本發(fā)明涉及一種電容基板模塊，且特別是涉及一種具有低共生電感的固態(tài)電解電容基板模塊及包括該固態(tài)電解電容基板模塊的電路板。

背景技術(shù)：
可攜式電子產(chǎn)品發(fā)展講求輕、薄、短、小、高速、低耗電率及多功能性。近年來(lái)，隨著IC制作工藝技術(shù)不斷地提升以及信號(hào)傳輸速度增加，印刷電路板（PrintedCircuitBoard）或IC載板（substrate）必須要傳輸更高頻的信號(hào)，同步切換所產(chǎn)生的電源雜訊相互干擾也日益嚴(yán)重。目前被廣泛用于降低電源雜訊的方法是在電源接腳（power/groundpin）附近放置SMD電容，稱之為去耦合電容（decouplingcapacitor）或是旁路電容（bypasscapacitor）。主要功能是將電能儲(chǔ)存在電容器中，在電能不足時(shí)可以適時(shí)補(bǔ)給電能，以達(dá)到吸收突波（glitch）、降低電源雜訊及穩(wěn)定電源的效果。然而，未來(lái)電路系統(tǒng)強(qiáng)調(diào)多功能（Multi-function），其雜訊產(chǎn)生的頻帶也愈來(lái)愈寬，在IC載板有限的面積下，擺放的SMD型式電容數(shù)目勢(shì)必受限，因此以前述方法抑制電源雜訊也將遇到瓶頸。而近年來(lái)開(kāi)發(fā)內(nèi)藏式電容基板，例如某些金屬-絕緣體-金屬（MIM）結(jié)構(gòu)的電容，其單位面積所能提供的電容值仍然不能滿足CPU載板上的電容值需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種固態(tài)電解電容基板模塊，以解決上述問(wèn)題。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種固態(tài)電解電容基板模塊，其包括基板、第二電極、絕緣層、導(dǎo)通薄片及導(dǎo)通孔。所述基板包括第一電極與多孔隙結(jié)構(gòu)，第一電極包括第一表面，相對(duì)于第一表面為多孔隙結(jié)構(gòu)。多孔隙結(jié)構(gòu)包括表面及多個(gè)分布區(qū)域，分布區(qū)域具有多個(gè)深度，氧化層設(shè)置于多孔隙結(jié)構(gòu)的表面上。第二電極設(shè)置于氧化層之上，第二電極包括具有導(dǎo)電性的高分子材料。絕緣層設(shè)置于第二電極相對(duì)于面向基板的相對(duì)另一面上，絕緣層包括第三表面以及第四表面，第四表面連接第二電極。所述導(dǎo)通薄片設(shè)置于第一電極的第一表面上及絕緣層的第三表面上。所述導(dǎo)通孔依照不同的極性相對(duì)應(yīng)地與導(dǎo)通薄片電連接。在多個(gè)實(shí)施例其中之一，提供一種固態(tài)電解電容基板模塊，包括多個(gè)固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)、絕緣層、導(dǎo)通薄片及導(dǎo)通孔，以陣列方式依序相鄰排列，其中每一固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)包括基板及第二電極。所述基板包括第一電極與多孔隙結(jié)構(gòu)，第一電極包括第一表面，相對(duì)于第一表面為多孔隙結(jié)構(gòu)。氧化層設(shè)置于多孔隙結(jié)構(gòu)的表面上。第二電極設(shè)置于氧化層之上，第二電極包括導(dǎo)電性高分子材料。其中，每?jī)晒虘B(tài)電解電容結(jié)構(gòu)的多孔隙結(jié)構(gòu)包括至少一第一分布區(qū)域以及至少一第二分布區(qū)域，第一分布區(qū)域以與第二分布區(qū)域具有不同的深度。絕緣層設(shè)置于固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)的上方，絕緣層包括第三表面以及第四表面，第四表面連接固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)的第二電極。