專利名稱：凸塊封裝結(jié)構(gòu)及凸塊封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及芯片封裝領(lǐng)域，特別涉及一種晶圓級封裝的凸塊封裝結(jié)構(gòu)及凸塊封裝方法。
背景技術(shù)：
隨著可攜式及高性能微電子產(chǎn)品向短、小、輕、薄化方向發(fā)展，傳統(tǒng)打線方式(Wire Bonding)作為晶片與各式基材結(jié)合的封裝技術(shù)已不能滿足現(xiàn)在消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求，取而代之的凸塊封裝成為晶圓級封裝的關(guān)鍵技術(shù)。凸塊封裝被廣泛應(yīng)用于平面顯示器的驅(qū)動芯片、影像傳感芯片、RFID等封裝中。現(xiàn)有的凸塊封裝工藝包括如下步驟請參考圖I，提供待封裝芯片，所述待封裝芯片包括基底10，位于基底10表面的焊墊12，位于基底10表面且覆蓋所述焊墊12部分表面的鈍化層13 ；請參考圖2，在所述焊墊12和所述鈍化層13表面形成凸塊14，所述凸塊14材料為金屬；請參考圖3，在所述凸塊14表面形成焊料，所述焊料為錫鉛，通過焊料將所述凸塊 14與印刷電路板(Printed Circuit Board, PCB) 20表面的電極21電連接,所述電極21位置與凸塊14對應(yīng)。在公開號為CN100390983C的中國專利文件中，還可以發(fā)現(xiàn)更多與凸塊封裝相關(guān)
的信息。但是，隨著待封裝芯片電極數(shù)目不斷增多，使得封裝后凸塊間距不斷減小，較常用的凸塊焊接材料為錫鉛，凸塊作為與基材結(jié)合的橋梁，后續(xù)與PCB板等匹配時容易出現(xiàn)過剩的變形，導(dǎo)致凸塊間短路。且隨著待封裝芯片的進(jìn)一步發(fā)展，凸塊的面積也隨之縮小，使得凸塊與PCB板上的電極的接觸面積減小，封裝的難度增加，且封裝后的凸塊封裝結(jié)構(gòu)良率低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種封裝簡易且良率高的凸塊封裝結(jié)構(gòu)及凸塊封裝方法。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種凸塊封裝方法，包括提供待封裝襯底，所述待封裝襯底表面具有焊墊，焊墊表面具有凸塊；在所述待封裝襯底表面形成覆蓋所述凸塊的異向?qū)щ娔z層；提供PCB板，所述PCB板具有突出PCB板表面的電極，所述電極位置與凸塊位置對應(yīng)；將PCB板與待封裝襯底壓合，使得所述電極與所述凸塊位置正對并且PCB板表面與異向?qū)щ娔z層表面接觸，其中，位于所述凸塊與所述電極間的異向?qū)щ娔z層受到垂直所述封裝襯底表面的壓力?？蛇x的，所述異向?qū)щ娔z層材料為異向?qū)щ姳∧ぁ？蛇x的，所述異向?qū)щ娔z層組成為絕緣膠材中分散著導(dǎo)電粒子。
可選的，所述異向?qū)щ娔z層組成為為膠狀環(huán)氧樹脂中分散著導(dǎo)電粒子?？蛇x的，所述凸塊的形成步驟為在所述焊墊表面形成光刻膠柱，所述光刻膠柱暴露出部分所述焊墊表面；在所述焊墊表面形成覆蓋所述光刻膠柱的導(dǎo)電層?？蛇x的，所述凸塊的形成步驟為在所述焊墊兩側(cè)的待封裝襯底表面形成光刻膠柱；在所述焊墊表面形成覆蓋所述光刻膠柱表面和位于所述焊墊表面的光刻膠柱側(cè)壁的導(dǎo)電層?？蛇x的，所述凸塊的形成步驟為在所述焊墊一側(cè)的待封裝襯底表面形成光刻膠柱；在所述焊墊表面形成覆蓋所述光刻膠柱表面和位于所述焊墊表面的光刻膠柱側(cè)壁的導(dǎo)電層?？蛇x的，所述導(dǎo)電層為鋁層、鎳層和金層的堆疊結(jié)構(gòu)?？蛇x的，所述凸塊的形成步驟為采用物理氣相沉積工藝形成覆蓋所述焊墊和待封裝襯底的金屬膜；在所述金屬膜表面形成光刻膠圖形，所述光刻膠圖形覆蓋與所述焊墊對應(yīng)的金屬膜；以所述光刻膠圖形為掩膜，刻蝕所述金屬膜直至暴露出待封裝襯底，形成凸塊?？蛇x的，所述凸塊的形成步驟為提供金屬板，將所述金屬板與待封裝襯底鍵合； 在所述金屬板表面形成光刻膠圖形，所述光刻膠圖形覆蓋與所述焊墊對應(yīng)的金屬板；以所述光刻膠圖形為掩膜，采用濕法刻蝕或干法刻蝕所述金屬板，直至暴露出待封裝襯底，形成凸塊。可選的，所述凸塊為單一覆層或多層堆疊結(jié)構(gòu)?？蛇x的，所述異向?qū)щ娔z層表面高于所述凸塊表面。可選的，所述待封裝襯底表面具有鈍化層，且所述鈍化層覆蓋部分所述焊墊表面。本發(fā)明還提供一種凸塊封裝結(jié)構(gòu)，包括待封裝襯底，所述待封裝襯底表面具有焊墊，焊墊表面具有凸塊；位于所述待封裝襯底表面且覆蓋所述凸塊的異向?qū)щ娔z層；與所述異向?qū)щ娔z層粘合的PCB板，所述PCB板表面具有突出PCB板表面的電極，所述電極位置與凸塊位置對應(yīng)，位于所述凸塊與所述電極間的異向?qū)щ娔z層受到垂直所述封裝襯底表面的壓力?？蛇x的，所述異向?qū)щ娔z層材料為異向?qū)щ姳∧??？蛇x的，所述異向?qū)щ娔z層組成為絕緣膠材中分散著導(dǎo)電粒子?？蛇x的，所述異向?qū)щ娔z層組成為為膠狀環(huán)氧樹脂中分散著導(dǎo)電粒子?？蛇x的，所述凸塊為單一覆層或多層堆疊結(jié)構(gòu)?？蛇x的，所述凸塊包括位于所述焊墊表面的光刻膠柱和位于所述焊墊表面且覆蓋所述光刻膠柱的導(dǎo)電層?？蛇x的，所述凸塊包括位于所述焊墊兩側(cè)所述鈍化層表面的光刻膠柱，覆蓋所述焊墊表面、且覆蓋所述光刻膠柱表面和位于所述焊墊表面的光刻膠柱側(cè)壁的導(dǎo)電層?？蛇x的，所述凸塊包括位于所述焊墊一側(cè)所述鈍化層表面的光刻膠柱，覆蓋所述焊墊表面、且覆蓋所述光刻膠柱表面和位于所述焊墊表面的光刻膠柱側(cè)壁的導(dǎo)電層?？蛇x的，所述異向?qū)щ娔z層表面高于所述凸塊表面?？蛇x的，所述待封裝襯底表面具有鈍化層，且所述鈍化層覆蓋部分所述焊墊表面。