本發(fā)明屬于光電子器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種制造GaN基LED的方法以及GaN基LED。

背景技術(shù)：
氮化鎵基發(fā)光二極管（LightEmittingDiode，LED）作為一種光電子器件，實現(xiàn)了藍光發(fā)光，完善了色譜，在彩色顯示和照明領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，并且它體積小壽命長，抗震，不易破損，啟動響應(yīng)時間快，無公害等優(yōu)點贏得了各國政府和公司的調(diào)試重視，市場前景越來越寬廣。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的制備GaN基LED的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，在藍寶石襯底11上依次生長n型氮化鎵12和多量子阱13，以及p型氮化鎵14。然后，在P型氮化鎵14的表面上形成透明導(dǎo)電層17。利用光刻和干法等離子體刻蝕技術(shù)將部分p型氮化鎵14刻蝕到n型氮化鎵12，從而形成臺面結(jié)構(gòu)。之后制作氧化物保護層16。然后，光刻制作電極圖形，腐蝕掉氧化物保護層16后，蒸鍍電極并進行剝離形成p、n電極15。由于p、n電極15與透明導(dǎo)電層17的接觸的要好于透明導(dǎo)電層17與p型氮化鎵14之間的接觸，當(dāng)在p、n電極15上打金球或者推金球時，其力量會直接傳導(dǎo)到透明導(dǎo)電層17與p型氮化鎵14之間，影響到兩者之間的粘附，在拉力測試或者推金球時，此位置會產(chǎn)生脫落，產(chǎn)生掉電極的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
有鑒于此，本發(fā)明提供一種制造GaN基LED的方法，用于制造GaN基LED。本發(fā)明提供一種制造GaN基LED的制備方法，其特征在于，所述方法包括：（a）在襯底上依次形成n型GaN、多量子阱和p型GaN；（b）在所述p型GaN上形成透明導(dǎo)電層；（c）對所述透明導(dǎo)電層、所述p型GaN和所述多量子阱的一部分進行臺面刻蝕，至露出所述n型GaN的一部分；（d）在所述透明導(dǎo)電層和所述n型GaN的露出的部分上形成氧化物保護層；（e）在未進行臺面刻蝕的位置刻蝕所述氧化物保護層以露出所述透明導(dǎo)電層的一部分，在進行了臺面刻蝕的位置刻蝕所述氧化物保護層以露出所述n型GaN的一部分；（f）在所露出的所述透明導(dǎo)電層的表面上形成粗糙表面；（g）分別在所述粗糙表面和所露出的所述n型GaN的部分上形成p電極和n電極。優(yōu)選地，在本發(fā)明的方法中，在步驟（e）中，在未進行臺面刻蝕的位置刻蝕所述氧化物保護層以形成不貫穿所述透明導(dǎo)電層的凹槽。優(yōu)選地，在本發(fā)明的方法中，在步驟（f）中，利用干法刻蝕或者濕法刻蝕對所露出的所述透明導(dǎo)電層的表面進行粗化處理以形成粗糙表面。優(yōu)選地，在本發(fā)明的方法中，在濕法刻蝕中利用粗化液對所述透明導(dǎo)電層進行處理。優(yōu)選地，在本發(fā)明的方法中，步驟f還包括在形成所述粗糙表面之后利用氧等離子體和和去離子水對粗糙表面進行清潔。本發(fā)明還提供一種GaN基LED，其特征在于，所述LED包括：襯底；在所述襯底上的n型GaN；在所述n型GaN的預(yù)定區(qū)域上的多量子阱；在所述多量子阱上的p型GaN；在所述p型GaN上的透明導(dǎo)電層，在所述透明導(dǎo)電層中具有底面粗糙的凹槽；部分形成在所述透明導(dǎo)電層的凹槽中的p電極；形成在所述n型GaN上的n電極；以及形成在所述透明導(dǎo)電層和所述n型GaN的除p、n電極之外的部分上的氧化物保護層。優(yōu)選地，在本發(fā)明的GaN基LED中，所述n電極貫穿所述氧化物保護層形成于所述n型GaN上。優(yōu)選地，在本發(fā)明的GaN基LED中，所述LED在所述n電極一端具有臺面結(jié)構(gòu)，所述氧化物保護層形成于所述臺面結(jié)構(gòu)上。