專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
用于顯示圖像或文字信息的有源矩陣型顯示裝置廣泛地應(yīng)用于如筆記本個人計算機或臺式計算機的監(jiān)視器、便攜式電話機、音樂再生裝置、電視機、便攜式終端、數(shù)碼相機、攝像機、圖像和動畫閱覽專用的瀏覽器等的電子設(shè)備。作為有源矩陣型顯示裝置，在成為顯示區(qū)域的像素部分中分別對應(yīng)于各個像素并以矩陣形狀配置有源元件(例如，薄膜晶體管(TFT))而構(gòu)成。TFT作為開關(guān)元件控制施加 給像素的電壓，以進行所希望的圖像顯示。在用作開關(guān)元件的TFT元件之中，具有溝道停止型(也稱為溝道保護型、蝕刻停止型)的反交錯型TFT的元件襯底可以使用五個光掩模制造出像素電極(參照專利文獻I)。圖6、圖7、圖8A至8C、圖9A和9B示出現(xiàn)有的溝道停止型的反交錯型TFT以及具有該TFT的像素部的例子。圖6是一個像素以及其周圍的俯視圖，圖7是沿著圖6的虛線B-B’切斷的截面圖。圖8A至8C、圖9A和9B是表示到圖7為止的制作工序的截面圖。在一個像素中，在襯底1101上設(shè)置有TFT區(qū)域1141、電容區(qū)域1142、以及布線區(qū)域1143。TFT區(qū)域1141中設(shè)置有柵極布線1102、柵極絕緣膜1104、包含溝道形成區(qū)域的i型半導體層1113、由絕緣膜形成的溝道保護膜1108、由包含賦予一種導電型的雜質(zhì)元素的半導體層形成的源區(qū)1118和漏區(qū)1117、源極布線1122、漏電極1121、保護膜1127、以及像素電極1131。電容區(qū)域1142中設(shè)置有電容布線1151、柵極絕緣膜1104、保護膜1127、像素電極1131。另外，布線區(qū)域1143中設(shè)置有源極布線1122。電容區(qū)域1142具有以下結(jié)構(gòu)使用與柵極布線1102相同的材料以及相同的工序形成電容布線1151，將像素電極1131用作上下的電極，并將夾在電極間的柵極絕緣膜1104和保護膜1127用作電介質(zhì)。在現(xiàn)有的溝道停止型的反交錯型TFT及像素部的制造中，首先在襯底1101上形成第一導電膜1161,然后在第一導電膜1161上形成抗蝕劑掩模1162(參照圖8A)。這里的抗蝕劑掩模是經(jīng)過涂敷抗蝕劑材料并利用光掩模進行曝光然后進行顯影的工序而形成的。當對涂敷的抗蝕劑材料從上方進行曝光時，為形成抗蝕劑掩模需要一個光掩模。也就是說，為形成抗蝕劑掩模1162需要第一光掩模。將抗蝕劑掩模1162用作掩模,對第一導電膜1161進行蝕刻來形成柵極布線1102和電容布線1151。然后，在去除抗蝕劑掩模1162之后形成柵極絕緣膜1104、半導體層1105、以及絕緣膜1106。接下來，在形成溝道保護膜1108的區(qū)域中形成抗蝕劑掩模1109(參照圖8B)。也就是說，為形成抗蝕劑掩模1109需要第二光掩模。接下來，將抗蝕劑掩模1109用作掩模，對絕緣膜1106進行蝕刻來形成溝道保護膜1108。在去除抗蝕劑掩模1109之后，在半導體層1105及溝道保護膜1108上形成包含賦予一種導電型的雜質(zhì)元素的半導體層1111、以及第二導電膜1112。在第二導電膜1112上形成抗蝕劑掩模1125 (參照圖SC)。也就是說，使用第三光掩模。將抗蝕劑掩模1125用作掩模，對第二導電膜1112以及半導體層1111進行蝕刻。此時，溝道保護膜1108以及柵極絕緣膜1104用作蝕刻停止層。由此第二導電膜1112被分斷而形成源極布線1122以及漏電極1121。另外，包含賦予一種導電型的雜質(zhì)元素的半導體層1111也被分斷，分斷成源區(qū)1118以及漏區(qū)1117。此外，半導體層1105也被蝕刻，其端部與漏區(qū)1117以及漏電極1121的端部相一致。接著，在去除抗蝕劑掩模1125之后，在整個面上形成保護膜1127并形成抗蝕劑掩模1128 (參照圖9A)。也就是說，使用第四光掩模。使用抗蝕劑掩模1128，對保護膜1127進行蝕刻來形成接觸孔1173。在去除抗蝕齊U掩模1128之后，形成第三導電膜1129，并在第三導電膜1129上形成像素電極1131的區(qū)域上形成抗蝕劑掩模1134(參照圖9B)。也就是說，使用第五光掩模。將抗蝕劑掩模1134用作掩模，第三的導電膜1129被蝕刻而形成像素電極1131。 然后去除抗蝕劑掩模1134，就可以完成圖7所示的像素部。[專利文獻I]日本專利申請公開2002-148658號公報

發(fā)明內(nèi)容
在現(xiàn)有的像素部的制造中需要五個光掩模。若增加一個光掩模，則除了涂敷抗蝕劑材料、使用光掩模進行曝光、顯像等工序之外，如曝光前的預烤、曝光后的后焙燒、剝離抗蝕劑、抗蝕劑剝離后的清洗、清洗后的干燥等各種各樣的工序也增加，這樣就使制造時間和制造成本增加。此外有可能沒能剝離的抗蝕劑材料進入到元件中，而成為產(chǎn)生缺陷的原因。因此有可能導致元件或裝置的可靠性降低。此外，在圖6以及圖7所示的結(jié)構(gòu)中，存儲電容器的介電薄膜是由柵極絕緣膜1104和保護膜1127兩層絕緣膜而構(gòu)成。因此，與介電薄膜為一層絕緣膜的情況相比，介電薄膜為兩層絕緣膜時存儲電容器的電容量變小。電容與介電薄膜的膜厚度成反比，并與面積成正比。因此，為確保得到目標的存儲電容器的電容值，需要使電容區(qū)域1142的面積為大。但是若將電容區(qū)域1142的面積設(shè)置得較大，則像素部的開口率降低。鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于在不增加光掩模個數(shù)并且不使開口率降低的情況下，通過減薄介電薄膜的厚度來增加電容量。在本發(fā)明中，為了在溝道停止型的反交錯型TFT中獲得高開口率，使用像素電極和由與源電極以及漏電極相同的材料和相同的工序形成的導電膜(以下稱為第二導電膜)來形成儲存電容器。并且只由一層保護膜形成像素電極與第二導電膜之間的介電薄膜。因此，可以同時得到高開口率的像素部和電容量大的存儲電容器。源極布線也使用與柵極布線相同的材料和相同的工序形成的導電膜(以下稱為第一導電膜)而形成。此外，在源極布線和柵極布線的交叉部，將任一方的布線在交叉部分割斷并通過第二導電膜連接上。尤其是在第一導電膜和第二導電膜的連接中，使用用作像素電極的材料的透光性導電膜。當要連接第一導電膜和第二導電膜時，在現(xiàn)有的技術(shù)中需要形成柵極絕緣膜的絕觸孔的工序。但是在本發(fā)明中，通過采用下述結(jié)構(gòu)可以不進行形成柵極絕緣膜的接觸孔的工序。