專利名稱：顯示裝置和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用有機電致發(fā)光(EL)、無機EL等的自發(fā)光型顯示裝置以及設(shè)有所述顯示裝置的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
在全色顯示裝置中，當使用白光發(fā)光元件時，通過使用濾色器而生成紅、綠、藍三原色的光，從而顯示彩色圖像。而且，在使用紅、綠、藍三原色的發(fā)光元件的情況下，也可使 用濾色器以提高色純度。而且，為了提高對比度，在濾色器的邊界處設(shè)有遮光性黑矩陣。在將濾色器和遮光性黑矩陣一起使用的情況下，黑矩陣成為衍射光柵，且透過相鄰濾色器的光發(fā)生衍射，從而導致混色。為了抑制由黑矩陣引起的衍射現(xiàn)象，有人提議了設(shè)置從黑矩陣的邊緣到開口的光密度梯度(例如，參照日本未審查專利申請2010-8861號公報)。

發(fā)明內(nèi)容
然而，存在這樣的問題，S卩，在發(fā)光元件尺寸小的情況下，在黑矩陣的邊緣處設(shè)置光密度梯度是極其困難的。鑒于以上情況，期望提供即使當發(fā)光元件尺寸小時仍能抑制由透過相鄰濾色器的光的衍射所引起的混色的一種顯示裝置以及一種設(shè)有所述顯示裝置的電子設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括多個發(fā)光元件和濾色器，該濾色器具有面向多個發(fā)光元件的透色區(qū)(transmission color region)以及在透色區(qū)的一部分處設(shè)置的半透射區(qū)。在本發(fā)明的實施方式的顯示裝置中，每個所述多個發(fā)光元件中發(fā)出的光在透過面向所述發(fā)光元件的透色區(qū)后被提取，但所發(fā)出的光的一部分入射至相鄰透色區(qū)。此處，在透色區(qū)的一部分處設(shè)置有半透射區(qū)，于是，入射至相鄰透色區(qū)的這一部分光通過半透射區(qū)。因此，在透過相鄰透色區(qū)的光與透過相鄰透色區(qū)和半透射區(qū)的光之間產(chǎn)生相位差，使得它們互相抵消。這降低了由透過相鄰透色區(qū)的光的衍射所引起的混色。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，提供了一種包括顯示裝置的電子設(shè)備，所述顯示裝置具有多個發(fā)光元件和濾色器，該濾色器具有面向多個發(fā)光元件的透色區(qū)和在透色區(qū)的一部分處設(shè)置的半透射區(qū)。在根據(jù)本發(fā)明的實施方式的電子設(shè)備中，由所述顯示裝置來顯示圖像。根據(jù)本發(fā)明的實施方式的顯示裝置或電子設(shè)備，在濾色器的透色區(qū)的一部分處設(shè)置有半透射區(qū)。因此，即便在發(fā)光元件尺寸小的情況下，仍可抑制由透過濾色器的相鄰透色區(qū)的光的衍射所弓I起的混色。應(yīng)當理解，以上一般性描述和以下詳細說明均為示例性的，并且旨在對所要求保護的本發(fā)明作進一步的解釋。


本申請包括了附圖以便于人們進一步理解本發(fā)明，且將附圖并入以構(gòu)成本申請文件的一部分。附示了各實施方式，并且與申請文件一起用于說明本發(fā)明的原理。圖I為表示了本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的配置圖。
圖2為表示了圖I所示的像素驅(qū)動電路的例子的圖。圖3為表示了圖I所示的顯示區(qū)的概略配置且還表示了半透射區(qū)的第一示例的橫截面圖。圖4為表示了半透射區(qū)的第二示例的圖。圖5為表示了半透射區(qū)的第三示例的圖。圖6為表不了第三不例的另一例子的圖。圖7為表示了半透射區(qū)的第四示例的圖。圖8為表示了第四示例的另一例子的圖。圖9為表示了半透射區(qū)的第五示例的圖。圖10為表示了第五示例的另一例子的圖。圖11為表示了半透射區(qū)的第六示例的圖。圖12為表示了第六示例的另一例子的圖。圖13為表示了由衍射所引起的混色的原理的圖。