本發(fā)明涉及磁性體。

背景技術(shù)：
作為洗衣機(jī)或衣物干燥機(jī)等家用電器、混合動(dòng)力車、電車或電梯等的動(dòng)力裝置，一直以來使用永磁體電動(dòng)機(jī)。然而，進(jìn)行永磁體電動(dòng)機(jī)的可變速驅(qū)動(dòng)時(shí)，由于永磁體電動(dòng)機(jī)的磁通是一定的，因此感應(yīng)電壓與轉(zhuǎn)動(dòng)速度成比例地提高。再者，在感應(yīng)電壓達(dá)到電源電壓以上那樣的高轉(zhuǎn)動(dòng)速度的情況下，驅(qū)動(dòng)會(huì)變得困難。因此，關(guān)于現(xiàn)有的永磁體電動(dòng)機(jī)，在中·高速區(qū)域或輕負(fù)荷時(shí)，必須進(jìn)行通過電機(jī)子電流所引起的磁通使永磁體的磁通抵消的弱磁通控制，導(dǎo)致電動(dòng)機(jī)的效率下降。為了解決這樣的問題，近年正在開發(fā)通過從外部作用磁場(chǎng)而使磁力可逆變化的使用了磁體（可變磁力磁體）的可變磁通電動(dòng)機(jī)。關(guān)于可變磁通電動(dòng)機(jī)，在中·高速區(qū)域或輕負(fù)荷時(shí)，可以通過減小可變磁力磁體的磁力來抑制現(xiàn)有那樣的電動(dòng)機(jī)的效率下降。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特開2010-34522號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在現(xiàn)有的可變磁通電動(dòng)機(jī)中，例如兼用了Nd-Fe-B系稀土類磁體（例如，Nd2Fe14B）等磁力是一定的固定磁體、以及Sm2Co17等那樣的可變磁力磁體。固定磁體Nd2Fe14B的剩余磁通密度Br為13kG左右，可變磁力磁體Sm2Co17的Br為10kG左右。如此，固定磁體與可變磁力磁體的磁力之差成為電動(dòng)機(jī)的輸出和效率下降的原因。作為提高可變磁通電動(dòng)機(jī)的輸出和效率的方法，考慮了從可變磁力磁體中取出與固定磁體同等的磁通的方法。然而，由于Sm2Co17的飽和磁化強(qiáng)度Is為12.5kG左右，而Nd2Fe14B的Is為16.0kG左右，因此，由Sm2Co17難以實(shí)現(xiàn)與Nd2Fe14B同等的Br。作為提高可變磁通電動(dòng)機(jī)的輸出和效率的其他方法，考慮了將歷來作為固定磁體使用的Nd-Fe-B系稀土類磁體作為可變磁力磁體來使用的方法。然而，由于Nd-Fe-B系稀土類磁體的磁化（矯頑力）機(jī)制是形核型的，因此，為了使其磁力變化或磁化反轉(zhuǎn)，需要比Sm2Co17的情形更大的外部磁場(chǎng)。然而，由于大的外部磁場(chǎng)需要大的磁化電流，因此使電動(dòng)機(jī)的效率下降，而且不容易進(jìn)行磁回路的控制。由于這些問題，將Nd-Fe-B系稀土類磁體作為可變磁力磁體來進(jìn)行實(shí)用化并不容易。因此，為了將Nd-Fe-B系稀土類磁體作為可變磁力磁體來實(shí)用，必須在Nd-Fe-B系稀土類磁體中實(shí)現(xiàn)磁化機(jī)制為Sm2Co17那樣的釘扎型的磁化機(jī)制、或者鐵氧體磁體那樣的單疇顆粒型的磁化機(jī)制。本發(fā)明是鑒于這樣的現(xiàn)有技術(shù)所具有的技術(shù)問題而作出的，其目的在于，提供一種具備高的剩余磁通密度且可以通過小的外部磁場(chǎng)使磁力可逆地變化的磁性體。