所述導(dǎo)通薄片，分別設(shè)置于固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)的第一電極的第一表面上以及絕緣層的第三表面上。所述導(dǎo)通孔，依照不同的極性相對(duì)應(yīng)地與導(dǎo)通薄片電連接。為讓本發(fā)明的上述特征能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。附圖說(shuō)明圖1A及圖1B為本發(fā)明內(nèi)容的固態(tài)電解電容基板模塊側(cè)視剖面圖及俯視圖；圖2A及圖2B為本發(fā)明內(nèi)容的包括固態(tài)電解電容陣列的固態(tài)電解電容基板模塊剖面圖及俯視圖；圖3A、圖3B及圖3C為本發(fā)明內(nèi)容的固態(tài)電解電容基板模塊側(cè)視剖面圖、俯視圖及等效電路圖；圖4A、圖4B及圖4C為本發(fā)明內(nèi)容的包括固態(tài)電解電容陣列的固態(tài)電解電容基板模塊側(cè)視剖面圖、俯視圖及等效電路圖；圖5為應(yīng)用本發(fā)明內(nèi)容多個(gè)實(shí)施例的固態(tài)電解電容基板模塊的印刷電路板結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明100、300：固態(tài)電解電容基板模塊110、310：基板112、312、412：第一電極112a、412a：第一表面112b、412b、512b：氧化層116、316、416：第一分布區(qū)域116H、416H：第一深度118、318、418：第二分布區(qū)域118H、418H：第二深度121、321：多孔隙結(jié)構(gòu)130、330：第二電極132、332、332a：導(dǎo)電性高分子材料134、334、334a：含碳層136、336、336a：導(dǎo)電銀膠150：絕緣層152：第三表面154：第四表面160、660：導(dǎo)通薄片162：第一導(dǎo)通薄片164：第二導(dǎo)通薄片166：正電極導(dǎo)通薄片168：負(fù)電極導(dǎo)通薄片170：導(dǎo)通孔172、672：盲孔173：絕緣貫通孔174、674：貫通孔174a：絕緣材料C1：第一電容C2：第二電容A1：第一區(qū)域A2：第二區(qū)域200、400：具有陣列式排列的固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)的固態(tài)電解電容基板模塊330a：第四電極340、440：溝槽L1、L2：寄生電感R1、R2：寄生電阻410：第一基板421：第一多孔隙結(jié)構(gòu)510：第二基板512：第三電極512a：第三表面521：第二多孔隙結(jié)構(gòu)600：電路板結(jié)構(gòu)60：固態(tài)電解電容基板模塊62：表面70：集成電路具體實(shí)施方式圖1A為本發(fā)明內(nèi)容的一種實(shí)施例的固態(tài)電解電容基板模塊結(jié)構(gòu)剖面示意圖。固態(tài)電解電容基板模塊100可內(nèi)藏于印刷電路板或是IC載板內(nèi)部，其包括一基板110、氧化層112b、第二電極130、絕緣層150、多個(gè)導(dǎo)通薄片160以及多個(gè)導(dǎo)通孔170。固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)包括上述的基板110、氧化層112b以及第二電極130。在本發(fā)明的實(shí)施例中，提供一基板110，其中此基板110包括多孔隙結(jié)構(gòu)121與第一電極112，其中，基板110經(jīng)由蝕刻制作工藝在不同區(qū)域(116,118)形成不同深度(118H,116H)的多孔隙結(jié)構(gòu)121，此多孔隙結(jié)構(gòu)121相較于傳統(tǒng)MIM平板電容為一具有較高表面面積的粗糙界面（HighSurfaceAreaInterface）。而基板110通過(guò)蝕刻制作工藝區(qū)域的控制，此多孔隙結(jié)構(gòu)121可以具有不同的深度。底下以圖示的實(shí)施例說(shuō)明。