專利名稱：基板處理裝置和基板處理方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種基 板處理裝置和基板處理方法，且更具體地涉及一種對容納于處理室中的基板進行等離子體處理的基板處理裝置。
背景技術：
對作為基板的晶片進行等離子體處理例如蝕刻處理的基板處理裝置，具有容納晶片并可抽真空的處理室(下文中稱作“室”)，和在蝕刻處理過程中晶片安裝于其上的安裝臺(下文中稱作“基座”)。在真空室中產生等離子體，并由等離子體蝕刻晶片?；哂锌刂凭瑴囟鹊目販貦C構。在基座中設有例如由硅制成的環(huán)形聚焦環(huán)，以圍繞被安裝晶片的外周部。聚焦環(huán)將室中的等離子體聚焦在晶片上。當對晶片進行等離子體處理時，晶片因暴露于等離子體的熱量而溫度升高，因此基座的控溫機構冷卻晶片以使晶片的溫度保持恒定，從而提高等離子體處理的均勻性(參見例如日本提前公開專利公開號2004-193567)。然而，在上述的常規(guī)基板處理裝置中，沒有對位于等離子體附近的聚焦環(huán)等室內部件進行溫度管理，因此在聚焦環(huán)與等離子體之間進行熱傳遞，同時在晶片的外周部和聚焦環(huán)之間進行熱傳遞。因此，等離子體的狀態(tài)改變，且晶片上的等離子體的狀態(tài)變得不穩(wěn)定。一般地，在基板處理裝置中，可以通過將晶片上的等離子體保持在期望狀態(tài)并使晶片表面的處理溫度保持均勻來改善對晶片執(zhí)行的等離子體處理的均勻性。因而常規(guī)的基板處理裝置無法提高對晶片執(zhí)行的等離子體處理的均勻性。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供了一種能夠提高對基板執(zhí)行的等離子體處理的均勻性的基板處理裝置和基板處理方法。因此，本發(fā)明的第一方面提供了一種基板處理裝置，其具有容納基板的處理室，并且利用處理室中產生的等離子體對容納于處理室中的基板進行等離子體處理，該基板處理裝置包括適于朝向面向等離子體的處理室內部件的至少一部分噴射控溫氣體的噴射機構。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，朝向面向等離子體的處理室內部件的至少一部分噴射控溫氣體。因而，在將基板容納于處理室中之前，可以將處理室內部件的溫度控制在預定的處理時溫度。因此，在將基板容納于處理室中并進行等離子體處理時，等離子體與處理室內部件之間的傳熱量降至最小，使得基板上的等離子體能夠保持在期望狀態(tài)。此外，基板的外周部與處理室內部件之間的傳熱量也降至最小，使得基板表面的處理溫度能夠保持均勻。因此，可以提高對基板執(zhí)行的等離子體處理的均勻性。本發(fā)明的第一方面能夠提供一種基板處理裝置，其中噴射機構包括噴射控溫氣體的噴嘴。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，從噴嘴噴射控溫氣體。因而，能夠以有效的方式控制處理室內部件的溫度。本發(fā)明的第一方面能夠提供一種基板處理裝置，其中噴射機構包括測量處理室內部件溫度的溫度測量裝置。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，測量處理室內部件的溫度。因而，能夠以有效的方式將處理室內部件的溫度控制在預定的處理時溫度。本發(fā)明的第一方面能夠提供一種基板處理裝置，其中處理室內部件是環(huán)形聚焦環(huán)，其設置在置于處理室中的安裝臺上以便圍繞安裝在安裝臺上的基板的外周部。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，將控溫氣體噴射到聚焦環(huán)的至少一部分上。