即，在第一導電膜上的柵極絕緣膜、半導體層、以及第二導電膜中形成接觸孔(第一接觸孔)，接著在保護膜中形成比第一接觸孔更大的接觸孔(第二接觸孔)。并將與第二接觸孔相接觸的透光性導電膜分別連接到部分露出在第二接觸孔內(nèi)的第二導電膜和露出在第一接觸孔內(nèi)的第一導電膜。在形成第一接觸孔時，由于TFT具有溝道保護膜，所以對i型半導體層的蝕刻受到阻礙，而只可以對在第一接觸孔中的半導體層選擇性地進行蝕刻。本發(fā)明涉及一種顯示裝置，其包括薄膜晶體管，包括由第一導電膜形成 的柵電極，由所述第一導電膜上的第一絕緣層形成的柵極絕緣膜，所述第一絕緣層上的與所述柵電極重疊的第一半導體層，由設(shè)置在所述第一半導體層上的第二絕緣層形成溝道保護膜，其中所述溝道保護膜與所述柵電極重疊，與所述第一半導體層重疊且一端延伸到溝道保護膜上且分離為源區(qū)和漏區(qū)并包含賦予一種導電型的雜質(zhì)元素的第二半導體層，以及由所述第二半導體層上的第二導電膜形成且對應(yīng)于所述源區(qū)及漏區(qū)而形成的源電極及漏電極；在所述第二導電膜上形成的第三絕緣層；由所述第三絕緣層上的第三絕緣膜形成，且通過在所述第三絕緣層中形成的接觸孔與所述源電極或漏電極的一方電連接的像素電極；所述第一絕緣層上的由所述第一半導體層、所述第二半導體層以及所述第二導電膜的層疊體形成的電容布線；以及形成在所述電容布線上的所述第三絕緣層與所述像素電極重疊區(qū)域中的存儲電容器。另外，本發(fā)明涉及一種顯示裝置，其包括薄膜晶體管，包括由第一導電膜形成的柵電極，由所述第一導電膜上的第一絕緣層形成的柵極絕緣膜，所述第一絕緣層上的與所述柵電極重疊的第一半導體層，由設(shè)置在所述第一半導體層上的第二絕緣層形成的溝道保護膜，其中所述溝道保護膜與所述柵電極重疊，與所述第一半導體層重疊且一端延伸到溝道保護膜上且分離為源區(qū)和漏區(qū)并包含賦予一種導電型的雜質(zhì)元素的第二半導體層，以及由所述第二半導體層上的第二導電膜形成且對應(yīng)于所述源區(qū)及漏區(qū)而形成的源電極及漏電極；在所述第二導電膜上形成的第三絕緣層；由所述第三絕緣層上的第三絕緣膜形成，且通過在所述第三絕緣層中形成的接觸孔與所述源電極或漏電極的一方電連接的像素電極；所述第一絕緣層上的由所述第一半導體層、所述第二半導體層以及所述第二導電膜的疊層體形成的電容布線；以及形成在所述電容布線上的所述第三絕緣層與所述像素電極重疊區(qū)域中的存儲電容器；以及連接區(qū)域，包括由所述第一導電膜形成的布線；以及，由所述布線上的所述第三導電膜形成，并與所述源電極或漏電極的另一方的上表面和側(cè)面相接觸的電極。 在本發(fā)明中所述第三導電膜是透光性導電膜。另外，本發(fā)明涉及一種顯示裝置的制造方法，其步驟如下在襯底上形成第一導電膜；在所述第一導電膜上形成第一抗蝕劑掩模；使用所述第一抗蝕劑掩模對所述第一導電膜進行蝕刻而形成柵極布線以及源極布線；在所述柵極布線以及源極布線上，形成成為柵極絕緣膜的第一絕緣膜、i型半導體層、以及第二絕緣膜；在所述第二絕緣膜上形成第二抗蝕劑掩模；使用所述第二抗蝕劑掩模對所述第二絕緣膜進行蝕刻而形成溝道保護膜；在所述i型半導體層以及溝道保護膜上形成包含有賦予一種導電型的雜質(zhì)元素的導電型半導體層、以及第二導電膜；在所述第二導電膜上形成第三抗蝕劑掩模；并且使用所述第三抗蝕劑掩模對所述第二導電膜、所述導電型半導體層、所述i型半導體層進行蝕刻，從而使所述溝道保護膜露出；通過對所述第二導電膜進行蝕刻形成源電極、漏電極、以及電容布線；通過對所述導電型半導體層進行蝕刻形成源區(qū)、漏區(qū)、以及所述電容布線的導電型半導體層；通過對所述i型半導體層進行蝕刻形成包含溝道形成區(qū)域的i型半導體層、以及電容布線的i型半導體層；并且通過對所述第二導電膜、所述導電型半導體層、所述i型半導體層進行蝕刻，在所述源極布線以及所述柵極絕緣膜上形成第一接觸孔。然后，以覆蓋所述源電極以及漏電極、所述溝道保護膜、所述電容布線的布線的方式形成保護膜；在所述保護膜上形成第四抗蝕劑掩模；并且使用所述第四抗蝕劑掩模對所述保護膜以及所述柵極絕緣膜進行蝕刻。從而，通過對所述保護膜進行蝕刻形成比所述第一接觸孔直徑更大的第二接觸孔；通過對所述柵極絕緣膜進行蝕刻以去除所述第一接觸孔中的柵極絕緣膜而露出所述源極布線；通過所述去除了柵極絕緣膜的第一接觸孔以及第二接觸孔，在所述保護膜、所述源電極、所述源區(qū)、所述i型半導體層、以及所述柵極絕緣膜中形成階梯狀接觸孔；并且通過對所述保護膜進行蝕刻，在所述保護膜中形成到達所述漏電極的第三接觸孔。然后，以覆蓋 所述保護膜、所述階梯狀接觸孔、所述第三接觸孔的方式形成第三導電膜；在所述第三導電膜上形成第五抗蝕劑掩模；并且使用所述第五抗蝕劑掩模對所述第三導電膜進行蝕刻而形成通過所述第三接觸孔與所述漏電極電連接，且延伸到所述電容布線上的像素電極，并且通過對所述第三導電膜進行蝕刻，在所述階梯狀接觸孔中形成與所述源極布線以及所述源電極電連接的電極。在本發(fā)明中所述第三導電膜是透光性導電膜。注意，半導體裝置是指通過利用半導體特性而發(fā)揮功能的如薄膜晶體管等的元件以及具有該種元件的所有裝置。例如，使用了薄膜晶體管的液晶顯示裝置、使用了薄膜晶體管的電子設(shè)備都包括在其范疇內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明可以獲得存儲電容器的電容量大、開口率高的像素部而不增加光掩模的個數(shù)。為此，可以獲得制造成本低、所需制造時間少且可靠性高的顯示裝置以及具有該種顯示裝置的電子設(shè)備。


圖IA至ID是說明本發(fā)明的像素部的制造工序的截面圖；圖2A至2C是說明本發(fā)明的像素部的制造工序的截面圖；圖3A至3C是說明本發(fā)明的像素部的制造工序的截面圖；圖4是說明本發(fā)明的像素部的制造工序的截面圖；圖5是本發(fā)明的像素部的俯視圖；圖6是現(xiàn)有的像素部的俯視圖；圖7是說明現(xiàn)有的像素部的制造工序的截面圖；圖8A至8C是說明現(xiàn)有的像素部的制造工序的截面圖；圖9A和9B是說明現(xiàn)有的像素部的制造工序的截面圖；圖10是說明本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造工序的截面圖IlA至IlD是說明本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造工序的俯視圖；圖12是說明本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造工序的俯視圖；圖13是不出應(yīng)用有本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖；圖14是不出應(yīng)用有本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖；圖15A和15B是不出應(yīng)用有本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的
