專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及物體、方法，或者制作物體的方法。特別涉及顯示裝置或者半導(dǎo)體裝置。尤其涉及將單晶復(fù)制到玻璃基板而形成的顯示裝置或者半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
近年來，液晶顯示裝置、場致發(fā)光(EL)顯示裝置等的平板顯示器備受矚目。作為平板顯示器的驅(qū)動方式，包括無源矩陣方式及有源矩陣方式。有源矩陣方式與無源矩陣方式相比，具有下述優(yōu)點能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗化、高清晰度、基板的大型化等。在將驅(qū)動電路設(shè)置于面板的外部的結(jié)構(gòu)中，由于可以采用使用了單晶硅的IC作為驅(qū)動電路，所以不會發(fā)生由于驅(qū)動電路的速度所引起的問題。然而，在這樣設(shè)置IC的情況下，由于需要分別準(zhǔn)備面板與IC，還需要進行面板與IC的連接工序等，因此不能充分地降低制造成本。因此，從降低制造成本的角度，采用了將像素部與驅(qū)動電路部形成為一體的方法 (例如，參照專利文獻1)。專利文獻1日本專利特開平8-6053號公報在專利文獻1所示的情況中，作為驅(qū)動電路的半導(dǎo)體層，與像素部同樣的，使用非晶硅或微晶硅、以及多晶硅等的非單晶硅。然而，非晶硅就不用說了、即使在使用微晶硅與多晶硅的情況下，都存在其特性遠遠不及使用單晶硅的情況的問題。尤其，在現(xiàn)有的驅(qū)動電路一體型的面板所使用的半導(dǎo)體層中，由于得不到必要且充分的遷移率，在面臨制造驅(qū)動電路這種要求高速操作的半導(dǎo)體裝置時成為很嚴(yán)重的問題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供降低了制造成本的半導(dǎo)體裝置?；蛘?，其目的在于提供設(shè)置有可以高速操作的電路的半導(dǎo)體裝置?；蛘?，其目的在于提供低功耗的半導(dǎo)體裝置。在本發(fā)明中，將硅層從單晶基板分離(剝離)，并將其粘貼(復(fù)制)到玻璃基板上?；蛘?，將單晶基板粘貼在玻璃基板上，并通過將單晶基板分離，從而在玻璃基板上形成硅層。并且，將硅層加工成島形。之后，再次將硅層從單晶基板分離，并將其粘貼在玻璃基板上?；蛘?，將單晶基板粘貼在玻璃基板上，并通過將單晶基板分離，從而在玻璃基板上形成硅層。并且，再次將硅層加工成島形。因此，使用這些硅層在玻璃基板上形成TFT。此時，同時形成使用有非晶硅或微晶硅的TFT。并且，在這些TFT中，共有作為柵電極其作用的導(dǎo)電層或作為源電極、漏電極起作用的導(dǎo)電層，并同時形成膜。通過這樣，能夠減少制造步驟。本發(fā)明的特征在于，在絕緣基板上方具有第一半導(dǎo)體層；在第一半導(dǎo)體層上方具有第一絕緣層；在第一絕緣層上方具有第一和第二導(dǎo)電層；在第一和第二導(dǎo)電層上方具有第二絕緣層；在第二絕緣層上方具有第二半導(dǎo)體層；在第二半導(dǎo)體層上方具有第三導(dǎo)電層；在第二絕緣層上方具有第四導(dǎo)電層；在第三和第四導(dǎo)電層上方具有第三絕緣層；在第三絕緣層上方具有第五導(dǎo)電層，其中，第一半導(dǎo)體層具有作為第一晶體管的激活層的功能， 第二半導(dǎo)體層具有作為第二晶體管的激活層的功能，而且第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層具有不同的特性。本發(fā)明的特征在于，在上述結(jié)構(gòu)中，第一絕緣層具有作為所述第一晶體管的柵極絕緣層的功能，第一導(dǎo)電層具有第一晶體管的柵電極的功能。本發(fā)明的特征在于，在上述結(jié)構(gòu)中，第二絕緣層具有作為第二晶體管的柵極絕緣層的功能，第二導(dǎo)電層具有作為第二晶體管的柵電極的功能。本發(fā)明的特征在于，在上述結(jié)構(gòu)中，第五導(dǎo)電層通過設(shè)置于第三絕緣層的接觸孔， 與第四導(dǎo)電層電連接。本發(fā)明的特征在于，在上述結(jié)構(gòu)中，第五導(dǎo)電層通過設(shè)置于第一絕緣層、第二絕緣層及第三絕緣層的接觸孔，與第一半導(dǎo)體層電連接。本發(fā)明的特征在于，在上述結(jié)構(gòu)中，第三導(dǎo)電層與第二半導(dǎo)體層電連接。本發(fā)明的特征在于，在上述結(jié)構(gòu)中，第一半導(dǎo)體層具有結(jié)晶性。本發(fā)明的特征在于，在上述結(jié)構(gòu)中，第二半導(dǎo)體層具有非晶半導(dǎo)體。本發(fā)明的特征在于，在上述結(jié)構(gòu)中，第二半導(dǎo)體層具有微晶半導(dǎo)體。另外，在本說明書中，可以使用各種方式的開關(guān)，例如有電子開關(guān)或機械開關(guān)等。 換而言之，只要它可以控制電流的流動就可以，而不限定于特定開關(guān)。例如，作為開關(guān)，可以使用晶體管(例如，雙極晶體管或MOS晶體管等)、二極管(例如，PN 二極管、PIN 二極管、 肖特基二極管、MIM (Metal Insulator Metal ；金屬-絕緣體-金屬)二極管、MIS (Metal Insulator Semiconductor ；金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)二極管、二極管連接的晶體管等)、或可控硅整流器等?；蛘撸梢允褂媒M合它們后的邏輯電路作為開關(guān)。作為機械開關(guān)的例子，有像數(shù)字微鏡裝置(DMD)那樣，利用MEMS(微電子機械系統(tǒng))技術(shù)的開關(guān)。該開關(guān)具有以機械方式可動的電極，并且通過該電極移動來控制連接和不連接以實現(xiàn)工作。在使用晶體管以作為開關(guān)的情況下，由于該晶體管作為簡單的開關(guān)來工作，因此對晶體管的極性(導(dǎo)電類型)沒有特別限制。然而，在想要抑制截止電流的情況下，優(yōu)選采用具有較小截止電流的極性的晶體管。作為截止電流較小的晶體管，有具有LDD區(qū)的晶體管或具有多柵極結(jié)構(gòu)的晶體管等?；蛘?，當(dāng)在作為開關(guān)來工作的晶體管的源極端子的電位接近于低電位側(cè)電源(Vss、GND、0V等)的電位的狀態(tài)下使其工作時，優(yōu)選采用N溝道型晶體管。相反，當(dāng)在源極端子的電位接近于高電位側(cè)電源(Vdd等)的電位的狀態(tài)下使其工作時，優(yōu)選采用P溝道型晶體管。這是因為如下緣故若是N溝道型晶體管，則當(dāng)在源極端子接近于低電位側(cè)電源的電位的狀態(tài)下使其工作時，若是P溝道型晶體管，則當(dāng)在源極端子接近于高電位側(cè)電源的電位的狀態(tài)下使其工作時，可以增大柵極-源極間電壓的絕對值， 因此作為開關(guān)使其更精確地工作。另外，這是因為進行源極跟隨工作的情況較少，所以導(dǎo)致輸出電壓變小的情況少。另外，可以通過使用N溝道型晶體管和P溝道型晶體管兩者來形成CMOS型開關(guān)以作為開關(guān)。當(dāng)采用CMOS型開關(guān)時，因為若P溝道型晶體管或N溝道型晶體管中的某一方的晶體管導(dǎo)通則電流流動，因此作為開關(guān)更容易起作用。例如，無論輸入開關(guān)的輸入信號的電壓是高或低，都可以適當(dāng)?shù)剌敵鲭妷骸６?，由于可以降低用于使開關(guān)導(dǎo)通或截止的信號的電壓振幅值，所以還可以減少耗電量。另外，在將晶體管作為開關(guān)來使用的情況下，開關(guān)具有輸入端子(源極端子或漏極端子的一方)、輸出端子(源極端子或漏極端子的另一方)、以及控制導(dǎo)通的端子(柵極端子)。另一方面，在將二極管作為開關(guān)來使用的情況下，開關(guān)有時不具有控制導(dǎo)通的端子。 因此，與使用晶體管作為開關(guān)的情況相比，通過使用二極管作為開關(guān)的情況可以減少用于控制端子的布線。另夕卜，在本說明書中，明確地記載“A和B連接”的情況包括如下情況A和B電連接的情況；A和B以功能方式連接的情況；以及A和B直接連接的情況。在此，A和B為對象物(例如，裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導(dǎo)電膜、層等)。因此，規(guī)定的連接關(guān)系還包括附圖或文章所示的連接關(guān)系以外的連接關(guān)系，而不局限于如附圖或文章所示的連接關(guān)系。例如，在A和B電連接的情況下，也可以在A和B之間配置一個以上的能夠電連接 A和B的元件(例如開關(guān)、晶體管、電容元件、電感器、電阻元件、二極管等)?；蛘?，在A和B 以功能方式連接的情況下，也可以在A和B之間配置一個以上的能夠以功能方式連接A和B 的電路(例如，邏輯電路(反相器、NAND電路、NOR電路等)、信號轉(zhuǎn)換電路(DA轉(zhuǎn)換電路、 AD轉(zhuǎn)換電路、γ校正電路等)、電位電平轉(zhuǎn)換電路(電源電路(升壓電路、降壓電路等)、改變信號的電位電平的電平轉(zhuǎn)移電路等)、電壓源、電流源、切換電路、放大電路(能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運算放大器、差動放大電路、源極跟隨電路、緩沖電路等)、信號產(chǎn)生電路、存儲電路、控制電路等)。或者，在A和B直接連接的情況下，也可以直接連接A 和B且在其中間不夾有其它元件或其它電路。另外，當(dāng)明確地記載“A和B直接連接”的情況，包括如下情況A和B直接連接(即， A和B連接且在其中間不夾有其它元件或其它電路)的情況；以及A和B電連接(即，A和 B連接且在其中間夾有其它元件或其它電路)的情況。另夕卜，當(dāng)明確地記載“A和B電連接”的情況，包括如下情況A和B電連接(即，A 和B連接且在其中間夾有其它元件或其它電路)的情況；A和B以功能方式連接(即，A和 B以功能方式連接且在其中間夾有其它電路)的情況；以及，A和B直接連接(即，A和B連接且其中間不夾有其它元件或其它電路)的情況。總之，明確地記載“電連接”的情況與只是簡單地記載“連接”的情況相同。另外，本發(fā)明的顯示元件、作為具有顯示元件的裝置的顯示裝置、發(fā)光元件、以及作為具有發(fā)光元件的裝置的發(fā)光裝置，可以采用各種方式或各種元件。例如，作為顯示元件、顯示裝置、發(fā)光元件或發(fā)光裝置，可以使用利用電磁作用來改變對比度、亮度、反射率、 透過率等的顯示介質(zhì)，如EL元件(包含有機物及無機物的EL元件、有機EL元件、無機EL元件)、電子發(fā)射元件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、光柵閥(GLV)、等離子體顯示器(PDP)、 數(shù)字微鏡裝置(DMD)、壓電陶瓷顯示器、碳納米管等。此外，作為使用了 EL元件的顯示裝置，可以舉出EL顯示器，作為使用了電子發(fā)射元件的顯示裝置，可以舉出場致發(fā)光顯示器(FED)或 SED 方式平面型顯示器(SED :Surface-conduction Electron-emitter Display ； 表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示器)等，作為使用了液晶元件的顯示裝置，可以舉出液晶顯示器(透過型液晶顯示器、半透過型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)，并且作為使用了電子墨水或電泳元件的顯示裝置，可以舉出電子紙。另外，EL元件是具有陽極、陰極、以及夾在陽極和陰極之間的EL層的元件。另外， 作為EL層，可以使用利用來自單重態(tài)激子的發(fā)光(熒光)的層、利用來自三重態(tài)激子的發(fā)光(磷光)的層、包括利用來自單重態(tài)激子的發(fā)光(熒光)和利用來自三重態(tài)激子的發(fā)光 (磷光)的層、利用有機物形成的層、利用無機物形成的層、包括利用有機物形成和利用無機物形成的層、高分子材料、低分子材料、以及包含高分子材料和低分子材料的層等。然而， 不限定于此，可以使用各種元件作為EL元件。另外，電子發(fā)射元件是將高電場集中到尖銳的陰極并抽出電子的元件。例如，作為電子發(fā)射元件，可以使用主軸(spindle)型、碳納米管(CNT)型、層疊有金屬-絕緣體-金屬的MlM(Metal-Insulator-Metal)型、層疊有金屬-絕緣體-半導(dǎo)體的MIS (Metal-Insul ator-Semiconductor)型、MOS型、硅型、薄膜二極管型、金剛石型、表面?zhèn)鲗?dǎo)發(fā)射SCD型等。 然而，不限定于此，可以使用各種元件作為電子發(fā)射元件。另外，液晶元件是利用液晶的光學(xué)調(diào)制作用來控制光的透過或非透過的元件，是利用一對電極及液晶構(gòu)成的。另外，液晶的光學(xué)調(diào)制作用由施加到液晶的電場(包括橫向電場、縱向電場或傾斜電場)控制。另外，作為液晶元件，可以舉出向列相液晶、膽甾醇液晶、近晶相液晶、盤狀液晶、熱致液晶、溶致液晶、(漏了一個)低分子液晶、高分子液晶、 強電性液晶、反強電性液晶、主鏈型液晶、側(cè)鏈型高分子液晶、等離子體尋址液晶(PALC)、 香蕉型液晶等。作為液晶的驅(qū)動方式，可以采用TNCTwisted Nematic;扭轉(zhuǎn)向列)模式、 STN(Super Twisted Nematic ；超扭曲向列)模式、IPSQn-Plane-Switching ；平面內(nèi)切換) 模式、FFS(Fringe Field Switching ；邊緣場切換)模式、MVA(Multi-domain Vertical Alignment ；多象限垂直配向)模式、PVA(Patterned Vertical Alignment ；垂直取向構(gòu)型) 模式、ASV(Advanced Super View ；流動超視覺)模式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell ；軸線對稱排列微單元)模式、OCB(Optical Compensated Birefringenc ；光學(xué)補償彎曲)模式、ECB(Electrically Controlled Birefringence ；電控雙折射)模式、 FLC(Ferroelectric Liquid Crystal ；鐵電液晶)模式、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal ；反鐵電液晶)模式、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal ；聚合物分散液晶)模式、賓主模式等。然而，不限定于此，可以使用各種液晶元件及其驅(qū)動方式。另外，電子紙是指利用如光學(xué)各向性和染料分子取向那樣的分子來進行顯示； 利用如電泳、粒子移動、粒子旋轉(zhuǎn)、相變那樣的粒子來進行顯示；通過移動薄膜的一個邊緣而進行顯示；利用分子的發(fā)色/相變來進行顯示；通過分子的光吸收而進行顯示；電子和空穴相結(jié)合而自發(fā)光來進行顯示等。例如，作為電子紙，可以使用微囊型電泳、水平移動型電泳、垂直移動型電泳、球狀扭轉(zhuǎn)球、磁性扭轉(zhuǎn)球、圓柱扭轉(zhuǎn)球、帶電色粉、電子粉液體、磁泳型、磁熱敏式、電潤濕、光散射(透明/白濁變化)、膽甾醇液晶/光導(dǎo)電層、膽甾醇液晶、雙穩(wěn)態(tài)向列相液晶、強電液晶、二色性色素·液晶分散型、可動薄膜、由無色染料引起的發(fā)消色、光致變色、電致變色、電沉積、柔性有機EL等。然而，不限定于此，可以使用各種物質(zhì)來作為電子紙。在此，可以通過使用微囊型電泳，解決遷移粒子的凝集和沉淀，即電泳方式的缺點。電子粉液體具有高響應(yīng)性、高反射率、廣視角、低耗電量、存儲性等的優(yōu)點。另外，等離子體顯示器具有如下結(jié)構(gòu)，即以較窄的間隔使其表面形成有電極的基板和其表面形成有電極及微小的槽且在該槽內(nèi)形成有熒光體層的基板對置，并裝入稀有氣體。而且，通過在電極之間施加電壓產(chǎn)生紫外線，并使熒光體發(fā)光，而可以進行顯示。 等離子體顯示器可以是DC型PDP、AC型PDP。在此，作為等離子體顯示面板，可以使用 AffS(Address While Sustain ；地址同時顯示)驅(qū)動；將子幀分為復(fù)位期間、地址期間、維持期間的 ADS (Address Display S 印 arated ；地址顯示分離)驅(qū)動；CLEAR (High-Contrast， Low Energy Address and Reduction of False Contour Sequence ；低能量地址禾口減小動態(tài)假輪廓)驅(qū)動；ALIS(Alternate Lighting of Surfaces ；交替發(fā)光表面)方式； TERES (Technology ofReciprocal Sustainer ；倒易維持技術(shù))驅(qū)動等。然而，不限定于此， 可以使用各種顯示器作為等離子體顯示器。另外，需要光源的顯示裝置，例如液晶顯示器(透過型液晶顯示器、半透過型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)、利用光柵閥(GLV)的顯示裝置、利用微鏡裝置(DMD)的顯示裝置等的光源，可以使用電致發(fā)光、冷陰極管、熱陰極管、LED、激光光源、汞燈等。然而，不限定于此，可以使用各種光源作為光源。此外，作為晶體管，可以使用各種方式的晶體管。因此，對所使用的晶體管的種類沒有限制。例如，可以使用具有以非晶硅、多晶硅或微晶(也稱為半非晶 (semi-amorphous))硅等為代表的非單晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管(TFT)等。在使用TFT的情況下，具有各種優(yōu)點。例如，因為可以在比使用單晶硅時低的溫度下制造TFT，因此可以實現(xiàn)制造成本的降低、或制造設(shè)備的大型化。由于可以擴大制造設(shè)備，所以可以在大型基板上制造。因此，可以同時制造很多顯示裝置，且可以以低成本制造。再者，由于制造溫度低，因此可以使用低耐熱性基板。由此，可以在透明基板上制造晶體管。并且，可以通過使用形成在透明基板上的晶體管來控制顯示元件的光透過?；蛘?，因為晶體管的膜厚較薄，所以構(gòu)成晶體管的膜的一部分能夠透過光。因此，可以提高開口率。