技術(shù)編號：7098173
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種基 板處理裝置和基板處理方法，且更具體地涉及一種對容納于處理室中的基板進(jìn)行等離子體處理的基板處理裝置。背景技術(shù)對作為基板的晶片進(jìn)行等離子體處理例如蝕刻處理的基板處理裝置，具有容納晶片并可抽真空的處理室(下文中稱作“室”)，和在蝕刻處理過程中晶片安裝于其上的安裝臺(下文中稱作“基座”)。在真空室中產(chǎn)生等離子體，并由等離子體蝕刻晶片。基座具有控制晶片溫度的控溫機(jī)構(gòu)。在基座中設(shè)有例如由硅制成的環(huán)形聚焦環(huán)，以圍繞被安裝晶片的外周部。聚焦環(huán)將室中的等離...
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