請(qǐng)參照?qǐng)D1A，此基板110為一鋁基板，在經(jīng)過(guò)蝕刻制作工藝后，此鋁基板形成包括第一電極112與多孔隙結(jié)構(gòu)121。在此，由電化學(xué)制作工藝產(chǎn)生的多孔隙結(jié)構(gòu)是不規(guī)則狀，故在圖1A的剖面圖中，多孔隙結(jié)構(gòu)的剖面例如是一不規(guī)則的鋸齒線。鋁基板經(jīng)由電化學(xué)制作工藝在多孔隙結(jié)構(gòu)121的表面上形成氧化層112b，例如是氧化鋁（Al2O3)，且氧化層112b覆蓋在多孔隙結(jié)構(gòu)121的表面上，此氧化層112b是絕緣物質(zhì)，即可當(dāng)作是電容結(jié)構(gòu)中的介電層(Dielectriclayer)。因此在圖1A的部分結(jié)構(gòu)剖面放大圖中，氧化層112b即為覆蓋在鋸齒線的上緣。而多孔隙結(jié)構(gòu)121的分布區(qū)域包括第一分布區(qū)域116以及第二分布區(qū)域118。在第一分布區(qū)域116中的多孔隙結(jié)構(gòu)深度為第一深度116H，在第二分布區(qū)域118中的多孔隙結(jié)構(gòu)深度為第二深度118H，其中，第一深度116H小于第二深度118H。第二電極130設(shè)置于氧化層112b之上，在一實(shí)施例中，覆蓋在氧化層112b上的導(dǎo)電材料可以是導(dǎo)電性高分子材料132。所述第二電極130可單獨(dú)為導(dǎo)電性高分子材料132，在另一實(shí)施例中，還可包括一含碳層134以及一導(dǎo)電銀膠136，以提供較佳的導(dǎo)電率。在其他未繪示實(shí)施例中，導(dǎo)電銀膠還可以導(dǎo)電錫膏取代。上述含碳層134設(shè)置于導(dǎo)電性高分子材料132之上，導(dǎo)電銀膠136還設(shè)置于含碳層134之上。絕緣層150設(shè)置于固態(tài)電解電容基板模塊100的第二電極130上方，包括一第三表面152以及一第四表面154，其中第四表面154與第二電極130相連接。在第一電極112的第一表面112a，以及絕緣層150的第三表面152設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)通薄片160。在本實(shí)施例中，導(dǎo)通薄片160包括一第一導(dǎo)通薄片162以及多個(gè)第二導(dǎo)通薄片164，第一導(dǎo)通薄片162與第一電極112的第一表面112a電連接，第二導(dǎo)通薄片164設(shè)置在絕緣層150的第三表面152上。導(dǎo)通孔170包括多個(gè)盲孔172以及多個(gè)貫通孔174，盲孔172貫穿絕緣層150，在本實(shí)施例中，盲孔172具有一導(dǎo)通層，且盲孔172通過(guò)該導(dǎo)通層與第二導(dǎo)通薄片164的負(fù)電極導(dǎo)通薄片168以及第二電極130電連接。貫通孔174是通過(guò)先在固態(tài)電解電容基板模塊100上設(shè)置多個(gè)絕緣貫通孔173，絕緣貫通孔173穿過(guò)絕緣層150、第二電極130及基板110，且在絕緣貫通孔173內(nèi)再設(shè)置一層絕緣材料174a，使得絕緣貫通孔173可通過(guò)絕緣材料174a分別與第一電極112及第二電極130電性絕緣。接著，并在絕緣材料174a內(nèi)層再設(shè)置一導(dǎo)通層成為一貫通孔174。其中，絕緣貫通孔173的孔壁直徑較貫通孔174大。貫通孔174貫穿絕緣材料174a，分別與第一導(dǎo)通薄片162以及第二導(dǎo)通薄片164的正電極導(dǎo)通薄片166電連接。在本實(shí)施例中，第一電極112為一正電極，且電連接至第一導(dǎo)通薄片162后，再經(jīng)由貫通孔174電連接至第二導(dǎo)通薄片164的正電極導(dǎo)通薄片166上。第二電極130為一負(fù)電極，通過(guò)盲孔172電連接至第二導(dǎo)通薄片164的負(fù)電極導(dǎo)通薄片168上。