因而，在將基板容納于處理室中之前，能夠將聚焦環(huán)的溫度控制在預定的處理時溫度。因此，在將基板容納于處理室中并進行等離子體處理時，等離子體與聚焦環(huán)之間的傳熱量降至最小，使得基板上的等離子體能夠保持在期望狀態(tài)。而且，基板的外周部與聚焦環(huán)之間的傳熱量也降至最小，使得基板表面的處理溫度能夠保持均勻。因此，能夠提高等離子體處理的均勻性。本發(fā)明的第一方面能夠提供一種基板處理裝置，其中控溫氣體是高溫氣體。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，噴射作為控溫氣體的高溫氣體。因而，能夠快速控制處理室內部件的溫度。因此，本發(fā)明的第二方面提供了一種基板處理裝置，包括容納基板的處理室、置于處理室中且其上安裝基板的安裝臺、置于安裝臺上以便圍繞被安裝基板的外周部的環(huán)形聚焦環(huán)、面向安裝臺布置并將處理氣體噴入處理室中的氣體噴射系統(tǒng)，并且對容納于處理室中的基板執(zhí)行等離子體處理，其中氣體噴射系統(tǒng)朝向聚焦環(huán)的至少一部分噴射控溫氣體。本發(fā)明的第二方面能夠提供一種基板處理裝置，其還包括測量聚焦環(huán)溫度的溫度測量裝置。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，測量聚焦環(huán)的溫度。因而，能夠將聚焦環(huán)的溫度精確地控制在預定的處理時溫度。因此，本發(fā)明的第三方面提供了一種基板處理裝置，包括容納基板的處理室、置于處理室中且其上安裝基板的安裝臺、和置于安裝臺上以便圍繞被安裝基板的外周部的環(huán)形聚焦環(huán)，并且對容納于處理室中的基板執(zhí)行等離子體處理，其中在安裝臺中形成有噴射孔，通過該噴射孔朝向聚焦環(huán)的至少一部分噴射控溫氣體。因此，本發(fā)明的第四方面提供了一種由基板處理裝置執(zhí)行的基板處理方法，其中基板處理裝置具有容納基板的處理室并且利用處理室中產生的等離子體對容納于處理室中的基板進行等離子體處理，該方法包括在將基板容納于處理室中之前，朝向面向等離子體的處理室內部件的至少一部分噴射控溫氣體的噴射步驟。本發(fā)明的第四方面能夠提供一種基板處理方法，其中噴射步驟包括測量處理室內部件的溫度的測量步驟。本發(fā)明的第四方面能夠提供一種基板處理方法，其還包括 在執(zhí)行噴射步驟之前將處理室中的壓力控制在665至1330帕(5至10托)的壓力控制步驟。
根據(jù)本發(fā)明的第四方面，將處理室中的壓力控制在665至1330帕(5至10托)。因此，可以使從朝向處理室內部件噴射的控溫氣體向處理室內部件的傳熱效率達到最佳。本發(fā)明的第四方面能夠提供一種基板處理方法，還包括在執(zhí)行噴射步驟之后并將基板容納于處理室中之前，將在噴射步驟中已被噴射控溫氣體的處理室內部件放置至少一秒鐘的放置步驟。根據(jù)本發(fā)明的第四方面，將已被噴射控溫氣體的處理室內部件放置至少一秒鐘。因此，從控溫氣體傳遞的熱量可靠均勻地分布在整個處理室內部件上，因此能夠可靠地使處理室內部件的溫度變得均勻。本發(fā)明的第四方面能夠提供一種基板處理方法，其中處理室內部件是環(huán)形聚焦環(huán)，其設置在置于處理室中的安裝臺上以便圍繞安裝在安裝臺上的基板的外周部。
本發(fā)明的第四方面能夠提供一種基板處理方法，其中控溫氣體是高溫氣體。通過下面結合附圖進行的詳細描述，本發(fā)明的特征和優(yōu)點將會變得更加明顯。