解決技術(shù)問題的手段為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的磁性體的剩余磁通密度Br為11kG以上，矯頑力HcJ為5kOe以下，為了使剩余磁通密度Br為0所需要的外部磁場(chǎng)為1.10HcJ以下。上述本發(fā)明所涉及的磁性體由于具備高的剩余磁通密度且可以通過小的外部磁場(chǎng)使其磁力（磁通密度）可逆地變化，因此，作為可變磁通電動(dòng)機(jī)用的可變磁力磁體是合適的。上述本發(fā)明所涉及的磁性體優(yōu)選包含稀土類元素R、過渡金屬元素T和硼元素B。即，上述本發(fā)明所涉及的磁性體優(yōu)選具有R-T-B系稀土類磁體的組成。在具備這樣的組成的磁性體中，上述本發(fā)明的效果更顯著，并且由于不像SmCo系磁體那樣需要昂貴且供應(yīng)量不穩(wěn)定的Co，因此可以使其價(jià)格變低。上述本發(fā)明所涉及的磁性體的晶體粒徑優(yōu)選為1μm以下。由此，使上述本發(fā)明的效果顯著。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種具備高的剩余磁通密度且可以通過小的外部磁場(chǎng)使磁力可逆地變化的磁性體。附圖說明圖1a是用掃描電子顯微鏡（SEM）拍攝本發(fā)明的實(shí)施例4的磁性體的斷裂面的照片，圖1b是用掃描透射電子顯微鏡（STEM）拍攝本發(fā)明的實(shí)施例4的磁性體的截面的照片。圖2是用SEM拍攝比較例7的磁性體的斷裂面的照片。圖3是本發(fā)明的實(shí)施例4的磁化-磁場(chǎng)曲線。圖4是比較例3的磁化-磁場(chǎng)曲線。圖5是比較例7的磁化-磁場(chǎng)曲線。圖6a和圖6b是用SEM拍攝本發(fā)明的實(shí)施例3的磁性體的截面的一部分的反射電子像。圖7是基于利用電子探針顯微分析儀（EPMA）的分析表示圖6a的區(qū)域7的二次電子像（SL）、反射電子像（CP）和元素分布的圖。圖8是基于利用EPMA的分析表示圖6b的區(qū)域8的二次電子像（SL）、反射電子像（CP）和元素分布的圖。圖9a和圖9b是用SEM拍攝比較例5的磁性體的截面的一部分的反射電子像。圖10是基于利用EPMA的分析表示圖9a的區(qū)域10的二次電子像（SL）、反射電子像（CP）和元素分布的圖。圖11是基于利用EPMA的分析表示圖9b的區(qū)域11的二次電子像（SL）、反射電子像（CP）和元素分布的圖。圖12（a）是用STEM拍攝本發(fā)明的實(shí)施例3的磁性體的截面的照片，圖12（b）是表示圖12（a）中的線段LG2上的各分析部位處的各元素的含有率的表。圖13（a）是用STEM拍攝比較例5的磁性體的截面的照片，圖13（b）是表示圖13（a）中的線段LG5上的各分析部位處的各元素的含有率的表。圖14（a）和圖14（b）是用STEM拍攝本發(fā)明的實(shí)施例3的磁性體的截面的照片，圖14（c）是表示圖14（a）和圖14（b）中的各測(cè)量部位的各元素的含有率的表。圖15（a）和圖15（b）是用STEM拍攝比較例5的磁性體的截面的照片，圖15（c）是表示圖15（a）和圖15（b）中的各測(cè)量部位的各元素的含有率的表。具體實(shí)施方式以下，參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明優(yōu)選的一個(gè)實(shí)施方式。但是，本發(fā)明不限定于下述的實(shí)施方式。（磁性體）本實(shí)施方式所涉及的磁性體優(yōu)選含有稀土類元素R、過渡金屬元素T和硼元素B。稀土類元素R可以是選自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一種。特別地，稀土類元素R優(yōu)選是Nd和Pr中的至少任一種。