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明實(shí)施例的凸塊封裝方法在待封裝襯底表面形成覆蓋所述凸塊的異向?qū)щ娔z層，然后將具有突出PCB板表面的電極PCB板與待封裝襯底壓合，使得所述凸塊與所述電極間的異向?qū)щ娔z層受到垂直所述封裝襯底表面的壓力，位于所述凸塊與所述電極間的異向?qū)щ娔z層在垂直所述封裝襯底表面方向具有導(dǎo)電能力，使得所述凸塊與所述電極電連接，但是未受到壓力的異向?qū)щ娔z層不具備導(dǎo)電能力。所述PCB板表面與不具備導(dǎo)電能力的異向?qū)щ娔z層表面通過導(dǎo)電膠粘合接觸，接觸面積比現(xiàn)有技術(shù)的凸塊封裝大，封裝難度減小且封裝質(zhì)量提高。此外，本發(fā)明實(shí)施例凸塊封裝方法不需要采用焊料，在凸塊間距減小的凸塊封裝中，不會出現(xiàn)焊料容易過剩，導(dǎo)致相鄰或相近的凸塊間短路；進(jìn)一步的，本發(fā)明的實(shí)施例的凸塊不與焊墊直接接觸，受到應(yīng)力較小，發(fā)生形變可能性也較小，封裝質(zhì)量高。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例凸塊封裝方法凸塊可以采用導(dǎo)電膠為支撐，工藝靈活，并且在節(jié)約成本的同時還能夠保證封裝質(zhì)量。本實(shí)施例的凸塊封裝結(jié)構(gòu)位于所述凸塊與所述電極間的異向?qū)щ娔z層由于受到垂直所述封裝襯底表面的壓力，在垂直所述封裝襯底表面方向具有導(dǎo)電能力，而與PCB板粘合的所述異向?qū)щ娔z層沒有導(dǎo)電能力，所述PCB板表面與不具備導(dǎo)電能力的異向?qū)щ娔z層表面通過導(dǎo)電膠粘合接觸，接觸面積比現(xiàn)有技術(shù)的凸塊封裝結(jié)構(gòu)大，封裝難度減小且封裝質(zhì)量提高，本發(fā)明的實(shí)施例不需要采用焊料，在凸塊間距減小的凸塊封裝中，不會出現(xiàn)焊料容易過剩，導(dǎo)致相鄰或相近的凸塊間短路；進(jìn)一步的，本發(fā)明的實(shí)施例的凸塊不與焊墊直接接觸，受到應(yīng)力較小，發(fā)生形變可能性也較小，封裝質(zhì)量高。


圖I至圖3為現(xiàn)有的凸塊封裝工藝的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明的一實(shí)施例的凸塊封裝方法流程示意圖；圖5為本發(fā)明的第一實(shí)施例的凸塊封裝方法流程示意圖；圖6至圖10為本發(fā)明的第一實(shí)施例的凸塊封裝方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為本發(fā)明的第二實(shí)施例的凸塊封裝方法流程示意圖；圖12至圖17為本發(fā)明的第二實(shí)施例的凸塊封裝方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖18為本發(fā)明的第三實(shí)施例的凸塊封裝方法流程示意圖；圖19至圖22為本發(fā)明的第三實(shí)施例的凸塊封裝方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖23為本發(fā)明又一實(shí)施例的凸塊封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)有的凸塊封裝通常在待封裝芯片10的凸塊14表面形成焊料，然后通過焊料將凸塊14與PCB板上的電極21電連接；由于待封裝芯片的進(jìn)一步發(fā)展，凸塊的面積也隨之縮小，使得凸塊與PCB板上的電極的接觸面積減小，封裝的難度增加，且現(xiàn)有的凸塊封裝需要在小面積的所述凸塊14表面形成焊料，焊料容易過剩，導(dǎo)致相鄰或相近的凸塊間短路，此外，凸塊作為與基材結(jié)合的橋梁，后續(xù)與PCB板等匹配時需要承受壓力，發(fā)生形變，且凸塊與凸塊間間距較小，形變的凸塊更容易與相鄰和相近的凸塊短路。為此，本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過大量的研究，提供一種凸塊封裝方法，請參考圖4，包括如下步驟步驟S10,提供待封裝襯底,所述待封裝襯底表面具有焊塾,焊塾表面具有凸塊；步驟S11，在所述待封裝襯底表面形成覆蓋所述凸塊的異向?qū)щ娔z層；步驟S12，提供PCB板，所述PCB板具有突出PCB板表面的電極，所述電極位置與凸塊位置對應(yīng)；步驟S13，將PCB板與待封裝襯底壓合，使得所述電極與所述凸塊位置正對并且 PCB板表面與異向?qū)щ娔z層表面接觸，其中，位于所述凸塊與所述電極間的異向?qū)щ娔z層受到垂直所述封裝襯底表面的壓力。需要說明的是，所述異向?qū)щ娔z層表面高于所述凸塊表面。本發(fā)明的實(shí)施例形成在待封裝襯底表面覆蓋所述凸塊的異向?qū)щ娔z層，然后將具有突出PCB板表面的電極PCB板與待封裝襯底壓合，使得所述凸塊與所述電極間的異向?qū)щ娔z層受到垂直所述封裝襯底表面的壓力，位于所述凸塊與所述電極間的異向?qū)щ娔z層在垂直所述封裝襯底表面方向具有導(dǎo)電能力，使得所述凸塊與所述電極電連接，但是未受到壓力的異向?qū)щ娔z層不具備導(dǎo)電能力；進(jìn)一步的，所述PCB板表面與不具備導(dǎo)電能力的異向?qū)щ娔z層表面通過導(dǎo)電膠粘合接觸，接觸面積比現(xiàn)有技術(shù)的凸塊封裝大，封裝難度減小且封裝質(zhì)量提高；此外，本發(fā)明的實(shí)施例不需要采用焊料，在凸塊間距減小的凸塊封裝中， 不會出現(xiàn)焊料容易過剩，導(dǎo)致相鄰或相近的凸塊間短路；進(jìn)一步的，本發(fā)明的實(shí)施例的凸塊不與焊墊直接接觸，受到應(yīng)力較小，發(fā)生形變可能性也較小，封裝質(zhì)量高。本發(fā)明還提供一種凸塊封裝結(jié)構(gòu)，包括待封裝襯底，所述待封裝襯底表面具有焊墊，焊墊表面具有凸塊；位于所述待封裝襯底表面且覆蓋所述凸塊的異向?qū)щ娔z層；與所述異向?qū)щ娔z層粘合的PCB板，所述PCB板表面具有突出PCB板表面的電極， 所述電極位置與凸塊位置對應(yīng)，位于所述凸塊與所述電極間的異向?qū)щ娔z層受到垂直所述封裝襯底表面的壓力。