在圖1A中，多孔隙結(jié)構(gòu)121上的第一分布區(qū)域116，具有一第一電容C1，多孔隙結(jié)構(gòu)121上的第二分布區(qū)域118具有一第二電容C2，因?yàn)榈谝环植紖^(qū)域116的鋁基板蝕刻深度較第二分布區(qū)域118的鋁基板蝕刻深度小，換句話說(shuō)，第一深度116H較第二深度118H小。在蝕刻深度較深的區(qū)域，孔隙結(jié)構(gòu)較多相對(duì)的其表面積也較大，因此有效電容面積也越大，故第二電容C2大于第一電容C1。此外，因盲孔172位在多孔隙結(jié)構(gòu)中的蝕刻深度較淺的第一分布區(qū)域116，所以第二電極130通過(guò)盲孔172電連接至負(fù)電極導(dǎo)通薄片168的距離較短，因此本發(fā)明內(nèi)容的固態(tài)電解電容基板模塊100還具有低寄生電感值的特點(diǎn)。圖1B為圖1A的固態(tài)電解電容基板模塊的實(shí)施例俯視示意圖。請(qǐng)參考圖1B，在本發(fā)明內(nèi)容的范例實(shí)施例中，第一區(qū)域A1為圖1A中的第一分布區(qū)域116，第二區(qū)域A2為圖1A中的第二分布區(qū)域118。第一分布區(qū)域116周圍被第二分布區(qū)域118圍繞，在固態(tài)電解電容基板模塊100中，中央?yún)^(qū)域A1的第一電容C1小于周圍區(qū)域A2的第二電容C2。因此中央?yún)^(qū)域A1可抑制較高頻的雜訊，而周圍區(qū)域A2通過(guò)貫通孔174將第一電極引出，可抑制較低頻的雜訊區(qū)。因此，此固態(tài)電解電容基板模塊100可以為具有寬頻效應(yīng)的固態(tài)電解電容基板模塊。此外，中央?yún)^(qū)域A1的第一電容C1可以大于或小于周圍區(qū)域A2的第二電容C2。圖2A為本發(fā)明內(nèi)容其中一個(gè)實(shí)施例的陣列式固態(tài)電解電容基板模塊剖面示意圖，圖2B為圖2A的俯視示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖2A與圖2B，本實(shí)施例中，固態(tài)電解電容基板模塊200具有多個(gè)陣列式排列的固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)，其包括至少一分布區(qū)域，且此分布區(qū)域相對(duì)于第二電極130具有一深度。而本實(shí)施例的固態(tài)電解電容基板模塊200，每?jī)上噜彽墓虘B(tài)電解電容結(jié)構(gòu)包括至少一第一分布區(qū)域116以及至少一第二分布區(qū)域118。在此實(shí)施例中，采用如圖1A的固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)加以說(shuō)明，但并非以此為限制。為方便說(shuō)明，圖2A與圖1A的固態(tài)電解電容基板模塊相同元件部分以相同標(biāo)號(hào)表示，不再冗述。在本實(shí)施例中，因?yàn)槊績(jī)上噜彽墓虘B(tài)電解電容結(jié)構(gòu)包括不同的多孔隙結(jié)構(gòu)分布區(qū)域，所以第一分布區(qū)域116及第二分布區(qū)域118即相鄰且周期性地交互地排列。因?yàn)榈谝环植紖^(qū)域116的第一電容C1小于第二分布區(qū)域118的第二電容C2，故圖2B中電容較大的第二區(qū)域A2與電容較小的第一區(qū)域A1相互交錯(cuò)排列于固態(tài)電解電容陣列中。然而，第一區(qū)域A1與第二區(qū)域A2可具有不同電容值，其面積及多孔隙結(jié)構(gòu)深度可依照電路需求作不同的排列設(shè)計(jì)，例如此實(shí)施例以矩陣的方式排列，但并非以此為限制。圖3A為本發(fā)明內(nèi)容的其中一種實(shí)施例的固態(tài)電解電容基板模塊剖面示意圖，圖3B為圖3A的俯視示意圖，而圖3C為圖3A的等效電路示意圖。為方便說(shuō)明，圖3A與圖1A的固態(tài)電解電容基板模塊相同元件部分以相同標(biāo)號(hào)表示，不再冗述。請(qǐng)參考圖3A及圖3B，在本實(shí)施例中，固態(tài)電解電容基板模塊300包括基板310、第二電極330、絕緣層150、多個(gè)導(dǎo)通薄片160以及多個(gè)導(dǎo)通孔170。