圖14為表示了透過相鄰透色區(qū)的光的輝度的圖。圖15為表示了與設(shè)有圖13所示的現(xiàn)有黑矩陣的情況相比較的、使各第一示例 第四示例中的半透射區(qū)的混色率降低的效果的圖。圖16為表示了與設(shè)有圖13所示的現(xiàn)有黑矩陣的情況相比較的、設(shè)有第一示例的半透射區(qū)的情況下的透過相鄰透色區(qū)的光的輝度的圖。圖17為表示了與設(shè)有圖13所示的現(xiàn)有黑矩陣的情況相比較的、設(shè)有第三示例的半透射區(qū)的情況下的透過相鄰透色區(qū)的光的輝度的圖。圖18為表示了與設(shè)有圖13所示的現(xiàn)有黑矩陣的情況相比較的、設(shè)有各第一示例 第四示例的半透射區(qū)的情況下的顏色再現(xiàn)范圍。圖19為表示了圖3所示的發(fā)光元件的配置的橫截面圖。圖20為表示了包含上述實施方式的顯示裝置的模塊的概略配置的平面圖。圖21A和圖21B分別為表示上述實施方式的顯示裝置的應(yīng)用示例I的外觀的正面圖和背面圖。圖22為表示了應(yīng)用示例2的外觀的立體圖。
具體實施例方式下面，參照附圖詳述本發(fā)明的實施方式。圖I表示本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的配置。該顯示裝置為用于單反數(shù)碼相機的取景器、頭戴式顯示器等的小型高清晰度有機EL顯示裝置，并且例如在由玻璃等制成的基板11上具有顯示區(qū)110，在顯示區(qū)110中以矩陣的形式布置有后述的多個像素10R、IOGUOB0在顯示區(qū)110周圍，設(shè)有作為圖像顯示用驅(qū)動器的信號線驅(qū)動電路120和掃描線驅(qū)動電路130。在顯示區(qū)110中，設(shè)有像素驅(qū)動電路140。圖2表示了像素驅(qū)動電路140的例子。像素驅(qū)動電路140為設(shè)在后述的第一電極32下方的有源型驅(qū)動電路。像素驅(qū)動電路140例如具有驅(qū)動晶體管Trl、寫晶體管Tr2、電容器(保持電容)Cs以及有機EL元件10，有機EL元件10與驅(qū)動晶體管Trl在第一電源線(Vcc)和第二電源線(GND)之間串聯(lián)連接。電容器Cs的一個電極連接于驅(qū)動晶體管Trl和寫晶體管Tr2之間，而另一電極連接于驅(qū)動晶體管Trl和有機EL元件10之間。在像素驅(qū)動電路140中，以列方向布置有多個信號線120A，且以行方向布置有多個掃描線130A。每個信號線120A和每個掃描線130A的交叉點對應(yīng)于有機EL元件10中的 任一個(子像素)。每個信號線120A連接于信號線驅(qū)動電路120，并且將圖像信號從信號線驅(qū)動電路120經(jīng)由信號線120A而提供至寫晶體管Tr2的源極。每個掃描線130A連接于掃描線驅(qū)動電路130，并且將掃描信號依次從掃描線驅(qū)動電路130經(jīng)由掃描線130A而提供至寫晶體管Tr2的柵極。圖3表示了圖I所示的顯示區(qū)110的一部分的橫截面配置。每個像素10R、10G、IOB例如為基于發(fā)出白光的多個有機EL元件10和濾色器20的組合而發(fā)出三原色(紅、綠和藍)光中的任一種顏色的像素。各有機EL元件10的間距p (中心間的距離)例如為30 ii m以下，具體來說，例如約為2 y m 3 y m。換言之，該顯示裝置為所謂的微顯示器，其中的有機EL元件10的尺寸極小。注意，在顯示裝置上設(shè)有目鏡(未圖示)，且使用者觀察到顯示裝置上所顯示的通過目鏡放大后的圖像。因此，使用者可見的僅為顯示裝置上顯示的圖像在目鏡的接受角(acceptance angle)范圍內(nèi)的部分。有機EL元件10以行列狀布置于基板11上，并且被保護膜12覆蓋。在保護膜12上，由玻璃等制成的密封基板14隔著粘接層13而粘合于整個表面上方。該密封基板14的基板11側(cè)的表面上設(shè)有濾色器20。因此，在有機EL元件10和濾色器20的頂面(密封基板14側(cè)的表面)之間有例如約為7 u m的距離(間隙)G。保護膜12例如為0. 