具體地，所述異向?qū)щ娔z層表面高于所述凸塊表面。本實(shí)施例的凸塊封裝結(jié)構(gòu)位于所述凸塊與所述電極間的異向?qū)щ娔z層由于受到垂直所述封裝襯底表面的壓力，在垂直所述封裝襯底表面方向具有導(dǎo)電能力，而與PCB板粘合的所述異向?qū)щ娔z層沒有導(dǎo)電能力，所述PCB板表面與不具備導(dǎo)電能力的異向?qū)щ娔z層表面通過導(dǎo)電膠粘合接觸，接觸面積比現(xiàn)有技術(shù)的凸塊封裝結(jié)構(gòu)大，封裝難度減小且封裝質(zhì)量提高，本發(fā)明的實(shí)施例不需要采用焊料，在凸塊間距減小的凸塊封裝中，不會出現(xiàn)焊料容易過剩，導(dǎo)致相鄰或相近的凸塊間短路；進(jìn)一步的，本發(fā)明的實(shí)施例的凸塊不與焊墊直接接觸，受到應(yīng)力較小，發(fā)生形變可能性也較小，封裝質(zhì)量高。第一實(shí)施例下面結(jié)合第一實(shí)施例對本發(fā)明的凸塊封裝方法做詳細(xì)說明，請參考圖5，包括如下步驟步驟SlOl，提供待封裝襯底，所述待封裝襯底表面具有焊墊，所述待封裝襯底表面具有鈍化層，且所述鈍化層覆蓋部分所述焊墊表面；步驟S102，在所述焊墊表面形成凸塊；步驟S103，在所述鈍化層表面形成覆蓋所述凸塊的異向?qū)щ娔z層；
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步驟S104，提供PCB板，所述PCB板具有突出PCB板表面的電極，所述電極位置與凸塊位置對應(yīng)；步驟S105，將所述PCB板與待封裝襯底壓合，使得所述凸塊與所述電極位置正對并且PCB板表面與異向?qū)щ娔z層表面粘合，其中，位于所述凸塊與所述電極間的異向?qū)щ娔z層受到垂直所述封裝襯底表面的壓力。圖6至圖10為本發(fā)明提供的凸塊封裝方法的第一實(shí)施例過程示意圖。請參考圖6,提供待封裝襯底100,所述待封裝襯底100表面具有焊塾101,所述待封裝襯底100表面具有鈍化層102，且所述鈍化層102覆蓋部分所述焊墊101表面。所述待封裝襯底100可以是形成有半導(dǎo)體器件的硅襯底、砷化鎵襯底、絕緣層上的硅襯底。所述焊墊101通過后續(xù)形成的凸塊與電路板電連接，所述焊墊101的材料為導(dǎo)電材料，比如為銅、鋁、金等導(dǎo)電金屬，所述焊墊101可以為多個且彼此之間分立，在本實(shí)施例中，僅示出I個焊墊，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)具體的產(chǎn)品選擇所述焊墊101的數(shù)量和位置，所述焊墊101的數(shù)量和位置不應(yīng)過分限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，在此特意聲明。所述焊墊101的側(cè)壁覆蓋有所述鈍化層102，所述鈍化層102用于保護(hù)所述焊墊 101避免受到損傷，所述鈍化層102的材料為氮化硅、氧化硅，所述鈍化層102覆蓋所述焊墊 101的側(cè)壁和部分表面。請參考圖7，在所述焊墊101表面形成凸塊110。所述凸塊110用于電連接所述焊墊101和后續(xù)的封裝的PCB板，所述凸塊為導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，在本實(shí)施例中，所述凸塊為金屬塊體、金屬膜、合金塊體、合金膜或多層金屬層堆疊結(jié)構(gòu)。實(shí)例I采用物理氣相沉積工藝形成覆蓋所述焊墊101和鈍化層102的金屬膜；在所述金屬膜表面形成光刻膠圖形，所述光刻膠圖形覆蓋與所述焊墊101對應(yīng)的金屬膜；以所述光刻膠圖形為掩膜，刻蝕所述金屬膜直至暴露出鈍化層102，形成凸塊110 ；在本實(shí)例中，所述金屬膜可以是單一膜層也可以是多層堆疊結(jié)構(gòu)。實(shí)例2提供一金屬板，將所述金屬板與待封裝襯底100鍵合；在所述金屬板表面形成光刻膠圖形，所述光刻膠圖形覆蓋與所述焊墊101對應(yīng)的金屬板；以所述光刻膠圖形為掩膜， 采用濕法刻蝕或干法刻蝕所述金屬板，直至暴露出鈍化層102，形成凸塊110。在本實(shí)例中，所述金屬板可以是多層堆疊或單一層，所述金屬板材料可以是金屬或合金。請參考圖8，在所述鈍化層102表面形成覆蓋所述凸塊110的異向?qū)щ娔z層120。所述異向?qū)щ娔z層120表面高于所述凸塊110表面。所述異向?qū)щ娔z層120材料為異向?qū)щ姳∧?Anisotropic Conductive Film, ACF)，具有沿受力方向?qū)щ姷奶匦?，在本?shí)施例中，所述異向?qū)щ娔z層120材料組成為導(dǎo)電粒子及絕緣膠材兩部分，具體為絕緣膠材中分散著導(dǎo)電粒子，所述異向?qū)щ娔z上下表面各有一層保護(hù)膜來保護(hù)主成分。使用時先將上保護(hù)膜(Cover Film)撕去，將ACF膠膜貼附至所述鈍化層102表面，再后續(xù)工藝中把下保護(hù)膜(Base Film)也撕掉。在精準(zhǔn)對位后將后續(xù)的PCB板與待封裝襯底100壓合，經(jīng)加熱及加壓一段時間后使絕緣膠材固化，最后形成垂直導(dǎo)通、橫向絕緣的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，所述異向?qū)щ娔z層120具體為膠狀環(huán)氧樹脂中分散著導(dǎo)電粒子 121。請參考圖9，提供PCB板130，所述PCB板130具有突出PCB板130表面的電極131， 所述電極131位置與所述凸塊110位置對應(yīng)。所述PCB板130印刷有電路、且所述PCB板具有端口，所述PCB板與待封裝襯底 100電連接，便于待封裝襯底100輸入或輸出信號。所述PCB板130具有突出PCB板130表面的電極131，所述電極131在后續(xù)封裝時與所述焊墊電連接。