專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示范性實(shí)施例大體涉及半導(dǎo)體裝置的制造，尤其涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著移動(dòng)設(shè)備的越來(lái)越廣泛地應(yīng)用及其持續(xù)小型化，一直努力使得構(gòu)成移動(dòng)設(shè)備或數(shù)字家電的半導(dǎo)體裝置高度集成。在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)裝置或閃存裝置的情況下，已作出各種嘗試以在有限的空間里存儲(chǔ)大量的信息。一般地，DRAM裝置包括晶體管和電容器，并且具有晶體管形成在半導(dǎo)體基板上而電容器形成在晶體管上的堆疊結(jié)構(gòu)。為了實(shí)現(xiàn)晶體管和電容器之間的電連接，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸布置在晶體管的源極區(qū)域與電容器的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電極之間。此外，晶體管的漏極區(qū)域通過(guò)位線接觸與位線電連接。如上所述，在電容器布置于晶體管之上的結(jié)構(gòu)中，由于諸如字線或位線的信號(hào)傳輸線布置于晶體管和電容器之間，因此由于信號(hào)傳輸線所占據(jù)的空間而使得電容器的容量增長(zhǎng)受到限制。此外，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸具有大尺寸從而使得存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸連接到存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電極。因?yàn)槲痪€應(yīng)當(dāng)被圖案化為布置于存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)之間，因此圖案化工藝是復(fù)雜的。此外，將位線圖案化為布置在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸之間時(shí)，掩模覆蓋可能會(huì)引起麻煩。因此，正在研發(fā)各種方法，用于圖案化存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸并在形成位線的蝕刻過(guò)程中蝕刻存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸。然而，在依照現(xiàn)有技術(shù)的形成位線的蝕刻過(guò)程中，氧化層和金屬層會(huì)被同時(shí)蝕刻。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，通過(guò)引入一種不使用掩模形成位線的方法，該半導(dǎo)體裝置能夠解決以下問(wèn)題，即，在形成位線的蝕刻過(guò)程中需要同時(shí)蝕刻氧化層和金屬層，以及由于掩模重疊更加難以圖案化位線以使其布置在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸之間。在實(shí)施例中，制造半導(dǎo)體裝置的方法包括在半導(dǎo)體基板上形成包括接觸孔的層間介電層；通過(guò)采用導(dǎo)電材料填充接觸孔而形成接觸圖案；去除層間介電層以暴露接觸圖案；形成具有第一厚度并圍繞接觸圖案?jìng)?cè)壁的間隔體；在提供有間隔體的接觸圖案的一個(gè)方向上形成延伸的位線；以及移除間隔體以在接觸圖案與位線之間形成空氣間隙，具有第一距離的間隔布置在空氣間隙中。在實(shí)施例中，接觸孔可在半導(dǎo)體基板的第一方向上成行排列而彼此間隔開第一間隔，且可在半導(dǎo)體基板的第二方向上排列而彼此間隔開第二間隔，第二方向與第一方向交叉，第二間隔比第一間隔窄。優(yōu)選地，第一間隔形成為具有比位線寬度和具有第一厚度的間隔體寬度之和更寬的寬度，并且第二間隔形成為具有不大于間隔體的寬度的寬度，間隔體具有第一厚度且圍繞布置于半導(dǎo)體基板的第二方向上的接觸圖案的側(cè)壁。優(yōu)選地，接觸圖案包括蝕刻選擇性不同于構(gòu)成層間介電層的材料的蝕刻選擇性的材料。