5 ii m 10 U m(包括端值)厚，并且由氮化硅(SiN)制成。粘接層13例如由紫外線(UV)固化樹脂或熱固樹脂制成。密封基板14位于有機EL元件10的第二電極35 (后述)側(cè)，并通過粘接層13來密封有機EL元件10。例如，密封基板14由諸如玻璃等對有機EL元件10發(fā)出的光而言透明的材料制成。濾色器20具有面向有機EL元件10的紅色透色區(qū)21R、綠色透色區(qū)21G和藍色透色區(qū)21B(以下，可總稱為“透色區(qū)21”)。在透色區(qū)21的一部分中設(shè)有半透射區(qū)22。因此，在該顯示裝置中，即使在有機EL元件10尺寸小的情況下，仍可抑制由透過相鄰透色區(qū)21的光的衍射所引起的混色。透色區(qū)21設(shè)置為將有機EL元件10發(fā)出的白光提取為紅、綠或藍的彩色光，并且具有上述的紅色透色區(qū)2IR、綠色透色區(qū)2IG和藍色透色區(qū)21B。紅色透色區(qū)2IR、綠色透色區(qū)2IG和藍色透色區(qū)2IB對應(yīng)于有機EL元件10而依次布置。紅色透色區(qū)2IR、綠色透色區(qū)21G和藍色透色區(qū)21B各由著色層構(gòu)成，所述著色層由混有顏料的樹脂制成，并且取決于顏料的選擇，紅色透色區(qū)21R、綠色透色區(qū)21G和藍色透色區(qū)21B調(diào)整為分別在期望的紅光波長區(qū)、綠光波長區(qū)或藍光波長區(qū)中的透光率高且在其他波長區(qū)中的透光率低。半透射區(qū)22是這樣的區(qū)域，其中，通過在透色區(qū)21的一部分處設(shè)置后述的半透射膜而使透色區(qū)21的一部分的透光率可變?？筛鶕?jù)半透射膜的材料、厚度等而調(diào)整透光率。期望將半透射區(qū)22設(shè)置在允許從有機EL元件10之一入射至與面向該有機EL元件10的透色區(qū)21鄰接的透色區(qū)21 (以下，簡稱為“相鄰透色區(qū)21”)的光的一部分透過半透射區(qū)22的位置。具體來說，優(yōu)選地，半透射區(qū)22設(shè)置為面向多個有機EL元件10間的邊界。這樣，使透色區(qū)21的開口寬度wl大，可在不干擾以垂直于發(fā)光面的方向(以O(shè)度視角方向)提取光的情況下，抑制由光的衍射所引起的混色。而且，半透射區(qū)22還具有通過吸收從密封基板14側(cè)入射的外部光以提高對比度的功能、即類似于現(xiàn)有黑矩陣的功能。
(半透射區(qū)22的第一示例)如圖3所示，所述半透射區(qū)22例如由設(shè)置在透色區(qū)21的著色層的遠離有機EL元件10側(cè)的表面(即密封基板14側(cè)的表面)處的半透射膜22A構(gòu)成。半透射膜22A例如為90nm厚，且線寬為1.2μπι，并且由氮化鈦(TiN)制成。在此情況中，在制造工藝中，通過在密封基板14上直接形成由氮化鈦制成的半透射膜22Α，可容易地形成半透射區(qū)22。(半透射區(qū)22的第二示例)此外，如圖4所示，半透射區(qū)22可由設(shè)置在透色區(qū)21的著色層的靠近有機EL元件10側(cè)的表面(即基板11側(cè)的表面)處的半透射膜22Α構(gòu)成。半透射膜22Α例如為90nm厚，且線寬為I. 2 μ m，并且由氮化鈦或光密度減小的黑色樹脂制成。(半透射區(qū)22的第三示例)而且，如圖5所示，半透射區(qū)22可具有第一半透射膜22B，其設(shè)置于透色區(qū)21的著色層的遠離有機EL元件10側(cè)的表面(即密封基板14側(cè)的表面)處；和第二半透射膜22C，其覆蓋第一半透射膜22B的表面(底面和側(cè)面)。第二半透射膜22C在第一半透射膜22B周圍的著色層的表面處具有凸出部22D。第一半透射膜22B例如為90nm厚，且線寬為I. 2 μ m，并且由氮化鈦制成。第二半透射膜22C例如為30nm厚，且線寬為I. 8 μ m，并且由氮化鈦制成。凸出部22D在透色區(qū)21的一側(cè)的凸出量dl為0.3 μ m，即兩側(cè)總計為0.6 μ m。