609的上方形成用作柵導線的第六導電層611與第四導電層608接觸。
參考圖16A至18B，說明本發(fā)明薄膜晶體管的制造方法。在襯底401的上方堆疊第一半導體層402并且在第一半導體層402的上方堆疊賦予p型或n型導電性的第二半導體層403。通過液滴釋放方法在第二半導體層403的上方形成第一掩模404。使用第一掩模404蝕刻第一半導體層402和第二半導體層403的一部分，從而形成第三半導體層405和第四半導體層406 (圖16A和16B)。去除第一掩模404并且通過液滴釋放方法在第二半導體層403的上方形成第一導電層407。應當指出第一導電層407用作源電極或者漏電極(圖16C)。在第一導電層407和第四半導體層406的上方形成第一液體排斥層408。通過液滴釋放方法在襯底401和未用第一液體排斥層408覆蓋的第四半導體層406的上方形成第二導電層409。在襯底401和第二半導體層403的上方形成第三導電層410，使之與第二導電層409接觸。應當指出第二導電層409用作源電極或漏電極。第三導電層410用作源電極的引出導線或漏電極的引出導線(圖16D)。 去除第一液體排斥層408，并且使用第一導電層407和第二導電層409作為掩模蝕刻賦予P型或n型導電性的第三半導體層405和第四半導體層406的一部分，從而形成第五半導體層411和第六半導體層412。應當指出第五半導體層411用作有源層。第六半導體層412具有電學連接用作有源層的第五半導體層411與用作源電極或漏電極的第一導電層407或第二導電層409的作用(圖17A)。通過液滴釋放方法在第一導電層407的上方形成第二液體排斥層413。通過液滴釋放方法在襯底401、第二導電層409、第三半導體層410和第五導電層411的上方形成第一絕緣層414。應當指出第一絕緣層414用作柵絕緣膜(圖17B)。通過液滴釋放方法在第二液體排斥層413和第一絕緣層414的上方形成第三液體排斥層415。通過液滴釋放方法在第一絕緣層414的上方形成第四導電層416。應當指出第四導電層416用作柵電極(圖17C)。去除第二液體排斥層413和第三液體排斥層415，并且通過液滴釋放方法在第一導電層407的上方形成第四液體排斥層417，而且通過液滴釋放方法在第四導電層416的上方形成第五液體排斥層418。通過液滴釋放方法在第一絕緣層414的上方形成第二絕緣層419。應當指出第二絕緣層419用作層間絕緣膜(圖17D)。去除第四液體排斥層417和第五液體排斥層418。分別通過液滴釋放方法在第二絕緣層419的上方形成第五導電層420和第六導電層421，使之與第一導電層407和第四導電層416接觸。第五導電層420用作源電極或漏電極的引出導線，并且第六導電層421用作柵電極的引出導線(圖18A)。如圖18B所示，去除第四液體排斥層和第五液體排斥層。通過液滴釋放方法在第二絕緣層的上方形成第六液體排斥層422。在第二絕緣層419的上方，通過液滴釋放方法可以同時形成第五導電層420和第六導電層421，分別與第一導電層407和第四導電層416接觸。通過去除第六液體排斥層422，可以形成用作柵電極引出導線的第六導電層421和用作源電極或漏電極引出導線的第五導電層420。通過諸如濺射方法和蒸發(fā)方法的公知方法堆疊薄膜，可以形成通過上述工藝的液滴釋放方法而形成的薄膜。在此情況中，可以通過液滴釋放方法形成掩模而形成具有所需形狀的薄膜晶體管。但是，在通過諸如濺射方法和蒸發(fā)方法的公知方法形成薄膜，因此難以在常溫下形成薄膜的情況中，需要使用耐熱襯底并且當堆疊薄膜時需要提供抗熱措施。通過液滴釋放方法在第二絕緣層403的上方形成任意尺寸的第一導電層407。應 當指出第一導電層407用作源電極和漏電極(圖16C)。通過液滴釋放方法在第一導電層407和第四半導體層406的一部分的上方形成任意尺寸的第一液體排斥層408。