可以采用包括緩沖氧化蝕刻劑(BOE)溶液或者氫氟酸溶液的濕蝕刻溶液通過(guò)浸出工藝去除層間介電層。優(yōu)選地，間隔體包括蝕刻選擇性不同于構(gòu)成接觸圖案的材料的蝕刻選擇性的材料，并且間隔體填充布置于半導(dǎo)體基板的第一方向上的接觸圖案之間的第二間隔。優(yōu)選地，位線圍繞接觸圖案的側(cè)壁的至少1/3。優(yōu)選地，在形成位線之后該方法進(jìn)一步包括使位線從位線表面凹陷第一厚度，從而使圍繞接觸圖案的間隔體的一部分暴露；以及形成覆蓋位線的氮化物層，氮化物層形成為凹陷的第一厚度。優(yōu)選地，在形成空氣間隙之后該方法進(jìn)一步包括在接觸圖案、位線和空氣間隙上形成蝕刻停止層，該蝕刻停止層包括氮化物層。蝕刻停止層可以僅形成在空氣間隙的入口處。
·
間隔體可以采用濕蝕刻溶液去除，濕蝕刻溶液包括緩沖氧化蝕刻劑(BOE)溶液或者HF溶液。在另一實(shí)施例中，制造半導(dǎo)體裝置的方法包括在半導(dǎo)體基板上形成層間介電層，層間介電層包括在半導(dǎo)體基板的第一方向上布置而彼此間隔開第一間隔，并且在垂直于半導(dǎo)體基板的第一方向的第二方向上布置而彼此間隔開第二間隔的接觸孔，第二間隔比第一間隔窄；通過(guò)采用導(dǎo)電材料填充接觸孔而形成接觸圖案；去除層間介電層以暴露接觸圖案；形成圍繞接觸圖案?jìng)?cè)壁并在第二方向上填充第二間隔的間隔體；形成位線，該位線在間隔體之間按行延伸；去除間隔體以在接觸圖案與位線之間形成空氣間隙；以及在接觸圖案、位線和空氣間隙上形成蝕刻停止層。在另一實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體基板；第一接觸圖案，在半導(dǎo)體基板的一個(gè)方向上布置而彼此間隔開第一距離；第二接觸圖案，平行于第一接觸圖案布置而與第一接觸圖案間隔開第二距離，第二距離長(zhǎng)于第一距離；位線，圍繞第一接觸圖案或第二接觸圖案?jìng)?cè)壁的一部分而在彼此間隔開第二距離的第一接觸圖案與第二接觸圖案之間延伸；空氣間隙，布置在第一接觸圖案與位線之間或第二接觸圖案與位線之間；以及蝕刻停止層，形成在接觸圖案、位線和空氣間隙上。


從下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，更加清楚地理解以上和其他方面、特征以及其他優(yōu)點(diǎn)，其中圖I至20是解釋根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示圖；以及圖21是解釋根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的示圖。
具體實(shí)施例以下，將參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，實(shí)施例僅用于說(shuō)示例目，而并不旨在限制本發(fā)明的范圍。圖I至20是解釋依照本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示圖。參照?qǐng)DI和2，層間介電層105形成在半導(dǎo)體基板100上，接觸孔110形成在層間介電層105中。圖2是圖I沿半導(dǎo)體基板loo的i-r或ii-ir方向的一部分的截面圖。層間介電層105形成在半導(dǎo)體基板100上。層間介電層105可以由氧化物形成。在此情況下，盡管圖中未示出，但字線已經(jīng)形成在半導(dǎo)體基板100上。層間介電層被蝕刻以形成多個(gè)接觸孔110。接觸孔110在半導(dǎo)體基板100的X軸方向上成行布置同時(shí)彼此間隔開第一間隔A，并且在與半導(dǎo)體基板100的X軸方向相交的Y軸方向上成行布置同時(shí)彼此間隔開第二間隔B，第二間隔B窄于第一間隔A。接觸孔110之間包括第一間隔A的間隔是后面要形成位線的區(qū)域。因此，第一間隔A形成的寬度寬于后面要形成的位線的寬度與要布置于位線的兩側(cè)的間隔體的寬度之和。此外，第二間隔B形成的寬度為后面要形成的間隔體的寬度的兩倍或更小，從而避免使得要布置為彼此相鄰的位線之間彼此連接。例如，當(dāng)位線形成為具有100 A的寬度且間隔體形成為具有50 A的寬度時(shí)，第一間隔A的寬度可以是寬于至少200 A并且第二間隔B的寬度可以是至少窄于100A。參照3和圖4，接觸孔110被導(dǎo)電材料填充以形成接觸圖案120。導(dǎo)電材料形成在層間介電層105和接觸孔110上，從而使得導(dǎo)電材料填充在接觸孔110中。導(dǎo)電材料可以是對(duì)構(gòu)成層間介電層105的氧化物具有選擇性的材料，并且例如可采用包括氮化鈦TiN或多晶硅的金屬層。