需要說明的是，所述電極131突出PCB板130表面，在后續(xù)封裝時，在PCB板130與所述異向?qū)щ娔z層120接觸時，突出的電極131能夠與凸塊110 —起對位于電極131和凸塊110之間的異向?qū)щ娔z層120施加垂直所述PCB板130表面的力，使得位于電極131和凸塊110之間的異向?qū)щ娔z層120垂直導(dǎo)通。請參考圖10，將所述PCB板130與待封裝襯底100壓合，使得所述凸塊110與所述電極131位置正對并且PCB板130表面與異向?qū)щ娔z層120表面粘合,其中，位于所述凸塊 110與電極131間的異向?qū)щ娔z層120受到垂直所述封裝襯底100表面的壓力。具體地，把所述異向?qū)щ娔z層120的下保護(hù)膜(Base Film)撕掉，在精準(zhǔn)對位后將所述PCB板130與待封裝襯底100壓合，經(jīng)加熱及加壓一段時間，使得所述凸塊110與電極 131位置正對并且PCB板130表面與異向?qū)щ娔z層120表面粘合，使所述異向?qū)щ娔z層120 的絕緣膠材固化，最后形成垂直導(dǎo)通、橫向絕緣的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，其中由于電極131凸出于所述 PCB板，在加壓工程中對位于所述凸塊110與電極131之間的異向?qū)щ娔z層120施加垂直所述封裝襯底100表面的壓力，使得位于所述凸塊110與電極131之間的異向?qū)щ娔z層120 垂直導(dǎo)通。而對于不位于所述凸塊110與電極131之間的異向?qū)щ娔z層120，受到垂直的壓力較小或根本不受到壓力，沒有受到壓力的部分異向?qū)щ娔z層120與所述PCB板130通過加熱粘合，形成一體，提高了 PCB板130與待封裝襯底100的接觸面積，粘合牢固，封裝效果佳。本發(fā)明的實(shí)施例不需要采用焊料，在凸塊間距減小的凸塊封裝中，不會出現(xiàn)焊料容易過剩，導(dǎo)致相鄰或相近的凸塊間短路；進(jìn)一步的，本發(fā)明的實(shí)施例的凸塊不與焊墊直接接觸，受到應(yīng)力較小，發(fā)生形變可能性也較小，封裝質(zhì)量高。采用上述凸塊封裝方法形成的凸塊封裝結(jié)構(gòu)，請參考圖10，包括待封裝襯底100，所述待封裝襯底100表面具有焊墊101，所述待封裝襯底100表面具有鈍化層102，且所述鈍化層102覆蓋部分所述焊墊101表面；所述焊墊101表面具有凸塊110 ;位于所述待封裝襯底100表面、且覆蓋所述凸塊110的異向?qū)щ娔z層120 ；與所述異向?qū)щ娔z層120粘合的PCB板130，所述PCB板130表面具有突出PCB板 130表面的電極131,所述電極131位置與凸塊110位置對應(yīng),位于所述凸塊110與所述電極131間的異向?qū)щ娔z層120受到垂直所述封裝襯底100表面的壓力。
具體地，所述焊墊101材料為金屬，比如為銅、金、鋁或鎳；所述鈍化層102的材料
為氧化硅或氮化硅。所述凸塊110是多層堆疊或單一層結(jié)構(gòu)，所述凸塊的材料為金屬、合金；所述異向?qū)щ娔z層120材料為ACF，所述異向?qū)щ娔z層120材料組成為導(dǎo)電粒子及絕緣膠材兩部分，比如所述異向?qū)щ娔z層120為膠狀環(huán)氧樹脂中分散著導(dǎo)電粒子121。本實(shí)施例的凸塊封裝結(jié)構(gòu)位于所述凸塊與所述電極間的異向?qū)щ娔z層由于受到垂直所述封裝襯底表面的壓力，在垂直所述封裝襯底表面方向具有導(dǎo)電能力，而與PCB板粘合的所述異向?qū)щ娔z層沒有導(dǎo)電能力，所述PCB板表面與不具備導(dǎo)電能力的異向?qū)щ娔z層表面通過導(dǎo)電膠粘合接觸，接觸面積比現(xiàn)有技術(shù)的凸塊封裝結(jié)構(gòu)大，封裝難度減小且封裝質(zhì)量提高，本發(fā)明的實(shí)施例不需要采用焊料，在凸塊間距減小的凸塊封裝中，不會出現(xiàn)焊料容易過剩，導(dǎo)致相鄰或相近的凸塊間短路；進(jìn)一步的，本發(fā)明的實(shí)施例的凸塊不與焊墊直接接觸，受到應(yīng)力較小，發(fā)生形變可能性也較小，封裝質(zhì)量高。第二實(shí)施例下面結(jié)合第二實(shí)施例對本發(fā)明的凸塊封裝方法做詳細(xì)說明，請參考圖11，包括如下步驟步驟S201，提供待封裝襯底，所述待封裝襯底表面具有焊墊，所述待封裝襯底表面具有鈍化層，且所述鈍化層覆蓋部分所述焊墊表面；步驟S202，在所述焊墊表面形成光刻膠柱，所述光刻膠柱暴露出部分所述焊墊表面；步驟S203，在所述焊墊表面形成覆蓋所述光刻膠柱的導(dǎo)電層；步驟S204，在所述鈍化層表面形成覆蓋所述導(dǎo)電層的異向?qū)щ娔z層；步驟S205，提供PCB板，所述PCB板具有突出PCB板表面的電極，所述電極位置與導(dǎo)電層位置對應(yīng)；步驟S206，將所述PCB板與待封裝襯底壓合，使得所述導(dǎo)電層與所述電極位置正對并且PCB板表面與異向?qū)щ娔z層表面粘合,其中，位于所述導(dǎo)電層與所述電極間的異向?qū)щ娔z層受到垂直所述封裝襯底表面的壓力。圖12至圖17為本發(fā)明提供的凸塊封裝方法的第二實(shí)施例過程示意圖。請參考圖12，提供待封裝襯底200，所述待封裝襯底200表面具有焊墊201，所述待封裝襯底200表面具有鈍化層202，且所述鈍化層202覆蓋部分所述焊墊201表面。所述待封裝襯底200可以是形成有半導(dǎo)體器件的硅襯底、砷化鎵襯底、絕緣層上的硅襯底。所述焊墊201通過后續(xù)形成的凸塊與電路板電連接，所述焊墊201的材料為導(dǎo)電材料，比如為銅、鋁、金等導(dǎo)電金屬，所述焊墊201可以為多個且彼此之間分立，在本實(shí)施例中，僅示出I個焊墊，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)具體的產(chǎn)品選擇所述焊墊201的數(shù)量和位置，所述焊墊201的數(shù)量和位置不應(yīng)過分限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，在此特意聲明。