期望使凸出部22D在透色區(qū)21兩側(cè)的凸出量dl合計起來等于或小于第一半透射膜22B的開口寬度d2的1/4 (四分之一)。這是因為，當凸出量dl大于上述情況時，透色區(qū)21的開口率下降。需要注意，第一半透射膜22B和第二半透射膜22C的層疊順序不限于圖5所示的例子。例如，如圖6所示，半透射區(qū)22可具有第二半透射膜22C，其設(shè)置于透色區(qū)21的著色層的遠離有機EL元件10側(cè)的表面(即密封基板14側(cè)的表面)處；和第一半透射膜22B，其設(shè)置于第二半透射膜22C的表面(底面)的一部分上。第二半透射膜22C在第一半透射膜22B周圍的著色層的表面處具有凸出部22D。(半透射區(qū)22的第四示例)或者，如圖7所示，半透射區(qū)22可具有半透射膜22E，其設(shè)置于透色區(qū)21的著色層的遠離有機EL元件10側(cè)的表面(即密封基板14側(cè)的表面)處；和遮光膜22F，其設(shè)置于半透射膜22的表面(底面)的一部分上。半透射膜22E在遮光膜22F周圍的著色層的表面處具有凸出部22G。半透射膜22E例如為30nm厚，且線寬為I. 8 y m，并且由氮化鈦制成。遮光膜22F例如為160nm厚，且線寬為I. 2iim，并且由鈦(Ti)制成。凸出部22G在透色區(qū)21的一側(cè)的凸出量dl為0. 3 ii m，即兩側(cè)總計為0. 6 ii m。期望使凸出部22G在透色區(qū)21兩側(cè)的凸出量dl合計起來等于或小于遮光膜22F的開口寬度d2的1/4(四分之一)。這是因為，當凸出量dl大于上述情況時，透色區(qū)21的開口率下降。需要注意，半透射膜22E和遮光膜22F的層疊順序不限于圖7所示的例子。例如，如圖8所示，半透射區(qū)22可具有遮光膜22F，其設(shè)置于透色區(qū)21的著色層的遠離有機EL元件10側(cè)的表面(即密封基板14側(cè)的表面)處；和半透射膜22E，其覆蓋遮光膜22F的表面(底面和側(cè)面)。半透射膜22E在遮光膜22F周圍的著色層的表面處具有凸出部22G。(半透射區(qū)22的第五示例)
注意，如圖9或圖10所示，包括第三示例中的第一半透射膜22B和第二半透射膜22C的半透射區(qū)22可設(shè)置于透色區(qū)21的著色層的靠近有機EL元件10側(cè)的表面(即基板11側(cè)的表面)處。(半透射區(qū)22的第六示例)此外，如圖11或圖12所示，包括第四示例中的半透射膜22E和遮光膜22F的半透射區(qū)22可設(shè)置于透色區(qū)21的著色層的靠近有機EL元件10側(cè)的表面(即基板11側(cè)的表面)處。在顯示裝置中，來自掃描線驅(qū)動電路130的掃描信號經(jīng)由寫晶體管Tr2的柵極而提供至每個像素，并且來自信號線驅(qū)動電路120的圖像信號通過寫晶體管Tr2而保持在電容器Cs中。換言之，根據(jù)電容器Cs所保持的信號來控制驅(qū)動晶體管Trl的導通/截止，從而將驅(qū)動電流Ids注入每個有機EL元件10中，這會導致電子空穴復合，從而引起發(fā)光。所述光在透過保護膜12、粘接層13、濾色器20和密封基板14 (頂出射)后被提取。這里，每個有機EL元件10發(fā)出的光在透過面向有機EL元件10的透色區(qū)21后被提取，但是所發(fā)出的光的一部分入射至相鄰透色區(qū)21。此處，因為半透射區(qū)22設(shè)置于透色區(qū)21的一部分處，故光的入射至相鄰透色區(qū)21的一部分經(jīng)過半透射區(qū)22。因此，在透過相鄰透色區(qū)21的光hi和透過相鄰透色區(qū)21與半透射區(qū)22的光h2之間產(chǎn)生相位差，這使得它們互相抵消。這降低了由透過相鄰透色區(qū)21的光hi和光h2的衍射所引起的混色。具體來說，在圖4所示的第二示例中，半透射區(qū)22由半透射膜22A構(gòu)成，該半透射膜22A設(shè)置于透色區(qū)21的著色層的靠近有機EL元件10側(cè)的表面(即基板11側(cè)的表面)處。因此，半透射區(qū)22和有機EL元件10之間的距離小，且即使當光hi的入射角與光h2的入射角相等時，仍然增加了透過透色區(qū)21和半透射區(qū)22的光h2的量。