另外，當(dāng)制造多晶硅時，可以通過使用催化劑(鎳等)進一步提高結(jié)晶性，從而能夠制造電特性良好的晶體管。其結(jié)果是，可以在基板上一體地形成柵極驅(qū)動電路(掃描線驅(qū)動電路)、源極驅(qū)動電路(信號線驅(qū)動電路)、以及信號處理電路(信號產(chǎn)生電路、Y校正電路、DA轉(zhuǎn)換電路等)。另外，當(dāng)制造微晶硅時，可以通過使用催化劑(鎳等)進一步提高結(jié)晶性，從而能夠制造電特性良好的晶體管。此時，僅通過進行熱處理而不進行激光輻照，就可以提高結(jié)晶性。其結(jié)果是，可以在基板上一體地形成源極驅(qū)動電路的一部分(模擬開關(guān)等)以及柵極驅(qū)動電路(掃描線驅(qū)動電路)。再者，當(dāng)為了實現(xiàn)結(jié)晶化而不進行激光輻照時，可以抑制硅結(jié)晶性的不均勻。因此，可以顯示清晰的圖像。另外，可以制造多晶硅或微晶硅而不使用催化劑(鎳等)。另外，雖然希望對面板的整體使硅的結(jié)晶性提高到多晶或微晶等，但不限定于此。 也可以只在面板的一部分區(qū)域中提高硅的結(jié)晶性。通過選擇性地照射激光，可以選擇性地提高結(jié)晶性。例如，也可以只對作為像素以外的區(qū)域的外圍電路區(qū)域照射激光?；蛘撸部梢灾粚艠O驅(qū)動電路及源極驅(qū)動電路等的區(qū)域照射激光?；蛘?，也可以只對源極驅(qū)動電路的一部分(例如模擬開關(guān))的區(qū)域照射激光。其結(jié)果是，可以只在需要使電路高速地進行工作的區(qū)域中提高硅的結(jié)晶性。由于不需要使像素區(qū)域高速地工作，所以即使不提高結(jié)晶性，也可以使像素電路工作而不發(fā)生問題。由于提高結(jié)晶性的區(qū)域較少就夠了，所以也可以縮短制造工序，且可以提高成品率并降低制造成本。另外，由于所需要的制造裝置的數(shù)量較少就能夠進行制造，所以可以降低制造成本?；蛘?，可以使用半導(dǎo)體基板或SOI基板等來形成晶體管。通過這樣，可以制造特性、尺寸及形狀等的不均勻性低、電流供給能力高且尺寸小的晶體管。如果使用這些晶體管，則可以謀求電路的低耗電量化或電路的高集成化?；蛘?，可以使用具有aiO、a-hfeiaiO、SiGe、GaAs、IZO、ITO、SnO等的化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體的晶體管，或?qū)@些化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體進行薄膜化后的薄膜晶體管等。通過這樣，可以降低制造溫度，例如可以在室溫下制造晶體管。其結(jié)果是，可以在低耐熱性基板、如塑料基板或薄膜基板上直接形成晶體管。此外，這些化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體不僅可以用于晶體管的溝道部分，而且還可以作為其它用途來使用。例如，這些化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體可以作為電阻元件、像素電極、透明電極來使用。再者，由于它們可以與晶體管同時成膜或形成，所以可以降低成本?；蛘?，可以使用通過噴墨法或印刷法而形成的晶體管等。通過這樣，可以在室溫下進行制造，以低真空度制造，或在大型基板上進行制造。由于即使不使用掩模(中間掩模) 也可以制造晶體管，所以可以容易地改變晶體管的布局。再者，由于不需要抗蝕劑，所以可以減少材料費用，并減少工序數(shù)量。并且，因為只在需要的部分上形成膜，所以與在整個面上形成膜之后進行刻蝕的制造方法相比，可以實現(xiàn)低成本且不浪費材料。或者，可以使用具有有機半導(dǎo)體或碳納米管的晶體管等。通過這樣，可以在能夠彎曲的基板上形成晶體管。因此，能夠增強使用了具有有機半導(dǎo)體或碳納米管的晶體管等的裝置的耐沖擊性。再者，可以使用各種結(jié)構(gòu)的晶體管。例如，可以使用MOS型晶體管、接合型晶體管、 雙極晶體管等來作為晶體管。通過使用MOS型晶體管，可以減少晶體管尺寸。因此，可以安裝多個晶體管。通過使用雙極晶體管，可以使大電流流過。因此，可以使電路高速地工作。此外，也可以將MOS型晶體管、雙極晶體管等混合而形成在一個基板上。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)低耗電量、小型化、高速工作等。除了上述以外，還可以采用各種晶體管。另外，可以使用各種基板形成晶體管。對基板的種類沒有特別的限制。作為形成晶體管的基板，例如可以使用單晶基板、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑料基板、紙基板、 玻璃紙基板、石材基板、木材基板、布基板(包括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、 聚氨酯、聚酯)、或再生纖維(醋酯纖維、銅氨纖維、人造絲、再生聚酯)等)、皮革基板、橡皮基板、不銹鋼基板、具有不銹鋼箔的基板等。或者，可以使用人等的動物皮膚(表皮、真皮) 或皮下組織作為基板?；蛘?，也可以使用某個基板來形成晶體管，然后將晶體管轉(zhuǎn)置到另一基板上，從而在另一基板上配置晶體管。作為晶體管被轉(zhuǎn)置的基板，可以使用單晶基板、 SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑料基板、紙基板、玻璃紙基板、石材基板、木材基板、布基板 (包括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)、或再生纖維(醋酯纖維、銅氨纖維、人造絲、再生聚酯)等)、皮革基板、橡皮基板、不銹鋼基板、具有不銹鋼箔的基板等。或者，也可以使用人等的動物皮膚(表皮、真皮)或皮下組織作為基板。或者，也可以使用某個基板形成晶體管，并拋光該基板以使其變薄。作為進行拋光的基板，可以使用單晶基板、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑料基板、紙基板、玻璃紙基板、石材基板、木材基板、 布基板(包括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)、或再生纖維(醋酯纖維、銅氨纖維、人造絲、再生聚酯)等)、皮革基板、橡皮基板、不銹鋼基板、具有不銹鋼箔的基板等?；蛘撸部梢允褂萌说鹊膭游锲つw(表皮、真皮)或皮下組織作為基板。通過使用這些基板，可以謀求形成特性良好的晶體管，形成低耗電量的晶體管，制造不容易被破壞的裝置，賦予耐熱性，并可以實現(xiàn)輕量化或薄型化。此外，可以采用各種結(jié)構(gòu)的晶體管，而不局限于特定的結(jié)構(gòu)。例如，可以采用具有兩個以上的柵電極的多柵極結(jié)構(gòu)。如果采用多柵極結(jié)構(gòu)，則由于將溝道區(qū)串聯(lián)連接，所以能夠?qū)崿F(xiàn)多個晶體管串聯(lián)的結(jié)構(gòu)。通過采用多柵極結(jié)構(gòu)，可以降低截止電流，并能夠通過提高晶體管的耐壓性來提高可靠性。或者，利用多柵極結(jié)構(gòu)，當(dāng)在飽和區(qū)工作時，即使漏極·源極間的電壓變化，漏極 源極間電流的變化也不太大，從而可以獲得斜率穩(wěn)定的電壓·電流特性。如果利用斜率穩(wěn)定的電壓·電流特性，則可以實現(xiàn)理想的電流源電路或電阻值非常高的有源負(fù)載。其結(jié)果是，可以實現(xiàn)特性良好的差動電路或電流反射鏡電路。作為其他的例子，可以采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)。因為通過采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)，可以增加溝道區(qū)，所以可以增加電流值，或者由于容易得到耗盡層而可以謀求降低S值。通過采用在溝道上下配置有柵電極的結(jié)構(gòu)，從而能夠得到多個晶體管并聯(lián)的結(jié)構(gòu)。也可以采用將柵電極配置在溝道區(qū)上的結(jié)構(gòu)，或?qū)烹姌O配置在溝道區(qū)下的結(jié)構(gòu)，正交錯結(jié)構(gòu)，反交錯結(jié)構(gòu)，將溝道區(qū)分割成多個區(qū)域的結(jié)構(gòu)，并聯(lián)溝道區(qū)的結(jié)構(gòu)，或者串聯(lián)溝道區(qū)的結(jié)構(gòu)。而且，還可以采用在溝道區(qū)(或其一部分)源電極與漏電極重疊的結(jié)構(gòu)。 通過采用在溝道區(qū)(或其一部分)源電極與漏電極重疊的結(jié)構(gòu)，可以防止因電荷聚集在溝道區(qū)的一部分而造成的工作不穩(wěn)定?；蛘撸梢栽O(shè)置LDD區(qū)。通過設(shè)置LDD區(qū)，可以謀求通過提高晶體管的耐壓性來提高可靠性?；蛘?，通過設(shè)置LDD區(qū)，當(dāng)在飽和區(qū)工作時，即使漏極·源極之間的電壓變化，漏極 源極之間電流的變化也不太大，從而可以獲得斜率穩(wěn)定的電壓及電流特性。另外，作為晶體管，可以采用各種各樣的類型，從而可以使用各種基板來形成。因此，為了實現(xiàn)預(yù)定功能所需要的所有電路可以形成在同一基板上。例如，為了實現(xiàn)預(yù)定功能所需要的所有電路也可以形成在各種基板，如玻璃基板、塑料基板、單晶基板或SOI基板等上。通過將為了實現(xiàn)預(yù)定功能所需要的所有電路形成在同一基板上，可以通過減少零部件個數(shù)來降低成本，或可以通過減少與電路零部件之間的連接個數(shù)來提高可靠性?；蛘?， 也可以將為了實現(xiàn)預(yù)定功能所需要的電路的一部分形成在某個基板上，而為了實現(xiàn)預(yù)定功能所需要的電路的另一部分形成在另一個基板上。換而言之，為了實現(xiàn)預(yù)定功能所需要的所有電路也可以不形成在同一基板上。例如，也可以利用晶體管將為了實現(xiàn)預(yù)定功能所需要的電路的一部分形成在玻璃基板上，而將為了實現(xiàn)預(yù)定功能所需要的電路的另一部分形成在單晶基板上，并通過COG (Chip On Glass:玻璃上芯片)將由形成在單晶基板上的晶體管所構(gòu)成的IC芯片連接到玻璃基板，從而在玻璃基板上配置該IC芯片?；蛘撸部梢允褂?TAB (Tape Automated Glass 卷帶自動結(jié)合)或印刷電路板使該IC芯片和玻璃基板連接。 像這樣，通過將電路的一部分形成在同一基板上，可以通過減少零部件個數(shù)來降低成本、或可以通過減少與電路零部件之間的連接個數(shù)來提高可靠性。另外，驅(qū)動電壓高的部分及驅(qū)動頻率高的部分的電路，由于其耗電量高，因此不將該部分的電路形成在同一基板上，例如如果將該部分的電路形成在單晶基板上以使用由該電路構(gòu)成的IC芯片，則能夠防止耗電量的增加。另外，一個像素指的是能夠控制明亮度的一個單元。因此，作為一個例子，一個像素指的是一個色彩單元，并用該一個色彩單元來表現(xiàn)明亮度。因此，在采用由R(紅色)、 G(綠色)和B(藍色)這些色彩單元構(gòu)成的彩色顯示裝置的情況下，將像素的最小單位設(shè)置為由R的像素、G的像素、以及B的像素這三個像素構(gòu)成的像素。再者，色彩單元并不局限于三種顏色，也可以使用三種以上的顏色，并且可以使用RGB以外的顏色。例如，可以加上白色來實現(xiàn)RGBW(W是白色)。另外，可以對RGB加上黃色、藍綠色、紫紅色、翡翠綠及朱紅色等的一種以上的顏色。例如，也可以對RGB加上類似于RGB中的至少一種的顏色。例如，可以采用R、G、B1、B2。Bl和B2雖然都是藍色，但是其頻率稍微不同。與此同樣，可以采用R1、R2、G、B。通過采用這種色彩單元，可以進行更逼真的顯示。通過采用這種色彩單元，可以降低耗電量。作為其他例子，關(guān)于一個色彩單元，在使用多個區(qū)域來控制明亮度的情況下，可以將所述區(qū)域中的一個作為一個像素。因此，作為一個例子，在進行面積灰度的情況或具有子像素(亞像素)的情況下，每一個色彩單元具有控制明亮度的多個區(qū)域，雖然由它們?nèi)w來表現(xiàn)灰度，但是可以將其中控制明亮度的區(qū)域中的一個作為一個像素。因此， 在此情況下，一個色彩單元由一個像素構(gòu)成?；蛘?，即使在一個色彩單元中具有多個控制明亮度的區(qū)域，也可以將它們匯總而將一個色彩單元作為一個像素。因此，在此情況下，一個色彩單元由一個像素構(gòu)成?；蛘?，關(guān)于一個色彩單元，在使用多個區(qū)域來控制明亮度的情況下，由于像素的不同，有助于顯示的區(qū)域的大小可能不同。或者，在一個色彩單元所具有的多個控制明亮度的區(qū)域中，也可以使被提供到各個區(qū)域的信號稍微不同，從而擴大視角。就是說，一個色彩單元所具有的多個區(qū)域的每一個具有的像素電極的電位也可以互不相同。 其結(jié)果是，施加到液晶分子的電壓由于各像素電極而有所不相同。因此，可以擴大視角。再者，在明確地記載“一個像素(對于三種顏色)，，的情況下，將R、G和B三個像素看作一個像素。在明確地記載“一個像素(對于一種顏色)”的情況下，當(dāng)每個色彩單元具有多個區(qū)域時，將該多個區(qū)域匯總并看作一個像素。另外，像素有時配置(排列)為矩陣形狀。這里，像素配置(排列)為矩陣形狀包括如下情況在縱向或橫向上，在直線上排列而配置像素的情況，或者，在鋸齒形線上配置像素的情況。因此，在以三種色彩單元(例如RGB)進行全彩色顯示的情況下，也包括進行條形配置的情況，或者將三種色彩單元的點配置為三角形狀的情況。再者，還可以進行拜爾 (Bayer)方式進行配置的情況。此外，色彩單元并不局限于三種顏色，也可以使用三種以上的顏色，例如可以采用RGBW(W是白色)、或在RGB上加上了黃色、藍綠色、紫紅色等的一種以上顏色后得到的顏色等。此外，每個色彩單元的點也可以具有不同大小的顯示區(qū)域。由此， 可以實現(xiàn)低耗電量化、或顯示元件的長壽命化。此外，可以采用在像素上具有主動元件的有源矩陣方式、或在像素上沒有主動元件的無源矩陣方式。在有源矩陣方式中，作為主動元件(有源元件、非線性元件)，不僅可以使用晶體管，而且還可使用各種主動元件(有源元件、非線性元件)。例如，可以使用MIM(MetalInsulator Metal ；金屬-絕緣體-金屬)或TFD (Thin Film Diode ；薄膜二極管)等。由于這些元件的制造工序少，所以可以降低制造成本或提高成品率。再者，由于元件尺寸小， 所以可以提高開口率，并實現(xiàn)低耗電量化或高亮度化。另外，除了有源矩陣方式以外，還可以采用沒有主動元件(有源元件、非線性元件)的無源矩陣型。由于不使用主動元件(有源元件、非線性元件)，所以制造工序少，且可以降低制造成本或提高成品率。由于不使用主動元件(有源元件、非線性元件)，所以可以提高開口率，并實現(xiàn)低耗電量化或高亮度化。晶體管是指具有至少包括柵極、漏極、以及源極這三個端子的元件，且在漏區(qū)和源區(qū)之間具有溝道區(qū)，而且電流能夠通過漏區(qū)、溝道區(qū)、以及源區(qū)流動。這里，因為源極和漏極由于晶體管的結(jié)構(gòu)或工作條件等而改變，因此很難限定哪個是源極或漏極。因此，在本申請 (說明書、權(quán)利要求書或附圖等)中，有時不將用作源極及漏極的區(qū)域稱為源極或漏極。在此情況下，作為一個例子，有時將它們分別記為第一端子和第二端子?；蛘?，有時將它們分別記為第一電極和第二電極?；蛘撸袝r將它們記為源區(qū)和漏區(qū)。另外，晶體管也可以是具有至少包括基極、發(fā)射極和集電極這三個端子的元件。在此情況下，也與上述同樣地有時將發(fā)射極和集電極分別記為第一端子和第二端子。再者，柵極是指包括柵電極和柵極布線(也稱為柵極線、柵極信號線、掃描線、 掃描信號線等)的整體，或者是指這些中的一部分。柵電極指的是通過柵極絕緣膜與形成溝道區(qū)的半導(dǎo)體重疊的部分的導(dǎo)電膜。此外，柵電極的一部分有時通過柵極絕緣膜與 LDD(Lightly Doped Drain;輕摻雜漏極)區(qū)或源區(qū)(或漏區(qū))重疊。柵極布線是指用于連接各晶體管的柵電極之間的布線、用于連接各像素所具有的柵電極之間的布線、或用于連接?xùn)烹姌O和其它布線的布線。但是，也存在著用作柵電極并用作柵極布線的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)。這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)可以稱為柵電極或柵極布線。換言之，也存在著不可明確區(qū)別柵電極和柵極布線的區(qū)域。例如，在溝道區(qū)與延伸而配置的柵極布線的一部分重疊的情況下，該部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)不僅用作柵極布線，而且還用作柵電極。因此，這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)可以稱為柵電極或柵極布線。另外，用與柵電極相同的材料形成、且形成與柵電極相同的島而連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為柵電極。與此同樣，用與柵極布線相同的材料形成、且形成與柵極布線相同的島而連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為柵極布線。嚴(yán)密地說，有時這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)與溝道區(qū)不重疊，或者，不具有與其它柵電極之間實現(xiàn)連接的功能。但是，根據(jù)制造時的條件等關(guān)系，具有由與柵電極或柵極布線相同的材料形成且形成與柵電極或柵極布線相同的島，從而實現(xiàn)連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)。因此，這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為柵電極或柵極布線。另外，例如在多柵極晶體管中，在很多情況下一個柵電極和其他的柵電極通過由與柵電極相同的材料形成的導(dǎo)電膜實現(xiàn)連接。因為這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)是用于連接?xùn)烹姌O和柵電極的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)，因此可以稱為柵極布線。但是，由于也可以將多柵極晶體管看作一個晶體管，所以該部分也可以稱為柵電極。