所述焊墊201的側(cè)壁覆蓋有所述鈍化層202，所述鈍化層202用于保護(hù)所述焊墊 201避免受到損傷，所述鈍化層202的材料為氮化硅、氧化硅，所述鈍化層202覆蓋所述焊墊 201的側(cè)壁和部分表面。請參考圖13，在所述焊墊201表面形成光刻膠柱211，所述光刻膠柱211暴露出部分所述焊墊201表面。所述光刻膠柱211作為凸塊的支撐體，后續(xù)在所述光刻膠柱211表面形成導(dǎo)電覆蓋層，與所述焊墊201電連接，采用光刻膠柱211作為凸塊的支撐體具有成本低廉、形成位置靈活的優(yōu)點(diǎn)。所述光刻膠柱211的形成步驟包括在所述焊墊201和所述鈍化層202表面形成光刻膠層，對所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，保留位于所述焊墊201表面的光刻膠層形成所述光刻膠柱211。需要說明的是，由于所述光刻膠柱211的材料為光刻膠，而光刻膠為不導(dǎo)電材料， 因此所述光刻膠柱211暴露出部分所述焊墊201表面，若采用導(dǎo)電的光刻膠，則光刻膠柱不需要暴露出部分所述焊墊201表面且不需要額外形成導(dǎo)電覆蓋層，但是不導(dǎo)電的光刻膠柱成本低廉，在本實(shí)施例中，采用不導(dǎo)電的光刻膠柱做示范性說明。請參考圖14，在所述焊墊201表面形成覆蓋所述光刻膠柱211的導(dǎo)電層212。所述導(dǎo)電層212用于與所述光刻膠柱211 —起形成凸塊，所述導(dǎo)電層212材料為 Ni、Au、Al，所述導(dǎo)電層形成在所述光刻膠柱211的表面和側(cè)壁并且形成在所述焊墊201未被光刻膠柱211覆蓋的表面。在本實(shí)施例中，所述導(dǎo)電層212的形成步驟包括采用濺鍍工藝形成一層覆蓋所述鈍化層202、所述焊墊201和所述光刻膠柱211的鋁層(未圖示)；然后，對所述鋁層進(jìn)行光刻，去除位于所述鈍化層202表面的鋁層，保留覆蓋所述焊墊201和所述光刻膠柱211的鋁層，需要說明的是，為了降低光刻工藝難度，也可以保留部分位于所述鈍化層202表面的鋁層，只需要與所述光刻膠柱211對應(yīng)的鋁層之間彼此絕緣即可，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際的生產(chǎn)需求，選擇保留合適的鋁層，在這里不應(yīng)過分限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，在此特意說明。之后，通過電鍍工藝，在鋁層表面依次電鍍鎳層和金層，在電鍍完鎳層和金層之后，還可以采用刻蝕工藝去除形成在所述鈍化層202表面的多余金屬層(鋁層、鎳層和/或金層)。在本實(shí)施例中，所述導(dǎo)電層212包括位于所述焊墊201表面且覆蓋所述光刻膠柱 211的鋁層；位于所述鋁層表面的鎳層；位于鎳層表面的金層。需要說明的是，在其他實(shí)施例中，所述導(dǎo)電層212可以是單一覆層，比如單一的金層、單一的銅層、單一的鎳層、單一的鋁層；或者導(dǎo)電層212可以是金層、銅層、鎳層、鋁層的一種或幾種堆疊結(jié)構(gòu)。請參考圖15，在所述鈍化層202表面形成覆蓋所述導(dǎo)電層212的異向?qū)щ娔z層
220。所述異向?qū)щ娔z層220表面高于所述導(dǎo)電層212表面。所述異向?qū)щ娔z層220 (Anisotropic Conductive Film, ACF)具有沿受力方向?qū)щ姷奶匦?，在本?shí)施例中，所述異向?qū)щ娔z層220材料組成為導(dǎo)電粒子及絕緣膠材兩部分，所述異向?qū)щ娔z上下表面各有一層保護(hù)膜來保護(hù)主成分。使用時先將上保護(hù)膜(Cover Film)撕去，將ACF膠膜貼附至所述鈍化層202表面，再后續(xù)工藝中把下保護(hù)膜(Base Film) 也撕掉。在精準(zhǔn)對位后將后續(xù)的PCB板與待封裝襯底200壓合，經(jīng)加熱及加壓一段時間后使絕緣膠材固化，最后形成垂直導(dǎo)通、橫向絕緣的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，所述異向?qū)щ娔z層220具體為膠狀環(huán)氧樹脂中分散著導(dǎo)電粒子
221。請參考圖16，提供PCB板230，所述PCB板230具有突出PCB板230表面的電極 231，所述電極231位置與所述導(dǎo)電層212位置對應(yīng)。所述PCB板230印刷有電路、且所述PCB板具有端口，所述PCB板與待封裝芯片 200電連接，便于待封裝芯片200輸入或輸出信號。所述PCB板230具有突出PCB板230表面的電極231，所述電極231在后續(xù)封裝時與所述焊墊電連接。需要說明的是，所述電極231突出PCB板230表面，在后續(xù)封裝時，在PCB板230 與所述異向?qū)щ娔z層220接觸時，突出的電極231能夠與所述導(dǎo)電層212 —起對位于電極 231和所述導(dǎo)電層212之間的異向?qū)щ娔z層220施加垂直所述PCB板230表面的力，使得位于電極231和所述導(dǎo)電層212之間的異向?qū)щ娔z層220垂直導(dǎo)通。請參考圖17，將所述PCB板230與待封裝襯底200壓合，使得所述導(dǎo)電層212與所述電極231位置正對并且PCB板表面與異向?qū)щ娔z層表面粘合，其中，位于所述導(dǎo)電層212 與所述電極231間的異向?qū)щ娔z層受到垂直所述封裝襯底200表面的壓力。具體地，把所述異向?qū)щ娔z層220的下保護(hù)膜(Base Film)撕掉，在精準(zhǔn)對位后將所述PCB板230與待封裝襯底200壓合，經(jīng)加熱及加壓一段時間，使得所述導(dǎo)電層212與電極231位置正對并且PCB板230表面與異向?qū)щ娔z層220表面粘合，使所述異向?qū)щ娔z層 220的絕緣膠材固化，最后形成垂直導(dǎo)通、橫向絕緣的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，其中由于電極231凸出于所述PCB板，在加壓工程中對位于所述導(dǎo)電層212與電極231之間的異向?qū)щ娔z層220施加垂直所述封裝襯底200表面的壓力，使得位于所述導(dǎo)電層212與電極231之間的異向?qū)щ娔z層220垂直導(dǎo)通。