通過液滴釋放方法在襯底401和未用第一液體排斥層408覆蓋的第四半導體層406的上方形成第二導電層409。在襯底401的上方形成第三導電層410，使之與第二導電層409接觸。應當指出第二導電層409用作源電極或漏電極。第三導電層410用作源電極的引出導線或漏電極的引出導線(圖16D)。去除第一液體排斥層408，并且使用第一導電層407和第二導電層409作為掩模蝕刻賦予P型或n型導電性的第三半導體層405和第四半導體層406的一部分，從而形成第五半導體層411和第六半導體層412。應當指出第五半導體層411用作有源層，而第六半導體層412具有電學連接用作有源層的第五半導體層411與用作源電極或漏電極的第一導電層407或第二導電層409的作用(圖17A)。結果，可以自由控制薄膜晶體管的溝道長度。在第二液體排斥層413和第一絕緣層414的上方形成任意尺寸的第三液體排斥層415。通過液滴釋放方法在第一絕緣層414的上方形成任意尺寸的第四導電層416(圖17C)。結果，可以控制溝道方向中柵電極的長度。通過實施上述方法之一或兩者，可以自由地控制溝道長度和由中間插有柵絕緣膜的柵電極與薄膜(諸如賦予P型或n型導電性的半導體膜)組成的重疊區(qū)域的長度之一或兩者，所述薄膜用于使晶態(tài)半導體膜，諸如與圓形薄膜晶體管的溝道部分相鄰存在的雜質半導體膜與源電極和漏電極電學連接。[實施方案6]將參考圖19A至21D說明本發(fā)明的圓形薄膜晶體管的結構和制造方法。應當指出在實施方案6中，在使用液體排斥施用方法的情況中可以使用在實施方案I中說明的方法。此外，在實施方案I中說明的材料可以被用作用于形成絕緣層(包括實施方案6中的第一和第二絕緣層)、液體排斥層(包括實施方案6中的第一至第六液體排斥層)和導電層(包括實施方案6中的第一至第五導電層)的材料。圖19A是本發(fā)明的圓形薄膜晶體管的頂部平面視圖，圖19B是其剖視圖。如圖19B所示，在襯底701的上方形成半導體層702和703作為有源層，并且在遠離圓形薄膜晶體管中央部分的半導體層703的上方形成用作漏電極的第一導電層704。應當指出形成用作漏導線的第二導電層705與第一導電層704接觸。形成第一絕緣層706,覆蓋襯底701、第一導電層704和第二導電層705。在第一絕緣層706的上方形成用作柵電極的第三導電層707，并且在第一絕緣層706和第三導電層707的上方形成第二絕緣層708。形成用作源電極和源導線的第四導電層709和用作柵導線的第五導電層710與位于圓形薄膜晶體管中央部分的半導體層703接觸，并且在第二絕緣層708的上方形成分別用作源電極和源導線的第三導電層707和第四導電層709。下文將詳細說明上述薄膜晶體管的制造方法。在實施方案6中，在相同的步驟中形成在實施方案5的不同步驟中形成的第一導電層407和第五導電層420。注意與實施方案5中相同的步驟將用相同附圖中的相同附圖標記來說明，并且此處省略了其說明。即，參考圖20A至21D，實施方案6將說明在實施方案 5的圖16B中形成第三半導體層405和第四半導體層406的步驟后的步驟。去除圖16B中形成的第一掩模404，并且如圖20A所示，通過液滴釋放方法在第四半導體層406的上方形成第二掩模430。通過液滴釋放方法在第四半導體層406和第二掩模430的上方形成第一液體排斥層431。通過液滴釋放方法在第四半導體層406和襯底401的上方形成第一導電層432。通過液滴釋放方法在襯底401的上方形成第二導電層433與第一導電層432接觸。應當指出第一導電層432用作源電極或漏電極。第二導電層433用作源電極的引出導線或者漏電極的引出導線(圖20B)。去除第一液體排斥層431,并且使用第二掩模430和第一導電層432作為掩模同時蝕刻第三半導體層405和第四半導體層406的一部分，從而形成第五半導體層434和第六半導體層435。