因此，增強了抑制由光hi和光h2的衍射所引起的混色的效果。而且，具體來說，在圖5或圖6所示的第三示例中，半透射區(qū)22具有第一半透射膜22B，其設(shè)置于透色區(qū)21的著色層的遠離有機EL元件10側(cè)的表面(即密封基板14側(cè)的表面)處；和第二半透射膜22C，其覆蓋第一半透射膜22B的表面(底面和側(cè)面)。第二半透射膜22C在第一半透射膜22B周圍的著色層的表面處具有凸出部22D。因此，在透過透色區(qū)21和半透射區(qū)22的光h2中的光h3和光h4之間可產(chǎn)生相位差，所述光h3透過其中第一半透射膜22B和第二半透射膜22C相互重疊的部分，而所述光h4透過凸出部22D。因此，在僅透過透色區(qū)21的光hi和透過透色區(qū)21與半透射區(qū)22的光h2之間可產(chǎn)生相位差，同時，在光h3和光h4之間也可產(chǎn)生相位差。因此，可進一步抑制由光hi h4的衍射所引起的混色。而且，具體來說，在圖7或圖8所示的第四示例中，半透射區(qū)22具有半透射膜22E，其設(shè)置于透色區(qū)21的著色層的遠離有機EL元件10側(cè)的表面(即密封基板14側(cè)的表面)處；和遮光膜22F，其設(shè)置于半透射膜22E的表面(底面)的一部分上。半透射膜22E在遮光膜22F周圍的著色層的表面處具有凸出部22G。因此，可通過半透射膜22E的凸出部22G抑制由光hi和光h2的衍射所引起的混色，并且還可通過用遮光膜22F吸收外部光而獲得黑矩陣的原本效果、即提高對比度。而且，具體來說，在圖9或圖10所示的第五示例中，包括第一半透射膜22B和第二半透射膜22C的半透射區(qū)22設(shè)置于透色區(qū)21的著色層的靠近有機EL元件10側(cè)的表面(即基板11側(cè)的表面)處。而且，在圖11或圖12所示的第六示例中，包括半透射膜22E和 遮光膜22F的半透射區(qū)22設(shè)置于透色區(qū)21的著色層的靠近有機EL元件10側(cè)的表面(即基板11側(cè)的表面)處。因此，半透射區(qū)22和有機EL元件10之間的距離小，于是，即使當光hi的入射角與光h2的入射角相等時，仍增加了既透過透色區(qū)21又透過半透射區(qū)22的光h2的量。因此，可增強抑制由光hi和光h2的衍射所引起的混色的效果。圖13表示以現(xiàn)有的黑矩陣BM來替代半透射區(qū)22的顯示裝置的橫截面配置。黑矩陣BM為200nm厚，且線寬w2為I. 2 μ m，并且由鈦(Ti)制成。注意，在圖13中，為與圖3相同的元件設(shè)有在圖3中的對應(yīng)附圖標記基礎(chǔ)上加上200而得的附圖標記。在圖13中，例如，中央有機EL元件210所發(fā)出的光在透過面向該有機EL元件210的透色區(qū)221(紅色透色區(qū)221R)后被提取，但是所發(fā)出的光的一部分入射至相鄰透色區(qū)221 (綠色透色區(qū)221G或藍色透色區(qū)221B)，從而產(chǎn)生透射光h5以及由黑矩陣BM引起的一次衍射光h6。圖14表示了對于具有圖13所示的現(xiàn)有黑矩陣BM的顯示裝置通過檢查透過相鄰透色區(qū)221(綠色透色區(qū)221G)的光強度而獲得的仿真結(jié)果。注意，在圖14中，角度為在空氣中的值。從圖14中顯然可見，透過相鄰透色區(qū)221的光在視角Θ約為32度處具有最大峰值。這相當于圖13所示的透射光h5。而且，在視角約為10度處具有第二峰值，這相當于圖13所示的一次衍射光h6。而且，在視角約為-5度和視角約為-20度處分別有第三峰值和第四峰值。它們相當于二次衍射光和三次衍射光(圖13中未圖示)。另一方面，上述目鏡(未圖示)的接受角α例如為-10度 +10度(包括端值)。因此，如圖13和圖14所示，透射光h5不是在-10度 +10度(包括端值)的范圍內(nèi)入射，但是有一次衍射光h6和二次衍射光(參照圖14)在-10度 +10度(包括端值)的范圍內(nèi)入射，從而引起混色。圖15表示通過制造具有圖3、圖4、圖5和圖7所示的各第一示例 第四示例中的半透射區(qū)22的顯示裝置并對所制造的顯示裝置檢查目鏡范圍內(nèi)(±10度)的混色率而得到的仿真結(jié)果。注意，圖15的混色率是將設(shè)有圖13所示的現(xiàn)有黑矩陣BM的顯示裝置的混色率作為基準值而表示出的混色率。如圖15所示，混色率在第一示例中為-48%、在第二示例中為-63%、在第三示例中為-66%并且在第四示例中為-44%，在任一所述示例中，都比具有現(xiàn)有黑矩陣BM的情況(比較示例)顯著地抑制了混色率。