換言之，由與柵電極或柵極布線相同的材料形成、且形成與柵電極或柵極布線相同的島，從而連接的部分 (區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為柵電極或柵極布線。而且，例如，連接?xùn)烹姌O和柵極布線的部分是導(dǎo)電膜，且由與柵電極或柵極布線不同的材料形成的導(dǎo)電膜也可以稱為柵電極或柵極布線。另外，柵極端子是指柵電極的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)或與柵電極電連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)中的一部分。再者，在將某個布線稱為柵極布線、柵極線、柵極信號線、掃描線、掃描信號線等的情況下，該布線有時不連接到晶體管的柵極。在此情況下，柵極布線、柵極線、柵極信號線、 掃描線、掃描信號線有可能意味著以與晶體管的柵極相同的層形成的布線、由與晶體管的柵極相同的材料形成的布線、或與晶體管的柵極同時成膜的布線。作為一個例子，可以舉出保持電容用布線、電源線、基準(zhǔn)電位供給布線等。此外，源極是指包括源區(qū)、源電極、源極布線(也稱為源極線、源極信號線、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)信號線等)的整體，或者是指這些中的一部分。源區(qū)是指包含很多P型雜質(zhì)(硼或鎵等)或N型雜質(zhì)(磷或砷等)的半導(dǎo)體區(qū)。因此，稍微包含P型雜質(zhì)或N型雜質(zhì)的區(qū)域， 即，所謂的LDD(Lightly Doped Drain ；輕摻雜漏極)區(qū)，不包括在源區(qū)。源電極是指以與源區(qū)不相同的材料形成并與源區(qū)電連接而配置的部分的導(dǎo)電層。但是，源電極有時包括源區(qū)而稱為源電極。源極布線是指用于連接各晶體管的源電極之間的布線、用于連接各像素所具有的源電極之間的布線、或用于連接源電極和其它布線的布線。但是，也存在著作為源電極和源極布線起作用的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)。這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)可以稱為源電極或源極布線。換而言之，也存在著不可明確區(qū)別源電極和源極布線的區(qū)域。例如，在源區(qū)與延伸而配置的源極布線的一部分重疊的情況下，該部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)不僅作為源極布線起作用，而且還作為源電極起作用。因此，這種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)可以稱為源電極或源極布線。另外，以與源電極相同的材料形成且形成與源電極相同的島而連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)、或連接源電極和源電極的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為源電極。另外，與源區(qū)重疊的部分也可以稱為源電極。與此相同，以與源極布線相同的材料形成且形成與源極布線相同的島而連接的區(qū)域也可以稱為源極布線。嚴(yán)密地說，該部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)有時不具有與其它源電極之間實現(xiàn)連接的功能。但是，因為制造時的條件等的關(guān)系，具有以與源電極或源極布線相同的材料形成且與源電極或源極布線連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)。因此，該種部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)也可以稱為源電極或源極布線。另外，例如，也可以將連接源電極和源極布線的部分的導(dǎo)電膜，并且以與源電極或源極布線不同的材料形成的導(dǎo)電膜稱為源電極或源極布線。再者，源極端子是指源區(qū)、源電極、與源電極電連接的部分(區(qū)域、導(dǎo)電膜、布線等)中的一部分。另外，在稱為源極布線、源極線、源極信號線、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)信號線等的情況下，布線有時不連接到晶體管的源極(漏極)。在此情況下，源極布線、源極線、源極信號線、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)信號線有時意味著以與晶體管的源極(漏極)相同的層形成的布線、以與晶體管的源極(漏極)相同的材料形成的布線、或與晶體管的源極(漏極)同時成膜的布線。作為一個例子，可以舉出保持電容用布線、電源線、基準(zhǔn)電位供給布線等。另外，漏極與源極同樣。
再者，半導(dǎo)體裝置是指具有包括半導(dǎo)體元件(晶體管、二極管、可控硅整流器等) 的電路的裝置。而且，也可以將通過利用半導(dǎo)體特性來起作用的所有裝置稱為半導(dǎo)體裝置。 或者，將具有半導(dǎo)體材料的裝置稱為半導(dǎo)體裝置。另外，顯示元件指的是光學(xué)調(diào)制元件、液晶元件、發(fā)光元件、EL元件(有機EL元件、 無機EL元件或包含有機物及無機物的EL元件)、電子發(fā)射元件、電泳元件、放電元件、光反射元件、光衍射元件、數(shù)字微鏡裝置(DMD)等。但是，本發(fā)明不局限于此。而且，顯示裝置指的是具有顯示元件的裝置。此外，顯示裝置也可以具有包含顯示元件的多個像素。顯示裝置可以包括驅(qū)動多個像素的外圍驅(qū)動電路。驅(qū)動多個像素的外圍驅(qū)動電路也可以與多個像素形成在同一基板上。此外，顯示裝置可以包括通過引線鍵合或凸起等而配置在基板上的外圍驅(qū)動電路、所謂的通過玻璃上芯片(COG)而連接的IC芯片、 或者通過TAB等而連接的IC芯片。顯示裝置也可以包括安裝有IC芯片、電阻元件、電容元件、電感器、晶體管等的柔性印刷電路(FPC)。此外，顯示裝置可以通過柔性印刷電路(FPC) 等實現(xiàn)連接，并包括安裝有IC芯片、電阻元件、電容元件、電感器、晶體管等的印刷線路板 (PWB)。另外，顯示裝置也可以包括偏振板或相位差板等的光學(xué)片。此外，顯示裝置還包括照明裝置、框體、聲音輸入輸出裝置、光傳感器等。這里，諸如背光燈單元之類的照明裝置也可以包括導(dǎo)光板、棱鏡片、擴散片、反射片、光源(LED、冷陰極管等)、冷卻裝置(水冷式、空冷式)等。另外，照明裝置指的是具有背光燈單元、導(dǎo)光板、棱鏡片、擴散片、反射片、光源 (LED、冷陰極管、熱陰極管等)、冷卻裝置等的裝置。另外，發(fā)光裝置指的是具有發(fā)光元件等的裝置。在具有發(fā)光元件作為顯示元件的情況下，發(fā)光裝置是顯示裝置的一個具體例子。另外，反射裝置指的是具有光反射元件、光衍射元件、光反射電極等的裝置。另外，液晶顯示裝置指的是具有液晶元件的顯示裝置。作為液晶顯示裝置，可以舉出直觀型、投射型、透過型、反射型、半透過型等。另外，驅(qū)動裝置指的是具有半導(dǎo)體元件、電路、電子電路的裝置。例如，控制將信號從源極信號線輸入到像素內(nèi)的晶體管(有時稱為選擇用晶體管、開關(guān)用晶體管等)、將電壓或電流提供到像素電極的晶體管、將電壓或電流提供到發(fā)光元件的晶體管等，是驅(qū)動裝置的一個例子。再者，將信號提供到柵極信號線的電路(有時稱為柵極驅(qū)動器、柵極線驅(qū)動電路等)、將信號提供到源極信號線的電路(有時稱為源極驅(qū)動器、源極線驅(qū)動電路等)等，是驅(qū)動裝置的一個例子。再者，有可能重復(fù)具有顯示裝置、半導(dǎo)體裝置、照明裝置、冷卻裝置、發(fā)光裝置、反射裝置、驅(qū)動裝置等。例如，顯示裝置有時具有半導(dǎo)體裝置及發(fā)光裝置?；蛘?，半導(dǎo)體裝置有時具有顯示裝置及驅(qū)動裝置。再者，明確地記載“B形成在A的上面”或“B形成在A上”的情況不局限于B直接接觸地形成在A的上面的情況。還包括不直接接觸的情況，即，在A和B之間夾有其它對象物的情況。這里，A和B是對象物(例如裝置、元件、電路、布線、電極、端子、導(dǎo)電膜、層等)。因此，例如，明確地記載“層B形成在層A的上面(或?qū)覣上)”的情況包括如下兩種情況層B直接接觸地形成在層A的上面的情況；以及在層A的上面直接接觸地形成其它層(例如層C或?qū)覦等)，并且層B直接接觸地形成在所述其它層上的情況。另外，其他層(例如層C或?qū)覦等)可以是單層或?qū)盈B。與此相同，明確地記載“B形成在A的上方”的情況也不局限于B與A的上面直接接觸的情況，而還包括在A和B之間夾有其它對象物的情況。因此，例如，“層B形成在層A 的上方”的情況包括如下兩種情況層B直接接觸地形成在層A的上面的情況；以及在層A 之上直接接觸地形成其它層(例如層C或?qū)覦等)的情況，并且層B直接接觸地形成在所述其它層上。注意，其他層(例如層C或?qū)覦等)可以是單層或?qū)盈B。另外，明確地記載“B直接接觸地形成在A的上面”的情況意味著B直接接觸地形成在A的上面的情況，而不包括在A和B之間夾有其它對象物的情況。另外，“B形成在A的下面”或“B形成在A的下方”的情況與上述情況同樣。而且，明確記載為單數(shù)的情況優(yōu)選是單數(shù)，但是本發(fā)明不局限于此，也可以是復(fù)數(shù)。與此同樣，明確記載為復(fù)數(shù)的情況優(yōu)選是復(fù)數(shù)，但是本發(fā)明不局限于此，也可以是單數(shù)?？梢灾圃旖档土酥圃斐杀镜陌雽?dǎo)體裝置。并且，可以制造具有多種功能的半導(dǎo)體裝置?；蛘?，可以制造設(shè)置有能夠高速工作的電路的半導(dǎo)體裝置?；蛘?，可以制造低功耗的半導(dǎo)體裝置?；蛘?，可以制造其工序數(shù)量減少的半導(dǎo)體裝置。


圖1是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的2是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的3是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的4是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的5是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的6是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的7是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的截面圖的圖；圖8是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的截面圖的圖；圖9是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的截面圖的圖；圖10是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的截面圖的圖；圖11是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的俯視圖的圖；圖12是說明本發(fā)明的SOI基板的截面圖；圖13是說明本發(fā)明的SOI基板的截面圖；圖14是說明本發(fā)明的SOI基板的截面圖；圖15是說明本發(fā)明的SOI基板的截面圖；圖16是說明本發(fā)明的SOI基板的截面圖；圖17是說明本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖18是說明本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖19是說明本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖20是說明本發(fā)明的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖；圖21是說明本發(fā)明的液晶顯示裝置的截面圖；圖22是說明本發(fā)明的像素的電路圖；圖23是說明本發(fā)明的像素的電路圖24是說明本發(fā)明的像素的電路圖25是說明本發(fā)明的像素的俯視圖和截面圖
圖26是說明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖27是說明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖28是說明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖29是說明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖30是說明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖31是說明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖32是說明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖33是說明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖34是說明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖35是說明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖36是說明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖37是說明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖38是說明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖39是說明本發(fā)明的電子設(shè)備的圖。
具體實施例方式以下參照

本發(fā)明的實施方式。但是，本發(fā)明可以通過多種不同的方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以很容易地理解一個事實就是，在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的情況下其方式和詳細內(nèi)容可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在實施方式所記載的內(nèi)容中。此外，在以下所說明的本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中，使用同一附圖標(biāo)記來表示不同附圖之間的同一部分，并省略對同一部分或具有相同功能的部分的詳細說明。(實施方式1)在半導(dǎo)體裝置或顯示裝置中，它們的全部或一部分由下述TFT構(gòu)成將硅層從單晶基板分離(剝離)，并貼(復(fù)制)在玻璃基板上，從而在玻璃基板上形成的TFT ；或者將單晶基板貼在玻璃基板上，利用從玻璃基板分離(剝離)單晶基板的方式在玻璃基板上形成硅層，從而在玻璃基板上形成的TFT。此外，將硅層從單晶基板分離，并將其貼在玻璃基板上，從而在玻璃基板上形成的TFT ；或者將單晶基板貼在玻璃基板上，并利用將單晶基板分離的方式將單晶基板的硅層的一部分復(fù)制到玻璃基板上，從而在玻璃基板上形成的TFT，下面將它們稱為單晶TFT。然后，在形成單晶TFT的同時形成非單晶TFT。作為非單晶的例子，有非晶半導(dǎo)體 ((amorphous))、微晶半導(dǎo)體(也稱為微晶體半導(dǎo)體、半非晶半導(dǎo)體、納米晶半導(dǎo)體等)等。接下來，將參照