此外，固態(tài)電解電容基板模塊300還可包括一溝槽340，以將在基板310上的第二電極330、多孔隙結(jié)構(gòu)321及第一電極310間隔出第一分布區(qū)域316以及第二分布區(qū)域318，其中第二電極330中的第一分布區(qū)域316與第二分布區(qū)域318通過(guò)溝槽340相互電性絕緣。第二電極330的導(dǎo)電性高分子材料332、含碳層334、導(dǎo)電銀膠336以及多孔隙結(jié)構(gòu)321也被溝槽340相互電性絕緣隔開(kāi)成不同區(qū)域。本實(shí)施例中，基板310的第一電極312仍與第一導(dǎo)通薄片162電連接，并通過(guò)貫通孔174連接至第二導(dǎo)通薄片164的正電極導(dǎo)通薄片166上，不同區(qū)域的第二電極330通過(guò)盲孔172引出至第二導(dǎo)通薄片164的負(fù)電極導(dǎo)通薄片168上，提供多組電容值。因此，在圖3B中，固態(tài)電解電容基板模塊300的第一區(qū)域A1所示為圖3A的第一分布區(qū)域316的上視區(qū)域，第二區(qū)域A2所示為圖3A的第二分布區(qū)域318的上視區(qū)域，在第一區(qū)域A1與第二區(qū)域A2之間，即具有一溝槽340間將此二區(qū)域絕緣地間隔開(kāi)。此外，在圖3C所示的等效電路示意圖中，第一分布區(qū)域316具有一第一電容C1，并有一寄生電感L1及寄生電阻R1，而第二分布區(qū)域318具有一第二電容C2，并有一寄生電感L2及寄生電阻R2。當(dāng)不同區(qū)域的負(fù)電極導(dǎo)通薄片168相互電連接時(shí)，即可將不同區(qū)域的固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的電容相互并聯(lián)，因此而更能降低固態(tài)電解電容的寄生電感值。圖4A為本發(fā)明內(nèi)容多個(gè)實(shí)施例其中之一的陣列式固態(tài)電解電容基板模塊剖面示意圖，圖4B為圖4A的俯視示意圖，而圖4C為圖4A的等效電路示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖4A以及圖4B，在本實(shí)施例中，固態(tài)電解電容基板模塊400包括多個(gè)第一固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)與多個(gè)第二固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)。第一固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)包括一第一基板410及第二電極330。第一基板410包括第一電極412與第一多孔隙結(jié)構(gòu)421，第一電極412包括一第一表面412a，相對(duì)于第一表面412a為第一多孔隙結(jié)構(gòu)421，第一多孔隙結(jié)構(gòu)421包括至少一第一分布區(qū)域416，且第一分布區(qū)域416中的多孔隙結(jié)構(gòu)深度為第一深度416H。經(jīng)由電化學(xué)制作工藝，在具有高表面面積的第一多孔隙結(jié)構(gòu)421的表面形成一氧化層412b。第二電極330設(shè)置于一氧化層412b之上，第二電極330包括導(dǎo)電性高分子材料332、含碳層334及導(dǎo)電銀膠336。第二固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)包括第二基板510及第四電極330a，第二基板510包括第三電極512與第二多孔隙結(jié)構(gòu)521，第三電極512包括一第三表面512a，相對(duì)于第三表面512a為第二多孔隙結(jié)構(gòu)521，第二多孔隙結(jié)構(gòu)521包括至少一第二分布區(qū)域418，且第二分布區(qū)域418中的多孔隙結(jié)構(gòu)深度為第二深度418H。