技術(shù)編號：12041563
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于光電子器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種制造GaN基LED的方法以及GaN基LED。背景技術(shù)氮化鎵基發(fā)光二極管（LightEmittingDiode，LED）作為一種光電子器件，實(shí)現(xiàn)了藍(lán)光發(fā)光，完善了色譜，在彩色顯示和照明領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，并且它體積小壽命長，抗震，不易破損，啟動響應(yīng)時間快，無公害等優(yōu)點(diǎn)贏得了各國政府和公司的調(diào)試重視，市場前景越來越寬廣。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的制備GaN基LED的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，在藍(lán)寶石襯底11上依次生長n型氮化鎵12和多量子阱13，以及p型氮化鎵1...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。