圖16A和16B是不出應(yīng)用有本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖；圖17是不出應(yīng)用有本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖；圖18A至18E是示出應(yīng)用有本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖；圖19A和19B是不出應(yīng)用有本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖；圖20是說明本發(fā)明的像素部的制造工序的截面圖；圖21是說明本發(fā)明的像素部的制造工序的俯視圖；圖22是說明本發(fā)明的像素部的制造工序的俯視圖；圖23是說明本發(fā)明的像素部的制造工序的俯視圖。[選擇圖]圖4。
具體實施例方式下面，關(guān)于本發(fā)明的實施方式將參照附圖給予說明。但是，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個事實，就是本發(fā)明可以以多個不同形式來實施，其方式和詳細內(nèi)容可以被變換為各種各樣的形式而不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在本實施方式所記載的內(nèi)容中。注意，在用來說明實施方式的所有附圖中，使用相同的附圖標記來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略其重復說明。實施方式I在本實施方式中使用圖IA至1D、圖2A至2C、圖3A至3C、圖4、圖5、圖20、圖21、
圖22、圖23對本發(fā)明的溝道停止型的反交錯型TFT以及具有該溝道停止型的反交錯型TFT的像素部的制造方法進行說明。圖5是根據(jù)本實施方式制造的像素部的俯視圖；圖4是沿著圖5中所示的A-A’切斷的截面圖。在圖4以及圖5中，在襯底101上形成有TFT區(qū)域141、電容區(qū)域142、以及連接區(qū)域143。以下使用圖IA至1D、圖2A至2C、圖3A至3C、圖20、圖21、圖22、圖23對到圖4為止的制造工序進行說明。首先在襯底101上形成第一導電膜161，接著形成用來形成柵極布線102以及源極布線103的抗蝕劑掩模162 (參照圖1A)。如上所述，為形成抗蝕劑掩模162需要一個光掩模。將用來形成抗蝕劑掩模162的光掩模作為第一光掩模。將具有透光性的絕緣襯底用作襯底，例如作為襯底101，可以使用以康寧公司(Corning)的#7059、#1737、以及EAGLE 2000等為典型的鋇硼硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、以及鋁硅酸鹽玻璃等的透光性玻璃襯底。另外，還可以使用具有透光性的石英襯底等。第一導電膜161優(yōu)選由鋁(Al)等低電阻導電材料形成，然而，當僅采用鋁單質(zhì)時耐熱性很低且有容易腐蝕等問題，所以優(yōu)選與耐熱性導電材料組合來形成疊層膜。
耐熱性導電材料由選自鑰(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、以及鉻(Cr)中的元素、以上述元素為成分的合金膜、或以上述元素為成分的氮化物形成?；蛘?，也可以僅組合這樣的耐熱性導電材料來形成。此外,除了純招以外，含有O.01已10111；[(3%至 5atomic% 的鈧(Sc)、鈦(Ti)、娃(Si)、銅(Cu)、鉻(Cr)、釹(Nd)、或鑰 (Mo)等的鋁也可以用于這里使用的鋁(Al)。若添加質(zhì)量大于鋁的原子，就有抑制鋁原子當進行熱處理時的移動而防止產(chǎn)生小丘的效果。作為上述的鋁和耐熱性導電材料的組合實例，可以使用鉻(Cr)及鋁(Al)的疊層膜；鉻(Cr)及含有釹的鋁(Al-Nd)的疊層膜；鈦(Ti)、鋁(Al)以及鈦(Ti)的疊層膜；鈦(Ti)、含有釹的鋁(Al-Nd)以及鈦(Ti)的疊層膜；鑰(Mo)、鋁(Al)以及鑰(Mo)的疊層膜；鑰(Mo)、含有釹的鋁(Al-Nd)以及鑰(Mo)的疊層膜；鑰(Mo)及鋁(Al)的疊層膜；鑰(Mo)及含有釹的鋁(Al-Nd)的疊層膜等。接下來，將抗蝕劑掩模162用作掩模對第一導電膜161進行蝕刻而形成柵極布線102以及源極布線103，然后去除抗蝕劑掩模162(參照圖1B)。圖IB示出沿著俯視21中的虛線A-A’切斷的截面。接下來，將用作第一絕緣膜的柵極絕緣膜104、i型半導體層105、以及第二絕緣膜106在保持不與大氣接觸的真空狀態(tài)下，使用CVD法連續(xù)地形成在襯底101、柵極布線102、以及源極布線103上，。這里，i型半導體層也稱作本征半導體層，是指半導體層中含有的賦予一種導電型的雜質(zhì)元素，即賦予P型、或η型的雜質(zhì)元素的濃度在I X IO20Cm-3以下，且氧以及氮的濃度在9Χ IO19CnT3以下，并且光導電率是暗導電率的一百倍以上的半導體。該本征半導體中含有包含周期表中第13族、或第15族的雜質(zhì)元素的物質(zhì)。也就是說，作為微晶半導體層，當不對其意圖性地添加用來控制價電子的雜質(zhì)元素時其呈現(xiàn)弱的η型導電性，所以在i型微晶半導體膜中需要在進行成膜的同時或之后意圖性或非意圖性地添加賦予P型的雜質(zhì)元素。在本實施方式中，雖然使用無摻雜非晶硅膜作為i型半導體層105，但是作為半導體層不限定于硅膜，還可以使用鍺膜、硅鍺膜等。另外，作為柵極絕緣膜104以及第二絕緣膜106可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、含有氧的氮化硅膜、以及含有氮的氧化膜中的任一個或兩個以上的疊層膜而形成。在本實施方式中，形成氮化硅膜作為柵極絕緣膜104以及第二絕緣膜106。接下來，在第二絕緣膜106上形成抗蝕劑掩模109 (參照圖1C)，將抗蝕劑掩模109用作掩模進行蝕刻而形成溝道保護膜108(參照圖1D)。另外，在該蝕刻工序中還可以使用半色調(diào)掩模、回流法對i型半導體層進行蝕刻來形成島狀半導體層。圖ID示出沿著俯視22中的虛線A-A’切斷的截面。另外，在形成抗蝕劑掩模109時使用第二光掩模。另外，根據(jù)不同的蝕刻方法，還可以將溝道保護膜108、抗蝕劑掩模109用作掩模而對i型半導體層105進行蝕刻來形成具有比由第二絕緣膜106形成的溝道保護膜108更緩坡的錐形形狀的島狀半導體層。但是當由i型半導體層105形成島狀半導體層時，島狀半導體層需要具有可以與在其上形成的含有賦予一種導電型的雜質(zhì)元素的半導體層(以下稱作“導電型半導體層”)連接的上表面。