經(jīng)由電化學(xué)制作工藝，在具有高表面面積的第二多孔隙結(jié)構(gòu)521的表面形成一氧化層512b。第四電極330a設(shè)置于氧化層512b之上，第四電極330a包括導(dǎo)電性高分子材料332a、含碳層334a及導(dǎo)電銀膠336a。如圖4A及圖4B所示，在第一基板410以及第二基板510的多孔隙結(jié)構(gòu)421,521分布中，第一分布區(qū)域416以及第二分布區(qū)域418相鄰交互地排列，且第一深度416H小于第二深度418H。此外，通過(guò)溝槽440使得第一分布區(qū)域416以及第二分布區(qū)域418相互電性絕緣。因此，由圖4B所示的俯視示意圖可知，具有陣列式排列的固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)的固態(tài)電解電容基板模塊400由多個(gè)不同蝕刻深度的第一分布區(qū)域416及第二分布區(qū)域418在水平方向以陣列方式排列而成。且因?yàn)榈谝环植紖^(qū)域416的第一電容C1小于第二分布區(qū)域418的第二電容C2，故圖4B中電容較大的第二區(qū)域A2與電容較小的第一區(qū)域A1相互交錯(cuò)排列于固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)陣列中。然而，第一區(qū)域A1與第二區(qū)域A2可具有不同電容值，其面積及多孔隙結(jié)構(gòu)深度可依照電路需求作不同的排列設(shè)計(jì)，例如此實(shí)施例以矩陣的方式排列，但并非以此為限制。因此在圖4C的等效電路圖中，通過(guò)第一分布區(qū)域416以及第二分布區(qū)域418矩陣地排列，并將不同區(qū)域的負(fù)電極導(dǎo)通薄片168電連接，則不同區(qū)域的固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的電容也可以如矩陣形式地并聯(lián)，因此而更能降低固態(tài)電解電容的寄生電感值。圖5為應(yīng)用本發(fā)明多個(gè)實(shí)施例的固態(tài)電解電容基板模塊的印刷電路板剖面示意圖。請(qǐng)參考圖5，在本實(shí)施例中，電路板結(jié)構(gòu)600中的固態(tài)電解電容基板模塊60，可為圖1A至圖4C任一固態(tài)電解電容基板模塊。通過(guò)在導(dǎo)通薄片660走線并聯(lián)電容，貫通孔674及盲孔672可將電容引出至電路板結(jié)構(gòu)600的表面62，提供集成電路70所需的電容值。因此本發(fā)明內(nèi)容的固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)以及基板模塊可內(nèi)藏應(yīng)用在軟式或硬式的印刷電路板或IC載板中，并可提供一電容值提供給集成電路使用。綜上所述，本發(fā)明內(nèi)容的固態(tài)電解電容基板模塊，其基板的多孔隙結(jié)構(gòu)在不同的區(qū)域具有不同的深度，使得固態(tài)電解電容基板模塊可同時(shí)具有多種不同的電容值。且多孔隙結(jié)構(gòu)深度較深的區(qū)域具有更大的導(dǎo)體表面積，因此還可具有較大的電容值。此外，在本發(fā)明內(nèi)容的多個(gè)實(shí)施例其中之一，將固態(tài)電解電容結(jié)構(gòu)周期性排列，形成包括固態(tài)電解電容陣列的固態(tài)電解電容基板模塊，再通過(guò)走線將不同分布區(qū)域的負(fù)極電連接，更可降低基板模塊的寄生電感值。雖然結(jié)合以上實(shí)施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明內(nèi)容，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明內(nèi)容的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明內(nèi)容的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。