執(zhí)行平坦化工藝以去除層間介電層105上的導(dǎo)電材料，從而形成填充在 接觸孔110中的接觸圖案120。平坦化工藝可以通過(guò)回蝕刻工藝或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝執(zhí)行。接觸圖案120將存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電極連接到半導(dǎo)體基板100上的源極區(qū)域(未示出)，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電極為電容器的底電極。參照?qǐng)D5和圖6，去除層間介電層105以露出接觸圖案120的兩側(cè)面和上表面。由于層間介電層105由氧化物形成，因此層間介電層可以采用去除氧化物的蝕刻方法去除。此外，層間介電層105可以采用包括緩沖氧化物蝕刻劑(BOE)溶液或者氫氟酸溶液的濕蝕刻溶液通過(guò)浸出(dip out)工藝去除。因此，接觸圖案120布置為在半導(dǎo)體基板100的X軸方向上成行布置而彼此間隔開第一間隔A，并且在與半導(dǎo)體基板100的X軸方向相交的Y軸方向成行布置而彼此間隔開第二間隔B，第二間隔B窄于第一間隔A。第一間隔A形成的寬度寬于后面要形成的位線的寬度與要布置于接觸圖案120的兩側(cè)的間隔體的寬度之和，第二間隔B形成的寬度為后面要形成的間隔體的寬度的兩倍或更小，從而避免要布置為彼此相鄰的位線之間彼此連接。參照7和圖8，間隔體材料層130形成在半導(dǎo)體基板100上，該半導(dǎo)體基板100包括具有露出的兩側(cè)面及上表面的接觸圖案120。間隔體材料層130可以由蝕刻選擇性不同于構(gòu)成接觸圖案120的材料的材料形成，并且間隔體材料層130可以包括氧化物。第一間隔A布置于在半導(dǎo)體基板100的X軸方向上的接觸圖案120之間，并且比第一間隔A窄的第二間隔B布置在半導(dǎo)體基板100的Y軸方向上。從而，間隔體材料層130形成在接觸圖案120上，使得在半導(dǎo)體基板100的X軸方向上成行排列的接觸圖案120之間的第一間隔A內(nèi)保留有其中要形成位線的間隔140，而在半導(dǎo)體基板100的Y軸方向上的成行排列的接觸圖案120之間的第二間隔B被間隔材料130填充，如圖7中的參考標(biāo)號(hào)“C”所示。參照?qǐng)D9和圖10，在間隔體材料層130上執(zhí)行拋光工藝以形成使接觸圖案120的上表面露出的間隔體130a。拋光工藝可以采用回蝕刻工藝執(zhí)行。通過(guò)拋光工藝去除覆蓋接觸圖案120的上表面的間隔體材料，從而使得間隔體130a形成為環(huán)繞接觸圖案120的兩側(cè)面。這里，填充半導(dǎo)體基板100的Y軸方向上的接觸圖案120之間的第二間隔B的間隔體130a未被回蝕刻工藝去除而保留下來(lái)。在此情況下，接觸圖案120之間露出的間隔被定義為位線接觸孔145，后面要在位線接觸孔145中形成位線。由接觸圖案120之間露出的間隔定義的位線接觸孔145具有接觸圖案120的側(cè)表面上的間隔體130a之間露出的第一寬度a，以及填充第二間隔B的間隔體130之間的第二寬度b。在此情況下，由于第二寬度b布置為寬于第一寬度a,因此位線接觸孔145具有曲線形狀。參照?qǐng)D11和圖12，具有曲線形狀的位線150形成在接觸圖案120之間。位線150可以通過(guò)在包括位線接觸孔(140，參照?qǐng)D9)的半導(dǎo)體基板100上形成導(dǎo)電材料并執(zhí)行平坦化工藝而形成?？梢栽诮佑|圖案120和間隔體130a的上表面露出時(shí)停止平坦化工藝。平坦化工藝可以采用CMP工藝。在此情況下，構(gòu)成位線150的導(dǎo)電材料可以由蝕刻選擇性不同于構(gòu)成接觸圖案120的材料的材料形成。例如，當(dāng)接觸圖案120由多晶硅形成時(shí)，位線150可以由包括鈦材料TiN或鎢W的金屬材料形成。當(dāng)接觸圖案120由鈦材料TiN形成時(shí)，位線150可以由鎢W形成。此外，當(dāng)接觸圖案120由鎢W形成時(shí)，位線150可以由鈦材料TiN形成。位線150形成為圍繞間隔體130a的至少一部分，間隔體130a的至少一部分圍繞接觸圖案的側(cè)壁。例如，位線150形成為至少圍繞間隔體130a的1/3。