覆蓋i型半導體層105、溝道保護層108地形成導電型半導體層111、以及第二導電膜112。當包含在導電型半導體層111中的賦予一種導電型的雜質(zhì)元素為賦予η型的雜質(zhì)元素時，可以使用磷(P)、或砷(As);當其為賦予P型的雜質(zhì)元素時，可以使用硼(B)。在本實施方式中，因要形成η型的溝道停止型反交錯型TFT，所以形成含有磷的非晶硅膜作為導電型半導體層111。另外，第二導電膜112可以使用與第一導電膜161相同的材料來形成。接下來，在第二導電膜112上形成抗蝕劑掩模125，將抗蝕劑掩模125用作掩模對i型半導體層105、導電型半導體層111、第二導電膜112進行蝕刻(參照圖2A)。使用干蝕刻法對i型半導體層105以及導電型半導體層111進行蝕刻，但第二導電膜112的蝕刻即 可以利用干蝕刻也可以利用濕蝕刻。蝕刻結(jié)束之后去除抗蝕劑掩模125 (參照圖2B)。為形成抗蝕劑掩模125需要第三光掩模。在TFT區(qū)域141中，在i型半導體層105中的成為溝道形成區(qū)域的區(qū)域中，溝道保護膜108用作蝕刻停止層，僅導電型半導體層111以及第二導電膜112被蝕刻，而i型半導體層105不被蝕刻。被蝕刻的導電型半導體層111以及第二導電膜112分別被分斷為源區(qū)118和漏區(qū)117、以及源電極122和漏電極121。注意，在本實施方式中，為了容易理解，對源區(qū)118和漏區(qū)117、源電極122和漏電極121、以及源極布線103、源和漏加以區(qū)分，但是根據(jù)電流的方向源電極和漏電極也有對調(diào)的情況。由于在連接區(qū)域143中沒有溝道保護膜，所以i型半導體層105以及導電型半導體層111被蝕刻而在i型半導體層105以及導電型半導體層111中形成第一接觸孔171。另外，在電容區(qū)域142中通過本蝕刻工序形成由第二導電膜形成的布線123、導電型半導體層116、i型半導體層114的疊層體而形成電容布線。圖2B示出沿著俯視23的虛線A-A’切斷的截面。接下來，在整個面上形成由第三絕緣膜形成的保護膜127(參照圖2C)。保護膜127可以使用與柵極絕緣膜104、第二絕緣膜106相同的材料來形成，在本實施方式中使用氮化娃膜。在形成保護膜127之后形成抗蝕劑掩模128，將抗蝕劑掩模128用作掩模對保護膜127進行蝕刻。在本實施方式中，采用干蝕刻法對保護膜127進行蝕刻(參照圖3A)。當形成抗蝕劑掩模128時使用第四光掩模。在TFT區(qū)域141中，形成用來連接在之后的工序中形成的像素電極131、TFT的漏電極121的第三接觸孔173。當為了形成接觸孔173對保護膜127進行蝕刻時，由第二導電膜形成的漏電極121用作蝕刻停止層。另一方面，在連接區(qū)域143中，保護膜127和柵極絕緣膜104被蝕刻而使源極布線103露出。另外，根據(jù)該蝕刻形成比通過對i型半導體層105以及導電型半導體層111進行蝕刻而形成的第一接觸孔171更大且將第一接觸孔171完全覆蓋的第二接觸孔172。在第一接觸孔171和第二接觸孔172互不重疊的區(qū)域中，由于存在由第二導電膜形成的源電極122，所以干蝕刻停止于源電極122尤其是源電極122的上表面。也就是說，源電極122用作蝕刻停止層。另外，在第一接觸孔171和第二接觸孔172互相重疊的區(qū)域中，保護膜127下方的柵極絕緣膜104也被蝕刻而使由第一導電膜形成的源極布線103露出。通過該蝕刻工序，在連接區(qū)域143中形成階梯狀的接觸孔。如上所述，在第一接觸孔171和第二接觸孔172互不重疊的區(qū)域中源電極122的上表面和側(cè)面露出。由于源電極122露出的區(qū)域?qū)⒊蔀榕c在之后的工序中形成的由透光性導電膜形成的連接電極132的連接區(qū)域，所以需要考慮接觸電阻地來設(shè)計其寬度。也就是說，若露出面積大則接觸電阻減?。涣硪环矫?，若露出面積小則接觸電阻增大。為此，需要適當?shù)貙ζ溥M行設(shè)計。在電容區(qū)域142中，由于保護膜127將成為形成電容器的介電薄膜，所以不對其進行蝕刻而將其殘留。接下來，去除抗蝕劑掩模128之后形成透光性導電膜129 (參照圖3B)。作為透光性導電膜129，可以使用銦錫氧化物(簡稱ΙΤ0)、含氧化硅的氧化銦辭、氧化銦鋅(簡稱ΙΖ0)、氧化鋅等的金屬氧化物或半導體氧化物。在本實施方式中，將銦錫氧化物用作透光性導電膜 129。在透光性導電膜129上形成抗蝕劑掩模134，將抗蝕劑掩模134用作掩模對透光性導電膜129進行蝕刻而形成像素電極131以及連接電極132 (參照圖3C)。為形成抗蝕劑掩模134需要第五光掩模。在TFT區(qū)域141中，漏電極121與像素電極131通過形成在保護膜127中的接觸孔電連接。像素電極131延伸到電容區(qū)域142，并且在像素電極131夾著保護膜127與布線123重疊的區(qū)域中形成存儲電容器。另一方面，在連接區(qū)域143中，因為在所述階梯狀的接觸孔上形成有具有將第二接觸孔172完全覆蓋的面積的由透光性導電膜129形成的連接電極132，所以連接電極132、源極布線103、源電極122電連接。并且連接電極132和源電極122由于在露出的表面以及側(cè)面互相連接，所以可以進行確實地接觸。接下來去除抗蝕劑掩模134，來完成本實施方式的像素部(參照圖4)。使用五個光掩?？梢孕纬珊袦系劳Ｖ剐偷姆唇诲e型TFT的TFT區(qū)域141、電容區(qū)域142、以及連接區(qū)域143。并將這些分別對應(yīng)每個像素以矩陣形狀地設(shè)置而構(gòu)成圖像顯示部。由此可以形成用于制造使用有有源元件TFT的有源矩陣型顯示裝置的一方的襯底。在本說明書中為方便起見將該種襯底稱為TFT襯底。另外如圖20所示，也可以將微晶半導體層(也稱為「半非晶半導體層」)113a和非晶半導體層113b的疊層膜用作i型半導體層113。注意，半非晶半導體(在本說明書中也稱為「Semi-amorphousSmiconductor (SAS)」)層是指具有非晶半導體和晶體結(jié)構(gòu)的半導體(包括單晶、多晶)層之間的中間結(jié)構(gòu)的半導體的層。該半非晶半導體層為具有在自由能方面上很穩(wěn)定的第三狀態(tài)的半導體層，并且具有短程有序且具有晶格畸變的結(jié)晶，可以以其粒徑為O. 