需要說明的是，在本實(shí)施例中，由于凸塊由所述光刻膠柱211和所述導(dǎo)電層212組成，本實(shí)施例的凸塊較軟，而采用異向?qū)щ娔z層220使得凸塊與電極231電連接的結(jié)構(gòu)，能夠避免電極231直接與凸塊電連接，較軟的凸塊受到應(yīng)力較大而產(chǎn)生形變的缺陷。本實(shí)施例具有如下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)施例中，對于不位于所述導(dǎo)電層212與電極231之間的異向?qū)щ娔z層220，受到垂直的壓力較小或根本不受到壓力，沒有受到壓力的部分異向?qū)щ娔z層220與所述PCB板230通過加熱粘合，形成一體，提高了 PCB板230與待封裝襯底 200的接觸面積，粘合牢固，封裝效果佳。本發(fā)明的實(shí)施例不需要采用焊料，在凸塊間距減小的凸塊封裝中，不會出現(xiàn)焊料容易過剩，導(dǎo)致相鄰或相近的凸塊間短路；進(jìn)一步的，本發(fā)明的實(shí)施例的凸塊不與焊墊直接接觸，受到應(yīng)力較小，發(fā)生形變可能性也較小，封裝質(zhì)量高。采用本實(shí)施例的凸塊封裝方法形成的凸塊封裝結(jié)構(gòu)，請參考圖17，包括待封裝襯底200，所述待封裝襯底200表面具有焊墊201，所述待封裝襯底200表面具有鈍化層202，且所述鈍化層202覆蓋部分所述焊墊201表面；所述焊墊201表面具有凸塊，所述凸塊包括位于所述焊墊201表面的光刻膠柱 211和位于所述焊墊201表面且覆蓋所述光刻膠柱211的導(dǎo)電層212 ；位于所述待封裝襯底200表面、且覆蓋所述凸塊的異向?qū)щ娔z層220 ；
與所述異向?qū)щ娔z層220粘合的PCB板230，所述PCB板230表面具有突出PCB板 230表面的電極231，所述電極231位置與所述導(dǎo)電層212位置對應(yīng)，位于所述導(dǎo)電層212 與所述電極231間的異向?qū)щ娔z層220受到垂直所述封裝襯底200表面的壓力。具體地，所述焊墊201材料為金屬，比如為銅、金、鋁或鎳；所述鈍化層202的材料
為氧化硅或氮化硅。所述光刻膠柱211暴露出部分所述焊墊201。所述異向?qū)щ娔z層220材料為ACF，所述異向?qū)щ娔z層220材料組成為導(dǎo)電粒子及絕緣膠材兩部分，比如所述異向?qū)щ娔z層220為膠狀環(huán)氧樹脂中分散著導(dǎo)電粒子221。本實(shí)施例的凸塊封裝結(jié)構(gòu)位于所述凸塊與所述電極間的異向?qū)щ娔z層由于受到垂直所述封裝襯底表面的壓力，在垂直所述封裝襯底表面方向具有導(dǎo)電能力，而與PCB板粘合的所述異向?qū)щ娔z層沒有導(dǎo)電能力，所述PCB板表面與不具備導(dǎo)電能力的異向?qū)щ娔z層表面通過導(dǎo)電膠粘合接觸，接觸面積比現(xiàn)有技術(shù)的凸塊封裝結(jié)構(gòu)大，封裝難度減小且封裝質(zhì)量提高，本發(fā)明的實(shí)施例不需要采用焊料，在凸塊間距減小的凸塊封裝中，不會出現(xiàn)焊料容易過剩，導(dǎo)致相鄰或相近的凸塊間短路；進(jìn)一步的，本發(fā)明的實(shí)施例的凸塊雖然采用光刻膠柱211作為支撐，但是凸塊不與焊墊直接接觸，受到應(yīng)力較小，發(fā)生形變可能性也較小，封裝質(zhì)量高。第三實(shí)施例下面結(jié)合第三實(shí)施例對本發(fā)明的凸塊封裝方法做詳細(xì)說明，請參考圖18，包括如下步驟步驟S301，提供待封裝襯底，所述待封裝襯底表面具有焊墊，所述待封裝襯底表面具有鈍化層，且所述鈍化層覆蓋部分所述焊墊表面；步驟S302，在所述焊墊兩側(cè)的鈍化層表面形成光刻膠柱；步驟S303，在所述焊墊表面形成覆蓋所述光刻膠柱表面和位于所述焊墊表面的光刻膠柱側(cè)壁的導(dǎo)電層；步驟S304，在所述鈍化層表面形成覆蓋所述導(dǎo)電層的異向?qū)щ娔z層；步驟S305，提供PCB板，所述PCB板具有突出PCB板表面的電極，所述電極位置與導(dǎo)電層位置對應(yīng)；步驟S306，將所述PCB板與待封裝襯底壓合，使得所述導(dǎo)電層與所述電極位置正對并且PCB板表面與異向?qū)щ娔z層表面粘合,其中，位于所述導(dǎo)電層與所述電極間的異向?qū)щ娔z層受到垂直所述封裝襯底表面的壓力。圖19至圖22為本發(fā)明提供的凸塊封裝方法的第三實(shí)施例過程示意圖。請參考圖19，提供待封裝襯底300，所述待封裝襯底300表面具有焊墊301，所述待封裝襯底300表面具有鈍化層302，且所述鈍化層302覆蓋部分所述焊墊301表面。所述待封裝襯底300的具體描述可以參加第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的相關(guān)敘述， 在這里不再贅述。請參考圖20，在所述焊墊301兩側(cè)的鈍化層302表面形成光刻膠柱311。所述光刻膠柱311作為凸塊的支撐體，后續(xù)在所述光刻膠柱311表面形成導(dǎo)電覆蓋層，與所述焊墊301電連接，采用光刻膠柱311作為凸塊的支撐體具有成本低廉、形成位置靈活的優(yōu)點(diǎn)。