圖I是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的基板處理裝置的結構的視圖。圖2是由圖I中所示的基板處理裝置執(zhí)行的基板處理的流程圖。圖3是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的基板處理裝置的結構的視圖。圖4是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的基板處理裝置的結構的視圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參考示出優(yōu)選實施方式的附圖詳細描述本發(fā)明。首先，將描述根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的基板處理裝置。圖I是示意性地示出根據(jù)本實施方式的基板處理裝置的結構的視圖?；逄幚硌b置被構造成在作為基板的半導體裝置用晶片上進行作為等離子體處理的蝕刻處理。如圖I中所示，基板處理裝置10具有室11 (處理室)，其中容納具有例如300毫米直徑的半導體裝置晶片(下文中僅稱作“晶片”)w。圓柱形基座12設置于基板處理室11中作為安裝晶片W于其上的安裝臺。在基板處理裝置10中，在室11的內側壁與基座12的側面之間，形成用作基座12上方的氣體從室11中排出的流動路徑的側排氣路徑13。排氣板14沿著側排氣路徑13的途中設置。室11的內壁面覆蓋有石英或氧化釔(Y2O3)。排氣板14是具有多個孔的板狀部件，用作將室11分隔成上部和下部的隔板。在由排氣板14隔開的室11的上部(下文中稱作“反應室”)17的下述處理空間S中，產生后述等離子體。在室11的下部(下文中稱作“排氣室(歧管)”)18中，開口有將氣體從室11中排出的粗抽排氣管15和主排氣管16。粗抽排氣管15連接有DP (干泵)(未示出)，主排氣管16具有通過包括可變蝶形閥的APC閥(自動壓力控制閥)(未示出)與其連接的TMP(渦輪分子泵)(未示出)。排氣板14捕捉或反射在反應室17的處理空間S中產生的離子和自由基，以防止離子和自由基泄漏到歧管18中。粗抽排氣管15和主排氣管16通過歧管18將反應室17中的氣體從室11中排出。具體地，粗抽排氣管15將室11中的壓力從大氣壓力減小到低真空狀態(tài)，與粗抽排氣管15協(xié)同操作主排氣管16將室11中的壓力從大氣壓力減小到高真空狀態(tài)(例如不超過133帕(I托)的壓力)，處于比低真空狀態(tài)低的壓力。上述APC閥控制室11中的壓力。通過下部匹配器20將下部射頻電源19連接到基座12上。下部射頻電源19向基座12施加預定的射頻電力。基座12因而用作下部電極。下部匹配器20減小從基座12的射頻電力的反射，以使對基座12的射頻電力的供給效率達到最大化。內部具有靜電電極板21的靜電夾盤22設置在基座12的上部。靜電夾盤22由鋁制成，且將陶瓷等熱噴涂在靜電夾盤22的上表面上。當將晶片W安裝在基座12上時，晶片W設置于靜電夾盤22的 上表面上。而且，將直流電源23電連接到靜電夾盤22的靜電電極板21上。一旦正的高直流電壓施加到靜電電極板21上，則在晶片W的面向靜電夾盤22的表面(下文中稱作“晶片W的后表面”)上產生負電位。因而在靜電電極板21與晶片W的后表面之間產生電位差，因此晶片W通過因電位差產生的庫侖力或約翰遜-拉別克(Johnsen-Rahbek)力被吸附到并保持在靜電夾盤22的上表面上。環(huán)形聚焦環(huán)24(處理室內部件)設置于基座12的上部以圍繞被吸附到并保持在靜電夾盤22的上表面上的晶片W。聚焦環(huán)24由硅等導電部件制成。聚焦環(huán)24面向處理空間S中產生的等離子體，并將處理空間S中的等離子體朝向晶片W的前表面聚焦，因而提高了蝕刻處理的效率。在基座12內部設置有例如沿著基座12的圓周方向延伸的環(huán)形冷卻劑室25。例如冷卻水或Galden (注冊商標)液等處于低溫的冷卻劑，從冷卻器單元(未示出)通過冷卻劑室25循環(huán)。