制造方法。如圖KA)所示，絕緣基板101不局限于玻璃等，可以使用各種基板。例如，可以使用硼硅酸鋇玻璃、硼硅酸鋁玻璃等的玻璃基板、石英基板、陶瓷基板、或含有不銹鋼的金屬基板等。此外，也可以使用由以聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、 聚醚砜(PEQ為代表的塑料或諸如丙烯酸等的具有柔性的合成樹脂形成的基板。通過使用具有柔性的基板，可以制造可彎曲的半導(dǎo)體裝置。如果是具有柔性的基板，則由于對基板的面積和形狀方面沒有特別限制，由此，作為絕緣基板101，如果使用例如一邊長在1米以上且為矩形的基板，則可以顯著提高生產(chǎn)率。與使用圓形硅基板的情況相比，該優(yōu)點是極具優(yōu)勢的。另外，在絕緣基板101的表面等上，優(yōu)選配置絕緣膜。該絕緣膜作為基底膜起作用。換而言之，防止來自絕緣基板101內(nèi)部的諸如Na等的堿金屬或堿土金屬對半導(dǎo)體元件的特性造成負(fù)面影響。作為絕緣膜，可以使用包含氧或氮的絕緣膜的單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)形成，包含氧或氮的絕緣膜例如是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy, x>y) 或氮化氧化硅(SiNx0y，x>y)等。例如，當(dāng)采用兩層結(jié)構(gòu)設(shè)置絕緣膜時，優(yōu)選設(shè)置氮氧化硅膜作為第一層絕緣膜，并且設(shè)置氧氮化硅膜作為第二層絕緣膜。作為其它的例子，當(dāng)采用三層結(jié)構(gòu)設(shè)置絕緣膜時，優(yōu)選設(shè)置氧氮化硅膜作為第一層絕緣膜，設(shè)置氮氧化硅膜作為第二層絕緣膜，并且設(shè)置氧氮化硅膜作為第三層絕緣膜。但是，不局限于此，也可以在絕緣基板101的表面上不配置絕緣膜。然后，在配置有絕緣膜等的絕緣基板101上配置半導(dǎo)體層102。半導(dǎo)體層102可以配置在絕緣基板101的整體表面上，也可以配置在絕緣基板101的一部分上。半導(dǎo)體層 102優(yōu)選是單晶。但是，不局限于此。因為單晶具有良好電流特性和高遷移率，所以這是優(yōu)選的。另外，對于半導(dǎo)體層102的配置方法等，在別的實施方式中進行說明。接下來，如圖I(B)所示，為了使半導(dǎo)體層102成為規(guī)定的形狀，通過刻蝕除去不需要的部分。換而言之，將半導(dǎo)體層102加工為島形。換而言之，對半導(dǎo)體102形成圖案。該半導(dǎo)體層102作為晶體管的激活層起作用。但是，不局限于此，有時作為電容元件的電極、電阻元件、二極管的激活層等起作用。接下來，如圖I(C)所示，配置絕緣層103以使其覆蓋半導(dǎo)體層102。絕緣層103通過使用CVD法、濺射法、熱氧化法、氣相淀積法、噴墨法及印刷法等進行配置。絕緣層103也可以作為柵絕緣膜起作用。另外，在將絕緣層103作為電容元件的絕緣體起作用時，絕緣層 103有時作為層間膜起作用。絕緣膜103可以使用下列膜的單層或?qū)盈B結(jié)構(gòu)形成硅氧烷樹脂、氧化硅(SiOx)、 氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy, χ > y)、氮氧化硅(SiNxOy, χ > y)等的包含氧或氮的絕緣膜、DLC(類金剛石碳)等的包含碳的膜；或者環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯或丙烯酸等的有機材料。另外，硅氧烷樹脂相當(dāng)于包括Si-O-Si鍵的樹脂。硅氧烷的骨架結(jié)構(gòu)由硅(Si)和氧(0)的鍵構(gòu)成。作為其取代基，可以使用至少包含氫的有機基(例如烷基或芳烴)。作為其取代基，也可以使用氟基?；蛘撸部梢允褂弥辽侔瑲涞挠袡C基和氟基作為取代基。但是，與半導(dǎo)體層102接觸部分的絕緣層103優(yōu)選是氧化硅(SiOx)。通過使用氧化硅(SiOx)，可以防止電子被捕獲且可以防止發(fā)生磁滯效果。接下來，如圖I(D)所示，配置導(dǎo)電層104以使其覆蓋絕緣層103。導(dǎo)電層104通過使用CVD法、濺射法、熱氧化法、氣相淀積法、噴墨法及印刷法等進行配置。接下來，如圖2(A)所示，通過蝕刻去除不需要的部分，以便使導(dǎo)電層104成為規(guī)定的形狀。換而言之，將導(dǎo)電層104加工為島狀。也就是說，對導(dǎo)電層104形成圖案。其結(jié)果，形成了柵電極104A和柵電極104B。柵電極104A與半導(dǎo)體102及絕緣層103等一起構(gòu)成晶體管203。因為柵電極104A 配置于半導(dǎo)體102的上部，所以晶體管203成為頂柵型的晶體管。晶體管203可以采用多種結(jié)構(gòu)。例如，晶體管203可以使用單漏極晶體管。在此情況下，因為可以通過簡單的方法形成單漏極晶體管，所以它具有低制造成本和高成品率的優(yōu)點。這里，半導(dǎo)體層102具有雜質(zhì)濃度不同的區(qū)域，且具有溝道區(qū)、源區(qū)及漏區(qū)。通過這樣控制雜質(zhì)量，可以控制半導(dǎo)體層的電阻率。在源區(qū)及漏區(qū)中，可以使半導(dǎo)體層102和與其連接的導(dǎo)電膜之間的電學(xué)連接狀態(tài)接近于歐姆接觸。另外，作為分別形成雜質(zhì)量彼此不同的半導(dǎo)體層的方法，可以使用以柵電極104A作為掩模對半導(dǎo)體層摻雜雜質(zhì)的方法。另外，晶體管203可以形成為其柵電極104A具有一定程度以上的錐形角。在此情況下，因為可以通過簡單的方法進行制造，所以它具有低制造成本和高成品率的優(yōu)點。 這里，半導(dǎo)體層102具有雜質(zhì)濃度不同的區(qū)域，且具有溝道區(qū)、輕摻雜漏(Lightly Doped Drain =LDD)區(qū)、源區(qū)及漏區(qū)。通過這樣控制雜質(zhì)量，可以控制半導(dǎo)體層的電阻率。而且，可以使半導(dǎo)體層102和與其連接的導(dǎo)電膜之間的電學(xué)連接狀態(tài)接近于歐姆接觸。因為晶體管包括LDD區(qū)，所以在晶體管中不容易施加高的電場，可以抑制由于熱載流子而導(dǎo)致的元件的退化。另外，作為分別形成雜質(zhì)量不同的半導(dǎo)體層的方法，可以使用以柵電極104A作為掩模對半導(dǎo)體層摻雜雜質(zhì)的方法。在柵電極104A具有一定程度以上的錐形角的情況下，可以提供通過柵電極104A摻雜到半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度的梯度，而且可以容易地形成LDD區(qū)。另外，在晶體管203中，柵電極104A可以至少由兩層構(gòu)成，且其下層?xùn)烹姌O比上層?xùn)烹姌O長。在此情況下，上層?xùn)烹姌O及下層?xùn)烹姌O的形狀有時稱為帽形。由于柵電極104A 是帽形的，所以在不增加光掩模的情況下形成LDD區(qū)。另外，LDD區(qū)與柵電極104A重疊的結(jié)構(gòu)特別稱為GOLD結(jié)構(gòu)(Gate Overlapped LDD)。再者，作為將柵電極104A的形狀形成為帽形的方法，也可以使用下面的方法。首先，當(dāng)對柵電極104A形成圖案時，通過干刻蝕來刻蝕下層?xùn)烹姌O及上層?xùn)烹姌O，使得其側(cè)面形成為具有傾斜的形狀(錐形)。然后，通過各向異性刻蝕，處理上層?xùn)烹姌O以使其傾角接近于垂直。通過該工序，形成了其截面形狀為帽形的柵電極。然后，通過進行兩次雜質(zhì)元素的摻雜，形成溝道區(qū)、LDD區(qū)、源區(qū)及漏區(qū)。另外，將與柵電極104A重疊的LDD區(qū)稱為Lov區(qū)，并且將不與柵電極104A重疊的 LDD區(qū)稱為LofT區(qū)。在此，Loff區(qū)在抑制截止電流值方面的效果高，而它在通過緩和漏極附近的電場來防止由于熱載流子而導(dǎo)致的導(dǎo)通電流值的退化方面的效果低。另一方面，Lov 區(qū)在通過緩和漏極附近的電場來防止導(dǎo)通電流值的退化方面的效果高，而它在抑制截止電流值方面的效果低。因此，優(yōu)選在各種電路中制作具有對應(yīng)于所需特性的結(jié)構(gòu)的晶體管。 例如，當(dāng)使用半導(dǎo)體裝置作為顯示裝置時，為了抑制截止電流值，像素晶體管優(yōu)選使用具有 Loff區(qū)的晶體管。另一方面，為了通過緩和漏極附近的電場來防止導(dǎo)通電流值的退化，外圍電路中的晶體管優(yōu)選使用具有Lov區(qū)的晶體管。另外，作為晶體管203，可以形成具有與柵電極104A的側(cè)面接觸的側(cè)壁的晶體管。 當(dāng)晶體管具有側(cè)壁時，可以將與側(cè)壁重疊的區(qū)域作為LDD區(qū)。另外，作為晶體管203，可以通過使用掩模對半導(dǎo)體層102進行摻雜來形成 LDD(Loff)區(qū)。通過這樣，可以準(zhǔn)確地形成LDD區(qū)，并且可以降低晶體管的截止電流值。
另外，作為晶體管203，可以通過使用掩模對半導(dǎo)體層進行摻雜來形成LDD(Lov) 區(qū)。通過該方式，可以準(zhǔn)確地形成LDD區(qū)，并且通過緩和晶體管的漏極附近的電場，可以降低導(dǎo)通電流值的退化。另外，導(dǎo)電層104不局限于柵電極，也可以被加工為具有各種功能的導(dǎo)電膜。例如，導(dǎo)電層104可以具有用于形成存儲電容的布線、用于形成掃描線的布線、用于連接電路的布線等的布線，以及電極等多種功能。下面，如圖2(B)所示，設(shè)置絕緣層201以使其覆蓋柵電極104A、柵電極104B。根據(jù)CVD法、濺射法、熱氧化法、氣相淀積法、噴墨法、印刷法等設(shè)置絕緣層201。絕緣層201也可作為柵絕緣膜起作用。此外，也可作為電容元件的絕緣體以及層間膜起作用。絕緣層201可以使用下列膜的單層或?qū)盈B結(jié)構(gòu)形成硅氧烷樹脂、氧化硅(SiOx)、 氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy, χ > y)、氮氧化硅(SiNxOy, χ > y)等的包含氧或氮的絕緣膜、DLC(類金剛石碳)等的包含碳的膜；或者如環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯或丙烯酸等的有機材料等。再者，硅氧烷樹脂相當(dāng)于包括Si-O-Si鍵的樹脂。硅氧烷的骨架結(jié)構(gòu)由硅(Si)和氧(0)的鍵構(gòu)成。作為其取代基，可以使用至少包含氫的有機基 (例如烷基或芳烴)。也可以使用氟基作為取代基。或者，也可以使用至少包含氫的有機基和氟基作為取代基。但是，與接下來要設(shè)置的半導(dǎo)體層202相接觸的部分的絕緣層201優(yōu)選采用氮化硅(SiNx)。半導(dǎo)體層202的內(nèi)部有可能含有氫。此時，通過使用氮化硅(SiNx)作為絕緣層 201，可以防止半導(dǎo)體層202所包含的氫與絕緣層201起反應(yīng)。接下來，如圖2(C)所示，設(shè)置半導(dǎo)體層202以使其覆蓋絕緣層201。根據(jù)CVD法、 濺射法、熱氧化法、氣相淀積法、噴墨法、印刷法等設(shè)置半導(dǎo)體層202。半導(dǎo)體層202至少具有2層，在本征半導(dǎo)體上設(shè)置雜質(zhì)半導(dǎo)體。半導(dǎo)體202的結(jié)晶度優(yōu)選為非晶(amorphous)、微晶(也稱為micro-crystal、半非晶、納米晶體(nanocrystal))等。下面，如圖2(D)所示，為了將半導(dǎo)體層202形成為規(guī)定的形狀，刻蝕去除不要的部分。也就是說，將半導(dǎo)體層202加工成島形。即，對半導(dǎo)體層202形成圖案。此時，作為形成圖案后的半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層202A作為晶體管的激活層起作用。 但是，不局限于此。也可將半導(dǎo)體層作為層間膜起作用。就是說，通過設(shè)置半導(dǎo)體層來減低布線的交叉電容，并且通過減少階梯來減低布線的斷裂。例如，半導(dǎo)體層202B及半導(dǎo)體層 202C作為層間膜起作用。下面，如圖3(A)所示，設(shè)置導(dǎo)電層301以使其覆蓋半導(dǎo)體層202A、半導(dǎo)體層202B、 半導(dǎo)體層202C。根據(jù)CVD法、濺射法、熱氧化法、氣相淀積法、噴墨法、印刷法等設(shè)置導(dǎo)電層 301。注意，導(dǎo)電層104、導(dǎo)電層301可以采用單層導(dǎo)電膜，或兩層、三層的導(dǎo)電膜的疊層結(jié)構(gòu)。作為導(dǎo)電層104的材料可以采用導(dǎo)電膜，例如，鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉻 (Cr)、硅(Si)、鋁(Al)、鎳(Ni)、碳(C)、鎢(W)、鉬(Pt)、銅(Cu)、鉭(Ta)、金(Au)、錳(Mn) 等的元素的單體膜；或者上述元素的氮化膜(典型地，氮化鉭膜、氮化鎢膜或氮化鈦膜)；或者組合了上述元素的合金膜(典型地，Mo-W合金或Mo-Ta合金)；或者上述元素的硅化物膜 (典型地，鎢硅化物膜或鈦硅化物膜)等。或者，作為包含多個上述元素中的合金，可以使用包含C及Ti的Al合金、包含Ni的Al合金、包含C及Ni的Al合金、包含C及Mn的Al合金等。再者，上述的單體膜、氮化膜、合金膜、硅化物膜等可以具有單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)。例如，在采用層跌結(jié)構(gòu)的情況，可以采用將Al插入到Mo或Ti等之間的結(jié)構(gòu)。通過采用該結(jié)構(gòu)，可以提高Al對熱或化學(xué)反應(yīng)的耐受力。采用硅的情況下，為了提高導(dǎo)電性，優(yōu)選包含多種雜質(zhì)(P型雜質(zhì)或N型雜質(zhì))。接下來，如圖3(B)所示，為了將導(dǎo)電層301形成為規(guī)定的形狀，刻蝕去除不要的部分。也就是說，將導(dǎo)電層301加工成島形。即，對導(dǎo)電層301形成圖案。結(jié)果形成了導(dǎo)電層 301A、導(dǎo)電層301B、導(dǎo)電層301C、導(dǎo)電層301D。導(dǎo)電層301A、導(dǎo)電層301B、導(dǎo)電層301C、導(dǎo)電層301D可作為源電極、漏電極、以及源極信號線等起作用。下面，如圖3(C)所示，對半導(dǎo)體層202A的一部分進行刻蝕。由此，去除溝道區(qū)域的雜質(zhì)層。結(jié)果完成晶體管303。由于柵電極104B設(shè)置在半導(dǎo)體層202A的下方，晶體管 303既為底柵型晶體管，又是反交錯型晶體管。另外，由于對溝道部分的半導(dǎo)體層進行了刻蝕，所以又是溝道刻蝕型晶體管。半導(dǎo)體層202A可以使用非晶半導(dǎo)體、微晶半導(dǎo)體或半非晶半導(dǎo)體(SAQ形成?；蛘?，也可以使用多晶半導(dǎo)體層。SAS是一種具有非晶結(jié)構(gòu)和結(jié)晶結(jié)構(gòu)(包括單晶、多晶)的中間結(jié)構(gòu)且具有自由能穩(wěn)定的第三狀態(tài)的半導(dǎo)體，并且包括具有短程有序和晶格畸變的結(jié)晶區(qū)域。在SAS膜的至少一部分區(qū)域可以觀察到0. 5nm至20nm的結(jié)晶區(qū)域。當(dāng)以硅為主要成分時，拉曼光譜向低于520CHT1波數(shù)的一側(cè)偏移。在X射線衍射中，可以觀察到來源于硅晶格的(111)和Q20)的衍射峰。SAS至少包含1原子％以上的氫或鹵素以補充懸空鍵。通過使材料氣體輝光放電分解(等離子體CVD)形成SAS。作為材料氣體，不僅可以使用SiH4, 還可使用Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等?；蛘撸部梢曰旌螱eF4。該材料氣體還可以用吐、或者《2與一種或多種選自徹41~、&和徹的稀有氣體稀釋。稀釋比率為2倍至1000 倍，壓力大約為0. IPa至133Pa，電源頻率為IMHz至120MHz，優(yōu)選為13MHz至60MHz?；寮訜釡囟瓤梢詾?00°C以下。作為膜中的雜質(zhì)元素，來源于大氣成分的雜質(zhì)諸如氧、氮和碳等優(yōu)選為IXlO2cicnT1以下。特別地，氧的濃度優(yōu)選為5X1019/cm3以下，更優(yōu)選為IXlO19/ cm3以下。這里，通過濺射法、LPCVD法或等離子體CVD法等、使用包含硅(Si)為其主要成分的材料(例如SixGei_x等)形成非晶半導(dǎo)體層，然后，通過諸如激光晶化法、使用RTA或退火爐的熱晶化法、或使用促進結(jié)晶的金屬元素的熱晶化法等的晶化法使該非晶半導(dǎo)體層結(jié)晶化。 接下來，如圖4 (A)所示，配置絕緣層401以使其覆蓋導(dǎo)電層301A、導(dǎo)電層301B、導(dǎo)電層301C及導(dǎo)電層C。絕緣層401通過使用CVD法、濺射法、熱氧化法、氣相淀積法、噴墨法及印刷法等進行配置。絕緣層401也作為保護膜起作用。另外，也在將絕緣膜401作為電容元件的絕緣體起作用時，絕緣膜401也有時用作層間膜。 絕緣層401可以使用下列膜的單層或疊層結(jié)構(gòu)形成硅氧烷樹脂、氧化硅(SiOx)、 氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy，χ > y)、氮氧化硅(SiNxOy，χ > y)等的包含氧或氮的絕緣膜、DLC(類金剛石碳)等的包含碳的膜；或者如環(huán)氧、聚酰亞胺、聚酰胺、聚乙烯苯酚、苯并環(huán)丁烯或丙烯酸等的有機材料。另外，硅氧烷樹脂相當(dāng)于包括Si-O-Si鍵的樹脂。硅氧烷的骨架結(jié)構(gòu)由硅(Si)和氧(0)的鍵構(gòu)成。作為其取代基，可以使用至少包含氫的有機基 (例如烷基或芳烴)。也可以使用氟基作為取代基?；蛘?，也可以使用至少包含氫的有機基和氟基作為取代基。但是，與要配置的半導(dǎo)體層202接觸部分的絕緣層401優(yōu)選是氮化硅(SiNx)。半導(dǎo)體層202的內(nèi)部有時含有氫。在此情況下，通過使用氮化硅(SiNx)作為絕緣層401，可以防止半導(dǎo)體層202所包含的氫與絕緣層401起反應(yīng)。再者，絕緣層401優(yōu)選包含氮化硅(SiNx)。氮化硅(SiNx)具有阻擋雜質(zhì)的功能。 因此，可以保護晶體管免受雜質(zhì)的影響。另外，絕緣層401優(yōu)選包含有機膜。由此，可以使絕緣層401的表面變得平坦。當(dāng)絕緣層401的表面平坦時，也可以使形成于其上面的像素電極變得平坦。如果像素電極變得平坦，則可以適當(dāng)?shù)匦纬娠@示元件。接下來，如圖4(B)所示，形成接觸孔。接觸孔利用干刻蝕法或濕刻蝕法等、并通過刻蝕材料來形成。再者，當(dāng)絕緣層401具有有機膜，且其有機膜由感光性材料形成時，可以與成膜同時形成接觸孔。因此，不需要對接觸孔部的材料進行刻蝕。所以，可以減少步驟數(shù)。 接觸孔501A、接觸孔50IB及接觸孔50IE通過刻蝕絕緣層401來形成。接觸孔50IC及接觸孔50ID通過刻蝕絕緣層401、絕緣層201及絕緣層103來形成。接下來，如圖5所示，配置導(dǎo)電層601以使其覆蓋絕緣層401、接觸孔501A、接觸孔 501B、接觸孔501C、接觸孔501D、及接觸孔501E。導(dǎo)電層601通過使用CVD法、濺射法、熱氧化法、氣相淀積法、噴墨法及印刷法等配置。導(dǎo)電層601作為布線、像素電極、透明電極及反射電極等起作用。另外，導(dǎo)電層601可以為由單層的導(dǎo)電膜或兩層、三層的導(dǎo)電膜的疊層結(jié)構(gòu)。而且，導(dǎo)電層601優(yōu)選具有高透光率，且具有透明或接近透明的區(qū)域。因此，導(dǎo)電層601可以用作透光區(qū)域的像素電極。另外，導(dǎo)電層601優(yōu)選具有反射率高的區(qū)域。因此，導(dǎo)電層601 可以用作反射區(qū)域的像素電極。另外，導(dǎo)電層601優(yōu)選為包含ΙΤ0、IZO及ZnO等的膜。接下來，如圖6所示，通過刻蝕除去不需要的部分以使導(dǎo)電層601形成為規(guī)定的形狀。換而言之，將導(dǎo)電層601加工為島形。換而言之，對導(dǎo)電層601形成圖案。在這種情況下，作為形成圖案后的導(dǎo)電層，導(dǎo)電層601A作為像素電極起作用。但是，不局限于此。此外，導(dǎo)電層601B及導(dǎo)電層601C作為布線起作用。導(dǎo)電層601B具有連接導(dǎo)電層301C和半導(dǎo)體層102的功能。導(dǎo)電層601C具有連接導(dǎo)電層301D和半導(dǎo)體層102 的功能。之后，與各種顯示元件相吻合，經(jīng)過各種工序完成顯示裝置。例如，形成定向膜，并且在與具有彩色濾光片的相對基板之間配置液晶?；蛘?，在導(dǎo)電層601A之上配置有機EL 材料，并在其上配置陰極。此外，雖然在圖4(B)中，通過形成接觸孔并在其上配置導(dǎo)電層，從而連接導(dǎo)電層 301C和半導(dǎo)體層102，但是如圖7所示，也可以通過接觸孔501F及接觸孔501G并使用導(dǎo)電層601D，實現(xiàn)連接導(dǎo)電層301F和導(dǎo)電層104C。另外，導(dǎo)電層301F由導(dǎo)電層301形成，導(dǎo)電層104C由導(dǎo)電層104形成，導(dǎo)電層601D由導(dǎo)電層601形成。接觸孔501F及接觸孔501G 與接觸孔501A、接觸孔501B、接觸孔501C、接觸孔501D等同時形成。此外，既可以如導(dǎo)電層301C、導(dǎo)電層301D、導(dǎo)電層301F等，在它們的下面配置半導(dǎo)體層，又可以如圖7所示，在導(dǎo)電層301E的下面不配置半導(dǎo)體層。