當將第一示例和第二示例相互比較時，第二示例中比第一示例中進一步抑制了混色率。據(jù)信這可能是因為在第二示例中，半透射區(qū)22和有機EL元件10之間的距離變小，且即使當光hi的入射角和光h2的入射角相等時，透過透色區(qū)21和半透射區(qū)22的光h2的量仍然增加。此外，當將第一示例和第三示例相互比較時，第三示例中比第一示例中進一步抑制了混色率。據(jù)信這可能是因為在第三示例中，在透過透色區(qū)21和半透射區(qū)22的光h2中，在透過其中第一半透射膜22B和第二半透射膜22C相互重疊的部分的光h3與透過凸出部22D的光h4之間可產(chǎn)生相位差。圖16和圖17分別表示在第一示例和第三示例中通過檢查透過相鄰透色區(qū)21的光的強度而得到的結(jié)果。注意，在圖16和圖17中還各圖示了具有圖14所示的現(xiàn)有黑矩陣BM的情況以作為比較示例。從圖16和圖17中可見，相比于比較示例，在第一示例和第三示例之任一個中，均抑制了在目鏡的接受角a (-10度 +10度)范圍內(nèi)的一次衍射光和二次衍射光。此外，顯然，第三示例中比第一示例中進一步抑制了衍射光的強度。 而且，當在圖15中將第一示例和第四示例相互比較時，第四示例中的混色率與第一示例中大致相同。據(jù)信這可能是因為在第四示例中存在由鈦制成的遮光膜22F的反射所造成的影響。圖18為其中與設(shè)有圖13所示的現(xiàn)有黑矩陣BM的比較示例相比而言的、圖示了在圖3、圖4、圖5和圖7所示的各第一示例 第四示例中的半透射區(qū)22的顏色再現(xiàn)范圍的色度圖(CIE1976u’V’色度圖)。從圖18中可見,在第一示例 第四示例之任一個中，都比比較示例擴大了顏色再現(xiàn)范圍(尤其是就紅光和藍光而言)。換言之，發(fā)現(xiàn)在透色區(qū)21的一部分處設(shè)置半透射區(qū)22可抑制由透過相鄰透色區(qū)21的光的衍射所引起的混色、改善色純度并擴大顏色再現(xiàn)范圍。圖19表示了圖3所示的有機EL元件10的具體配置。在基板11上,設(shè)有具備上述驅(qū)動晶體管Trl的像素驅(qū)動電路140?；?1的設(shè)有像素驅(qū)動電路140的表面由第一絕緣膜31覆蓋。在第一絕緣膜31上設(shè)有有機EL元件10。驅(qū)動晶體管Trl例如具有底柵型(反向交錯型)配置，其中，在基板11上依次層疊有柵極11A、柵極絕緣膜11B、半導體膜11C、溝道保護膜11D、層間絕緣膜IlE以及布線11F。注意，圖2所示的寫晶體管Tr2的配置類似于驅(qū)動晶體管Trl的配置。設(shè)有第一絕緣膜31以使基板11的形成有像素驅(qū)動電路140的表面平坦化，且第一絕緣膜31例如為IOOnm 1，OOOnm(包括端值)厚，并且由氮氧化硅(SiON)或硅的氧化物(SiO2或SiO)制成。而且，第一絕緣膜31可約為2. Oym厚，并且由例如聚酰亞胺等感光性絕緣材料制成。第一絕緣膜31具有連接孔31A，以便在驅(qū)動晶體管Trl和有機EL元件10之間建立電連接。有機EL元件10設(shè)在第一絕緣膜31上，并具有這樣的配置，其中，從基板11側(cè)依次層疊有第一電極32、第二絕緣膜33、包括發(fā)光層的有機層34以及第二電極35。為每個有機EL元件10設(shè)有第一電極32。第一電極32例如約為IOOnm厚，且由作為高反射率材料的鋁(Al)或包含鋁(Al)的合金制成，并且從第二電極35側(cè)提取發(fā)光層中發(fā)出的光(頂出射)。