由低溫冷卻劑冷卻的基座12通過靜電夾盤22冷卻晶片W。晶片W的溫度主要通過經冷卻劑室25循環(huán)的冷卻劑的溫度和流量來控制。多個傳熱氣體供應孔27向靜電夾盤22的上表面上吸附并保持晶片W的部分(下文中稱作“吸附面”)開口。傳熱氣體供應孔27由傳熱氣體供應管28連接至傳熱氣體供應單元(未示出)。傳熱氣體供應單元通過傳熱氣體供應孔27將作為傳熱氣體的氦氣(He)提供到吸附面與晶片W的后表面之間的間隙中。供應到吸附面與晶片W的后表面之間的間隙中的氦氣有效地將熱量從晶片W傳遞給靜電夾盤22。氣體導入噴頭29設置于室11的頂部面向基座12。上部射頻電源31通過上部匹配器30連接到氣體導入噴頭29上并向氣體導入噴頭29施加預定的射頻電力。氣體導入噴頭29因而用作上部電極。上部匹配器30具有與上述下部匹配器20類似的功能。氣體導入噴頭29包括具有多個氣孔32的頂部電極板33，和可拆卸地支撐頂部電極板33的電極支座34。緩沖室35設置在電極支座34內，且從處理氣體供應源36導入處理氣體的處理氣體導入管37連接至緩沖室35。氣體導入噴頭29將從處理氣體導入管37供應到緩沖室35中的處理氣體經由氣孔32供應到反應室17中。在基板處理裝置10中，在尚未經過蝕刻處理的晶片W容納于室11中并被吸附到和保持在靜電夾盤22的上表面上之后，將射頻電力施加于基座12和氣體導入噴頭29，以將射頻電力施加于基座12與氣體導入噴頭29之間的處理空間S。因此，在處理空間S中，從氣體導入噴頭29供應的處理氣體變成高密度等離子體以便產生離子和自由基，因此尚未經過蝕刻處理的晶片W受到離子和自由基的蝕刻處理。連接至高溫氣體導入單元38的噴嘴39設置于反應室17中的聚焦環(huán)24的上方。噴嘴39朝向聚焦環(huán)24的至少一部分噴射從高溫氣體導入單元38導入并被控制在預定溫度的高溫氣體(控溫氣體)。此時，高溫氣體的熱量傳遞給聚焦環(huán)24，以便升高聚焦環(huán)24的溫度。
高溫氣體導入單元38具有根據(jù)從控制單元40接收到的控制信號，將從氣體供應源(未示出)供應的氣體，例如具有高傳熱性和低反應性的惰性氣體控制在預定溫度的加熱器等氣體溫度控制單元41 ;和根據(jù)從控制單元40接收到的控制信號，對已由氣體溫度控制單元41控制溫度的高溫氣體的導入的接通/關閉進行控制的導入控制單元42。測量聚焦環(huán)24的溫度的溫度測量裝置43設置于室11的側壁內。溫度測量裝置43使用例如基本結構基于邁克爾遜干涉儀結構的低相干干涉儀，通過參考從朝向聚焦環(huán)24照射的測量光分支的參考光與來自聚焦環(huán)24的測量光的反射光的干涉波形的變化，來測量聚焦環(huán)24的溫度。而且，溫度測量裝置43將基于聚焦環(huán)24的測量溫度的溫度信號傳送給控制單元40。應該注意到溫度測量裝置43可以設置在基座12的內部，從其后表面測量聚焦環(huán)24的溫度。而且，溫度測量裝置43并不局限于使用上述低相干干涉儀的裝置，而可以是從上方觀察聚焦環(huán)24的前表面并測量其溫度的溫度測量傳感器等。基于從溫度測量裝置43接收到的溫度信號，控制單元40將控制信號傳送給氣體溫度控制單元41和導入控制單元42以使聚焦環(huán)24的溫度能夠與預定的處理時溫度相等，具體為使處理空間S中產生的等離子體與聚焦環(huán)24之間熱傳遞的量達到最小，并且使晶片W的外周部與聚焦環(huán)24之間熱傳遞的量達到最小的溫度。在基板處理裝置10中，噴嘴39、高溫氣體導入單元38、溫度測量裝置43和控制單元40構成控溫機構(噴射機構)，將聚焦環(huán)24的溫度控制在上述預定的處理時溫度。在基板處理裝置10中，在尚未經過蝕刻處理的晶片W容納于室11中之前，上述的控溫機構將聚焦環(huán)24的溫度控制在上述預定的處理時溫度。