再者，在圖2 (D)、圖3 (A)、圖3 (B)、圖3 (C)中，通過使用不同的掩模(中間掩模) 對半導(dǎo)體層202和導(dǎo)電層301形成圖案，但是不局限于此。通過采用半色調(diào)掩模、灰度掩模等，可以利用一個掩模(中間掩模)對半導(dǎo)體層202和導(dǎo)電層301形成圖案。圖8示出了該情況的截面圖。由于使用半色調(diào)掩模、灰度掩模等，因此半導(dǎo)體層202E的尺寸比導(dǎo)電層 301A、導(dǎo)電層301B的尺寸大。換而言之，在導(dǎo)電層301A、導(dǎo)電層301B的下面，一定配置有半導(dǎo)體層202E。另外，雖然在圖6中，通過導(dǎo)電層601B、電層601C連接導(dǎo)電層301C及半導(dǎo)體層 102，并且連接導(dǎo)電層301D及半導(dǎo)體層102，并且在圖7中，通過導(dǎo)電層601D連接導(dǎo)電層 301F及導(dǎo)電層104C，但不局限于此。也可以不通過其他的導(dǎo)電膜，而通過形成接觸孔來直接進行連接。也就是說，作為圖2(B)的下一步驟，或者作為圖2(D)的下一步驟，可以通過對絕緣層201、絕緣層103進行刻蝕來形成接觸孔，從而將使用導(dǎo)電層301形成的導(dǎo)電膜、與使用導(dǎo)電層104形成的導(dǎo)電膜或使用半導(dǎo)體層102形成的半導(dǎo)體層實現(xiàn)直接連接。圖9表示了這種情況的示例。在圖9中，使用導(dǎo)電層301形成的導(dǎo)電層301G及半導(dǎo)體層102通過接觸孔901A實現(xiàn)直接連接。同樣，使用導(dǎo)電層301形成的導(dǎo)電層301H及半導(dǎo)體層102通過接觸孔901B實現(xiàn)直接連接。并且，導(dǎo)電層601E通過接觸孔501H與導(dǎo)電層301H實現(xiàn)直接連接。另外，在這種情況下，關(guān)于導(dǎo)電層301H及導(dǎo)電層301G，優(yōu)選在其下方不設(shè)置半導(dǎo)體層。這是因為當(dāng)與半導(dǎo)體層102接觸時，導(dǎo)電層301H及301G與半導(dǎo)體層102之間優(yōu)選沒有其他的層。另外，在圖6中，晶體管303雖然為溝道蝕刻型，但是不局限于此。也可以使用溝道保護型。圖10表示了這種情況的示例。在溝道保護型中，不是連續(xù)設(shè)置半導(dǎo)體層，而在其中間設(shè)置用來保護溝道部分的刻蝕的絕緣層1001。也就是說，在本征半導(dǎo)體層1002的上方設(shè)置絕緣層1001，在其上，設(shè)置半導(dǎo)體層1003A及半導(dǎo)體層1003B。在半導(dǎo)體層1003A及半導(dǎo)體層1003B中，包含雜質(zhì)(N型或者PS)。另外，在圖10中，對半導(dǎo)體層1002形成圖案，其后，對半導(dǎo)體層1003A、半導(dǎo)體層 1003B、導(dǎo)電層301A及導(dǎo)電層301B同時形成圖案，但是不局限于此。也可以對半導(dǎo)體層 1002、半導(dǎo)體層1003A、半導(dǎo)體層1003B、導(dǎo)電層301A及導(dǎo)電層301B同時形成圖案。這種情況下，在導(dǎo)電層301A及導(dǎo)電層301B的下方必須設(shè)置有半導(dǎo)體層1002。以上說明了晶體管的結(jié)構(gòu)及晶體管的制造方法。注意，布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子、通路、插頭等優(yōu)選從由鋁(Al)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鎢(W)、釹(Nd)、鉻(Cr)、 鎳(Ni)、鉬(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎂(Mg)、鈧( )、鈷(Co)、鋅(Si)、鈮(Nb)、硅 (Si)、磷(P)、硼(B)、砷(As)、鎵(Ga)、銦飾)、錫(Sn)和氧(0)構(gòu)成的族中選擇的一個或多個元素、或者以從上述族中選擇的一個或多個元素作為成分的化合物、合金材料(例如，氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、包含氧化硅的氧化銦錫(ITSO)、氧化鋅(SiO)、氧化錫 (SnO)、氧化錫鎘(CTO)、鋁釹(Al-Nd)、鎂銀(Mg-Ag)、鉬鈮(Mo-Nb)等)來形成?；蛘?，優(yōu)選形成布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子等，以包含組合上述化合物而成的物質(zhì)等。或者，優(yōu)選形成布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子等，以包含由選自上述族中的一個或多個元素和硅構(gòu)成的化合物(硅化物)(例如，鋁硅、鉬硅、硅化鎳等)、由選自上述群中的一個或多個元素和氮構(gòu)成的化合物(例如，氮化鈦、氮化鉭、氮化鉬等)。硅(Si)也可以包含η型雜質(zhì)(磷等)或P型雜質(zhì)(硼等)。由于硅包含雜質(zhì)，可以提高導(dǎo)電率，并且可以實現(xiàn)類似于普通導(dǎo)體的功能。于是，可以更容易地使用于布線、電極等。另外，作為硅可以使用具有各種結(jié)晶性的硅，諸如單晶硅、多晶硅、微晶硅等?；蛘?，作為硅也可以使用沒有結(jié)晶性的硅諸如非晶硅等。通過使用單晶硅或多晶硅，可以降低布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子等的電阻。通過使用非晶硅或微晶硅，可以利用簡單工序來形成布線等。再者，由于鋁或銀具有高導(dǎo)電率，所以可以減少信號延遲。再者，由于鋁或銀容易被刻蝕，所以可以容易地形成圖案并對它們進行細微加工。再者，由于銅具有高導(dǎo)電率，所以可以減少信號延遲。當(dāng)使用銅時，由于優(yōu)選采用層疊結(jié)構(gòu)，以便提高緊密性。鉬或鈦具有如下優(yōu)點即使鉬或鈦與氧化物半導(dǎo)體(ΙΤ0、ΙΖ0等)或硅接觸也不會產(chǎn)生缺陷，容易被蝕刻，具有高耐熱性等有點。所以優(yōu)選使用鉬或鈦。由于鎢具有高耐熱性等的優(yōu)點，所以優(yōu)選使用鎢。由于釹具有高耐熱性等的優(yōu)點，所以優(yōu)選使用釹。特別地，優(yōu)選使用釹和鋁的合金，因為耐熱性提高并且鋁難以產(chǎn)生小丘。硅具有如下優(yōu)點可以與晶體管所具有的半導(dǎo)體層同時形成，具有高耐熱性等。所以優(yōu)選使用硅。由于ΙΤ0、IZO、ITSO、氧化鋅(SiO)、硅(Si)、氧化錫(SnO)、氧化錫鎘(CTO)具有透光性，所以可以使用于使光透過的部分。例如，它們可以用作于像素電極或共同電極。優(yōu)選使用ΙΖ0，因為IZO容易被刻蝕和加工。在刻蝕IZO時，難以留下渣滓。因而， 當(dāng)IZO用作像素電極時，可以減少液晶元件或發(fā)光元件發(fā)生不良情況(短路、取向無序等)。另外，布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子、通路、插頭等可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。通過采用單層結(jié)構(gòu)，布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子等的制造工序可以簡化、可以減少工序數(shù)目，并且可以減少成本?；蛘撸ㄟ^采用多層結(jié)構(gòu)，可以在有效地利用各材料的優(yōu)點的同時，減少缺點，以形成性能好的布線、電極等。例如，通過在多層結(jié)構(gòu)中包括低電阻材料 (鋁等)，可以謀求實現(xiàn)布線電阻的降低。作為其它的例子，通過采用用高耐熱性材料夾住低耐熱性材料的層疊結(jié)構(gòu)，可以在有效地利用低耐熱性材料所具有的優(yōu)點的同時，提高布線、電極等的耐熱性。例如，優(yōu)選采用用含有鉬、鈦、釹等的層夾住包含鋁的層的層疊結(jié)構(gòu)。在布線、電極等彼此直接接觸的情況下，它們有時對彼此會有不利的影響。例如， 一個布線、電極等材料混合到另一個布線、電極等中并改變其性質(zhì)，于是使其不能發(fā)揮本來的作用。作為另一例子，當(dāng)形成或制造高電阻部分時，出現(xiàn)問題，而不能正常地制造。在此情況下，優(yōu)選通過采用層疊結(jié)構(gòu)用難以反應(yīng)的材料夾住容易反應(yīng)的材料，或者利用難以反應(yīng)的材料來覆蓋容易反應(yīng)的材料。例如，當(dāng)使ITO與鋁連接時，優(yōu)選在ITO與鋁之間插入鈦、 鉬、釹的合金。作為另一例子，當(dāng)使硅與鋁連接時，優(yōu)選在硅與鋁之間插入鈦、鉬、釹的合金。布線是指配置導(dǎo)電體后得到的部分。導(dǎo)電體既可以配置為長線狀，又可以配置為短線狀。因此，電極包括在布線中。也可以使用碳納米管作為布線、電極、導(dǎo)電層、導(dǎo)電膜、端子、通路、插頭等。而且， 由于碳納米管具有透光性，所以碳納米管可以使用于使光透過的部分。例如，碳納米管可以使用于像素電極或共同電極。
以上示出了截面圖，接下來將示出布局圖。圖11示出配置有兩個晶體管203的布局圖。通過在半導(dǎo)體層102AA和半導(dǎo)體層102BB上配置柵電極104AA來形成晶體管。第一電源線301AA和半導(dǎo)體層102AA通過接觸孔并使用導(dǎo)電層601AA來實現(xiàn)彼此連接。同樣， 第二電源線301CC和半導(dǎo)體層102BB通過接觸孔并使用導(dǎo)電層601CC來實現(xiàn)彼此連接。輸出布線30IBB通過接觸孔50IAA及接觸孔50IBB并使用導(dǎo)電層60IBB與半導(dǎo)體層102AA及半導(dǎo)體層102BB來實現(xiàn)彼此連接。另外，圖11所示的電路可以作為反相器電路或源極跟隨電路進行工作。通過這樣，由于晶體管具有高遷移率和高電流供給能力，所以使用晶體管203而構(gòu)成的電路優(yōu)選用作驅(qū)動電路。另一方面，因為晶體管303是遷移率不高且可以在大面積上制造，所以優(yōu)選用作像素電路。另外，在本實施方式中參照各種附圖進行了說明，但是各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進行適用、組合、或置換等。再者，在如上所示的附圖中，關(guān)于各個部分可以通過組合其他部分來構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對于其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進行適用、組合、或置換等。再者，在本實施方式的附圖中，關(guān)于各個部分，可以通過組合其他實施方式的部分來構(gòu)成更多附圖。此外，本實施方式表示其他實施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體例子、其稍微變形的例子、變更一部分后的例子、改良后的例子、詳細描述后的例子、應(yīng)用后的例子、具有相關(guān)部分的例子等。因此，其他實施方式所述的內(nèi)容可以對本實施方式所述的內(nèi)容自由地進行適用、組合、或置換。(實施方式2)接下來，下面對于單晶TFT中所使用的半導(dǎo)體層的配置方法進行說明。本發(fā)明的SOI基板的結(jié)構(gòu)示出于圖12㈧和圖12(B)。在圖12㈧中支撐基板 9200為具有絕緣表面的基板或絕緣基板，可以應(yīng)用鋁硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鋇硼硅酸鹽玻璃等的用于電子工業(yè)中的各種玻璃基板。此外還可以使用石英玻璃、硅片等半導(dǎo)體基板。SOI層9202為單晶半島體層，典型使用單晶硅。此外，可以使用于利用氫離子注入剝離法從硅或鍺的單晶半導(dǎo)體基板或多晶半導(dǎo)體基板剝離的半導(dǎo)體層。另外還可以使用由鎵砷、磷化銦等化合物半導(dǎo)體所形成的晶體半導(dǎo)體層。在這種支撐基板9200和SOI層9202之間，設(shè)置具有平滑面且形成親水性表面的鍵合層9204。作為該鍵合層9204適用氧化硅膜。特別優(yōu)選的是使用有機硅烷氣體且利用化學(xué)氣相成長法而制造的氧化硅膜。作為有機硅烷氣體可以使用含有硅的化合物，如四乙氧基硅烷(TE0S 化學(xué)式Si (OC2H5)4)、四甲基硅烷(TMS)、四甲基環(huán)四硅氧烷(TMCTS)、八甲基環(huán)四硅氧烷(OMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)、三乙氧基硅烷(化學(xué)式SiH(OC2H5)3)、三 (二甲基氨基)硅烷(化學(xué)式SiH(N(CH3)2)3)等。將上述具有平滑面并形成親水性表面的鍵合層9204設(shè)為5nm至500nm的厚度。該厚度可以使被淀積的膜表面的表面粗糙平滑化，并且可以確保該膜的成長表面的平滑性。 另外，可以緩和支撐基板9200和SOI層9202的應(yīng)變。也可以在支撐基板9200上設(shè)置同樣的氧化硅膜。即，當(dāng)將SOI層9202鍵合到具有絕緣表面的基板或者絕緣性的支撐基板9200 時，在形成鍵合的面的一方或雙方上，通過設(shè)置以有機硅烷為原材料且淀積了的氧化硅膜構(gòu)成的鍵合層9204，可以形成堅固鍵合。圖12(B)表示在支撐基板9200上設(shè)置阻擋層9205和鍵合層9204的結(jié)構(gòu)。當(dāng)將 SOI層9202鍵合到支撐基板9200時，可以防止如堿金屬或堿土金屬那樣的可動離子雜質(zhì)從用作支撐基板9200的玻璃基板擴散以污染SOI層9202。此外，適當(dāng)?shù)卦O(shè)置支撐基板9200 一側(cè)的鍵合層9204即可。圖13(A)表示在SOI層9202和鍵合層9204之間設(shè)置含有氮的絕緣層9220的構(gòu)成。含有氮的絕緣層9200是通過對選自氮化硅膜、氮氧化硅膜、或者氧氮化硅膜中的一種或多種的膜進行層疊而構(gòu)成的。例如，可以從SOI層9202 —側(cè)層疊氧氮化硅膜、氮氧化硅膜來形成含有氮的絕緣層9220。為了形成與支撐基板9200的鍵合而設(shè)置鍵合層9204。與此相對，優(yōu)選設(shè)置含有氮的絕緣層9220，以便防止可動離子或水分等的雜質(zhì)擴散到SOI層 9202且污染SOI層9202。另外，在此氧氮化硅膜是指如下膜在組成方面氧的含量比氮的含量多，作為濃度范圍，例如包含50原子％至70原子％的氧、0. 5原子％至15原子％的氮、25原子％至35原子％的硅、0. 1原子％至10原子％的氫。另外，氮氧化硅膜是指如下膜在組成方面氮的含量比氧的含量多且當(dāng)使用RBS及HFS測量時，作為濃度范圍，例如包含5原子％至30原子％ 的氧、20原子％至55原子％的氮、25原子％至35原子％的Si、10原子％至30原子％的氫。但是，上述范圍都是在使用盧瑟福背散射光譜學(xué)法(RBS=Rutherford Backscattering Spectrometry)以及氫前方散射法(HFS =Hydrogen Forward Scattering)進行測量的情況下得到的結(jié)果。另外，將構(gòu)成元素的總計設(shè)為不超過100原子％。圖13 (B)表示在支撐基板9200上設(shè)置鍵合層9204的構(gòu)成。優(yōu)選在支撐基板9200 和鍵合層9204之間設(shè)有阻擋層9205。因此可以防止如堿金屬或堿土金屬那樣的可動離子雜質(zhì)從用作支撐基板9200的玻璃基板擴散且污染SOI層9202。另外，在SOI層9202上形成有氧化硅膜9221。該氧化硅膜9221與鍵合層9204形成鍵合，從而在支撐基板9200上固定SOI層。作為氧化硅膜9221優(yōu)選通過熱氧化而形成的結(jié)構(gòu)。此外，也可以與鍵合層9204 一樣使用TEOS且通過化學(xué)氣相成長法而形成的膜。另外，作為氧化硅膜9221可以使用化學(xué)氧化物。例如可以通過利用含臭氧的水對半導(dǎo)體基板表面進行處理來形成化學(xué)氧化物。 優(yōu)選形成化學(xué)氧化物以反映半導(dǎo)體基板的平坦性。對這種SOI基板的制造方法參照圖14㈧至圖14(C)和圖15進行說明。圖14(A)所示的半導(dǎo)體基板9201被清洗，并且從其表面將以電場經(jīng)過加速后的離子導(dǎo)入到規(guī)定的深度，從而形成脆化層9203。進行離子的照射及導(dǎo)入要考慮形成于支撐基板上的SOI層的厚度。該SOI層的厚度為5nm至500nm，優(yōu)選為IOnm至200nm。導(dǎo)入離子時的加速電壓要考慮這種厚度，從而將厚度設(shè)定為離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體基板9201。脆化層通過導(dǎo)入以氦或以氟為代表的鹵素的離子來形成。在此情況下，優(yōu)選使用由一種或多種相同的原子構(gòu)成的質(zhì)量不同的離子。當(dāng)照射氫離子時，該氫離子優(yōu)選包含H+、H2+、H3+離子且將 H3+離子的比率提高。通過提高H3+離子的比率，可以提高照射效率，從而可以縮短照射時間。 利用這樣的結(jié)構(gòu)可以容易地進行分離。在以高劑量條件照射離子的情況下，有時半導(dǎo)體基板9201的表面會變得粗糙。因此也可以在照射離子后的表面上利用氮化硅膜或氮氧化硅膜等進行設(shè)置，且相對于照射離子的保護膜，其厚度為50nm至200nm。