所述光刻膠柱311的形成步驟包括在所述焊墊301和所述鈍化層302表面形成光刻膠層，對所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，保留位于所述焊墊301兩側(cè)的鈍化層302表面的光刻膠層，形成所述光刻膠柱311。需要說明的是，所述光刻膠柱311可以部分覆蓋所述焊墊301，當(dāng)光刻膠柱311為導(dǎo)電材料時，所述光刻膠柱311可以完全覆蓋所述焊墊301 ;但是不導(dǎo)電的光刻膠柱成本低廉，在本實(shí)施例中，采用不導(dǎo)電的光刻膠柱做示范性說明。請參考圖21，在所述焊墊301表面形成覆蓋所述光刻膠柱311表面和位于所述焊墊301表面的光刻膠柱311側(cè)壁的導(dǎo)電層312。所述導(dǎo)電層312用于與位于所述焊墊301兩側(cè)的所述光刻膠柱311 —起形成凸塊，所述導(dǎo)電層312材料為Ni、Au、Al，所述導(dǎo)電層312位于所述焊墊301表面、覆蓋位于所述焊墊301表面的光刻膠柱311側(cè)壁、以及覆蓋所述光刻膠柱311表面。在本實(shí)施例中，所述導(dǎo)電層312的形成步驟包括采用濺鍍工藝形成一層覆蓋所述鈍化層302、所述焊墊301和所述光刻膠柱311的鋁層(為圖示)；然后，對所述鋁層進(jìn)行光刻，去除位于所述鈍化層302表面的鋁層，保留覆蓋所述焊墊301和所述光刻膠柱311的鋁層。之后，通過電鍍工藝，在鋁層表面依次電鍍鎳層和金層，在電鍍完鎳層和金層之后，還可以采用刻蝕工藝去除形成在所述鈍化層302表面的多余金屬層(鋁層、鎳層和/或金層)。 在本實(shí)施例中，所述導(dǎo)電層312包括位于所述焊墊301表面且覆蓋所述光刻膠柱 311表面、覆蓋位于所述焊墊301表面的光刻膠柱311側(cè)壁的鋁層；位于所述鋁層表面的鎳層；位于鎳層表面的金層。需要說明的是，在其他實(shí)施例中，所述導(dǎo)電層312可以是單一覆層，比如單一的金層、單一的銅層、單一的鎳層、單一的鋁層；或者導(dǎo)電層312可以是金層、銅層、鎳層、鋁層的一種或幾種堆疊結(jié)構(gòu)。請參考圖22，在所述鈍化層302表面形成覆蓋所述導(dǎo)電層312的異向?qū)щ娔z層 320。所述異向?qū)щ娔z層320的特性和形成方法可以參考第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的相關(guān)所述異向?qū)щ娔z層320的敘述，在這里不再贅述。同樣地，步驟S305的具體描述也請參考第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的相關(guān)敘述，在這里不再贅述。請參考圖22，將所述PCB板330與待封裝襯底300壓合，使得所述導(dǎo)電層312與所述電極331位置正對并且PCB板330表面與異向?qū)щ娔z層320表面粘合，其中，位于所述導(dǎo)電層312與所述電極331間的異向?qū)щ娔z層320受到垂直所述封裝襯底300表面的壓力。其中，具體的描述請參考第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的相關(guān)敘述，在這里不再贅述。本實(shí)施例中，位于所述焊墊301兩側(cè)所述鈍化層302表面的光刻膠柱311形成較大的接觸面積，與PCB板330連接時，所述電極331能夠充分與位于光刻膠柱311表面的導(dǎo)電層312接觸，產(chǎn)品可靠性高。請參考圖22，采用本實(shí)施例的凸塊封裝方法形成的凸塊封裝結(jié)構(gòu)包括
14
待封裝襯底300，所述待封裝襯底300表面具有焊墊301，所述待封裝襯底300表面具有鈍化層302，且所述鈍化層302覆蓋部分所述焊墊301表面；所述焊墊301表面具有凸塊，所述凸塊包括位于所述焊墊301兩側(cè)所述鈍化層 302表面的光刻膠柱311，覆蓋所述焊墊301表面、且覆蓋所述光刻膠柱311表面和位于所述焊墊301表面的光刻膠柱311側(cè)壁的導(dǎo)電層312。位于所述待封裝襯底300表面、且覆蓋所述凸塊的異向?qū)щ娔z層320 ；與所述異向?qū)щ娔z層320粘合的PCB板330，所述PCB板330表面具有突出PCB板 330表面的電極331，所述電極331位置與所述導(dǎo)電層312位置對應(yīng)，位于所述導(dǎo)電層312 與所述電極331間的異向?qū)щ娔z層320受到垂直所述封裝襯底300表面的壓力。本實(shí)施例中，位于所述焊墊301兩側(cè)所述鈍化層302表面的光刻膠柱311具有較大的接觸面積，與PCB板330連接時，在不改變焊墊301尺寸大小的前提下，所述電極331 能夠充分與位于光刻膠柱311表面的導(dǎo)電層312接觸,產(chǎn)品可靠性高。請參考圖23，在另一實(shí)施例中，也可以在所述焊墊301 —側(cè)的鈍化層302表面形成光刻膠柱311，在所述焊墊表面形成覆蓋所述光刻膠柱表面和位于所述焊墊表面的光刻膠柱側(cè)壁的導(dǎo)電層。后續(xù)參考第三實(shí)施例的步驟形成封裝結(jié)構(gòu)。在所述焊墊301—側(cè)的鈍化層302表面形成光刻膠柱311具有PCB板的電極設(shè)計靈活，工藝可調(diào)性高的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種凸塊封裝方法，其特征在于，包括提供待封裝襯底，所述待封裝襯底表面具有焊墊，焊墊表面具有凸塊；在所述待封裝襯底表面形成覆蓋所述凸塊的異向?qū)щ娔z層；提供PCB板，所述PCB板具有突出PCB板表面的電極，所述電極位置與凸塊位置對應(yīng)；將PCB板與待封裝襯底壓合，使得所述電極與所述凸塊位置正對并且PCB板表面與異向?qū)щ娔z層表面接觸，其中，位于所述凸塊與所述電極間的異向?qū)щ娔z層受到垂直所述封裝襯底表面的壓力。
2.如權(quán)利要求I所述凸塊封裝方法，其特征在于，所述異向?qū)щ娔z層材料為異向?qū)щ姳∧ぁ?br> 3.如權(quán)利要求2所述凸塊封裝方法，其特征在于，所述異向?qū)щ娔z層組成為絕緣膠材中分散著導(dǎo)電粒子。
4.如權(quán)利要求3所述凸塊封裝方法，其特征在于，所述異向?qū)щ娔z層組成為為膠狀環(huán)氧樹脂中分散著導(dǎo)電粒子。
5.如權(quán)利要求I所述凸塊封裝方法，其特征在于，所述凸塊的形成步驟為在所述焊墊表面形成光刻膠柱，所述光刻膠柱暴露出部分所述焊墊表面；在所述焊墊表面形成覆蓋所述光刻膠柱的導(dǎo)電層。