在將晶片W送入和從室11中送出時使用的輸送口 44設置在室11的側壁中，且用于打開和關閉輸送口 44的閘閥45設置于輸送口 44中。由基板處理裝置10的控制單元(未示出)的CPU根據(jù)用于蝕刻處理的程序來控制上述基板處理裝置10的組成部件的操作。接著將描述由根據(jù)本實施方式的基板處理裝置執(zhí)行的基板處理。圖2是由圖I中所示的基板處理裝置10執(zhí)行的基板處理的流程圖。如圖2中所示，首先，在尚未經過蝕刻處理的晶片W容納于室11中之前，將室11中的壓力控制到例如665至1330帕(5至10托)的壓力，使得從在后述步驟S22中從噴嘴39向聚焦環(huán)24噴射的高溫氣體向聚焦環(huán)24的熱傳遞的效率達到最佳(步驟S21)。接著，使用溫度測量裝置43測量聚焦環(huán)24的溫度，并且從噴嘴39向聚焦環(huán)24的至少一部分噴射高溫氣體(步驟S22)。在步驟S22中，通過上述控溫機構將聚焦環(huán)24的溫度控制在上述預定的處理時溫度。應該注意到聚焦環(huán)24由例如具有高傳熱性的硅制成，因此即使在將高溫氣體噴射到聚焦環(huán)24的一部分上時，從高溫氣體傳遞的熱量也均勻地分布在整個聚焦環(huán)24上，以便能夠均勻地升高整個聚焦環(huán)24的溫度。然后，將在步驟S22中被噴射高溫氣體的聚焦環(huán)24放置至少一秒鐘(步驟S23)。因此，在步驟S22中從高溫氣體傳遞的熱量可靠均勻地分布在整個聚焦環(huán)24上，以使整個聚焦環(huán)24的溫度能夠確實地變均勻。然后，將室11中的壓力控制到適于傳送晶片W的壓力(步驟S24)。因此，在將晶片W傳送到室11中時可以防止氣體及顆粒從外部流入室11中。
然后，將尚未進行蝕刻處理的晶片W傳送到室11中并安裝到靜電夾盤22的上表面上(步驟S25)。然后，與步驟S21相似，將室11中的壓力控制在例如665至1330帕(5至10托)的壓力，以使上述熱傳遞效率達到最佳(步驟S26)。
然后，與步驟S22相似，利用溫度測量裝置43測量聚焦環(huán)24的溫度，并從噴嘴39向聚焦環(huán)24的至少一部分噴射高溫氣體(步驟S27)。同樣在步驟S27中，通過上述控溫機構將聚焦環(huán)24的溫度控制在預定的處理時溫度，繼而使晶片W在室11中待機(步驟S28)。因此，能夠將聚焦環(huán)24的溫度可靠地控制在預定的處理時溫度。然后，將晶片W吸附到并保持在靜電夾盤22的上表面上，并將射頻電力施加于基座12和氣體導入噴頭29，使得將射頻電力施加到基座12與氣體導入噴頭29之間的處理空間S中。因此，在處理空間S中，從氣體導入噴頭29供應的處理氣體變成高密度等離子體，因此產生離子和自由基。通過離子和自由基對尚未進行蝕刻處理的晶片W進行蝕刻處理(步驟S29)。這里，因為已將聚焦環(huán)24的溫度控制在上述預定的處理時溫度，所以在處理空間S中產生的等離子體與聚焦環(huán)24之間的傳熱量達到最小，使得晶片W上的等離子體能夠保持在期望狀態(tài)。而且，晶片W的外周部與聚焦環(huán)24之間的傳熱量也達到最小，使得晶片W表面上的處理溫度能夠保持均勻。然后，將已進行蝕刻處理的晶片W從室11中傳送出去(步驟S30)，隨后處理終止。根據(jù)圖2所示的基板處理，在將尚未進行蝕刻處理的晶片W容納于室11中之前，從噴嘴39向聚焦環(huán)24的至少一部分噴射高溫氣體，以便將聚焦環(huán)24的溫度控制在預定的處理時溫度，之后，將晶片W傳送到室11中并進行蝕刻處理。因而使處理空間S中產生的等離子體與聚焦環(huán)24之間的傳熱量達到最小，以使晶片W上的等離子體能夠保持在期望狀態(tài)。而且，晶片W的外周部與聚焦環(huán)24之間的傳熱量也達到減小，以使晶片W表面上的處理溫度能夠保持均勻。