在此情況下，位線150的線寬可以通過(guò)調(diào)整間隔體130a的沉積厚度來(lái)控制。例如，當(dāng)?shù)谝婚g隔A形成為具有200A的寬度并且位線150形成為具有IOOA的線寬時(shí)，間隔體130形成為具有50A的厚度，從而確保位線150的線寬。例如，當(dāng)位線150形成為具有大于100 A的線寬時(shí)，間隔體130a的厚度調(diào)整為小于50 A,當(dāng)位線150形成為具有小于100 A的線寬時(shí)，間隔體130a的厚度調(diào)整為大于50人，從而確保位線的線寬。因此，與采用蝕刻工藝形成位線的方法相比，位線線寬的均勻性提高。參照13和圖14，位線150凹陷第一高度d以露出圍繞接觸圖案120的側(cè)表面的間隔體130a的一部分?？刹捎没匚g刻工藝執(zhí)行使位線150凹陷第一高度d的工藝。由于形成間隔體130a和接觸圖案120的材料的蝕刻選擇性與形成位線150的材料的蝕刻選擇性不同，因此間隔體130a和接觸圖案120在回蝕刻工藝中未被去除，使得環(huán)繞接觸圖案120側(cè)表面的間隔體130a被凹陷的第一高度d暴露。參照15和圖16，蓋帽絕緣層160形成在位線150的暴露表面以覆蓋位線150的暴露表面。蓋帽絕緣層160可以由氮化物形成。蓋帽絕緣層160可以形成為具有一厚度，該厚度能夠覆蓋回蝕刻工藝中被第一高度d露出的間隔體130a。參照17和圖18，圍繞接觸圖案120的間隔體130a被去除以暴露接觸圖案120的表面。由于間隔體130a由氧化物形成，因此可以采用去除氧化物的蝕刻方法去除間隔體130a。此外，可以采用濕蝕刻溶液通過(guò)浸出工藝去除間隔體130a，濕蝕刻溶液包括緩沖氧化蝕刻劑(BOE)溶液或者氫氟酸溶液。間隔體130a被去除，從而在接觸圖案120和位線150之間布置出空間隔。這里，如圖17所示，空間隔定義為使接觸圖案120與的位線150分離的空氣間隙170。參照?qǐng)D19和圖20，蝕刻停止層180形成在位線150和接觸圖案120上。蝕刻停止層180使要連接到接觸圖案120的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電極與位線150分離。蝕刻停止層180可以由蝕刻選擇性不同于接觸圖案120的材料的絕緣材料形成。在本發(fā)明的實(shí)施例中，由于接觸圖案120由多晶硅或金屬材料形成，因此蝕刻停止層180可以由蝕刻選擇性不同于多晶硅材料或金屬材料的材料(例如氮化物)形成。由于蝕刻停止層180形成在位線150和接觸圖案120上，因此蝕刻停止層180也形成在空氣間隙170上。然而，由于空氣間隙170具有對(duì)應(yīng)于間隔體130a的厚度的窄寬度，因此蝕刻停止層180例如只形成在空氣間隙170的入口處。由介電材料形成的層間介電層以及位線間隔體可布置在位線與接觸圖案之間。然而，在本發(fā)明的實(shí)施例中，空氣間隙170取代介電材料形成在位線150與接觸圖案120之間，由此位線與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電極之間的寄生電容可降低。如圖21所示，通過(guò)上述工藝形成的半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體基板100、第一接觸圖案120a、第二接觸圖案120b、位線(150，參照?qǐng)D20)、空氣間隙170和蝕刻停止層180。第一接觸圖案120a在半導(dǎo)體基板的一個(gè)方向上布置為彼此間隔開第一距離200。第二接觸圖案120b布置為平行于第一接觸圖案120a，同時(shí)第二接觸圖案120b與第一接觸圖案120a間隔開第二距離210，第二距離210長(zhǎng)于第一距離200。位線150圍繞第一接觸圖案120a或第二接觸圖案120b的側(cè)壁的一部分，同時(shí)位線150在彼此間隔開第二距離210的第一接觸圖案120a與第二接觸圖案120b之間延伸?？諝忾g隙170布置在第一接觸圖案120a與位 線150之間或第二接觸圖案120b與位線150之間。蝕刻停止層180形成在第一接觸圖案120a和第二接觸圖案120b、位線150以及空氣間隙170上。位線150形成在第一接觸圖案120a或第二接觸圖案120b的上表面下方，而蓋帽絕緣層160形成在位線150上，使得位線150與第一接觸圖案120a或第二接觸圖案120b的上表面齊平。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，首先形成接觸圖案，然后在預(yù)先指定了位線的形成位置之后形成位線，從而可以減少工藝步驟。此外，布置接觸圖案，同時(shí)接觸圖案彼此間隔開了其中要填充絕緣材料的間隔，且用絕緣材料填充到間隔中以使間隔彼此分離，從而可以不使用掩模圖案而形成位線形成區(qū)域。