5nm至20nm使它分散存在于非單晶半導體膜中。注意，微晶半導體層(Micro Crystal SemiconductorFilm)也包括在半非晶半導體層內(nèi)。作為半非晶半導體層的一個例子，可以舉出半非晶硅層。在半非晶硅層中，其拉曼光譜轉(zhuǎn)移到比520CHT1更低頻率一側(cè)。此外，在進行X射線衍射時，觀測到Si晶格所導致的(111)、(220)的衍射峰值。此外，包含有至少I原子％或更多的氫或鹵素，以便終結(jié)懸、空鍵。在本說明書中，為方便起見，將這種硅層稱為半非晶硅層。另外，可以通過將氦、氬、氣、氣等的稀有氣體兀素包含在半非晶半導體層而進一步促進晶格崎變來提聞穩(wěn)定性以獲得良好的半非晶半導體層。此外，可以通過對包含硅的氣體進行輝光放電分解來獲得非晶硅層。作為包含硅的氣體典型地可舉出SiH4，此外還可以使用Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等。另外，通過用氫或?qū)⑦x自氦、氬、氪、氖中的一種或多種稀有氣體元素添加到氫中的氣體稀釋該包含硅的氣體來使用，可以容易地形成非晶硅層。優(yōu)選在稀釋比率為2倍至1000倍的范圍內(nèi)稀釋包含硅的氣體。另外，可以將CH4X2H6等的碳化物氣體、GeH4、GeF4等的鍺化氣體、F2等混入在包含硅的氣體中，以將能帶寬度調(diào)節(jié)為I. 5eV至2. 4eV或者O. 9eV至I. IeV0當溝道形成區(qū)域由微晶半導體層113a和非晶半導體層113b的疊層形成時，具有以下優(yōu)點當處于導通狀態(tài)時，載流子流過微晶半導體層113a，所以導通電流增大，TFT的遷移率提聞。另一方面當處于截止狀態(tài)時，若泄漏電流流過微晶半導體層，則泄漏電流有可能 增大。但是，當溝道形成區(qū)域為微晶半導體層113a和非晶半導體層113b的疊層時，因為泄漏電流流過非晶半導體層113b，所以可以抑制泄漏電流。以下分別參照圖4、圖5、以及圖7、圖6對使用本實施方式形成的像素部和現(xiàn)有的像素部進行比較說明。存儲電容器的電容量與面積成正比，并與介電薄膜的膜厚度成反比。例如，假設(shè)柵極絕緣膜104、柵極絕緣膜1104、以及保護膜127、保護膜1127全由膜厚度為300nm的氮化硅膜形成。本發(fā)明的存儲電容器的介電薄膜的膜厚度，即保護膜127的膜厚度為300nm，而現(xiàn)有的存儲電容器的介電薄膜的膜厚度，即柵極絕緣膜1104以及保護膜127的膜厚度的總和為600nm。因此，本發(fā)明的存儲電容器可以具有現(xiàn)有存儲電容器的兩倍的電容量。再者，當本發(fā)明的存儲電容器與現(xiàn)有的存儲電容器的電容量相同時，與現(xiàn)有的存儲電容器相比本發(fā)明的存儲電容器的面積僅為其一半。如此一來，由遮光材料形成的布線123的面積為電容布線1151的面積的一半即可，由此可以比現(xiàn)有的像素部更大地提高開口率。由上所述，根據(jù)本發(fā)明的溝道停止型的反交錯型TFT以及具有該TFT的像素部，可以制造存儲電容器電容量大且開口率高的像素部，而不需增加光掩模的個數(shù)。另外，在本發(fā)明中，因為可以將i型半導體層105的膜厚度形成得較薄，所以可以縮短通過CVD法的成膜時間、并減少光照射時泄漏電流的發(fā)生。因為本發(fā)明的反交錯型TFT為溝道停止型TFT，由于有溝道保護膜108，所以i型半導體層中的溝道形成區(qū)域不會暴露在大氣中。另外，在連接區(qū)域143中，源極布線103、源電極122、以及連接電極132通過階梯狀接觸孔電連接。另一方面，一般來說將由兩個不同的層而形成的布線與其它的布線連接時，需要兩個接觸孔用來進行連接。而在本發(fā)明中的階梯狀接觸孔雖然與用來進行連接而形成的兩個接觸孔中的一個相比大小可能會略微大一些，但是與兩個接觸孔所占的總面積相比則要小得多，因此有利于提高開口率。此外，接觸孔個數(shù)的減少也意味著故障發(fā)生率的降低。
實施方式2在本實施方式中，參照圖10、圖IlA至11D、以及圖12對使用實施方式I制造的TFT襯底來完成液晶顯示裝置的制造工序進行說明。覆蓋TFT襯底上的保護膜1 27及像素電極131地形成取向膜208。注意，通過使用液滴噴出法或絲網(wǎng)印刷法或膠版印刷來形成取向膜208即可。之后，對取向膜208的表面進行摩擦處理。在相對襯底211上，提供由著色層212、遮光層(黑矩陣)213、以及外罩層214構(gòu)成的彩色濾光片，并且形成由透光性導電膜形成的相對電極215，在其上形成取向膜216(參照圖10)。通過由透光性導電膜形成相對電極215，本實施方式的液晶顯示裝置成為透過型液晶顯示裝置。注意，若由反射電極形成相對電極215，則本實施方式的液晶顯示裝置成為反射型液晶顯示裝置。然后使用分配器描畫密封劑221，并使其包圍與像素部分231重疊的區(qū)域。此處，為了滴下液晶218，示出了描畫密封劑221，并使其包圍像素部分231的方式。然而，還可以使用浸潰法(泵浦方式)，該方法在使用密封劑包圍像素部分231且提供開口部分，并在貼合TFT襯底之后，利用毛細現(xiàn)象來注入液晶(參照圖11A)。其次，在減壓下不使氣泡進入地滴落液晶218 (參照圖11B)，并且將襯底101及相對襯底211貼合在一起(參照圖11C)。在被密封劑221包圍的區(qū)域內(nèi)一次或多次滴落液晶218。在很多情況下，使用TN模式作為液晶218的取向模式，其中，液晶分子的排列從其入口到出口以90度扭轉(zhuǎn)取向。在制造TN模式的液晶顯示裝置的情況下，使襯底的摩擦方向正交地貼合襯底和相對襯底。注意，可以通過散布球狀間隔物、形成由樹脂構(gòu)成的柱狀間隔物或?qū)⑻盍习诿芊鈩?21中來維持一對襯底之間的間隔。上述柱狀間隔物是以丙烯、聚酰亞胺、聚酰亞胺酰胺、環(huán)氧中的至少一個為主要成分的有機樹脂材料；氧化硅、氮化硅、含氮的氧化硅中的任何一種的材料；或由這些的疊層膜構(gòu)成的無機材料。接著進行襯底的分斷。在利用一個襯底制造多個面板的情況下，將各個面板彼此分斷。此外，在利用一個襯底制造一個面板的情況下，通過將預先分斷了的相對襯底貼合在襯底上，可以省略分斷步驟(參照圖11D)。然后，中間夾著各向異性導電體層，使用已知的技術(shù)貼合FPC(柔性印刷電路)222(參照圖12)。通過上述步驟來完成液晶顯示裝置。此外，如果需要，可以貼合光學薄膜。在形成透過型液晶顯示裝置時，將偏振片貼合在TFT襯底和相對襯底兩者上。通過上述步驟制造本發(fā)明的液晶顯示裝置。