其次，如圖14(B)所示，在與支撐基板形成鍵合的面上形成氧化硅膜作為鍵合層 9204。作為氧化硅膜，如上所述，使用有機硅烷氣體且通過化學(xué)氣相成長法來制造的氧化硅膜是優(yōu)選的。另外也可以采用使用硅烷氣體且通過化學(xué)氣相成長法來制造的氧化硅膜。在利用化學(xué)氣相成長法進行的成膜中，作為從形成于單晶半導(dǎo)體基板上的脆化層9203不發(fā)生脫氣的溫度，采用例如350°C以下的淀積溫度。另外，作為從單晶或多晶半導(dǎo)體基板分離 SOI層的熱處理采用比淀積溫度高的熱處理溫度。圖14(C)表示使支撐基板9200與形成半導(dǎo)體基板9201的鍵合層9204的表面密接，且使兩者鍵合起來的情況。對形成鍵合的面進行充分清洗。然后通過使支撐基板9200 和鍵合層9204密接以形成鍵合。范德瓦耳斯力作用于該鍵合，并且通過壓接支撐基板9200 和半導(dǎo)體基板9201，從而可以利用氫耦合來形成更堅固的鍵合。為了形成良好的鍵合，也可以使表面活化。例如，對形成鍵合的面照射原子束或離子束。當(dāng)利用原子束或離子束時，可以使用氬等惰性氣體中性原子束或惰性氣體離子束。另外，進行等離子體照射或自由基處理。通過這種表面處理，即使在溫度為200°C至400°C的情況下也可以容易地形成異種材料之間的鍵合。在中間夾著鍵合層9204而貼合支撐基板9200和半導(dǎo)體基板9201之后，優(yōu)選進行加熱處理或加壓處理。通過進行加熱處理或加壓處理，可以提高鍵合強度。加熱處理的溫度優(yōu)選為支撐基板9200的耐熱溫度以下。在加壓處理中，對于鍵合面施加向垂直方向的壓力，且考慮支撐基板9200及半導(dǎo)體基板9201的耐壓性，從而進行該處理。在圖15中，在將支撐基板9200和半導(dǎo)體基板9201貼合之后，進行熱處理，從而在脆化層9203處分離半導(dǎo)體基板9201。熱處理的溫度優(yōu)選為鍵合層9204的成膜溫度以上且支撐基板9200的耐熱溫度以下。例如，通過進行400°C至600°C的熱處理，形成于脆化層 9203中的微小空洞發(fā)生堆積變化，因而可以沿著脆化層9203進行分離(劈開)。因為鍵合層9204與支撐基板9200鍵合，所以在支撐基板9200上殘留具有與半導(dǎo)體基板9201相同的結(jié)晶性的SOI層9202。圖16示出在支撐基板一側(cè)設(shè)置鍵合層以形成SOI層的工序。圖16(A)示出將對于形成有氧化硅膜9221的半導(dǎo)體基板9201將以電場加速后的離子導(dǎo)入到規(guī)定的深度以形成脆化層9203的工序。關(guān)于氫、氦或以氟為代表的鹵素的離子的導(dǎo)入與圖14(A)的情況相同。通過在半導(dǎo)體基板9201的表面形成氧化硅膜9221，可以防止由照射離子而使表面受損傷、從而使其平坦性惡化的情況。圖16(B)示出形成有阻擋層9225及鍵合層9204的支撐基板9200、與半導(dǎo)體基板 9201的形成有氧化硅膜9221的一面密接而形成鍵合的工序。通過使支撐基板9200上的鍵合層9204與半導(dǎo)體基板9201的氧化硅膜9221密接來形成鍵合。之后，如圖16(C)所示，分離半導(dǎo)體基板9201。與圖15的情況一樣地進行分離半導(dǎo)體基板的熱處理。如此可以獲得圖13(B)所示的SOI基板。通過這樣，根據(jù)本方式，即使在使用玻璃基板等的耐熱溫度為700°C以下的支撐基板9200的情況下，也可以獲得耦合部的粘接力堅固的SOI層9202。作為支撐基板9200可以使用鋁硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鋇硼硅酸鹽玻璃等被稱為無堿玻璃的用于電子工業(yè)中的各種玻璃基板。即，可以在一邊超過一米的基板上形成單晶半導(dǎo)體層。通過使用這種大面積基板，不僅可以制造液晶顯示器等顯示裝置，而且還可以制造半導(dǎo)體集成電路。
再者，半導(dǎo)體層的制造方法和配置方法不局限于此。也可以通過CVD法等在絕緣基板上對非晶硅進行成膜，然后通過照射激光(線狀激光、連續(xù)固體振蕩激光等)、或者進行加熱等的方式對該非晶硅進行結(jié)晶化，從而制造多晶硅或微晶硅。另外，在本實施方式中參照各種附圖進行了說明，但是各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進行適用、組合、或置換等。再者，在如上所示的附圖中，關(guān)于各個部分，可以通過組合其他部分來構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對于其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進行適用、組合、或置換等。再者，在本實施方式的附圖中，關(guān)于各個部分，可以通過組合其他實施方式的部分來構(gòu)成更多附圖。此外， 本實施方式表示其他實施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體例子、其稍微變形后的例子、變更其一部分后的例子、改良后的例子、詳細描述后的例子、應(yīng)用后的例子、具有相關(guān)部分的例子等。因此，其他實施方式所述的內(nèi)容相對于本實施方式所述的內(nèi)容自由地進行適用、組合、或置換。(實施方式3)本實施方式中，說明液晶面板的外圍部分。圖17示出了包括被稱為邊緣照明型的背光燈單元5201和液晶面板5207的液晶顯示裝置的一個例子。邊緣照明型是指在背光燈單元的端部配置光源且光源的熒光從整個發(fā)光表面發(fā)射的類型。邊緣照明型的背光燈單元很薄且可以節(jié)省耗電量。背光燈單元5201由擴散板5202、導(dǎo)光板5203、反射板5204、燈反射器5205、以及光源5206構(gòu)成。光源5206具有根據(jù)需要發(fā)光的功能。例如，作為光源5206，可以使用冷陰極管、熱陰極管、發(fā)光二極管、無機EL元件或有機EL元件等。圖18(A)、(B)、(C)以及⑶示出了邊緣照明型的背光燈單元的詳細結(jié)構(gòu)。另外， 省略了擴散板、導(dǎo)光板、以及反射板等的說明。圖18 (A)所示的背光燈單元5211具有使用冷陰極管5213作為光源的結(jié)構(gòu)。此外， 設(shè)置有燈反射器5212以使來自冷陰極管5213的光高效地反射。為了提高來自冷陰極管的亮度的強度，這種結(jié)構(gòu)通常用于大型顯示裝置中。圖18(B)所示的背光燈單元5221具有使用發(fā)光二極管(LED) 5223作為光源的結(jié)構(gòu)。例如，發(fā)射白光的發(fā)光二極管(LED)5223以規(guī)定的間隔進行配置。此外，設(shè)置有燈反射器5222以使來自發(fā)光二極管(LED)5223的光高效地反射。圖18(C)所示的背光燈單元5231具有使用R、G和B各個顏色的發(fā)光二極管 (LED) 5233、發(fā)光二極管(LED) 5234、以及發(fā)光二極管(LED) 5235作為光源的結(jié)構(gòu)。R、G和B 各個顏色的發(fā)光二極管(LED) 5233、發(fā)光二極管(LED) 5234、以及發(fā)光二極管(LED) 5235分別以規(guī)定的間隔進行配置。通過使用R、G和B各個顏色的發(fā)光二極管(LED)5233、發(fā)光二極管(LED) 5234、以及發(fā)光二極管(LED) 5235，可以提高顏色再現(xiàn)性。此外，設(shè)置有燈反射器 5232以使來自發(fā)光二極管的光高效地反射。圖18⑶所示的背光燈單元5241具有使用R、G和B各個顏色的發(fā)光二極管 (LED) 5243、發(fā)光二極管(LED) 5244、以及發(fā)光二極管(LED) 5245作為光源的結(jié)構(gòu)。例如， 在R、G和B各個顏色的發(fā)光二極管(LED) 5243、發(fā)光二極管(LED) 5244、以及發(fā)光二極管(LED) 5245中的發(fā)光強度較低的顏色(例如綠色)的發(fā)光二極管被設(shè)置為多個。通過使用R、G和B各個顏色的發(fā)光二極管(LED) 5243、發(fā)光二極管(LED) 5244、以及發(fā)光二極管 (LED)5245，可以提高顏色再現(xiàn)性。此外，設(shè)置有燈反射器5242以使來自發(fā)光二極管的光高效地反射。圖21示出了包括被稱為直下型的背光燈單元和液晶面板的液晶顯示裝置的一個例子。直下型是指通過在發(fā)光表面正下方配置光源且該光源的熒光從整個發(fā)光表面發(fā)射的方式。直下型背光燈單元可以高效地利用發(fā)射光量。背光燈單元5290由擴散板5291、遮光板5292、燈反射器5293、光源5四4、以及液晶面板5295構(gòu)成。光源5294具有根據(jù)需要發(fā)光的功能。例如，作為光源5294，可以使用冷陰極管、熱陰極管、發(fā)光二極管、無機EL或有機EL等。圖19示出了偏振板(也稱為偏振膜)的結(jié)構(gòu)的一個例子。偏振膜5250包括保護膜5251、基板膜5252、PVA偏振膜5253、基板膜52M、粘合劑層5255、以及離型模(release)膜5256。PVA偏振膜5253通過利用以基礎(chǔ)材料構(gòu)成的膜(基板膜5252及基板膜5254)夾住兩側(cè)，從而可以提高可靠性。另外，也可以通過具有高透明度和高耐久性的纖維素三醋酸酯(TAC)膜夾住PVA偏振膜5253。另外，基板膜及TAC膜作為PVA偏振膜5253所具有的偏振器的保護層起作用。在一方基板膜(基板膜5254)上設(shè)置有用于粘合到液晶面板的玻璃基板上的粘合劑層5255。另外，粘合劑層5255通過將粘合劑涂敷在一方基板膜(基板膜5254)來來形成。粘合劑層5255具有離型膜5256(分離膜)。在另一基板膜(基板膜525 上提供有保護膜5251。另外，還可以在偏振膜5250的表面上具有硬涂敷散射層(防閃光層)。由于硬涂敷散射層的表面具有通過AG處理所形成的微小凹凸，且由于具有散射外部光的抗閃功能， 因此可以防止外部光反射到液晶面板中。還可以防止表面反射。另外，還可以在偏振膜5250的表面上層疊由多個具有不同折射率的光學(xué)薄膜層 (也稱為防反射處理或AR處理)。層疊后的多個具有不同折射率的光學(xué)薄膜層可以通過光的干涉效應(yīng)來減少表面的反射。圖20是示出了液晶顯示裝置的系統(tǒng)框圖的一個例子的圖。在像素部5265中，配置有從信號線驅(qū)動電路5263延伸的信號線5269。在像素部 5265中，配置有從掃描線驅(qū)動電路5264延伸的掃描線5260。此外，多個像素以矩陣形狀配置在信號線5269和掃描線5260的交叉區(qū)域。另外，多個像素分別包括開關(guān)元件。由此，可以將用于控制液晶分子的傾角的電壓獨立地輸入到多個像素中的每一個。以這種方式在每個交叉區(qū)域設(shè)置有開關(guān)元件的結(jié)構(gòu)被稱為有源矩陣型。然而，本發(fā)明不限于這種有源矩陣型，還可以使用無源矩陣型。因為無源矩陣型在每個像素中沒有開關(guān)元件，所以工序簡單。驅(qū)動電路部分5268包括控制電路5262、信號線驅(qū)動電路5沈3、以及掃描線驅(qū)動電路5264。圖像信號5261被輸入到控制電路5262。控制電路5262根據(jù)該圖像信號5261控制信號線驅(qū)動電路5263及掃描線驅(qū)動電路5264。由此，控制電路5262的控制信號被分別輸入到信號線驅(qū)動電路5263及掃描線驅(qū)動電路5264。然后，根據(jù)這個控制信號，信號線驅(qū)動電路5263將視頻信號輸入到信號線5沈9，并且掃描線驅(qū)動電路5264將掃描信號輸入到掃描線5260。然后，根據(jù)掃描信號選擇像素所具有的開關(guān)元件，并將視頻信號輸入到像素的像素電極。另外，控制電路5262還根據(jù)圖像信號5261控制電源5267。電源5267包括用于向照明單元5266供應(yīng)電力的單元。作為照明單元5266，可以使用邊緣照明型的背光燈單元、 或直下型的背光燈單元。但是，也可以使用前光燈作為照明單元5266。前光燈是指由照射整體的發(fā)光體及導(dǎo)光體構(gòu)成的板狀照明單元，且將其安裝在像素部的前面一側(cè)。通過使用這種照明單元，可以以低耗電量而均勻地照射像素部。如圖20⑶所示，掃描線驅(qū)動電路5264包括移位寄存器5271、電平轉(zhuǎn)移電路 5272、以及作為緩沖器5273起作用的電路。諸如柵極起始脈沖(GSP)或柵極時鐘信號(GCK) 等的信號被輸入到移位寄存器5271。如圖20(C)所示，信號線驅(qū)動電路5263包括移位寄存器5281、第一鎖存器5觀2、 第二鎖存器5283、電平轉(zhuǎn)移電路5284、以及用作緩沖器5285的電路。用作緩沖器5285的電路是指具有使微弱信號放大的功能的電路，且其包括運算放大器等。諸如源極起始脈沖 (SSP)等的信號被輸入到移位寄存器5281，且諸如視頻信號等的數(shù)據(jù)(DATA)被輸入到第一鎖存器5282。鎖存(LAT)信號可以被暫時保持在第二鎖存器5283中，且同時被輸入到像素部5265。這稱為線順序驅(qū)動。因此，當(dāng)像素執(zhí)行點順序驅(qū)動而非行順序驅(qū)動時，可以不形成第二鎖存器。另外，在本實施方式中，可以使用各種結(jié)構(gòu)的液晶面板。例如，作為液晶面板，可以使用液晶層被密封在兩個基板之間的結(jié)構(gòu)。在一方基板上，形成有晶體管、電容元件、像素電極或取向膜等。另外，也可以在與一方基板的上面相反一側(cè)上，配置有偏振板、相位差板或棱鏡片。在另一方基板上，形成有彩色濾光片、黑矩陣、對向電極或取向膜等。另外，也可以在與另一方基板相反一側(cè)上，配置有偏振板或相位差板。另外，彩色濾光片及黑矩陣也可以形成在一方基板的上面。另外，通過在一方基板的上面一側(cè)或與其相反一側(cè)上配置狹縫 (柵格)，從而可以進行三維顯示。另外，可以在兩個基板之間分別配置偏振板、相位差板、棱鏡片。或者，可以使它們與兩個基板中的任一個形成為一體。另外，在本實施方式中參照各種附圖進行了說明，但是各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進行適用、組合、或置換等。再者，在如上所示的附圖中，可以通過組合其他部分來構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對于其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進行適用、組合、或置換等。再者，在本實施方式的附圖中，關(guān)于各個部分可以通過組合其他實施方式的部分來構(gòu)成更多附圖。此外，本實施方式表示其他實施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體例子、其稍微變形后的例子、變更其一部分后的例子、改良后的例子、詳細描述后的例子、應(yīng)用后的例子、具有相關(guān)部分的例子等。因此，其他實施方式所述的內(nèi)容可以對本實施方式所述的內(nèi)容自由地進行適用、組合、或置換。(實施方式4)在本實施方式中，將對可應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素的結(jié)構(gòu)以及像素的工作進行說明。另外，在本實施方式中，作為液晶原件的工作方式，可以采用TNCTwisted Nematic ；扭轉(zhuǎn)向列)方式、IPS Qn-Plane-Switching ；平面內(nèi)切換)方式、FFS (Fringe Field Switching ；邊緣場切換)方式、MVA(Multi-domain Vertical Alignment ；多像限垂直配向)方式、PVA (Patterned Vertical Alignment ；垂直取向構(gòu)型)方式、ASM (AxialIy Symmetric aligned Micro-cell ；軸線對稱排列微單元)方式、OCB (Optical Compensated Birefringence ；光學(xué)補償彎曲)方式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal ；鐵電性液晶) 方式、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal ；反鐵電性液晶)方式等。圖22(A)是示出了可以應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一個例子的圖。像素5600包括晶體管5601、液晶元件5602以及電容元件5603。晶體管5601的柵極連接到布線5605。晶體管5601的第一端子連接到布線5604。晶體管5601的第二端子連接到液晶元件5602的第一電極和電容元件5603的第一電極。液晶元件5602的第二電極相當(dāng)于對向電極5607。電容元件5603的第二電極連接到布線5606。布線5604作為信號線起作用。布線5605作為掃描線起作用。布線5606作為電容線起作用。晶體管5601作為開關(guān)起作用。電容元件5603作為存儲電容器起作用。晶體管5601可以作為開關(guān)起作用，且晶體管5601的極性可以是ρ溝道型或η溝道型。圖22(B)是示出了可以應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一個例子的圖。具體而言，圖22(B)是示出了可應(yīng)用到適用于橫向電場方式(包括IPS方式和FFS方式)的液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一個例子的圖。像素5610包括晶體管5611、液晶元件5612以及電容元件5613。晶體管5611的柵極連接到布線5615。晶體管5611的第一端子連接到布線5614。晶體管5611的第二端子連接到液晶元件5612的第一電極和電容元件5613的第一電極。液晶元件5612的第二電極連接到布線5616。電容元件5613的第二電極連接到布線5616。布線5614作為信號線起作用。布線5615作為掃描線起作用。布線5616作為電容線起作用。晶體管5611作為開關(guān)起作用。電容元件5613作為存儲電容器起作用。晶體管5611可以作為開關(guān)起作用，且晶體管5611的極性可以是P溝道型或N溝道型。圖23是示出了可以應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一個例子的圖。具體而言， 圖23示出了一種可以通過減少布線的數(shù)目來增加像素的開口率的像素結(jié)構(gòu)的一個例子。圖23示出了配置于相同列方向上的兩個像素(像素5620和像素5630)。例如，當(dāng)在第N行配置像素5620時，在第(N+1)行配置像素5630。像素5620包括晶體管5621、液晶元件5622以及電容元件5623。