第五半導體層434用作有源層。第六半導體層435具有電學連接用作有源層的第五半導體層434與在后續(xù)步驟中形成的源電極和漏電極的作用(圖20C)。通過液滴釋放方法在第二掩模430的上方形成第二液體排斥層436。通過液滴釋放方法在襯底401、第三半導體層405的一部分、第一導電層432和第二導電層433的上方形成第一絕緣層437。應當指出第一絕緣層437用作柵絕緣膜(圖20D)。此處，可以去除第二掩模430。在此情況中，通過液滴釋放方法在第六半導體層的上方形成還可以用于隨后步驟的第二液體排斥層。通過液滴釋放方法在第一絕緣層437的上方形成第三液體排斥層438，并且通過液滴釋放方法在第一絕緣層437的上方形成第三導電層439。應當指出第三導電層439用作柵電極(圖21A)。去除第二液體排斥層436和第三液體排斥層438，并且通過液滴釋放方法在第二掩模430的上方形成第四液體排斥層445而且在第三導電層439的上方形成第五液體排斥層440，然后通過液滴釋放方法在第一絕緣層437的上方形成第二絕緣層441。應當指出第二絕緣層441用作層間絕緣膜(圖21B)。去除第二掩模430、第四液體排斥層445和第五液體排斥層440。通過液滴釋放方法在第二絕緣層441的上方形成第四導電層442與第六半導體層435接觸。通過液滴釋放方法在第二絕緣層441的上方形成第五導電層443與第三導電層439接觸。應當指出第四導電層442用作源電極的引出導線，并且第五導電層443用作柵電極和柵電極的引出導線，或者漏電極和漏電極的引出導線(圖21C)。
在實施方案6中，如圖21D所示，去除第四液體排斥層445和第五液體排斥層440。通過液滴釋放方法第二絕緣層441的上方形成第六液體排斥層444。通過液滴釋放方法可以在第二絕緣層441的上方同時形成第四導電層442和第五導電層443，使之分別與第六半導體層435和第三導電層439接觸。通過去除第六液體排斥層444，可以形成用作柵電極引出導線的第四導電層442和用作源電極和源電極或漏電極引出導線以及源電極引出導線的第五導電層443。通過諸如濺射方法和蒸發(fā)方法的公知方法堆疊薄膜，可以形成通過上述工藝的液滴釋放方法而形成的薄膜。在此情況中，可以通過液滴釋放方法形成掩模而形成具有所需形狀的薄膜晶體管。但是，在通過諸如濺射方法和蒸發(fā)方法的公知方法形成薄膜，因此難以在常溫下形成薄膜的情況中，需要使用耐熱襯底并且當堆疊薄膜時需要提供抗熱措施。如圖20A所示，通過液滴釋放方法在第四半導體層406的上方形成任意尺寸的第二掩模430。通過液滴釋放方法在第四半導體層406和第二掩模430的上方形成任意尺寸的第一液體排斥層431。通過液滴釋放方法在第四半導體層406和襯底401的上方形成第一導電層432。通過液滴釋放方法在襯底401的上方形成第二導電層433與第一導電層432接觸(圖20B)。去除第一液體排斥層431，并且使用第二掩模430和第一導電層432作為掩模同時蝕刻第三半導體層405和第四半導體層406的一部分，從而形成第五半導體層434和第六半導體層435。結果，可以自由控制薄膜晶體管的溝道長度。通過液滴釋放方法在第一絕緣層437的上方形成任意尺寸的第三液體排斥層438。通過液滴釋放方法在第一絕緣層437的上方形成任意尺寸的第三導電層439 (圖21A)。結果，可以控制溝道方向中柵電極的長度。通過實施上述方法之一或兩者，可以自由地控制溝道長度和柵電極與薄膜(例如賦予P型或n型導電性的半導體膜)重疊區(qū)域的長度之一或兩者，所述薄膜用于使晶態(tài)半導體膜，諸如與圓形薄膜晶體管的溝道部分相鄰存在的雜質半導體膜與源電極和漏電極電學連接。 [實施方案7]將參考圖22A至26D說明本發(fā)明的圓形薄膜晶體管的結構和制造方法。應當指出在實施方案7中，在使用液體排斥施用方法的情況中可以使用在實施方案I中說明的方法。