實施方式3作為應(yīng)用本發(fā)明的電子設(shè)備，可以舉出電視機、攝像機、數(shù)碼相機等、眼鏡型顯示器、導航系統(tǒng)、聲音再生裝置(汽車音響組件等)、計算機、游戲機、便攜式信息終端(移動計算機、便攜式電話機、便攜式游戲機或電子書籍等)、以及具有記錄媒體的圖像重放裝置(具體地說，能夠再生數(shù)字通用光盤(DVD)等的記錄媒體并具有能夠顯示該再生圖像的顯示器的裝置)等。將這種電子設(shè)備的具體實例示出于圖13、圖14、圖15A和15B、圖16A和16B、圖17、圖18A至18E、以及圖19A和19B。圖13示出組合了液晶顯示面板2001和電路襯底2011的液晶模塊。在電路襯底2011上形成有控制電路2012、信號分割電路2013等，并且該電路襯底2011通過連接布線2014與使用本發(fā)明而形成的液晶顯示面板2001電連接。所述液晶顯示面板2001具有提供有多個像素的像素部分2002、掃描線驅(qū)動電路2003、以及向選擇的像素供應(yīng)視頻信號的信號線驅(qū)動電路2004。像素部2002根據(jù)實施方式2來制造即可。掃描線驅(qū)動電路2003以及信號線驅(qū)動電路2004由芯片形成并使用FPC等與像素部2002、以及掃描線驅(qū)動電路2003及信號線驅(qū)動電路2004連接即可。通過采用圖13所示的液晶模塊，可以完成液晶電視接收機。圖14為示出液晶電視接收機的主要結(jié)構(gòu)的框圖。調(diào)諧器2101接收圖像信號和音頻信號。由圖像信號放大電路2102、圖像信號處理電路2103、以及控制電路2102處理圖像信號，其中圖像信號處理電路2103將從圖像信號放大電路2102輸出的信號轉(zhuǎn)換成對應(yīng)于紅、綠、藍每個顏色的彩色信 號，控制電路2102將圖像信號轉(zhuǎn)換成驅(qū)動器IC的輸入規(guī)格?？刂齐娐?102將信號輸出至掃描線一側(cè)和信號線一側(cè)。在進行數(shù)字驅(qū)動的情況下，可以采用如下結(jié)構(gòu)，即，將信號分割電路2013設(shè)置在信號線一側(cè)，從而將輸入數(shù)字信號分割成m個。將由調(diào)諧器2101接收的信號中的音頻信號發(fā)送給音頻信號放大電路2105，將輸出通過音頻信號處理電路2106提供給揚聲器2107?？刂齐娐?108從輸入部分2109接收接收站(接收頻率)或者音量的控制數(shù)據(jù)，并且將信號發(fā)送到調(diào)諧器2101和音頻信號處理電路2106。如圖15A所示，通過將液晶模塊嵌入到框體2201中，可以完成電視接收機。使用液晶模塊來形成顯示屏幕2202。此外，適當?shù)卦O(shè)置揚聲器2203、操作開關(guān)2204等。另外，在圖15B中示出無線方式的可以只將顯示器移動的電視接收機。在框體2212中內(nèi)裝有電池及信號接收器，由該電池驅(qū)動顯示部分2213及揚聲器部分2217。電池可以由充電器2210重復充電。另外，充電器2210可以收發(fā)圖像信號，并且可以將該圖像信號發(fā)送到顯示器的信號接收器?？蝮w2212由操作鍵2216控制。另外，圖15 (B)所示的裝置，由于也可以通過對操作鍵2216進行操作來從框體2212將信號發(fā)送到充電器2210，所以也可以稱為圖像聲音雙向通信裝置。另外，通過對操作鍵2216進行操作，可以將信號從框體2212發(fā)送到充電器2210，并且通過由其他電子設(shè)備接收充電器2210可以發(fā)送的信號，也可以控制其他電子設(shè)備的通信，也可以說是通用遙控裝置。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分2213。通過在圖13、圖14、以及圖15A和15B所示的電視接收機中使用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示裝置的電視接收機。當然，本發(fā)明不局限于電視接收機，并且可以應(yīng)用于各種各樣的用途，如個人計算機的監(jiān)視器、尤其是大面積的顯示媒體如火車站或機場的信息顯示極或者街頭的廣告顯示板等。圖16A示出了通過組合液晶顯示面板2301和印刷線路板2302而形成的模塊，所述液晶顯示面板2301和印刷線路板2302是使用本發(fā)明而形成的。液晶顯示面板2301具有提供有多個像素的像素部分2303、第一掃描線驅(qū)動電路2304、第二掃描線驅(qū)動電路2305、以及向被選擇了的像素供應(yīng)視頻信號的信號線驅(qū)動電路2306。
在印刷線路板2302上配置有控制器2307、中央處理裝置(CPU) 2308、存儲器2309、電源電路2310、聲音處理電路2311、以及收發(fā)電路2312等。印刷線路板2302和液晶顯示面板2301通過柔性印刷線路板(FPC) 2313連接。印刷線路板2313還可以具有如下結(jié)構(gòu)，即，設(shè)置電容元件和緩沖電路等，以防止噪音對電源電壓或信號的干擾或使信號的啟動延遲。另外，可以通過COG(玻璃上載芯片)方式在液晶顯示面板2301上安裝控制器2307、聲音處理電路2311、存儲器2309、CPU 2308、電源電路2310等。通過COG方式，可以縮小印刷線路板2302的規(guī)模。通過提供在印刷線路板2302上的接口 2314進行各種控制信號的輸入輸出。另夕卜，在印刷線路板2302上提供有天線用端口 2315，該天線用端口被用于進行與天線之間的信號的收發(fā)。圖16(B)示出圖16(A)所示的模塊的方塊圖。該模塊包括VRAM2316、DRAM 2317、以及閃存2318等作為存儲器2309。在VRAM 2316中存儲有顯示在顯示板上的圖像的數(shù)據(jù)，在DRAM 2317中存儲有圖像數(shù)據(jù)或聲音數(shù)據(jù)，而在閃存中存儲有各種程序。電源電路2310供應(yīng)使液晶顯示面板2301、控制器2307、CPU2308、聲音處理電路2311、存儲器2309、以及收發(fā)電路2312工作的電功率。另外，根據(jù)顯示板的規(guī)格，也有在電源電路2310中設(shè)置電流源的情況。CPU 2308具有控制信號生成電路2320、譯碼器2321、寄存器2322、運算電路2323、RAM 2324、以及用于CPU 2308的接口 2319等。經(jīng)過接口 2319輸入到CPU 2308的各種信號，在臨時保持于寄存器2322之后，輸入到運算電路2323及譯碼器2321等。在運算電路2323中基于被輸入的信號進行運算，并且指定發(fā)送各種指令的地點。另一方面，輸入到譯碼器2321中的信號被譯碼，并且該被譯碼的信號輸入到控制信號生成電路2320?？