晶體管5621的柵極連接到布線5625。晶體管5621的第一端子連接到布線56M。晶體管5621的第二端子連接到液晶元件5622的第一電極和電容元件5623的第一電極。液晶元件5622的第二電極相當(dāng)于對向電極5627。電容元件5623的第二電極連接到與前一行的晶體管的柵極相同的布線。像素5630包括晶體管5631、液晶元件5632以及電容元件5633。晶體管5631的柵極連接到布線5635。晶體管5631的第一端子連接到布線56M。晶體管5631的第二端子連接到液晶元件5632的第一電極和電容元件5633的第一電極。液晶元件5632的第二電極相當(dāng)于對向電極5637。電容元件5633的第二電極連接到與前一行的晶體管的柵極相同的布線(布線5625)。布線56 作為信號線起作用。布線5625作為第N行掃描線起作用。布線5625 也可作為第(N+1)行的電容線起作用。晶體管5621作為開關(guān)起作用。電容元件5623作為存儲電容器起作用。布線5635作為第(N+1)行的掃描線起作用。布線5635作為第(N+2)行的電容線起作用。晶體管5631作為開關(guān)起作用。電容元件5633作為存儲電容器起作用。晶體管5621和晶體管5631可以作為開關(guān)起作用，且晶體管5621和晶體管5631 的極性可以是P溝道型或N溝道型。圖M是示出了可以應(yīng)用于液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的一個例子的圖。具體而言， 圖M示出了一種可以通過使用子像素來改善視角的像素結(jié)構(gòu)的一個例子。像素5659包括子像素5640和子像素5650。盡管下面描述了像素5659包括兩個子像素的情況，但是像素5659可以包括三個或更多個子像素。子像素5640包括晶體管5641、液晶元件5642以及電容元件5643。晶體管5641 的柵極連接到布線5645。晶體管5641的第一端子連接到布線5644。晶體管5641的第二端子連接到液晶元件5642的第一電極和電容元件5643的第一電極。液晶元件5642的第二電極相當(dāng)于對向電極5647。電容元件5643的第二電極連接到布線5646。子像素5650包括晶體管5651、液晶元件5652以及電容元件5653。晶體管5651 的柵極連接到布線5655。晶體管5651的第一端子連接到布線5644。晶體管5651的第二端子連接到液晶元件5652的第一電極和電容元件5653的第一電極。液晶元件5652的第二電極相當(dāng)于對向電極5657。電容元件5653的第二電極連接到布線5646。布線5644作為信號線起作用。布線5645作為掃描線起作用。布線5655作為信號線起作用。布線5646作為電容線起作用。晶體管5641和晶體管5651作為開關(guān)起作用。 電容元件5643和電容元件5653作為存儲電容器起作用。晶體管5641可以作為開關(guān)起作用，且晶體管5641的極性可以是P溝道型或N溝道型。晶體管5651可以作為開關(guān)起作用，且晶體管5651的極性可以是P溝道型或N溝道型。輸入到子像素5640的視頻信號可以是不同于輸入到子像素5650的視頻信號的值。在此情況下，因為能夠使液晶元件5642的液晶分子的取向和液晶元件5652的液晶分子的取向彼此不同，所以可以拓寬視角。再者，在本實施方式中參照各種附圖進行了說明，但是各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進行適用、組合、或置換等。再者，在如上所示的附圖中，可以通過組合其他部分來構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對于其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進行適用、組合、或置換等。再者，在本實施方式的附圖中，關(guān)于各個部分可以通過組合其他實施方式的部分來構(gòu)成更多附圖。此外，本實施方式表示其他實施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體例子、其稍微變形后的例子、變更其一部分后的例子、改良后的例子、詳細描述后的例子、應(yīng)用后的例子、具有相關(guān)部分的例子等。因此，其他實施方式所述的內(nèi)容可以對本實施方式所述的內(nèi)容自由地進行適用、組合、或置換。(實施方式5)在本實施方式中，說明顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)。特別地，說明使用了有機EL元件后的顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)。圖25(A)示出了在一個像素中包括兩個晶體管的像素的俯視圖(布局圖)的示例。圖25(B)示出了沿圖25(A)中的X-X’部分的截面圖的一個例子。圖25(A)示出了第一晶體管6005、第一布線6006、第二布線6007、第二晶體管 6008、第三布線6011、對向電極6012、電容器6013、像素電極6015、隔壁6016、有機導(dǎo)電膜 6017、有機薄膜6018以及基板6019。另外，優(yōu)選地用于如下部分進行使用第一晶體管6005 用作開關(guān)晶體管，第一布線6006用作柵極信號線，第二布線6007用作源極信號線，第二晶體管6008用作驅(qū)動晶體管，且第三布線6011用作電流供應(yīng)線。第一晶體管6005的柵電極電連接到第一布線6006，第一晶體管6005的源電極和漏電極中的一方電連接到第二布線6007，第一晶體管6005的源電極和漏電極中的另一方電連接到第二晶體管6008的柵電極和電容器6013的一個電極。另外，第一晶體管6005的柵電極由多個柵電極構(gòu)成。通過這樣，可以減少第一晶體管6005的截止?fàn)顟B(tài)的泄漏電流。第二晶體管6008的源電極和漏電極中的一方電連接到第三布線6011，第二晶體管6008的源電極和漏電極中的另一方電連接到像素電極6015。通過這樣，可以利用第二晶體管6008來控制流過像素電極6015的電流。在像素電極6015上設(shè)置有機導(dǎo)電膜6017，而且在其上還設(shè)置有機薄膜6018(有機化合物層)。在有機薄膜6018(有機化合物層)上提供有相對電極6012。另外，對向電極 6012可以形成在整個表面上以使得所有的像素公共相連，或可以使用陰影掩模等來形成圖案。從有機薄膜6018 (有機化合物層)射出的光透過像素電極6015或?qū)ο螂姌O6012 而進行發(fā)射。圖25(B)中，光發(fā)射到像素電極側(cè)、即形成有晶體管等的一側(cè)的情況被稱為“底部發(fā)射”，而光發(fā)射到對向電極側(cè)的情況被稱為“頂部發(fā)射”。在底部發(fā)射的情況下，優(yōu)選的是利用透明導(dǎo)電膜來形成像素電極6015。反之，在頂部發(fā)射的情況下，優(yōu)選的是利用透明導(dǎo)電膜來形成對向電極6012。在彩色顯示的發(fā)光裝置中，可以分別地涂覆具有R、G、B各個發(fā)光顏色的EL元件， 也可以在整個表面上涂覆具有單個顏色的EL元件，且通過使用濾色器來獲得R、G、B的發(fā)光。另外，圖25中所示的結(jié)構(gòu)僅是一個例子，關(guān)于像素布局、截面結(jié)構(gòu)、EL元件的電極的層疊順序等，可以采用除了圖25中所示的結(jié)構(gòu)以外的各種結(jié)構(gòu)。而且，作為發(fā)光元件，除了附圖中所示的由有機薄膜形成的元件以外，還可以使用各種元件，例如如LED那樣的晶體元件、由無機薄膜形成的元件等。另外，在本實施方式中參照各種附圖進行了說明，但是各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進行適用、組合、或置換等。再者，在如上所示的附圖中，關(guān)于各個部分可以通過組合其他部分來構(gòu)成更多附圖。
與此同樣，本實施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對于其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進行適用、組合、或置換等。再者，在本實施方式的附圖中，關(guān)于各個部分可以通過組合其他實施方式的部分來構(gòu)成更多附圖。此外，本實施方式表示其他實施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體例子、其稍微變形后的例子、變更其一部分后的例子、改良后的例子、詳細描述后的例子、應(yīng)用后的例子、具有相關(guān)部分的例子等。因此，其他實施方式所述的內(nèi)容可以對本實施方式所述的內(nèi)容自由地進行適用、組合、或置換。(實施方式6)在本實施方式中，說明電子產(chǎn)品的例子。圖沈表示由組合顯示面板9601和電路基板9605而成的顯示面板模塊。顯示面板9601其包括像素部9602、掃描線驅(qū)動電路9603以及信號線驅(qū)動電路9604。例如，在電路基板9605上形成有控制電路9606及信號分割電路9607等。由連接布線9608連接顯示面板9601和電路基板9605。并且在連接布線上可以使用FPC等。圖27是表示電視圖像接收機的主要結(jié)構(gòu)的框圖。調(diào)諧器9611接收圖像信號和聲音信號。利用圖像信號放大電路9612、從圖像信號放大電路9612輸出的信號轉(zhuǎn)換為對應(yīng)于紅、綠、藍的各顏色的顏色信號的圖像信號處理電路9613、以及用于將圖像信號轉(zhuǎn)換成驅(qū)動電路的輸入格式的控制電路9622，對圖像信號進行處理?？刂齐娐?622將信號分別輸出到掃描線驅(qū)動電路96M和信號線驅(qū)動電路9614。于是，掃描線驅(qū)動電路96M和信號線驅(qū)動電路9614用于驅(qū)動顯示面板9621。在進行數(shù)字驅(qū)動的情況下，也可以采用如下結(jié)構(gòu)將信號分割電路9623設(shè)置在信號線一側(cè)，并將輸入數(shù)字信號分割為m (m是正整數(shù))個以進行提 {共。由調(diào)諧器9611所接收的信號中，將聲音信號送到聲音信號放大電路9615，其輸出經(jīng)過聲音信號處理電路9616提供給揚聲器9617?？刂齐娐?618從輸入部9619收到接收站(接收頻率)及音量的控制信息，并向調(diào)諧器9611或聲音信號處理電路9616送出信號。此外，圖^(A)表示裝入與圖27不同方式的顯示面板模塊而形成的電視圖像接收機。在圖^(A)中，使用顯示面板模塊來形成收納于外殼9631內(nèi)的顯示屏幕9632。另外， 也可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)置有揚聲器9633、輸入單元(操作鍵9634、連接端子9635、傳感器9636 (具有測定如下因素的功能力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)速、距離、光、液、磁、溫度、 化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9637等)。圖28(B)表示只有顯示器能夠進行無線攜帶的電視圖像接收機。在該電視圖像接收器中，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)置有揚聲器9633、輸入單元(操作鍵9634、連接端子9635、傳感器 9636(具有測定如下因素的功能力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)速、距離、光、液、 磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、斜率、振動、 氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9637等)。外殼9642內(nèi)置有電池以及信號接收器，并由該電池驅(qū)動顯示部9643、揚聲器部9647、傳感器9649、以及麥克風(fēng)9641。該電池可以用充電器9640 進行反復(fù)充電。此外，充電器9640能夠發(fā)送及接收圖像信號，并將該圖像信號發(fā)送到顯示器的信號接收器。通過操作操作鍵9646來控制圖觀(B)所示的裝置?；蛘?，圖觀 )所示的裝置還可以通過操作鍵9646來將信號發(fā)送到充電器9640。就是說，也可以作為/用作圖像聲音雙向通信裝置?；蛘?，圖觀 )所示的裝置還可以通過操作鍵9646將信號發(fā)送到充電器9640，并使其它電子產(chǎn)品接收充電器9640能夠發(fā)送的信號，以進行其它電子產(chǎn)品的通信控制。就是說，也可以作為/用作通用遙控裝置。另外，本實施方式的各附圖所示的內(nèi)容 (或其一部分)可以適用于顯示部9643。下面，參照圖四對手機的結(jié)構(gòu)例子進行說明。顯示面板9662可以自由裝卸地裝入到外殼9650中。根據(jù)顯示面板9662的尺寸， 外殼9650可以適當(dāng)?shù)馗淖兤湫螤罨虺叽?。將固定有顯示面板9662的外殼9650嵌入到印刷基板9651以組成為模塊。顯示面板9662通過FPC9663連接于印刷基板9651。在印刷基板9651上形成有揚聲器9652、麥克風(fēng)9653、發(fā)送/接收電路96M、其包括CPU和控制器等的信號處理電路 9655、以及傳感器9661 (具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線)。這種模塊與操作鍵9656、電池9657、天線9660 組合并收納到外殼9659中。顯示面板9662的像素部配置為從形成于外殼9659中的開口窗可以進行視覺確認(rèn)的形式。顯示面板9662可以采用如下結(jié)構(gòu)在基板上使用晶體管來一體形成像素部和一部分外圍驅(qū)動電路(在多個驅(qū)動電路中，工作頻率較低的驅(qū)動電路)，并將另一部分外圍驅(qū)動電路(在多個驅(qū)動電路中，工作頻率較高的驅(qū)動電路)形成在IC芯片上，從而將該IC芯片通過COG (玻璃上芯片)安裝到顯示面板9662?；蛘撸部梢酝ㄟ^TAB (Tape Automated Bonding，即卷帶式自動結(jié)合)或印刷基板來連接該IC芯片和玻璃基板。通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以謀求顯示裝置的低耗電量化，并可以增加通過充電一次而獲得的手機使用時間。而且，可以謀求手機的低成本化。圖四所示的手機具有如下功能顯示各種信息(靜止圖像、活動圖像、文字圖像等)。具有將日歷、日期或時刻等顯示在顯示部上的功能。具有對顯示在顯示部上的信息進行操作或編輯的功能。具有通過利用各種軟件(程序)進行控制處理的功能。具有進行無線通信的功能。具有通過使用無線通信功能來與其他手機、固定電話或聲音通信裝置進行通話的功能。具有通過使用無線通信功能來與各種計算機網(wǎng)絡(luò)連接的功能。具有通過使用無線通信功能來進行各種數(shù)據(jù)的發(fā)送或接收的功能。具有振子根據(jù)來電、數(shù)據(jù)接收或警報而進行工作的功能。具有根據(jù)來電、數(shù)據(jù)接收或警報而發(fā)出聲音的功能。另外，圖四所示的手機所具有的功能不局限于這些功能，而能夠具有各種功能。圖30 (A)是顯示器，其包括外殼9671、支撐臺9672、顯示部9673、揚聲器9777、 LED等9679、輸入單元(連接端子9674、傳感器9675 (具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、 電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9676、操作鍵 9678)等。圖30(A)所示的顯示器具有將各種信息(靜止圖像、活動圖像、文字圖像等)顯示在顯示部上的功能。再者，圖30(A)所示的顯示器所具有各種功能不局限于此，而可以具有各種功能。圖30 (B)表示影像拍攝裝置，其包括主體9691，顯示部9692，快門按鈕9696、揚聲器9700、LED燈9701、輸入單元(圖像接收部9693、操作鍵9694、外部連接端口 9695、輸入單元9697、傳感器9698 (具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9699)等。圖30(B)所示的影像拍攝裝置具有如下功能拍攝靜止圖像；拍攝活動圖像；自動地對所拍攝的圖像(靜止圖像或活動圖像)進行校正；將所拍攝的圖像存儲在記錄介質(zhì)(外部或內(nèi)置于照相機)中；將所拍攝的圖像顯示在顯示部上。另外，圖30(B)所示的影像拍攝裝置可以具有各種功能，而不局限于這些功能。圖30 (C)是計算機，其包括主體9711、外殼9712、顯示部9713、揚聲器9720、LED 燈9721、讀寫器9722、輸入單元(鍵盤9714、外部連接端口 9715、定位裝置9716、輸入單元9717、傳感器9718 (具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、 轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9719)等。圖30 (C)所示的計算機具有如下功能將各種信息(靜止圖像、活動圖像、文字圖像等)顯示在顯示部上；通過利用各種軟件 (程序)來控制處理；進行無線通信或有線通信等的通信；通過使用通信功能來與各種計算機網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)連接；通過使用通信功能來進行各種數(shù)據(jù)的發(fā)送或接收。再者，圖30(C)所示的計算機可以具有各種功能，而不局限于這些功能。圖37㈧是移動計算機，其包括主體9791、顯示部9792、開關(guān)9793、、揚聲器 9799、LED燈9800、輸入單元(操作鍵9794、紅外線端口 9795、輸入單元9796、傳感器 9797(具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、 光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9798)等。圖37 (A)所示的移動計算機具有將各種信息 (靜止圖像、活動圖像、文字圖像等)顯示在顯示部上的功能。而且，在顯示部上，具有如下功能觸控面板；顯示日歷、日期或時刻等。所述移動計算機還具有如下功能通過使用各種軟件(程序)來控制處理；進行無線通信；通過使用無線通信功能來與各種計算機網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)連接；通過使用無線通信功能來進行各種數(shù)據(jù)的發(fā)送或接收。再者，圖37(A)所示的移動計算機可以具有各種功能，而不局限于這些功能。圖37(B)是設(shè)有記錄介質(zhì)的便攜式圖像再現(xiàn)裝置(例如，DVD再現(xiàn)裝置)，其包括 主體9811、外殼9812、顯示部A9813、顯示部B9814、揚聲器部9817、LED燈9821、輸入單元 (記錄介質(zhì)(DVD等)讀取部9815、操作鍵9816、輸入單元9818、傳感器9819(具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線)、 麥克風(fēng)9820)等。顯示部A9813主要顯示圖像信息，并且顯示部B9814主要顯示文字信息。圖37 (C)是護目鏡型顯示器，其包括主體9031、顯示部9032、耳機9033、支撐部 90;34、LED燈9039、揚聲器9038、輸入單元(連接端子9035、傳感器9036 (具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、 聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9037)等。圖37(C)所示的護目鏡型顯示器具有將從外部獲得的圖像(靜止圖像、活動圖像、文字圖像等)并顯示在顯示部上的功能。再者，圖37 (C)所示的護目鏡型顯示器可以具有各種功能，而不局限于此。
