專利名稱：像素結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別是涉及ー種開ロ率高、制作穩(wěn)定性好的像素結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在的液晶顯示面板的面板尺寸越做越大，同時(shí)使用者對液晶顯示面板的廣視角、低能耗等要求也越來越高，促進(jìn)了液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的多祥化發(fā)展。在液晶顯示面板的每個像素結(jié)構(gòu)中，均設(shè)置有存儲電容，存儲電容用于保持驅(qū)動液晶分子轉(zhuǎn)動的電壓。存儲電容的電容值應(yīng)根據(jù)像素的大小進(jìn)行設(shè)計(jì)，如存儲電容太小，則 無法保持住上述的驅(qū)動電壓，造成顯示畫面的閃爍；如存儲電容太大，則會増加不必要的充電時(shí)間或在固定時(shí)間內(nèi)無法充飽存儲電容，影響液晶分子的轉(zhuǎn)動速度或轉(zhuǎn)動角度。請參照圖1，圖I為ー種現(xiàn)有技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，該像素結(jié)構(gòu)包括數(shù)據(jù)線11、掃描線12、薄膜場效應(yīng)晶體管13、像素電極14、位于有色層(CF，Color filter)的上板公共電極(圖中未示出)以及位于陣列層(TFT, Thin Film Transistor)的下板公共電極15。該像素結(jié)構(gòu)的存儲電容主要是由下板公共電極15與像素電極14構(gòu)成。但使用該像素結(jié)構(gòu)時(shí)，由于下板公共電極15 —般為不透光的金屬電極，從而大大影響該像素結(jié)構(gòu)的開ロ率。請參照圖2，圖2為另ー種現(xiàn)有技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，該像素結(jié)構(gòu)也包括數(shù)據(jù)線21、掃描線22、薄膜場效應(yīng)晶體管23、像素電極24以及位于有色層的上板公共電極(圖中未示出)。相比上ー種像素結(jié)構(gòu)，這種像素結(jié)構(gòu)將位于陣列層的下板公共電極去除，同時(shí)將像素電極24向掃描線22的方向延伸并局部覆蓋其中一掃描線22，由像素電極24與掃描線22之間構(gòu)成的電容作為該像素結(jié)構(gòu)的存儲電容。這種像素結(jié)構(gòu)可以避免存儲電容對像素結(jié)構(gòu)的開ロ率的影響。但制作該像素結(jié)構(gòu)時(shí)，存儲電容由像素電極24與掃描線22的重疊區(qū)域來確定，對于像素電極24的制程要求較高，如像素電極24的曝光制程的精度較低會較大的影響存儲電容的電容值，進(jìn)而影響相應(yīng)液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)。故，有必要提供一種像素結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的液晶顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供ー種新型的像素結(jié)構(gòu)以及相應(yīng)的液晶顯示裝置，該像素結(jié)構(gòu)開ロ率高、制作穩(wěn)定性好，以解決現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的液晶顯示裝置開ロ率低或制作穩(wěn)定性差的技術(shù)問題。本發(fā)明涉及ー種像素結(jié)構(gòu)，其中包括數(shù)據(jù)線；掃描線，與所述數(shù)據(jù)線交錯形成像素區(qū)；以及像素電極，設(shè)置在所述像素區(qū)內(nèi)，包括第一側(cè)邊及從所述第一側(cè)邊延伸出的橫跨部，所述第一側(cè)邊鄰近一掃描線，所述橫跨部絕緣地橫跨所述掃描線。在本發(fā)明所述像素結(jié)構(gòu)中，所述橫跨部的寬度小于所述第一側(cè)邊的長度。
在本發(fā)明所述像素結(jié)構(gòu)中，所述像素電極還包括具有相對于所述第一側(cè)邊的第二側(cè)邊以及設(shè)置于所述第二側(cè)邊的缺ロ部。在本發(fā)明所述像素結(jié)構(gòu)中，所述橫跨部的形狀為矩形、三角形或階梯形。在本發(fā)明所述像素結(jié)構(gòu)中，所述像素電極的缺ロ部的形狀對應(yīng)所述橫跨部的形狀。本發(fā)明還涉及ー種液晶顯示裝置，其中包括多個像素結(jié)構(gòu)，每個像素結(jié)構(gòu)包括數(shù)據(jù)線；掃描線，與所述數(shù)據(jù)線交錯形成像素區(qū)；以及像素電極，設(shè)置在所述像素區(qū)內(nèi)，包括第一側(cè)邊及從所述第一側(cè)邊延伸出的橫跨部，所述第一側(cè)邊鄰近一掃描線，所述橫跨部絕緣地橫跨所述掃描線；以及驅(qū)動模塊，用于驅(qū)動所述像素結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明所述的液晶顯示裝置中所述橫跨部的寬度小于所述第一側(cè)邊的長度。在本發(fā)明所述的液晶顯示裝置中，所述像素電極還包括具有相對于所述第一側(cè)邊的第二側(cè)邊以及設(shè)置于所述第二側(cè)邊的缺ロ部。 在本發(fā)明所述的液晶顯示裝置中，所述橫跨部的形狀為矩形、三角形或階梯形。在本發(fā)明所述的液晶顯示裝置中，所述像素電極的缺ロ部的形狀對應(yīng)所述橫跨部的形狀。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的液晶顯示器通過設(shè)置橫跨掃描線的橫跨部來形成存儲電容，提高了像素結(jié)構(gòu)的開ロ率，并且該像素結(jié)構(gòu)的制作穩(wěn)定性好，解決了現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的液晶顯示裝置開ロ率低或制作穩(wěn)定性差的技術(shù)問題。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下