此外，在實施方案I中說明的材料可以被用作用于形成絕緣層(包括實施方案7中的第一和第二絕緣層)、液體排斥層(包括實施方案7中的第一至第七液體排斥層)和導電層(包括實施方案7中的第一至第六導電層)的材料。圖22A是本發(fā)明的圓形薄膜晶體管的頂部平面視圖，圖22B是其剖視圖。如圖22B所示，在襯底801的上方形成半導體層802和803作為有源層。通過向半導體層802的一部分添加賦予p型或n型導電性的雜質形成半導體層803。在位于圓形薄膜晶體管中央部分的半導體層803的上方形成用作源電極的第一導電層804，并且在遠離圓形薄膜晶體管中央部分的半導體層803的上方形成用作漏電極的第二導電層805。應當指出形成用作漏導線的第三導電層806與第二導電層805接觸。形成第一絕緣層807,覆蓋襯底801、第二導電層805和第三導電層806。在第一絕緣層807的上方形成用作柵電極的第四導電層808，并且在第一絕緣層807和第四導電層808的上方形成第二絕緣層809。在第二絕緣層809的上方形成用作源導線的第五導電層810并且形成用作柵導線的第六導電層811，分別與第一導電層804和第四導電層808接觸。下文將詳細說明上述圓形薄膜晶體管的制造方法。實施方案7將參考圖23A至26B說明其中半導體層的結構與實施方案5或6中不同的制造方法。如圖23A所示，在襯底401的上方堆疊第一半導體層450，并且通過液滴釋放方法在第一半導體層450的上方形成第一掩模451。使用第一掩模451蝕刻第一半導體層450,從而形成第二半導體層452 (圖23B)。去除第一掩模451并且通過液滴釋放方法形成第一液體排斥層453。通過液滴釋放方法在第二半導體層452的上方形成第二掩模454 (圖23C和23D)。

通過去除第一液體排斥層453并且向第二半導體層452添加高或低濃度的賦予P型或η型導電性的雜質，在第二半導體層452的一部分中形成第三半導體層455。應當指出第三半導體層455具有電學連接電極與賦予P型或η型導電性的有源層的作用(圖24Α)。去除第二掩模454，并且通過液滴釋放方法在第三半導體層455的上方形成第一導電層456。應當指出第一導電層456用作源電極或漏電極(圖24Β)。通過液滴釋放方法在第一導電層456、第二半導體層452和第三半導體層455的上方形成第二液體排斥層457。通過液滴釋放方法形成第二導電層458與襯底401和第三半導體層455接觸。形成第三導電層459與襯底401和第二導電層458接觸。第二導電層458用作漏電極或源電極。第三導電層459用作漏電極的引出導線或源電極的引出導線(圖 24D)。去除第二液體排斥層457，并且通過液滴釋放方法在第一導電層456的上方形成第三液體排斥層460。通過液滴釋放方法在襯底401、第二半導體層452、第二導電層458和第三導電層459的上方形成第一絕緣層461。應當指出第一絕緣層461用作柵絕緣膜(圖25Α)。通過液滴釋放方法在第一絕緣層461的上方形成第四液體排斥層462。通過液滴釋放方法在第一絕緣層461的上方形成第四導電層463。應當指出第四導電層463用作柵電極(圖25Β)。去除第三液體排斥層460和第四液體排斥層462，并且通過液滴釋放方法在第四導電層463的上方形成第五液體排斥層464、通過液滴釋放方法在第一導電層456的上方形成第六液體排斥層465，并且通過液滴釋放方法在第一絕緣層461的上方形成第二絕緣層466。應當指出第二絕緣層466用作層間絕緣膜(圖25C)。去除第五液體排斥層464和第六液體排斥層465，并且在第二絕緣層466的上方形成第五導電層467，與第一導電層456接觸。應當指出第五導電層467用作源電極和用于源電極的引出導線，或者漏電極和用于漏電極的引出導線。通過液滴釋放方法在第二絕緣層466的上方形成第六導電層468，與第四導電層463接觸。