圖38(A)是便攜式游戲機，其包括外殼9851、顯示部9852、揚聲器部9853、存儲介質(zhì)插入部9855、、LED燈9859、輸入單元(連接端子9856、操作鍵9邪4、傳感器9857 (具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、 溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9858)等。圖38 (A)所示的便攜式游戲機具有如下功能讀出存儲在記錄介質(zhì)中的程序或數(shù)據(jù)并將它顯示在顯示部上；通過與其他便攜式游戲機進行無線通信實現(xiàn)共有信息。再者，圖38(A)所示的便攜式游戲機可以具有各種功能，而不局限于這些功能。圖38(B)是帶電視圖像接收功能的數(shù)碼相機，其包括主體9861、顯示部9862、揚聲器9864、快門按鈕9865、LED燈9871 (操作鍵9863、圖像接收部9866、天線9867、輸入單元9868、傳感器9869(具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、 轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9870)等。圖38 (B)所示的帶電視圖像接收功能的數(shù)碼相機具有如下功能拍攝靜止圖像；拍攝活動圖像；自動地對所拍攝的圖像進行校正；從天線獲得各種信息；存儲所拍攝的圖像、或從天線獲得的信息；將所拍攝的圖像、 或從天線獲得的信息顯示在顯示部上。再者，圖38(B)所示的帶電視圖像接收功能的數(shù)碼相機可以具有各種功能，而不局限于這些功能。圖39是便攜式游戲機，其包括外殼9881、第一顯示部9882第二顯示部9883、揚聲器部9884、記錄介質(zhì)插入部9886、LED燈9890、輸入單元(操作鍵9885、輸入單元9887、傳感器9888(具有測定如下因素的功能力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)動數(shù)、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、射線、流量、濕度、 斜率、振動、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)9889)等。圖39所示的便攜式游戲機具有如下功能 讀出存儲在記錄介質(zhì)中的程序或數(shù)據(jù)并將它顯示在顯示部上；通過與其他便攜式游戲機進行無線通信實現(xiàn)共有信息。再者，圖39所示的便攜式游戲機可以具有各種功能，而不局限于這些功能。如圖30 (A)至30 (C)、圖37 (A)至37 (C)、圖38 (A)至38 (C)及圖39所示，電子產(chǎn)品的特征在于具有顯示某些信息的顯示部。這種電子產(chǎn)品消耗電力小，可以長時間的使用電池驅(qū)動。并且，由于制作方法簡單，所以能夠降低制造成本。下面，說明半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用例子。圖31表示將半導(dǎo)體裝置和建筑物形成為一體的例子。圖31包括外殼9730、顯示部9731、作為操作部的遙控裝置9732、揚聲器部9733等。半導(dǎo)體裝置與建筑物形成為一體以作為壁掛式，并且能夠在不需要較大的空間的情況下進行設(shè)置。圖32表示在建筑物內(nèi)將半導(dǎo)體裝置和建筑物形成為一體的其他例子。顯示面板 9741與浴室9742形成為一體，并且洗澡的人可以看到顯示面板9741。顯示面板9741可以通過洗澡的人的操作來顯示信息。并且可以被用作廣告或娛樂裝置。另外，半導(dǎo)體裝置不限于被應(yīng)用于圖32所示的浴室9742的側(cè)墻內(nèi)的情況，可以應(yīng)用于各種地方。例如，可以將半導(dǎo)體裝置和鏡子的一部分或浴缸本身形成為一體。此時，顯示面板9741的形狀可以按照鏡子或浴缸的形狀來進行設(shè)定。圖33表示將半導(dǎo)體裝置和建筑物形成為一體的其他例子。與柱狀物體9751的曲面吻合而使顯示面板9752彎曲地進行配置。這里，以柱狀物體9751為電線桿來進行說明。圖33所示的顯示面板9752被設(shè)置在高于人眼的位置。將顯示面板9752設(shè)置于在屋外樹立的建筑物如電線桿，從而使非特定的多數(shù)的觀察者可以看到廣告。由于通過來自外部的控制，可以容易地使顯示面板9752顯示同一圖像或者瞬時切換圖像，因此可以得到效率極高的信息顯示和廣告效果。通過將自發(fā)光型顯示元件設(shè)置于顯示面板9752，即使在夜間作為高可見度顯示媒體也很有用。通過設(shè)置在電線桿上，可以容易地確保顯示面板 9752的電力供給。在災(zāi)難發(fā)生時等的異常情況下，可以用來將準(zhǔn)確的信息迅速地傳達給受災(zāi)者。此外，作為顯示面板9752，例如可以使用通過將開關(guān)元件如有機晶體管等設(shè)置在膜狀基板上來驅(qū)動顯示元件，從而顯示圖像的顯示面板。此外，在本實施方式中，舉出墻、柱狀物體、以及浴室作為建筑物的例子。但是，本實施方式不局限于此，半導(dǎo)體裝置可以設(shè)置在各種建筑物上。下面，表示將半導(dǎo)體裝置和移動物體形成為一體的例子。圖34表示將半導(dǎo)體裝置和汽車形成為一體的例子。顯示面板9762與車體9761 形成為一體，并能夠根據(jù)需要顯示車體的工作或從車體內(nèi)部或外部輸入的信息。另外，也可以具有導(dǎo)航功能。半導(dǎo)體裝置不僅可設(shè)置于圖34所示的車體9761，而且還可設(shè)置在各種各樣的地方。例如，半導(dǎo)體裝置可以與玻璃窗、門、方向盤、變速桿、座位、鏡子等形成為一體。此時， 顯示面板9762的形狀可以根據(jù)設(shè)有顯示面板9762的物體的形狀來設(shè)定。圖35表示將半導(dǎo)體裝置和火車形成為一體的例子。圖35(A)表示將顯示面板9772設(shè)置在火車門9771的玻璃上的例子。與由紙構(gòu)成的現(xiàn)有廣告相比，具有不需要在轉(zhuǎn)換廣告時所需要的人事費的優(yōu)點。由于顯示面板9772可以利用來自外部的信號瞬時切換顯示部分所顯示的圖像。因此，當(dāng)乘客上下火車的時間段， 可以切換顯示面板上的圖像，因而可以得到更有效的廣告效果。圖35(B)表示除了火車門9771的玻璃以外，顯示面板9772還設(shè)置在玻璃窗9773 及天花板9774上的例子。如上所述，由于半導(dǎo)體裝置可以容易地設(shè)置在以前不容易設(shè)置的地方，因而可以得到更有效的廣告效果。由于半導(dǎo)體裝置可以利用來自外部的信號瞬時切換顯示部分顯示的圖像，因此可以減少在轉(zhuǎn)換廣告時的成本及時間，并可以實現(xiàn)更靈活的廣告運用及信息傳達。此外，半導(dǎo)體裝置不僅可設(shè)置在圖35所示的門9771、玻璃窗9773及天花板9774， 而且還可設(shè)置在各種各樣的地方。例如，半導(dǎo)體裝置可以與吊環(huán)、座位、扶手、地板等形成為一體。此時，顯示面板9772的形狀可以根據(jù)設(shè)有顯示面板9772的物體的形狀來設(shè)定。圖36表示將半導(dǎo)體裝置和客用飛機形成為一體的例子。圖36 (A)表示在將顯示面板9782設(shè)置在客用飛機的座位上方的天花板9781上的情況下使用顯示面板9782時的形狀。顯示面板9782通過鉸鏈部分9783與天花板9781形成為一體，并且乘客因鉸鏈部分9783伸縮而可以觀看顯示板9782。顯示板9782可以通過乘客的操作來顯示信息，并且可以被用作廣告或娛樂裝置。如圖36(B)所示，通過將鉸鏈部分彎曲并收入天花板9781中，從而可以確保起飛和著陸時的安全。此外，在緊急情況下，通過使顯示面板的顯示元件發(fā)光，從而也可以用作信息傳達裝置及緊急撤離燈。
另外，半導(dǎo)體裝置不僅可設(shè)置在圖36所示的天花板9781，而且還可設(shè)置在各種各樣的地方。例如，半導(dǎo)體裝置可以與座位、桌子、扶手、窗等形成為一體。也可以將多數(shù)人能夠同時觀看的大型顯示面板設(shè)置在飛機墻上。此時，顯示面板9782的形狀可以根據(jù)設(shè)有顯示面板9782的物體的形狀來設(shè)定。在本實施方式中，舉出火車、汽車、飛機作為移動物體，但是本發(fā)明不限于此，還可以設(shè)在各種移動物體如摩托車、自動四輪車(包括汽車、公共汽車等)、火車(包括單軌、鐵路客車等)、以及船等。半導(dǎo)體裝置可以利用來自外部的信號瞬時切換設(shè)在移動物體內(nèi)的顯示面板所顯示的圖像，因此通過將半導(dǎo)體裝置設(shè)在移動物體上，可以將移動物體用作以非特定多數(shù)用戶為對象的廣告顯示板或在災(zāi)難發(fā)生時的信息顯示板等。另外，在本實施方式中參照各種附圖進行了說明，但是各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對于其他附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進行適用、組合、或置換等。再者，在如上所示的附圖中，關(guān)于各個部分可以通過組合其他部分來構(gòu)成更多附圖。與此同樣，本實施方式的各附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)相對于其他實施方式的附圖所示的內(nèi)容(或其一部分)，可以自由地進行適用、組合、或置換等。再者，在本實施方式的附圖中，關(guān)于各個部分可以通過組合其他實施方式的部分來構(gòu)成更多附圖。此外，本實施方式表示其他實施方式所述的內(nèi)容(或其一部分)的具體例子、其稍微變形后的例子、變更其一部分后的例子、改良后的例子、詳細描述后的例子、應(yīng)用后的例子、具有相關(guān)部分的例子等。因此，其他實施方式所述的內(nèi)容可以對本實施方式所述的內(nèi)容自由地進行適用、組合、或置換。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括 第一半導(dǎo)體層；在所述第一半導(dǎo)體層上的第一絕緣層；在所述第一絕緣層上的第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層上的第二絕緣層；以及在所述第二絕緣層上的第二半導(dǎo)體層，其中，所述第一半導(dǎo)體層包括結(jié)晶硅，以及其中，所述第二半導(dǎo)體層包括氧化物半導(dǎo)體。
2.一種半導(dǎo)體裝置，包括 第一半導(dǎo)體層；在所述第一半導(dǎo)體層上的第一絕緣層； 在所述第一絕緣層上的第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層； 在所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層上的第二絕緣層； 在所述第二絕緣層上的第二半導(dǎo)體層； 在所述第二絕緣層上的第三半導(dǎo)體層； 在所述第二半導(dǎo)體層上的第三導(dǎo)電層；以及在所述第三半導(dǎo)體層上的第四導(dǎo)電層； 其中，所述第一半導(dǎo)體層包括結(jié)晶硅，以及其中，所述第二半導(dǎo)體層包括氧化物半導(dǎo)體。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層包括相同的材料。
4.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第二絕緣層包括氮化硅。
5.一種半導(dǎo)體裝置，包括包括第一半導(dǎo)體層的頂柵型晶體管，該第一半導(dǎo)體層包括結(jié)晶硅；以及包括第二半導(dǎo)體層的底柵型晶體管，該第二半導(dǎo)體層包括氧化物半導(dǎo)體。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述頂柵型晶體管的柵電極及所述底柵型晶體管的柵電極包括相同的材料。
7.一種半導(dǎo)體裝置，包括第一晶體管；在所述第一晶體管的至少一部分上的絕緣層；以及第二晶體管，其中，所述第一晶體管包括溝道區(qū)，該溝道區(qū)包括單晶半導(dǎo)體，其中，所述第二晶體管包括半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層包括氧化物半導(dǎo)體；以及其中，所述半導(dǎo)體層設(shè)置在所述絕緣層上。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述單晶半導(dǎo)體包括單晶硅。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第一晶體管包括在所述溝道區(qū)上的柵電極。
10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第二晶體管包括在所述半導(dǎo)體層下的柵電極。
11.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二晶體管包括 在所述半導(dǎo)體層上的源電極；以及在所述半導(dǎo)體層上的漏電極。
12.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二晶體管包括 在所述半導(dǎo)體層附近的源電極；以及在所述半導(dǎo)體層附近的漏電極，其中，所述源電極及所述漏電極均包括鉬或鈦。
13.如權(quán)利要求1、2、5和7中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述氧化物半導(dǎo)體包括hfeaiO。
14.如權(quán)利要求1、2、5和7中的任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體包括選自由aiO、IZO、ITO和SnO組成的群的一種氧化物半導(dǎo)體。
15.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括 在第一半導(dǎo)體層上形成第一絕緣層； 在所述第一絕緣層上形成導(dǎo)電層；通過蝕刻所述導(dǎo)電層形成第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層； 在所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層上形成第二絕緣層；以及在所述第二絕緣層上形成第二半導(dǎo)體層， 其中，所述第一半導(dǎo)體層包括結(jié)晶硅，以及其中，所述第二半導(dǎo)體層包括氧化物半導(dǎo)體。
16.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括 在第一半導(dǎo)體層上形成第一絕緣層； 在所述第一絕緣層上形成第一導(dǎo)電層；通過蝕刻所述第一導(dǎo)電層形成第二導(dǎo)電層及第三導(dǎo)電層； 在所述第二導(dǎo)電層及所述第三導(dǎo)電層上形成第二絕緣層；以及在所述第二絕緣層上形成第二半導(dǎo)體層； 通過蝕刻所述第二半導(dǎo)體層形成第三半導(dǎo)體層及第四半導(dǎo)體層； 在所述第三半導(dǎo)體層及所述第四半導(dǎo)體層上形成第四導(dǎo)電層；以及通過蝕刻所述第四導(dǎo)電層，在所述第三半導(dǎo)體層上形成第五導(dǎo)電層，在所述第四半導(dǎo)體層上形成所述第六導(dǎo)電層，其中，所述第一半導(dǎo)體層包括結(jié)晶硅，以及其中，所述第二半導(dǎo)體層包括氧化物半導(dǎo)體。
17.如權(quán)利要求15或16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 通過如下步驟形成所述第一半導(dǎo)體層，所述步驟包括將包含脆化層的半導(dǎo)體基板及支撐基板彼此密接，其中，通過離子注入形成所述脆化層；以及通過熱處理、使用所述脆化層作為邊界，來分離所述半導(dǎo)體基板，使得所述第一半導(dǎo)體層殘留在所述支撐基板上。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種能夠高速工作的大型半導(dǎo)體裝置。在同一基板上形成具有單晶半導(dǎo)體層的頂柵型晶體管和具有非晶硅(或微晶硅)的半導(dǎo)體層的底柵型晶體管。并且，使用相同的層形成各個晶體管所具有的柵電極，并使用相同的層形成源電極及漏電極。通過這樣，減少制造步驟。也就是說，通過對底柵型晶體管的制造工序中僅略微增加步驟，就可以制造兩種晶體管。
文檔編號H01L27/12GK102543865SQ20121004677
公開日2012年7月4日 申請日期2008年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月29日
發(fā)明者木村肇 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所