圖I為ー種現(xiàn)有技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為另ー種現(xiàn)有技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的另ー優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5A 圖5F為本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的橫跨部的形狀示意圖。
具體實(shí)施例方式以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號表示。請參照圖3，圖3為本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。該像素結(jié)構(gòu)包括數(shù)據(jù)線31、掃描線32、薄膜場效應(yīng)晶體管33以及像素電極34，數(shù)據(jù)線31用于傳輸灰度信號；掃描線32用于傳輸掃描信號，與數(shù)據(jù)線31交錯形成像素區(qū)；薄膜場效應(yīng)晶體管33包括源扱、柵極以及漏極，其中源極與數(shù)據(jù)線31連接，柵極與掃描線32連接，漏極與像素電極34連接；像素電極34用于根據(jù)灰度信號驅(qū)動像素，其設(shè)置在上述的像素區(qū)內(nèi)，包括至少ー個從第一側(cè)邊延伸出的橫跨部341以及設(shè)置在第二側(cè)邊上相應(yīng)的缺ロ部342，像素電極的第一側(cè)邊鄰近一掃描線(該掃描線用于給相鄰的像素電極提供掃描信號)，第二側(cè)邊相對于第一側(cè)邊設(shè)置。該橫跨部341絕緣地橫跨像素電極34相鄰的掃描線32，缺ロ部342的形狀與相鄰像素電極34的橫跨部341的形狀相對應(yīng)，使得相鄰的像素電極34不會相互影響。如圖3所示，橫跨部341只在掃描線32的寬度方向上橫跨了部分掃描線32，并沒有在掃描線32的長度方向上完全覆蓋掃描線32，即橫跨部341的寬度小于第一側(cè)邊的長度，使得橫跨部341部分覆蓋被橫跨的掃描線32。由于橫跨部341與掃描線32具有重疊區(qū)域，該重疊區(qū)域的橫跨部341和掃描線32構(gòu)成相應(yīng)的存儲電容，存儲電容的大小與該重疊區(qū)域的面積有夫。因此橫跨部341的具體大小和形狀可根據(jù)預(yù)設(shè)的存儲電容的大小確定，如需要的存儲電容較大，則將該重疊區(qū)域的面積設(shè)計(jì)的較大；如需要的存儲電容較小，則將該重疊區(qū)域的面積設(shè)計(jì)的較小。橫跨部341可根據(jù)實(shí)際需要設(shè)計(jì)成各種形狀，優(yōu)選為矩形、三角形或階梯型，這些形狀均較為簡単， 利于像素電極34的制作，如圖4所示即為采用三角形形狀的橫跨部341的像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。同時(shí)橫跨部341也可設(shè)計(jì)成如圖5A至圖5F中所示的多種形狀，其中圖5A中的橫跨部341a的形狀為五邊形，圖5B中的橫跨部341b的形狀為六邊形，圖5C中的橫跨部341c的形狀為半圓形，圖中的橫跨部341d的形狀為U字形，圖5E中的橫跨部341e的形狀為Y字形，圖5F中的橫跨部341f的形狀為十字形。需要提醒的是，橫跨部341的形狀包括但不僅限于上述的各種形狀，采用其他形狀的橫跨部341實(shí)施本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的每個像素電極34的橫跨部341優(yōu)選為相同的形狀，這樣利于像素電極34的制作以及液晶顯示裝置的均勻顯示。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)使用時(shí)，像素結(jié)構(gòu)的存儲電容主要是由掃描線32與像素電極34的橫跨部341構(gòu)成的電容，這樣對像素結(jié)構(gòu)的開ロ率不會產(chǎn)生影響，進(jìn)而不會影響顯示畫面的亮度。同時(shí)制作本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)時(shí)，由于像素電極34的橫跨部341在掃描線32的寬度方向橫跨部分掃描線32，因此橫跨部341與掃描線32之間的相對位置偏移(由曝光制程的精度原因造成的)，對橫跨部341與掃描線32的重疊區(qū)域的面積影響很小或沒有影響(如矩形的橫跨部341)，從而對存儲電容的電容值影響很小或沒有影響。本發(fā)明還涉及ー種液晶顯示裝置，其中包括多個像素結(jié)構(gòu)以及驅(qū)動模塊，該驅(qū)動模塊用于驅(qū)動像素結(jié)構(gòu)。