應當指出第六導電層468用作柵電極的引出導線?；蛘撸趯嵤┓桨?中，如圖26Α所示，可以去除第五液體排斥層464和第六液體排斥層465，并且通過液滴釋放方法在第二絕緣層466的上方形成第七液體排斥層469。然后，可以通過液滴釋放方法分別在第二絕緣層466的上方同時形成第五導電層467和第六導電層468,與第一導電層和第四導電層463接觸。隨后，去除第六液體排斥層465。應當指出在此情況中第五導電層467用作源電極的引出導線或漏電極的引出導線，并且第六導電層468用作柵電極和柵電極的引出導線。在實施方案7中，如圖26B所示，第一導電層456可以通過液滴釋放方法在第二半導體層452和第三半導體層455的上方形成，而不去除在圖23D中形成并且在圖24B中去除的第二掩模454。應當指出第一導電層456用作源電極或漏電極。也就是說，第二掩模454可以被相似地用于后來形成的絕緣層。但是，第二掩模454需要由對隨后步驟不具有不利作用的物質，諸如絕緣材料形成。留下上述的第二掩模454在降低制造時間和成本并且進ー步平整薄膜方面是有效的。通過諸如濺射方法和蒸發(fā)方法的公知方法堆疊薄膜，可以形成通過上述エ藝的液滴釋放方法而形成的薄膜。在此情況中，可以通過液滴釋放方法形成掩模而形成具有所需形狀的薄膜晶體管。 但是，在通過諸如濺射方法和蒸發(fā)方法的公知方法形成薄膜，因此難以在常溫下形成薄膜的情況中，需要使用耐熱襯底并且當堆疊薄膜時需要提供抗熱措施。通過液滴釋放方法形成任意尺寸的第一液體排斥層453，并且通過液滴釋放方法在第二半導體層452的上方形成任意尺寸的第二掩模454 (圖23C和23D)。通過去除第一液體排斥層453，并且使用第二掩模454向第二半導體層452添加能賦予p型或η型導電性的高或低濃度的雜質，在第二半導體層452的一部分的上方形成第三半導體層455 (圖24Α)。結果，可以自由控制薄膜晶體管的溝道長度。通過液滴釋放方法在第一絕緣層461的上方形成任意尺寸的第四液體排斥層462和第四導電層463 (圖25Β)。結果，可以控制溝道方向中柵電極的長度。通過實施上述方法之一或兩種，可以自由地控制溝道長度和柵電極與薄膜(例如賦予P型或η型導電性的半導體膜)重疊區(qū)域的長度之ー或兩者，所述薄膜用于使晶態(tài)半導體膜，諸如與圓形薄膜晶體管的溝道部分相鄰存在的雜質半導體膜與源電極和漏電極電學連接。[實施方案8]將參考圖27Α至29D說明本發(fā)明的圓形薄膜晶體管的結構和制造方法。應當指出在實施方案8中，在使用液體排斥施用方法的情況中可以使用在實施方案I中說明的方法。此外，在實施方案I中說明的材料可以被用作用于形成絕緣層(包括實施方案8中的第一和第二絕緣層)、液體排斥層(包括實施方案8中的第一至第六液體排斥層)和導電層(包括實施方案8中的第一至第五導電層)的材料。圖27Α是本發(fā)明的圓形薄膜晶體管的頂部平面視圖，圖27Β是其剖視圖。如圖27Β所示，在襯底901的上方形成半導體層902和903作為有源層。通過向半導體層902的一部分添加賦予P型或η型導電性的雜質形成半導體層903。在遠離圓形薄膜晶體管中央部分的半導體層903的上方形成用作漏電極的第一導電層904。形成用作漏導線的第二導電層905與第一導電層904接觸。形成第一絕緣層906,覆蓋襯底901、第一導電層904和第二導電層905。在第一絕緣層906的上方形成用作柵電極的第三導電層907，并且在第一絕緣層906和第三導電層907的上方形成第二絕緣層908。形成用作源電極和源導線的第四導電層909，與位于圓形薄膜晶體管中央部分的半導體層903接觸，并且在第二絕緣層908的上方形成用作柵導線的第五導電層910，與第三導電層907接觸。下文將詳細說明上述圓形薄膜晶體管的制造方法。在實施方案8中，在相同的步驟中形成在實施方案7的不同步驟中形成的第一導電層456和第五導電層467。