作為過渡金屬元素T，可以舉出Fe或Co。作為過渡金屬元素T，優(yōu)選Fe，但磁性體也可以含有Fe和Co這兩種元素作為T。磁性體由于具有上述的組成，顯著提高了磁性體的飽和磁通密度和剩余磁通密度。再有，磁性體還可以包含Ca、Ni、Mn、Al、Cu、Nb、Zr、Ti、W、Mo、V、Ga、Zn、Si和Bi等其他元素作為雜質(zhì)或添加物。如圖3所示，本實(shí)施方式所涉及的磁性體的剩余磁通密度Br為11kG以上（1.1T以上）。優(yōu)選地，磁性體的Br為12.5kG以上（1.25T以上）。磁性體的Br的上限值沒有特別限定，為14kG（1.4T）左右。本實(shí)施方式所涉及的磁性體的Br比歷來作為可變磁力磁體使用的Sm2Co17燒結(jié)磁體的Br（10kG）更高。因此，在使用本實(shí)施方式所涉及的磁性體作為可變磁力磁體使用的可變磁通電動(dòng)機(jī)中，可變磁力磁體可以具有與固定磁體同等程度的磁力，達(dá)到比現(xiàn)有技術(shù)更高的輸出和效率。本實(shí)施方式所涉及的磁性體的矯頑力HcJ為5.0kOe以下（400A/m以下）。優(yōu)選地，磁性體的HcJ為4.0kOe以下（320A/m以下）。再有，磁性體的HcJ的下限值沒有特別限定，為1.0kOe（80A/m）左右。為了使本實(shí)施方式所涉及的磁性體的Br為0所需要的外部磁場(chǎng)的大小為1.10HcJ以下。即，為了使本實(shí)施方式所涉及的磁性體的Br為0所需要的外部磁場(chǎng)的大小為HcJ的110%以下。優(yōu)選地，為了使磁性體的Br為0所需要的外部磁場(chǎng)為1.05HcJ以下。為了使磁性體的Br為0所需要的外部磁場(chǎng)的下限值為1.00HcJ左右。以下，根據(jù)情況，將為了使磁性體的Br為0所需要的外部磁場(chǎng)（的大?。┯涀鳌癿f”（magneticfield）。在本實(shí)施方式中，由于HcJ為5kOe以下，且為了使磁性體的Br為0所需要的外部磁場(chǎng)的大小mf為1.10HcJ以下，因此，可以通過小的外部磁場(chǎng)使磁性體的磁力變化或磁化反轉(zhuǎn)可逆地反復(fù)進(jìn)行。另外，在本實(shí)施方式的磁性體中，即使在反復(fù)進(jìn)行磁力變化或磁化反轉(zhuǎn)的情況下，也可以維持磁化曲線的對(duì)稱性，進(jìn)行穩(wěn)定的磁通密度的控制。在將本實(shí)施方式的磁性體作為可變磁力磁體使用的可變磁通電動(dòng)機(jī)中，由于磁性體的磁力變化或磁化反轉(zhuǎn)所需要的外部磁場(chǎng)較小，因此，磁回路所引起的外部磁場(chǎng)和磁性體的磁力的控制變得容易，并且可以減小磁化電流，提高電動(dòng)機(jī)的效率。因此，本實(shí)施方式的磁性體作為洗衣機(jī)或衣物干燥機(jī)等的家用電器、混合動(dòng)力車、電車或電梯等所配備的可變磁通電動(dòng)機(jī)用的可變磁力磁體是合適的。構(gòu)成磁性體的晶體的粒徑優(yōu)選為1μm以下，更優(yōu)選為0.5μm。由于構(gòu)成磁性體的晶體的粒徑是微細(xì)的，因而磁性體的磁化機(jī)制容易成為釘扎型（或者單疇型）的，容易表現(xiàn)出外部磁場(chǎng)mf相關(guān)的上述磁特性。另一方面，由于構(gòu)成現(xiàn)有的Nd2Fe14B系燒結(jié)磁體的晶體的粒徑為5μm左右，因此其磁化機(jī)制是形核型的。磁性體優(yōu)選含有Cu。眾所周知，晶體粒徑微細(xì)的磁性體一般具有高的矯頑力。具有高的矯頑力的磁性體為了使其磁化狀態(tài)變化需要大的外部磁場(chǎng)，并不適用于可變磁通電動(dòng)機(jī)用的可變磁力磁體。