像素結(jié)構(gòu)包括數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極以及薄膜場效應(yīng)晶體管，數(shù)據(jù)線用于傳輸灰度信號；掃描線用于傳輸掃描信號，與數(shù)據(jù)線31交錯形成像素區(qū)；薄膜場效應(yīng)晶體管包括源扱、柵極以及漏極，其中源極與數(shù)據(jù)線連接，柵極與掃描線連接，漏極與像素電極連接；像素電極用于根據(jù)灰度信號驅(qū)動像素，其包括至少ー個從第一側(cè)邊延伸出的橫跨部以及設(shè)置在第二側(cè)邊上相應(yīng)的缺ロ部，像素電極的第一側(cè)邊鄰近一掃描線，第ニ側(cè)邊相對于第一側(cè)邊設(shè)置。該橫跨部絕緣地橫跨像素電極相鄰的掃描線，缺ロ部的形狀與相鄰像素電極的橫跨部的形狀相對應(yīng)，使得相鄰的像素電極不會相互影響。橫跨部只在掃描線的寬度方向上橫跨了部分掃描線，并沒有在掃描線的長度方向上完全覆蓋掃描線，即橫跨部的寬度小于第一側(cè)邊的長度，使得橫跨部部分覆蓋被橫跨的掃描線。橫跨部與掃描線的重疊區(qū)域的面積根據(jù)預(yù)設(shè)的存儲電容的大小進(jìn)行確定。橫跨部可根據(jù)實(shí)際需要設(shè)計(jì)成各種形狀，優(yōu)選為矩形、三角形或階梯型。本發(fā)明的液晶顯示裝置的具體實(shí)施方式
和有益效果，與上述的像素結(jié)構(gòu)的具體實(shí)施例中所述相同或相似，具體可參見上述像素結(jié)構(gòu)的具體實(shí)施例。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的液晶顯示裝置通過設(shè)置橫跨掃描線的橫跨部來形成 存儲電容，提高了像素結(jié)構(gòu)的開ロ率，并且該像素結(jié)構(gòu)的制作穩(wěn)定性好，解決了現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的液晶顯示裝置開ロ率低或制作穩(wěn)定性差的技術(shù)問題。綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.ー種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 數(shù)據(jù)線； 掃描線，與所述數(shù)據(jù)線交錯形成像素區(qū)；以及 像素電極，設(shè)置在所述像素區(qū)內(nèi)，包括第一側(cè)邊及從所述第一側(cè)邊延伸出的橫跨部，所述第一側(cè)邊鄰近一掃描線，所述橫跨部絕緣地橫跨所述掃描線。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述橫跨部的寬度小于所述第一側(cè)邊的長度。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極還包括具有相對于所述第一側(cè)邊的第二側(cè)邊以及設(shè)置于所述第二側(cè)邊的缺ロ部。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述橫跨部的形狀為矩形、三角形或階梯形。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述缺ロ部的形狀對應(yīng)所述橫跨部的形狀。
6.ー種液晶顯示裝置，其特征在于，包括 多個像素結(jié)構(gòu)，每個像素結(jié)構(gòu)包括 數(shù)據(jù)線； 掃描線，與所述數(shù)據(jù)線交錯形成像素區(qū)；以及 像素電極，設(shè)置在所述像素區(qū)內(nèi)，包括第一側(cè)邊及從所述第一側(cè)邊延伸出的橫跨部，所述第一側(cè)邊鄰近一掃描線，所述橫跨部絕緣地橫跨所述掃描線；以及 驅(qū)動模塊，用于驅(qū)動所述像素結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在干，所述橫跨部的寬度小于所述第ー側(cè)邊的長度。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素電極還包括具有相對于所述第一側(cè)邊的第二側(cè)邊以及設(shè)置于所述第二側(cè)邊的缺ロ部。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述橫跨部的形狀為矩形、三角形或階梯形。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述缺ロ部的形狀對應(yīng)所述橫跨部的形狀。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的液晶顯示裝置，該像素結(jié)構(gòu)包括數(shù)據(jù)線、掃描線以及像素電極，該像素電極包括橫跨與像素電極相鄰的掃描線的橫跨部。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的液晶顯示裝置開口率高、制作穩(wěn)定性好，解決了現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的液晶顯示裝置開口率低或制作穩(wěn)定性差的技術(shù)問題。
文檔編號H01L27/02GK102681268SQ20121013726
公開日2012年9月19日 申請日期2012年5月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月4日
發(fā)明者柴立 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司