注意與實施方案7中相同的步驟將用相同附圖中的相同附圖標記來說明，并且此處省略了其說明。即，參考圖27A至29D，實施方案8將說明在實施方案7的圖24A中形成第三半導體層455和第二掩模454的步驟后的步驟。如圖28A所示，通過液滴釋放方法在第二半導體層452和第三半導體層455的上方形成第二液體排斥層480。通過液滴釋放方法形成第一導電層481，與襯底401和第三半導體層455接觸。通過液滴釋放方法形成第二導電層482，與襯底401和第一導電層481接觸。應當指出第二導電層482用作漏電極和漏電極的引出導線，或者源電極和源電極的引 出導線(圖28A和28B)。去除第二液體排斥層480，通過液滴釋放方法在第三半導體層455的上方形成第三液體排斥層483，并且通過液滴釋放方法在襯底401、第二半導體層452、第一導電層481和第二導電層482的一部分的上方形成第一絕緣層484，從而形成用作柵絕緣膜的絕緣層(圖 28C)。通過液滴釋放方法在第三液體排斥層483和第一絕緣層484的上方形成第四液體排斥層485，并且通過液滴釋放方法在第一絕緣層484的上方形成第三導電層486。應當指出第三導電層486用作柵電極(圖28D)。去除第三液體排斥層483和第四液體排斥層485，并且通過液滴釋放方法在第三導電層486的上方形成第五液體排斥層487。通過液滴釋放方法在第三半導體層455的上方形成第六液體排斥層488。通過液滴釋放方法在第一絕緣層484的上方形成第二絕緣層489。應當指出第二絕緣層489用作層間絕緣膜(圖29A)。去除第五液體排斥層487和第六液體排斥層488，并且通過液滴釋放方法在第二絕緣層489的上方形成第四導電層490，與第三半導體層455接觸。應當指出第四導電層490用作源電極和用于源電極的引出導線。通過液滴釋放方法在第二絕緣層489的上方形成第五導電層491，與第三導電層486接觸。應當指出第五導電層491用作柵電極的引出導線(圖29B)。可選地，在實施方案8中，如圖29C所示，可以去除第五液體排斥層487和第六液體排斥層488，并且通過液滴釋放方法在第二絕緣層489的上方形成第七液體排斥層469。然后，可以通過液滴釋放方法在第二絕緣層489的上方同時形成第四導電層490和第五導電層491，分別與第三半導體層455和第三導電層486接觸。隨后，去除第七液體排斥層469。應當指出在此情況中第四導電層490用作柵電極的引出導線，并且第五導電層491用作源電極的引出導線或漏電極的引出導線。在實施方案8中，如圖29D所示，第一導電層456可以通過液滴釋放方法在第二半導體層452和第三半導體層455的上方形成，而不去除在實施方案7的圖23D中形成并且在圖24B中去除的第二掩模454。應當指出第一導電層456用作源電極或漏電極。也就是說，第二掩模454可以被相似地用于后來形成的絕緣層。但是，第二掩模454需要由對隨后步驟不具有不利作用的物質，諸如絕緣材料形成。留下上述的第二掩模454在降低制造時間和成本并且進一歩平整薄膜方面是有效的。通過諸如濺射方法和蒸發(fā)方法的公知方法堆疊薄膜，可以形成通過上述エ藝的液滴釋放方法而形成的薄膜。在此情況中，可以通過液滴釋放方法形成掩模而形成具有所需形狀的薄膜晶體管。但是，在通過諸如濺射方法和蒸發(fā)方法的公知方法形成薄膜，因此難以在常溫下形成薄膜的情況中，需要使用耐熱襯底并且當堆疊薄膜時需要提供抗熱措施。通過實施上述方法之ー或兩者，可以自由地控制溝道長度和柵電極與薄膜(例如賦予P型或η型導電性的半導體膜)重疊區(qū)域的長度之一或兩種，所述薄膜用于使晶態(tài)半導體膜，諸如與圓形薄膜晶體管的溝道部分相鄰存在的雜質半導體膜與源電極和漏電極電學連接。[實施方案9]