因此，可以提高蝕刻處理的均勻性。而且，在將晶片W傳送到室11中之后，從噴嘴39向聚焦環(huán)24的至少一部分噴射高溫氣體，并使晶片W在室11中待機。因此，能夠將聚焦環(huán)24的溫度可靠地控制在預定的處理時溫度。在本實施方式中，通過從噴嘴39向聚焦環(huán)24噴射高溫氣體來控制聚焦環(huán)24的溫度，然而可替代性地通過向聚焦環(huán)24照射激光來進行控制。而且，在本實施方式中，從噴嘴39向聚焦環(huán)24噴射高溫氣體，然而如果存在聚焦環(huán)24以外的、面向處理空間中產生的等離子體的任何室內部件，則也向該室內部件噴射高溫氣體。因此，能夠將晶片W上的等離子體可靠地保持在期望狀態(tài)。下面將描述根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的基板處理裝置。本實施方式在結構和操作上與上述第一實施方式基本相同，與第一實施方式的不同在于控溫機構的結構。因此與第一實施方式中相同的結構和操作特征將不再贅述，下面僅描述與第一實施方式不同的特征。圖3是示意性地示出根據(jù)本實施方式的基板處理裝置的結構的視圖。如圖3中所不,氣體噴射噴頭47 (氣體噴射系統(tǒng))設置于基板處理裝置46中的室11的頂部。導入來自處理氣體供應源36的處理氣體并導入來自高溫氣體導入單元38的高溫氣體的氣體導入管48，與氣體噴射噴頭47的緩沖室35相連接。氣體噴射噴頭47將從氣體導入管48導入到緩沖室35中的處理氣體通過氣孔32噴射到反應室17中，并將從氣體導入管48導入至緩沖室35中的高溫氣體通過氣孔32向聚焦環(huán)24的至少一部分噴射。在本實施方式中，氣體噴射噴頭47、高溫氣體導入單元38、溫度測量裝置43和控制單元40構成控溫機構(噴射機構)，將聚焦環(huán)24的溫度控制在預定的處理時溫度。根據(jù)本實施方式，因為從將處理氣體噴射到反應室17中的氣體噴射噴頭47向聚焦環(huán)24的至少一部分噴射高溫氣體，所以在對晶片W進行蝕刻處理時使用簡單的結構能夠獲得與上述第一實施方式相同的效果。接著將描述根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的基板處理裝置。本實施方式在結構和操作上與上述第一和第二實施方式基本相同，與第一和第二實施方式的不同在于控溫機構的結構。因此與第一和第二實施方式中相同的結構和操作特征將不再贅述，下面僅描述與第一和第二實施方式不同的特征。圖4是示意性地示出根據(jù)本實施方式的基板處理裝置的結構的視圖。如圖4中所示，在基板處理裝置49的基座12中，形成有噴射孔51，導入來自高溫氣體導入單元38的高溫氣體的氣體導入管50與噴射孔51相連接，并且從噴射孔51向聚焦環(huán)24的至少一部分噴射高溫氣體。在本實施方式中，噴射孔51、高溫氣體導入單元38、溫度測量裝置43和控制單元40構成控溫機構(噴射機構)，將聚焦環(huán)24的溫度控制在預定的處理時溫度。根據(jù)本實施方式，因為從基座12中形成的噴射孔51向聚焦環(huán)24的至少一部分噴射高溫氣體，所以在對晶片W進行蝕刻處理時使用簡單的結構能夠獲得與上述第一實施方式相同的效果。在上述各實施方式中，進行蝕刻處理的基板不局限于半導體裝置用的晶片，而可以是IXD (液晶顯示器)、FPD (平板顯示器)等中使用的各種基板、光掩模、⑶基板、印刷基板等。應該理解的是，還可通過提供具有存儲有實現(xiàn)上述任一實施方式的功能的軟件程序代碼的存儲介質的計算機、并且使計算機的CPU讀取并執(zhí)行存儲在存儲介質中的程序代碼來實現(xiàn)本發(fā)明的目的。在此情況下，從存儲介質中讀取的程序代碼本身實現(xiàn)上述任一實施方式的功能，因此程序代碼和存儲程序代碼的存儲介質構成本發(fā)明。