然而，通過使磁性體中含有適量的Cu，容易在維持著磁性體的高剩余磁通密度和釘扎型的磁化機(jī)制的情況下降低矯頑力。由此，可以顯著地表現(xiàn)出上述的剩余磁通密度、矯頑力和外部磁場(chǎng)相關(guān)的磁特性。磁性體中的Cu的含有率優(yōu)選相對(duì)于磁性體的全部質(zhì)量為1.0～1.25質(zhì)量%。Cu的含有率越增加，Br和HcJ就越有減小的傾向。Cu的含有率越減少，Br和HcJ就越有增加的傾向。另外，構(gòu)成磁性體的主相顆粒內(nèi)的Cu的含有率優(yōu)選相對(duì)于主相顆粒內(nèi)的全部元素為0.5～0.6原子%。再有，主相顆粒是指由磁性體的主成分構(gòu)成的晶體顆粒。主成分是指例如稀土類元素R、過渡金屬元素T和硼元素B（Nd2Fe14B）。本發(fā)明人認(rèn)為，在磁性體具有由主相顆粒構(gòu)成的微細(xì)構(gòu)造且其磁化機(jī)制為釘扎型的情況下，通過讓主相顆粒內(nèi)的Cu的含有率在上述范圍內(nèi)，容易得到所期望的低的矯頑力。磁性體可以是粉末。磁性體也可以是將粉末壓固后得到的壓粉體。磁性體也可以是用樹脂將磁性體的粉末或壓粉體固化而得到的粘結(jié)磁體。磁性體還可以是磁性顆粒的燒結(jié)體。（磁性體的制造方法）在磁性體的制造中，首先鑄造原料合金。作為原料合金，可以使用包含上述的稀土類元素R、過渡金屬元素T和B的原料合金。原料合金根據(jù)需要還可以進(jìn)一步包含上述元素作為添加物或雜質(zhì)。原料合金的化學(xué)組成可以根據(jù)最終想要得到的磁性體的化學(xué)組成來進(jìn)行調(diào)整。原料合金可以是鑄塊也可以是粉末。通過HDDR（Hydrogenation-Disproportionation-Desorption-Recombination：氫化-歧化-脫氫-再復(fù)合）處理，由原料合金形成合金粉末。HDDR處理是指依次進(jìn)行原料合金的氫化（Hydrogenation）、歧化（Disproportionation）、脫氫（Desorption）和再復(fù)合（Recombination）的工藝。在HDDR處理中，將原料合金在H2氣氛圍氣或H2氣與惰性氣體的混合氛圍氣中保持在500℃～1000℃，由此使原料合金氫化后，在500℃～1000℃下對(duì)原料合金進(jìn)行脫氫處理，直到氛圍氣中的H2氣分壓達(dá)到13Pa以下為止，接著進(jìn)行冷卻。由此，得到具有Nd-T-B系稀土類磁體的組成的微細(xì)的晶體顆粒（Nd-T-B系磁性粉）。將對(duì)主原料Nd-T-B系磁性粉添加了Cu粉末后的混合物在惰性氣體氛圍氣下進(jìn)行混合，制備原料混合物。原料混合物中的Cu粉末的含有率優(yōu)選相對(duì)于原料混合物的全部質(zhì)量為1.0～1.25質(zhì)量%。由此，容易得到具有上述磁特性的磁性體。Cu粉末的含有率越增加，所得到的磁性體的Br和HcJ就越有減小的傾向。Cu粉末的含有率越減小，所得到的磁性體的Br和HcJ就越有增加的傾向。通過將原料混合物在700～950℃的惰性氛圍氣下進(jìn)行熱處理，完成粉末狀的磁性體。通過該熱處理，Cu進(jìn)行熱擴(kuò)散，在Nd-T-B系磁性粉維持著釘扎型的磁化機(jī)制的情況下，使矯頑力降低。再有，添加了Cu的Nd-T-B系磁性粉在700～950℃的熱處理下基本不進(jìn)行晶粒生長(zhǎng)而維持熱處理前的微細(xì)構(gòu)造。再有，在不是粉末狀的磁性體而是得到燒結(jié)后的磁性體的情況下，將原料混合物在磁場(chǎng)中進(jìn)行加壓成形來形成成形體。