另外，調(diào)整形成在接觸圖案?jìng)?cè)壁的間隔體的厚度以控制位線的線寬，使得與采用蝕刻工藝形成位線的情形相比，可以提高位線線寬的均勻性。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，通過(guò)回蝕刻位線150執(zhí)行一工藝以暴露間隔體130a的側(cè)面的一部分。然而，本發(fā)明不限于此。例如，根據(jù)接觸圖案120與要連接到接觸圖案120的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電極之間的重疊邊緣，可以不執(zhí)行回蝕刻工藝。例如，當(dāng)接觸圖案120與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電極之間的重疊容限(overlap margin)設(shè)定為大于一極限范圍(limit range)時(shí),可以省略回蝕刻工藝。如上所述，當(dāng)重疊容限設(shè)定的大于該極限范圍時(shí)，構(gòu)成位線的材料可以與構(gòu)成接觸圖案120的材料實(shí)質(zhì)相同。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸之間的距離形成為使得絕緣材料填充在其間，并且存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸由絕緣材料彼此分離，從而可以不采用掩模圖案而形成位線。此外，首先形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸，然后在預(yù)先指定了位線的形成位置之后形成位線，這樣可以減少工藝步驟。此外，通過(guò)調(diào)整形成在接觸圖案?jìng)?cè)壁的間隔體的厚度來(lái)控制位線的線寬，使得可以提高位線線寬的均勻性。以上所公開的本發(fā)明的實(shí)施例用于說(shuō)明目的。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到在不偏離所附的權(quán)利要求公開的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，各種變型、增加和替換均是可能的。本申請(qǐng)要求享受2011年2月15日提交韓國(guó)專利局的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2011-0013474號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)弓I用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法包括 在半導(dǎo)體基板上形成包括接觸孔的層間介電層； 采用導(dǎo)電材料填充該接觸孔以形成接觸圖案； 去除該層間介電層以暴露該接觸圖案； 形成間隔體，該間隔體具有第一厚度并且圍繞該接觸圖案的側(cè)壁的至少一部分； 形成位線，該位線在提供有該間隔體的該接觸圖案的一個(gè)方向上延伸； 去除間隔體以在該接觸圖案與該位線之間形成空氣間隙。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，該接觸孔在該半導(dǎo)體基板的第一方向上成行布置 而彼此間隔開第一間隔，并且在與該半導(dǎo)體基板的第一方向相交的第二方向上布置而彼此間隔開第二間隔，該第二間隔比該第一間隔窄。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該第一間隔形成為具有一寬度，該寬度寬于該位線的寬度與具有第一厚度的該間隔體的寬度之和，并且該第二間隔形成為具有一寬度，該寬度等于或小于該間隔體的寬度，該間隔體具有第一厚度并且圍繞布置于該半導(dǎo)體基板的第二方向上的該接觸圖案的側(cè)壁的至少一部分。
4.如權(quán)利要求I所述的方法，其中該接觸圖案包括蝕刻選擇性不同于構(gòu)成該層間介電層的材料的材料。
5.如權(quán)利要求I所述的方法，其中采用濕蝕刻溶液通過(guò)浸出工藝去除該層間介電層，該濕蝕刻溶液包括緩沖氧化蝕刻劑溶液或者HF溶液。
6.如權(quán)利要求I所述的方法，其中該間隔體包括蝕刻選擇性不同于構(gòu)成該接觸圖案的材料的材料。
7.如權(quán)利要求I所述的方法，其中該間隔體填充布置于該半導(dǎo)體基板的第一方向上的該接觸圖案之間的第二間隔。
8.如權(quán)利要求I所述的方法，其中該位線圍繞該接觸圖案的側(cè)壁的至少1/3。