在實施方案9中，本發(fā)明的圓形薄膜晶體管被用于諸如液晶顯示器件和發(fā)光元件的顯示裝置的像素部分中。像素部分中晶體管的位置沒有特別限制。舉例來說，可以如圖30的頂部平面視圖所示提供晶體管。應當指出實施方案I中說明的圓形薄膜晶體管被按照本實施方案來使用。在圖30中，圓形薄膜晶體管3001的源電極3002通過源導線3003與源信號線3004連接。圓形薄膜晶體管3001的柵電極3005通過柵導線3006與柵信號線3007連接。形成像素電極3009，使其一部分與漏電極3008接觸。應當指出此處在一個像素中形成一個圓形薄膜晶體管，但是本發(fā)明不局限于這種結構。也可以在ー個像素中提供兩個以上圓形薄膜晶體管。本申請基于2005年5月20日向日本專利局提交的申請?zhí)枮?005-147660的日本專利申請，該專利申請的全部內容引入本文作參考。
權利要求
1.一種圓形薄膜晶體管，包括 在襯底之上的圓形電極； 在所述圓形電極之上的絕緣層； 在第一絕緣層之上的圓形半導體層； 與所述圓形半導體層的中央部分交疊的源電極；以及 覆蓋所述圓形半導體層的外圍部分的漏電極，所述漏電極圍繞所述源電極， 其中所述圓形電極和所述圓形半導體層以同心的方式堆疊。
2.一種圓形薄膜晶體管，包括 第一絕緣層，具有其形狀為圓形的開口 ； 在所述開口中的圓形半導體層； 在所述第一絕緣層和所述圓形半導體層之上的第二絕緣層； 在所述第二絕緣層之上的圓形半導體層； 與所述圓形半導體層的中央部分交疊的源電極；以及 覆蓋所述圓形半導體層的外圍部分的漏電極，所述漏電極圍繞所述源電極， 其中所述第一絕緣層、所述圓形電極和所述圓形半導體層以同心的方式堆疊。
3.一種圓形薄膜晶體管，包括 在襯底之上的圓形半導體層； 與所述圓形半導體層的中央部分交疊的源電極； 覆蓋所述圓形半導體層的外圍部分的漏電極，所述漏電極圍繞所述源電極， 在所述圓形半導體層和所述漏電極之上的絕緣層； 在所述絕緣層之上的圓形電極； 其中所述圓形電極和所述圓形半導體層以同心的方式堆疊。
4.一種圓形薄膜晶體管，包括 在襯底之上的圓形半導體層； 與所述圓形半導體層的中央部分交疊的源電極； 覆蓋所述圓形半導體層的外圍部分的漏電極，所述漏電極圍繞所述源電極， 在所述圓形半導體層和所述漏電極之上的第一絕緣層，所述第一絕緣層具有第一開n ； 在所述絕緣層之上的圓形電極；以及 在所述第一絕緣層和所述圓形電極之上的第二絕緣層，所述第二絕緣層具有第二開n, 其中所述圓形半導體層、所述第一開口、所述圓形電極和所述第二開口以同心的方式堆疊，以及 其中所述源電極在所述第一開口和所述第二開口中。
5.如權利要求1-4中任一項所述的圓形薄膜晶體管，其中所述漏電極覆蓋在所述圓形半導體層的邊沿上。
6.如權利要求1-4中任一項所述的圓形薄膜晶體管，其中所述圓形半導體層包括晶體。
7.如權利要求1-4中任一項所述的圓形薄膜晶體管，其中所述圓形電極具有橢圓形形狀。
8.如權利要求1-4中任一項所述的圓形薄膜晶體管，其中在所述圓形半導體層中的溝道部分具有同心圓形狀。
9.如權利要求1-4中任一項所述的圓形薄膜晶體管，還包括在所述圓形半導體層上的半導體層。
全文摘要
本發(fā)明涉及薄膜晶體管的制造方法。本發(fā)明提供了形狀比傳統(tǒng)情況更容易控制的圓形薄膜晶體管的制造方法，同時該方法通過諸如液滴釋放方法的無掩模方法形成圓形薄膜晶體管而簡化了步驟并且降低了制造時間和成本。在本發(fā)明中，通過諸如液滴釋放方法的無掩模方法，在襯底的上方堆疊同心圓形薄膜來形成具有圓形電極的圓形薄膜晶體管。另外，通過諸如液滴釋放方法的無掩模方法，可以通過在襯底的上方堆疊同心圓形薄膜來形成具有圓形半導體層的圓形薄膜晶體管。
文檔編號H01L29/423GK102709313SQ20121015160
公開日2012年10月3日 申請日期2006年5月19日 優(yōu)先權日2005年5月20日
發(fā)明者廣瀨篤志 申請人:株式會社半導體能源研究所