用于提供程序代碼的存儲介質的實例包括RAM，NV-RAM,軟盤(注冊商標)，硬盤，磁光盤，例如 CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW 或 DVD+RW 的光盤，磁帶、非易失性存儲卡和ROM?？蛇x地，可以通過從連接到因特網、商業(yè)網絡、局域網等的未示出的另一計算機、數(shù)據(jù)庫等下載來提供程序代碼。而且，應該理解的是，不僅可以通過執(zhí)行由計算機讀取的程序代碼，還可以通過基于程序代碼的指令使操作計算機的OS(操作系統(tǒng))等執(zhí)行部分或全部實際操作，來實現(xiàn)上述任一實施方式的功能。而且，應該理解的是，可以通過將從存儲介質讀取的程序代碼寫入插入計算機中 的擴展板中提供的存儲器、或者連接于計算機的擴展單元中提供的存儲器中，然后基于程序代碼的指令使擴展板或擴展單元中提供的CPU等執(zhí)行部分或全部實際操作，來實現(xiàn)上述任一實施方式的功能。
程序代碼的形式可以是目標代碼、由解釋程序執(zhí)行的程序代碼、提供給OS的腳本 (script)數(shù)據(jù)等等。
權利要求
1.一種基板處理裝置，其具有容納基板的處理室并且利用所述處理室中產生的等離子體對容納于處理室中的所述基板進行等離子體處理，所述基板處理裝置包括 噴射機構，適于從所述處理室的側壁朝向面向所述等離子體的處理室內部件的至少一部分噴射控溫氣體。
2.如權利要求I所述的基板處理裝置，其中所述噴射機構包括噴射所述控溫氣體的噴嘴。
3.如權利要求I或2所述的基板處理裝置，其中所述噴射機構包括測量所述處理室內部件的溫度的溫度測量裝置。
4.如權利要求I或2所述的基板處理裝置，其中所述處理室內部件是環(huán)形聚焦環(huán)，其設置在置于所述處理室中的安裝臺上以便圍繞安裝在所述安裝臺上的所述基板的外周部。
5.如權利要求I或2所述的基板處理裝置，其中所述控溫氣體是高溫氣體。
6.一種通過基板處理裝置執(zhí)行的基板處理方法，所述基板處理裝置具有容納基板的處理室并且利用所述處理室中產生的等離子體對容納于處理室中的所述基板進行等離子體處理，所述方法包括 在將所述基板容納于所述處理室中之前，從所述處理室的側壁朝向面向所述等離子體的處理室內部件的至少一部分噴射控溫氣體的噴射步驟。
7.如權利要求6所述的基板處理方法，其中所述噴射步驟包括測量所述處理室內部件的溫度的測量步驟。
8.如權利要求6或7所述的基板處理方法，還包括在執(zhí)行所述噴射步驟之前，將所述處理室中的壓力控制在665至1330帕(5至10托)的壓力控制步驟。
9.如權利要求6或7所述的基板處理方法，還包括在執(zhí)行所述噴射步驟之后并在將所述基板容納于所述處理室中之前，將在所述噴射步驟中已被噴射控溫氣體的所述處理室內部件放置至少一秒鐘的放置步驟。
10.如權利要求6或7所述的基板處理方法，其中所述處理室內部件是環(huán)形聚焦環(huán)，其設置在置于所述處理室中的安裝臺上以便圍繞安裝在所述安裝臺上的所述基板的外周部。
11.如權利要求6或7所述的基板處理方法，其中所述控溫氣體是高溫氣體。
全文摘要
一種能夠提高對晶片進行的等離子體處理的均勻性的基板處理裝置。晶片容納于基板處理裝置的室中，并受到使用處理室中產生的等離子體所執(zhí)行的等離子體處理?？販貦C構朝向面向等離子體的環(huán)形聚焦環(huán)的至少一部分噴射高溫氣體。
文檔編號H01L21/67GK102637622SQ20121012362
公開日2012年8月15日 申請日期2008年3月19日 優(yōu)先權日2007年3月26日
發(fā)明者守屋剛, 山涌純 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社