成形時(shí)對(duì)原料混合物施加的磁場(chǎng)的強(qiáng)度優(yōu)選為800kA/m以上。成形時(shí)對(duì)原料混合施加的壓力優(yōu)選為10～500MPa左右。作為成形方法，可以使用單軸加壓法或CIP等的各向同性加壓法的任一種。對(duì)所得到的成形體進(jìn)行燒成而形成燒結(jié)體。燒成溫度可以為700～1200℃左右。燒成時(shí)間可以為0.1～100小時(shí)左右。燒成工序可以進(jìn)行多次。燒成工序優(yōu)選在真空中或Ar氣等的惰性氣體氛圍氣中進(jìn)行?？梢詫?duì)燒成后的燒結(jié)體施行時(shí)效處理。可以進(jìn)行從燒結(jié)體中切出所期望的尺寸的磁性體的加工?？梢栽跓Y(jié)體的表面形成保護(hù)層。作為保護(hù)層，只要是通常作為保護(hù)稀土類磁體的表面的層而形成的保護(hù)層便能夠沒有特別限制地適用。作為保護(hù)層，例如可以舉出由涂裝或蒸鍍重疊法形成的樹脂層、由鍍敷或氣相法形成的金屬層、由涂布法或氣相法形成的無機(jī)層、氧化層、化學(xué)轉(zhuǎn)化處理層等。可以通過在將由上述方法得到的粉末狀的磁性體與塑料或橡膠等樹脂混合后對(duì)樹脂進(jìn)行硬化，從而制作粘結(jié)磁體?；蛘?，可以通過使樹脂含浸在將磁性體的粉末壓固而得到的壓粉體中后對(duì)樹脂進(jìn)行硬化，從而制作粘結(jié)磁體。實(shí)施例以下，通過實(shí)施例更詳細(xì)地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于這些實(shí)施例。（實(shí)施例4）通過離心鑄造法，制造含有表1所示的元素的Nd-Fe-B系合金的鑄塊。鑄塊中的各元素的含有率調(diào)整成表1所示的值。再有，從表1明顯可知，鑄塊的組成大體等于Nd2Fe14B。對(duì)鑄塊中不可避免地包含的雜質(zhì)元素的有無進(jìn)行分析。各雜質(zhì)元素的種類和鑄塊中的各雜質(zhì)元素的含有率表示在表2中。再有，鑄塊的組成用熒光X射線分析（XRF）分析。[表1]表1NdFeBCoGaNb原子％12.5176.506.363.790.320.20質(zhì)量％28.0866.481.073.480.350.29[表2]表2CuAlDyLaCePrSmNiMnCaSiMgSn原子％0.030.100.00790.00000.00000.03190.00090.01640.03860.00160.08690.00000.0000質(zhì)量％0.030.040.02000.00000.00000.07000.00200.01500.03300.00100.03800.00000.0000通過HDDR處理，由鑄塊形成了合金粉末。在HDDR處理中，通過將鑄塊在H2氣氛圍氣中保持在800℃而使鑄塊氫化后，在850℃下對(duì)鑄塊進(jìn)行脫氫處理，直到氛圍氣中的H2氣的分壓變到1Pa以下為止，接著進(jìn)行冷卻。將經(jīng)過了這些工序的鑄塊在Ar氣氛圍氣中進(jìn)行粉碎，通過篩分，得到粒徑為212μm以下的Nd-Fe-B系磁性粉。將對(duì)Nd-Fe-B系磁性粉添加了Cu粉末后的物質(zhì)在Ar氣氛圍氣下進(jìn)行混合，制備原料混合物。原料混合物中的Cu粉末的含有率（以下，稱為“Cu添加量”）相對(duì)于原料混合物的全部質(zhì)量調(diào)整成1.25質(zhì)量%。Cu粉末的純度為99.9質(zhì)量%，Cu粉末的粒徑為10μm以下。在混合中使用咖啡研磨機(jī)?；旌蠒r(shí)間為1分鐘?；旌显贏r氣氛圍氣中進(jìn)行。通過使用加熱爐將原料混合物在Ar氣氛圍氣下在700℃進(jìn)行熱處理，得到實(shí)施例4的磁性體。