刂菩盘柹呻娐?320基于被輸入的信號而生成包含各種指令的信號，并且將它發(fā)送到在運算電路2323中指定的地點，具體說是存儲器2309、收發(fā)電路2312、聲音處理電路2311、以及控制器2307 等。存儲器2309、收發(fā)電路2312、聲音處理電路2311、以及控制器2307分別按照接收到的指令工作。下面對其工作進行簡單的說明。從輸入單元2325輸入的信號，經(jīng)過接口 2314發(fā)送到安裝在印刷線路板2302上的CPU 2308?？刂菩盘柹呻娐?320按照從定位設(shè)備或鍵盤等輸入單元2325發(fā)送來的信號，將存儲于VRAM 2316中的圖像數(shù)據(jù)變換為預定的格式，并且將該變換了的圖像數(shù)據(jù)送交到控制器2307。控制器2307根據(jù)面板的規(guī)格對從CPU 2308發(fā)送來的包含圖像數(shù)據(jù)的信號實施數(shù)據(jù)處理，并且將該信號提供給液晶顯示面板2301。此外，控制器2307，基于從電源電路2310輸入的電源電壓及從CPU 2308輸入的各種信號，生成Hsync信號、Vsync信號、時鐘信號CLK、交流電壓(AC Cont)、以及切換信號L/R，并且將它們供給到液晶顯示面板2301。在收發(fā)電路2312中，在天線2328中作為電波被收發(fā)的信號被處理，具體言之，包括隔離器、帶通濾波器、VC0(電壓控制振蕩器；Voltage Controlled Oscillator)、LPF(低通濾波器；Low Pass Filter)、耦合器、平衡不平衡轉(zhuǎn)換器等的高頻電路。在收發(fā)電路2312中被收發(fā)的信號中包含聲音信息的信號，按照來自CPU 2308的指令而發(fā)送到聲音處理電路 2311。
按照CPU 2308的指令發(fā)送來的包含聲音信息的信號在聲音處理電路2311中被解調(diào)為聲音信號，然后被發(fā)送到揚聲器2327。此外,從麥克風2326發(fā)送來的聲音信號,在聲音處理電路2311中被調(diào)制，按照CPU 2308的指令，發(fā)送到收發(fā)電路2312。控制器2307、CPU 2308、電源電路2310、聲音處理電路2311、以及存儲器2309等可以作為本實施方式的封裝進行安裝。除了高頻電路，例如隔離器、帶通濾波器、VC0、LPF、耦合器或平衡不平衡轉(zhuǎn)換器等以外，本實施方式還可以應(yīng)用于任何電路。圖17示出包括圖16A和16B所示的模塊的便攜式電話機的ー種方式。液晶顯示面板2301，以可自由裝卸的方式被組合到外殼2330中。外殼2330可按照液晶顯示面板2301的大小適當?shù)馗淖兤湫螤詈统叽?。固定液晶顯示面板2301的外殼2330被嵌裝在印刷襯底2331中，而被組裝為模塊。液晶顯示面板2301通過FPC 2313連接到印刷襯底2331。在印刷襯底2331上形成揚聲器2332、麥克風2333、收發(fā)電路2334、以及包括CPU及控制器等的信號處理電路2335。這種模塊與輸入單元2336、電池2337和天線2340組合，然后將其收容于框體2339中。液晶顯示面板2301所包括的像素部分被布置成使其從框體2339中提供的開孔窗ロ可以看見。本實施方式的便攜式電話機根據(jù)其功能和用途可以被改變?yōu)楦鞣N方式。例如，若采用具有多個顯示面板的結(jié)構(gòu)，或?qū)⒖蝮w適當?shù)胤指畛啥鄠€并使用鉸鏈而使其成為開閉式的結(jié)構(gòu)，也可以獲得上述的作用和效果。通過在圖16A和16B、以及圖17所示的便攜式電話機中使用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示裝置的便攜式電話。圖18A是液晶顯示器，由框體2401、支撐臺2402、顯示部分2403等構(gòu)成。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分2403。通過使用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示裝置的液晶顯示器。圖18B是計算機，包括主體2501、框體2502、顯示部分2503、鍵盤2504、外部連接端ロ 2505、以及定位設(shè)備2506等。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分2503。通過使用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示裝置的計算機。圖18C是便攜式計算機，包括主體2601、顯示部分2602、開關(guān)2603、操作鍵2604、以及紅外線端ロ 2605等。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分2602。通過使用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示裝置的計算機。圖18D是便攜式游戲機，包含框體2701、顯示部分2702、揚聲器部分2703、操作鍵2704、以及記錄媒體插入部分2705等。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分2702。通過使用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示裝置的游戲機。
圖18E是具有記錄媒體的便攜式圖像重放裝置(具體說是DVD重放裝置)，包括主體2801、框體2802、顯示部分A2803、顯示部分B 2804、記錄媒體(DVD等)讀取部分2805、操作鍵2806、以及揚聲器部分2807等。顯示部分A 2803主要顯示圖像信息，顯示部分B2804主要顯示文字信息。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分A 2803、顯示部分B 2804以及控制用電路部分等。注意，記錄媒體是指DVD等，具有記錄媒體的圖像重放裝置中也包括家用游戲機
坐寸ο通過使用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示裝置的圖像重放裝置。