6.如權(quán)利要求I所述凸塊封裝方法，其特征在于，所述凸塊的形成步驟為在所述焊墊兩側(cè)的待封裝襯底表面形成光刻膠柱；在所述焊墊表面形成覆蓋所述光刻膠柱表面和位于所述焊墊表面的光刻膠柱側(cè)壁的導(dǎo)電層。
7.如權(quán)利要求I所述凸塊封裝方法，其特征在于，所述凸塊的形成步驟為在所述焊墊一側(cè)的待封裝襯底表面形成光刻膠柱；在所述焊墊表面形成覆蓋所述光刻膠柱表面和位于所述焊墊表面的光刻膠柱側(cè)壁的導(dǎo)電層。
8.如權(quán)利要求5、6或7所述凸塊封裝方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層為鋁層、鎳層和金層的堆疊結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求I所述凸塊封裝方法，其特征在于，所述凸塊的形成步驟為采用物理氣相沉積工藝形成覆蓋所述焊墊和待封裝襯底的金屬膜；在所述金屬膜表面形成光刻膠圖形，所述光刻膠圖形覆蓋與所述焊墊對應(yīng)的金屬膜；以所述光刻膠圖形為掩膜，刻蝕所述金屬膜直至暴露出待封裝襯底，形成凸塊。
10.如權(quán)利要求I所述凸塊封裝方法，其特征在于，所述凸塊的形成步驟為提供金屬板，將所述金屬板與待封裝襯底鍵合；在所述金屬板表面形成光刻膠圖形，所述光刻膠圖形覆蓋與所述焊墊對應(yīng)的金屬板；以所述光刻膠圖形為掩膜，采用濕法刻蝕或干法刻蝕所述金屬板，直至暴露出待封裝襯底，形成凸塊。
11.如權(quán)利要求9或10所述凸塊封裝方法，其特征在于，所述凸塊為單一覆層或多層堆疊結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求I所述凸塊封裝方法，其特征在于，所述異向?qū)щ娔z層表面高于所述凸塊表面。
13.如權(quán)利要求I所述凸塊封裝方法，其特征在于，所述待封裝襯底表面具有鈍化層， 且所述鈍化層覆蓋部分所述焊墊表面。
14.一種凸塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括待封裝襯底，所述待封裝襯底表面具有焊墊，焊墊表面具有凸塊；位于所述待封裝襯底表面且覆蓋所述凸塊的異向?qū)щ娔z層；與所述異向?qū)щ娔z層粘合的PCB板，所述PCB板表面具有突出PCB板表面的電極，所述電極位置與凸塊位置對應(yīng)，位于所述凸塊與所述電極間的異向?qū)щ娔z層受到垂直所述封裝襯底表面的壓力。
15.如權(quán)利要求14所述的凸塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述異向?qū)щ娔z層材料為異向?qū)щ姳∧ぁ?br> 16.如權(quán)利要求14所述的凸塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述異向?qū)щ娔z層組成為絕緣膠材中分散著導(dǎo)電粒子。
17.如權(quán)利要求14所述的凸塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述異向?qū)щ娔z層組成為為膠狀環(huán)氧樹脂中分散著導(dǎo)電粒子。
18.如權(quán)利要求14所述的凸塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸塊為單一覆層或多層堆疊結(jié)構(gòu)。
19.如權(quán)利要求14所述的凸塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸塊包括位于所述焊墊表面的光刻膠柱和位于所述焊墊表面且覆蓋所述光刻膠柱的導(dǎo)電層。
20.如權(quán)利要求14所述的凸塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸塊包括位于所述焊墊兩側(cè)所述鈍化層表面的光刻膠柱，覆蓋所述焊墊表面、且覆蓋所述光刻膠柱表面和位于所述焊墊表面的光刻膠柱側(cè)壁的導(dǎo)電層。
21.如權(quán)利要求14所述的凸塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸塊包括位于所述焊墊一側(cè)所述鈍化層表面的光刻膠柱，覆蓋所述焊墊表面、且覆蓋所述光刻膠柱表面和位于所述焊墊表面的光刻膠柱側(cè)壁的導(dǎo)電層。
22.如權(quán)利要求14所述的凸塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述異向?qū)щ娔z層表面高于所述凸塊表面。
23.如權(quán)利要求14所述的凸塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述待封裝襯底表面具有鈍化層，且所述鈍化層覆蓋部分所述焊墊表面。
全文摘要
一種凸塊封裝結(jié)構(gòu)及凸塊封裝方法，其中，凸塊封裝方法包括提供待封裝襯底，所述待封裝襯底表面具有焊墊，焊墊表面具有凸塊；在所述待封裝襯底表面形成覆蓋所述凸塊的異向?qū)щ娔z層；提供PCB板，所述PCB板具有突出PCB板表面的電極，所述電極位置與凸塊位置對應(yīng)；將PCB板與待封裝襯底壓合，使得所述電極與所述凸塊位置正對并且PCB板表面與異向?qū)щ娔z層表面接觸，其中，位于所述凸塊與所述電極間的異向?qū)щ娔z層受到垂直所述封裝襯底表面的壓力。本發(fā)明實(shí)施例的凸塊封裝方法工藝簡便，本發(fā)明實(shí)施例的凸塊封裝結(jié)構(gòu)封裝質(zhì)量高。
文檔編號H01L21/603GK102593023SQ201210041079
公開日2012年7月18日 申請日期2012年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月22日
發(fā)明者俞國慶, 喻瓊, 王之奇, 王宥軍, 王 琦, 王蔚 申請人:蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司