9.如權(quán)利要求I所述的方法，在形成該位線之后進(jìn)一步包括 使該位線從該位線的表面凹陷第一厚度，從而暴露圍繞該接觸圖案的該間隔體的一部分； 形成覆蓋該位線的氮化物層，該氮化物層形成為該凹陷的第一厚度。
10.如權(quán)利要求I所述的方法，在形成該空氣間隙之后進(jìn)一步包括在該接觸圖案、該位線以及該空氣間隙上形成蝕刻停止層，該蝕刻停止層包括氮化物層。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中該蝕刻停止層僅形成在該空氣間隙的入口處。
12.如權(quán)利要求I所述的方法，其中采用濕蝕刻溶液去除該間隔體，該濕蝕刻溶液包括緩沖氧化蝕刻劑溶液或者HF溶液。
13.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法包括 在半導(dǎo)體基板上形成層間介電層，該層間介電層包括在該半導(dǎo)體基板的第一方向上布置而彼此間隔開第一距離并且在與該半導(dǎo)體基板的第一方向相交的第二方向上布置而彼此間隔開第二間隔的接觸孔，該第二間隔比該第一間隔窄； 通過(guò)采用導(dǎo)電材料填充該接觸孔而形成接觸圖案； 去除該層間介電層以暴露該接觸圖案； 形成間隔體，該間隔體圍繞該接觸圖案的側(cè)壁的至少一部分并在第二方向上填充第二間隔； 形成位線，該位線在該間隔體之間按行延伸； 去除該間隔體以在該接觸圖案與該位線之間形成空氣間隙；以及 在該接觸圖案、該位線和該空氣間隙上形成蝕刻停止層。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該第一間隔形成的寬度為寬于該位線的寬度與具有第一厚度的該間隔體的寬度之和，并且該第二間隔形成的寬度為等于或小于間隔體的寬度，該間隔體具有第一厚度并且圍繞布置于該半導(dǎo)體基板的該第二方向上的該接觸圖案的側(cè)壁的至少一部分。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該間隔體填充在布置于該半導(dǎo)體基板的該第一方向上的該接觸圖案之間的第二間隔。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該位線圍繞該接觸圖案的側(cè)壁的至少1/3。
17.一種半導(dǎo)體裝置，包括 半導(dǎo)體基板； 第一接觸圖案，布置在該半導(dǎo)體基板的一個(gè)方向上而彼此間隔開第一距離； 第二接觸圖案，平行于該第一接觸圖案布置而與該第一接觸圖案間隔開第二距離，該第二距離比該第一距離長(zhǎng)； 位線，圍繞該第一接觸圖案或該第二接觸圖案的側(cè)壁的一部分而在彼此間隔開該第二距離的該第一接觸圖案與該第二接觸圖案之間延伸， 空氣間隙，布置在該第一接觸圖案與該位線之間或該第二接觸圖案與該位線之間；以及 蝕刻停止層，形成在該接觸圖案、該位線以及該空氣間隙上。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中該位線形成為低于該第一接觸圖案或該第二接觸圖案的上表面。
19.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，還包括 蓋帽絕緣層，使該位線與該第一接觸圖案或該第二接觸圖案的上表面齊平。
20.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中該位線圍繞該第一接觸圖案或該第二接觸圖案的側(cè)壁的至少1/3。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包括在半導(dǎo)體基板上形成具有接觸孔的層間介電層，采用導(dǎo)電材料填充接觸孔以形成接觸圖案，去除層間介電層以暴露出該接觸圖案，形成具有第一厚度并且環(huán)繞接觸圖案的側(cè)壁的至少一部分的間隔體，形成在具有間隔體的接觸圖案的一個(gè)方向上延伸的位線，以及去除間隔體以在接觸圖案與位線之間形成空氣間隙。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102751235SQ201210142339
公開日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2012年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月15日
發(fā)明者金泰昊 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司