所期望的是，第一電極32的厚度處于其中不允許發(fā)光層中發(fā)出的光透過第一電極32且可保持光提取效率的范圍內(nèi)、即例如30nm 200nm的范圍內(nèi)。作為第一電極32的構(gòu)成材料，不僅有鋁(Al)或其合金，還有由諸如金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鎢(W)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)或銀(Ag)等金屬元素的單質(zhì)或合金制成的反射電極。此外，第一電極32可具有粘接層(未圖示)以作為反射電極的基體，該粘接層約為20nm厚且由鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)、鉭(Ta)、· (Mo)等制成。該粘接層還具有作為反射輔助層的功能，即便當?shù)谝浑姌O32的厚度減小時，其仍能將反射率保持在高水平。在設(shè)有這種粘接層的情況下，15nm以上的厚度足以作為第一電極32的厚度。而且，第一電極32可具有三層結(jié)構(gòu)，所述三層結(jié)構(gòu)包括用作粘接層或反射輔助層的鈦層、由鋁或其合金制成的上述反射電極以及鈦層或鉭層。或者，第一電極32可由復合膜構(gòu)成，所述復合膜包括上述反射電極以及由ITO(銦錫氧化物)、IZO(注冊商標)(銦鋅氧化物)、SnO2等制成的透明電極。設(shè)有第二絕緣膜33以確保第一電極32和第二電極35間的絕緣性，并且使發(fā)光區(qū) 準確地具備期望的形狀。第二絕緣膜33具有對應(yīng)于第一電極32的發(fā)光區(qū)的開口部33A。第二絕緣膜33例如為IOOnm 200nm厚，且由SiON制成。而且，第二絕緣膜33可由諸如聚酰亞胺等感光性絕緣材料制成。在第一電極32和第二絕緣膜33上設(shè)有被多個有機EL元件10共用的有機層34。有機層34例如具有這樣的配置，其中，從第一電極32側(cè)依次層疊有空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層以及電子輸送層?？昭ㄗ⑷雽佑糜谔岣呖昭ㄗ⑷胄?，且該空穴注入層還是用于防止泄漏的緩沖層?？昭ㄗ⑷雽永鐬?nm IOnm(包括端值)厚，并且由通過化學式(I)表示的六甲苯基氮雜苯并菲制成。化學式(I)
NC CNN KJ
N=M=Nnc-(, W、/Vcn
NCCN空穴輸送層用于提高對發(fā)光層的空穴注入效率?？昭ㄝ斔蛯永鐬?0nm厚，并且由通過化學式(2)表示的材料制成?；瘜W式(2)
°6' "發(fā)光層例如為用于發(fā)射白光的層，其中，從第一電極32側(cè)依次層疊有IOnm厚的紅光發(fā)射層、IOnm厚的發(fā)光隔離層、IOnm厚的藍光發(fā)射層以及IOnm厚的綠光發(fā)射層(均未圖示)。通過施加電場，從第一電極32經(jīng)由空穴注入層和空穴輸送層而注入的一部分空穴以及從第二電極35經(jīng)由電子輸送層而注入的一部分電子發(fā)生復合，從而紅光發(fā)射層發(fā)出紅光。發(fā)光隔離層用于降低提供給紅光發(fā)射層的電子的量。通過施加電場，從第一電極32經(jīng)由空穴注入層、空穴輸送層和發(fā)光隔離層而注入的一部分空穴以及從第二電極35經(jīng)由電子輸送層而注入的一部分電子發(fā)生復合，從而藍光發(fā)射層發(fā)出藍光。通過施加電場，從第一電極32經(jīng)由空穴注入層、空穴輸送層和發(fā)光隔離層而注入的一部分空穴以及從第二電極35經(jīng)由電子輸送層而注入的一部分電子發(fā)生復合，從而綠光發(fā)射層發(fā)出綠光。紅光發(fā)射層、綠光發(fā)射層和藍光發(fā)射層各配置為在對應(yīng)于第二絕緣膜33的開口部33A的區(qū)域中發(fā)光。紅光發(fā)射層例如包括紅光發(fā)射材料、空穴輸送材料、電子輸送材料以及雙載流子輸送材料中的至少一種。紅光發(fā)射材料可以是熒光性的或磷光性的。具體來說，紅光發(fā)射層例如約為5nm厚，并且由4，4_雙(2，2_ 二苯基乙烯基)聯(lián)苯(DPVBi)混合有30被％的2，6_雙[(4’ -甲氧基二苯基氨基)苯乙烯基]-1，5-二氰基萘(BSN)而制成。發(fā)光隔離層例如由通過化學式(3)表示的材料制成?；瘜W式(3)
