技術(shù)特征：
1.一種制造GaN基LED的制備方法，其特征在于，所述方法包括：（a）在襯底上依次形成n型GaN、多量子阱和p型GaN；（b）在所述p型GaN上形成透明導(dǎo)電層；（c）對(duì)所述透明導(dǎo)電層、所述p型GaN和所述多量子阱的一部分進(jìn)行臺(tái)面刻蝕，至露出所述n型GaN的一部分；（d）在所述透明導(dǎo)電層和所述n型GaN的露出的部分上形成氧化物保護(hù)層；（e）在未進(jìn)行臺(tái)面刻蝕的位置刻蝕所述氧化物保護(hù)層以露出所述透明導(dǎo)電層的一部分并且在未進(jìn)行臺(tái)面刻蝕的位置刻蝕所述氧化物保護(hù)層以形成不貫穿所述透明導(dǎo)電層的凹槽，在進(jìn)行了臺(tái)面刻蝕的位置刻蝕所述氧化物保護(hù)層以露出所述n型GaN的一部分；（f）在所露出的所述透明導(dǎo)電層的表面上形成粗糙表面；（g）分別在所述粗糙表面和所露出的所述n型GaN的部分上形成p電極和n電極。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟（f）中，利用干法刻蝕或者濕法刻蝕對(duì)所露出的所述透明導(dǎo)電層的表面進(jìn)行粗化處理以形成粗糙表面。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在濕法刻蝕中利用粗化液對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行處理。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，步驟（f）還包括在形成所述粗糙表面之后利用氧等離子體和去離子水對(duì)粗糙表面進(jìn)行清潔。