優(yōu)選地，在本發(fā)明的GaN基LED中，所述凹槽不貫穿所述透明導(dǎo)電層。利用本發(fā)明，可以制造GaN基LED。本發(fā)明中的透明導(dǎo)電層中的凹槽結(jié)構(gòu)改變了電極與透明導(dǎo)電層兩個平面之間的接觸形式，使電極能夠嵌入透明導(dǎo)電層。粗糙的凹槽底面可以讓電極與透明導(dǎo)電層抵觸時有更多的接觸面，增加接觸的牢固性。這種結(jié)構(gòu)可以分散打金球和推金球測試時作用在電極上的力量，從而起到保護電極粘附性的作用。另外，凹槽底面的粗糙結(jié)構(gòu)可以使電極表面也呈較粗的表面，增強了外部打線金球與電極之間的粘附性。附圖說明圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的GaN基LED的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明的制造GaN基LED的方法；以及圖3為根據(jù)本發(fā)明的GaN基LED的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。具體實施方式下面將結(jié)合附圖詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例，在附圖中相同的參考標(biāo)號表示相同的元件。本發(fā)明的目的是通過干法或者濕法的方法在待蒸鍍的LED電極的透明導(dǎo)電層表面進行處理，使其形成具體一定深度和表面粗糙度的結(jié)構(gòu)，從而改變電極與透明導(dǎo)電層的接觸形式，在受到外力使用時會有效分散外力在透明導(dǎo)電層與p型氮化鎵上的作用，減少掉電極的機率和程度。圖2為根據(jù)本發(fā)明的制造GaN基LED的方法。圖3為根據(jù)本發(fā)明的GaN基LED的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。如圖2和3所示，在步驟10，在襯底21上依次形成n型GaN22、多量子阱23和p型GaN24。在步驟11，在p型GaN24上形成透明導(dǎo)電層27。優(yōu)選地，在步驟11中，將透明導(dǎo)電層蒸鍍到p型GaN24上。在步驟12，對透明導(dǎo)電層27、p型GaN24和多量子阱23的一部分進行臺面刻蝕，至露出n型GaN22的一部分。在步驟13，在透明導(dǎo)電層27和n型GaN22的露出的部分上形成氧化物保護層26。在步驟14，在未進行臺面刻蝕的位置刻蝕氧化物保護層26以露出透明導(dǎo)電層27的一部分，在進行了臺面刻蝕的位置刻蝕氧化物保護層26以露出n型GaN22的一部分。優(yōu)選地，在步驟14中，在未進行臺面刻蝕的位置刻蝕氧化物保護層26以形成不貫穿透明導(dǎo)電層27的凹槽。在步驟15，在所露出的透明導(dǎo)電層27的表面上形成粗糙表面28。優(yōu)選地，在步驟15中，利用干法刻蝕或者濕法刻蝕對所露出的透明導(dǎo)電層27的表面進行粗化處理以形成粗糙表面28。優(yōu)選地，干法刻蝕為利用石英掩膜技術(shù)來形成粗糙表面。例如采用日本真空公司的感應(yīng)耦合等離子刻蝕機來形成粗糙表面。首先打開星形電極，使等離子體對腔體上面的石英蓋板進行等離子體轟擊，產(chǎn)生的石英顆粒產(chǎn)生的石英顆粒會均勻落在晶圓表面，此石英顆?？梢猿洚?dāng)粗糙刻蝕的掩膜，形成石英顆粒掩膜后，進行正常的GaN刻蝕程序，刻蝕后會形成均勻的粗糙表面。優(yōu)選地，在濕法刻蝕中利用粗化液對透明導(dǎo)電層27進行處理。例如該粗化液可以為購自臺灣添鴻科技股份有限公司的ITO粗化液LIT-R101。優(yōu)選地，步驟15還包括在形成粗糙表面28之后利用氧等離子體和去離子水對粗糙表面28進行清潔。在步驟16，分別在粗糙表面28和所露出的n型GaN26的部分上形成p、n電極25。鑒于這些教導(dǎo)，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易想到本發(fā)明的其它實施例、組合和修改。因此，當(dāng)結(jié)合上述說明和附圖進行閱讀時，本發(fā)明僅僅由權(quán)利要求限定。