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其包括 多個發(fā)光兀件；和 濾色器，其具有面向所述多個發(fā)光元件的透色區(qū)以及在所述透色區(qū)的一部分處設(shè)置的半透射區(qū)。
2.如權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中，所述半透射區(qū)設(shè)置于使得從所述多個發(fā)光元件之一入射至面向與所述多個發(fā)光元件之一鄰接的發(fā)光元件的所述透色區(qū)的光的一部分可通過所述半透射區(qū)的位置處。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述半透射區(qū)設(shè)置為面向所述多個發(fā)光元件之間的邊界。
4.如權(quán)利要求I至3之任一項所述的顯示裝置，其中，所述透色區(qū)包括兩種以上不同顏色的著色層，并且 所述半透射區(qū)包括設(shè)于所述著色層的表面處的半透射膜。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述半透射膜設(shè)置于所述著色層的遠離所述多個發(fā)光元件的一側(cè)的表面處。
6.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述半透射膜設(shè)置于所述著色層的靠近所述多個發(fā)光元件的一側(cè)的表面處。
7.如權(quán)利要求I至3之任一項所述的顯示裝置，其中，所述透色區(qū)包括兩種以上不同顏色的著色層，并且所述半透射區(qū)包括 第一半透射膜；和 第二半透射膜，其在所述第一半透射膜周圍的所述著色層的表面處具有凸出部。
8.如權(quán)利要求I至3之任一項所述的顯示裝置，其中，所述透色區(qū)包括兩種以上不同顏色的著色層，并且所述半透射區(qū)包括 遮光膜；和 半透射膜，其在所述遮光膜周圍的所述著色層的表面處具有凸出部。
9.如權(quán)利要求I至3之任一項所述的顯示裝置，其中，所述發(fā)光元件為有機電致發(fā)光元件，所述有機電致發(fā)光元件中依次層疊有第一電極、包括發(fā)光層的有機層以及第二電極。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，所述有機電致發(fā)光元件發(fā)出白光，并且 所述著色層包括分別用于將所述白光提取為紅光、綠光或藍光的紅光著色層、綠光著色層和藍光著色層。
11.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，所述多個有機電致發(fā)光元件呈在一個方向上長的矩形形狀，并且以平行于短邊的行方向和平行于長邊的列方向而布置，并且 所述多個有機電致發(fā)光元件在所述行方向上的間距等于或小于30 μ m。
12.一種電子設(shè)備，其包括如權(quán)利要求I至11之任一項所述的顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種顯示裝置以及一種包括所述顯示裝置的電子設(shè)備。所述顯示裝置包括多個發(fā)光元件和濾色器，該濾色器具有面向多個發(fā)光元件的透色區(qū)以及在透色區(qū)的一部分處設(shè)置的半透射區(qū)。根據(jù)本發(fā)明，即便當發(fā)光元件尺寸小時，仍能抑制由透過濾色器的相鄰透色區(qū)的光的衍射所引起的混色、改善色純度并擴大顏色再現(xiàn)范圍。
文檔編號H01L27/32GK102738196SQ20121007691
公開日2012年10月17日 申請日期2012年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月30日
發(fā)明者山田二郎, 淺木玲生 申請人:索尼公司