圖19A和19B示出了將本發(fā)明的液晶顯示裝置安裝在拍攝裝置中例如數(shù)碼相機中的實例。圖19A是當從正面看時的數(shù)碼相機的透視圖，而圖19B是當從背面看時的數(shù)碼相機的透視圖。圖19A中，該數(shù)碼相機具有釋放按鈕2901、主開關(guān)2902、取景器窗ロ 2903、閃光部分2904、透鏡2905、照相機鏡筒2906、以及框體2907。此外，圖19B中，提供取景器目鏡窗ロ 2911、監(jiān)視器2912以及操作按鈕2913。當釋放按鈕2901按到一半位置時，聚焦機制和曝光機制工作，當釋放按鈕按到最低位置時，快門按鈕開啟。通過按下主開關(guān)2902或使主開關(guān)2902旋轉(zhuǎn)，來切換數(shù)碼相機的電源的0N/0FF。取景器窗ロ 2903配置在數(shù)碼相機的前透鏡2905的上部，它是用于從圖19B所示的取景器目鏡窗ロ 2911確認照相范圍或焦點位置的裝置。
閃光部分2904配置在數(shù)碼相機的前表面的上部，當目標亮度低時，通過按下釋放按鈕2901，在快門按鈕開啟的同時發(fā)射輔助光。透鏡2905配置在數(shù)碼相機的正面。透鏡由聚焦透鏡、變焦透鏡等構(gòu)成，并與未圖示的快門按鈕和光圈一起構(gòu)成照相光學系統(tǒng)。此外，在透鏡的后面提供圖像拍攝元件，例如CCD(電荷I禹合裝置；Charge Couoled Device)等。照相機鏡筒2906移動透鏡位置以調(diào)節(jié)聚焦透鏡、變焦透鏡等的焦點。當攝影吋，通過將照相機鏡筒滑出，使透鏡2905向前移動。此外，當攜帶時，將透鏡2905向后移動成緊縮狀態(tài)。注意，本實施例中采用可以通過滑出照相機鏡筒來縮放拍攝目標的結(jié)構(gòu)，然而，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)不限于此，還可以為通過框體2907內(nèi)部的照相光學系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，不滑出照相機鏡筒也可以縮放拍攝的數(shù)碼相機的結(jié)構(gòu)。取景器目鏡窗ロ 2911提供在數(shù)碼相機背面的上部，該取景器目鏡窗ロ是為了當檢查拍攝范圍或焦點時通過它進行查看而提供的窗ロ。操作按鈕2913是提供在數(shù)碼相機的背面的各種功能按鈕，由調(diào)整按鈕、菜單按鈕、顯示按鈕、功能按鈕、以及選擇按鈕等構(gòu)成。本發(fā)明的液晶顯示裝置可以安裝到圖19A和19B所示的照相機的監(jiān)視器2912中。因此，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示裝置的數(shù)碼相機。注意，本實施方式所示的例子僅僅是ー個例子，本發(fā)明的用途不局限于此。本說明書根據(jù)2007年12月05日在日本專利局受理的日本專利申請編號2007-314123而制作，所述申請內(nèi)容包括在本說明書中。
權(quán)利要求
1.一種半導體裝置，包括 薄膜晶體管，包括 由第一導電膜形成的柵電極； 所述柵電極上的由第一絕緣層形成的柵極絕緣膜； 所述第一絕緣層上的第一半導體層，其中所述第一半導體層與所述柵電極重疊；所述第一半導體層上的由第二絕緣層形成的溝道保護膜，其中所述溝道保護膜與所述柵電極重疊； 所述第一半導體層上的源電極和漏電極，其中所述源電極和所述漏電極由第二導電膜形成，并且所述源電極和所述漏電極電連接至所述第一半導體層； 所述源電極和所述漏電極上的第三絕緣層； 所述第三絕緣層上的第三導電膜，其中所述第三導電膜通過所述第三絕緣層中形成的接觸孔電連接至所述源電極和所述漏電極其中之一； 包括所述第一絕緣層上的所述第二導電膜的電容布線；以及 由包括所述電容布線、所述第三絕緣層和所述第三導電膜的層疊體形成的存儲電容器。
2.如權(quán)利要求I所述的半導體裝置，進一步包括 所述第一半導體層和所述源電極之間的源區(qū)；以及 所述第一半導體層和所述漏電極之間的漏區(qū)。
3.如權(quán)利要求2所述的半導體裝置， 其中所述源區(qū)和所述漏區(qū)由具有賦予一種導電型的雜質(zhì)元素的第二半導體層形成。
4.如權(quán)利要求I所述的半導體裝置， 其中所述第一半導體層包括非晶硅。
5.如權(quán)利要求I所述的半導體裝置， 其中所述第三導電膜是透光導電膜。
6.如權(quán)利要求I所述的半導體裝置， 其中所述電容布線進一步包括所述第一半導體層。
7.一種半導體裝置，包括 薄膜晶體管，包括 由第一導電膜形成的柵電極； 所述柵電極上的由第一絕緣層形成的柵極絕緣膜； 所述第一絕緣層上的第一半導體層，其中所述第一半導體層與所述柵電極重疊；所述第一半導體層上的由第二絕緣層形成的溝道保護膜，其中所述溝道保護膜與所述柵電極重疊；以及 所述第一半導體層上的源電極和漏電極，其中所述源電極和所述漏電極由第二導電膜形成，并且所述源電極和所述漏電極電連接至所述第一半導體層； 所述源電極和所述漏電極上形成的第三絕緣層； 由所述第三絕緣層上的第三導電膜形成的第一電極，其中所述第一電極通過所述第三絕緣層中形成的接觸孔電連接至所述源電極和所述漏電極其中之一； 包括所述第一絕緣層上的所述第二導電膜的電容布線；由包括所述電容布線、所述第三絕緣層和所述第一電極的層疊體形成的存儲電容器；以及 連接區(qū)，包括 由所述第一導電膜形成的布線；以及 由所述第三導電膜形成且與所述源電極和所述漏電極中的另一個和所述布線接觸的第二電極。
8.如權(quán)利要求7所述的半導體裝置，進一步包括 所述第一半導體層和所述源電極之間的源區(qū)，以及 所述第一半導體層和所述漏電極之間的漏區(qū)。
9.如權(quán)利要求8所述的半導體裝置， 其中所述源區(qū)和所述漏區(qū)由具有賦予一種導電型的雜質(zhì)元素的第二半導體層形成。
10.如權(quán)利要求7所述的半導體裝置， 其中所述第一半導體層包括非晶硅。
11.如權(quán)利要求7所述的半導體裝置， 其中所述第三導電膜是透光導電膜。
12.如權(quán)利要求7所述的半導體裝置， 其中所述電容布線進一步包括所述第一半導體層。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種具有高開口率且具有大容量的存儲電容器的顯示裝置。本發(fā)明涉及一種顯示裝置及其制造方法，所述顯示裝置包括包括柵電極；柵極絕緣膜；第一半導體層；溝道保護膜；分離為源區(qū)和漏區(qū)，以及源電極和漏電極的導電性第二半導體層的薄膜晶體管；在所述第二導電膜上形成的第三絕緣層；形成在所述第三絕緣層上且與源電極或漏電極的一方電連接的像素電極；夾著電容布線上的第三絕緣層形成在第一絕緣層上的電容布線與像素電極的重疊區(qū)域中的存儲電容器。
文檔編號H01L27/12GK102683355SQ20121013322
公開日2012年9月19日 申請日期2008年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月5日
發(fā)明者細谷邦雄 申請人:株式會社半導體能源研究所