技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種具備高的剩余磁通密度且可以通過小的外部磁場使磁力可逆地變化的磁性體。本發(fā)明的磁性體的剩余磁通密度Br為11kG以上，矯頑力HcJ為5kOe以下，為了使剩余磁通密度Br為0所需要的外部磁場為1.10HcJ以下。

技術(shù)研發(fā)人員：鈴木健一;藤川佳則
受保護的技術(shù)使用者：TDK株式會社
文檔號碼：201180063123
技術(shù)研發(fā)日：2011.12.19
技術(shù)公布日：2017.02.08