再有，在熱處理中，在700℃對(duì)原料混合物加熱4小時(shí)。將用掃描電子顯微鏡（SEM）拍攝實(shí)施例4的磁性體的斷裂面的照片表示在圖1a中。將用掃描透射電子顯微鏡（STEM）拍攝的實(shí)施例4的磁性體的截面的照片表示在圖1b中。如圖1a和圖1b所示，確認(rèn)了實(shí)施例4的磁性體是粒徑為1μm以下的微細(xì)磁性顆粒的集合體。[磁特性的評(píng)價(jià)]將實(shí)施例4的磁性體在Ar氣氛圍氣中使用研缽粉碎，并進(jìn)行篩分，得到粒徑為212μm以下的磁性體的粉末。把該粉末與石蠟裝入盒子，在使石蠟融解的狀態(tài)下施加1特斯拉的磁場(chǎng)而使磁性體的粉末取向，使用振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)（VSM）測(cè)量磁化-磁場(chǎng)曲線來求出磁特性。對(duì)磁性體的粉末施加的磁場(chǎng)的大小控制在-25～25kOe的范圍內(nèi)。將實(shí)施例4的磁性體的剩余磁通密度（Br）和矯頑力（HcJ）的測(cè)量結(jié)果表示在表5中。將實(shí)施例4的磁化-磁場(chǎng)曲線表示在圖3中。另外，對(duì)測(cè)量了磁化-磁場(chǎng)曲線后進(jìn)行磁化直到正方向飽和為止的磁性體，施加逆方向的磁場(chǎng)，求出除去該磁場(chǎng)時(shí)剩余磁通密度Br為0的逆方向的磁場(chǎng)的大小。將Br為0的逆方向的磁場(chǎng)的絕對(duì)值（mf）和相對(duì)于矯頑力HcJ的比（mf/HcJ）表示在表5中。（實(shí)施例1～3、5～6、比較例1～8）在各實(shí)施例和比較例中，將Cu添加量調(diào)整至表5所示的值。在各實(shí)施例和比較例中，將原料混合物的熱處理溫度調(diào)整至表5所示的值。除了這些事項(xiàng)以外，按照與實(shí)施例4同樣的方法，制作各實(shí)施例和比較例的粉末狀的磁性體。將用SEM拍攝比較例7的磁性體的斷裂面的照片表示在圖2中。在比較例7中，與實(shí)施例4相對(duì)照，磁性顆粒有晶粒生長(zhǎng)，沒有發(fā)現(xiàn)實(shí)施例4那樣的微細(xì)的組織構(gòu)造。用與實(shí)施例4同樣的方法求出各實(shí)施例和比較例的Br、HcJ、mf和mf相對(duì)于HcJ的比。將結(jié)果表示在表5中。將比較例3的磁化-磁場(chǎng)曲線表示在圖4中。將比較例7的磁化-磁場(chǎng)曲線表示在圖5中。[SEM-EPMA分析]使用掃描電子顯微鏡所具備的電子探針顯微分析儀（SEM-EPMA）分析實(shí)施例3所得到的磁性體的截面。將實(shí)施例3的分析結(jié)果表示在圖6～8中。使用SEM-EPMA分析比較例5所得到的磁性體的截面。將比較例5的分析結(jié)果表示在圖9～11中。圖6a和圖6b是實(shí)施例3的磁性體截面的反射電子像。圖6a中的區(qū)域7和圖6b中的區(qū)域8是通過EPMA分析收集用于元素映射的數(shù)據(jù)的位置（測(cè)量區(qū)域）。區(qū)域7的大小為20×20μm。區(qū)域8的大小為51.2×51.2μm。圖7是基于EPMA分析的區(qū)域7內(nèi)的元素分布圖。圖8是基于EPMA分析的區(qū)域8內(nèi)的元素分布圖。圖9a和圖9b是比較例5的磁性體截面的一部分的反射電子像。圖9a中的區(qū)域10和圖9b中的區(qū)域11是通過EPMA分析收集用于元素映射的數(shù)據(jù)的位置（測(cè)量區(qū)域）。區(qū)域10的大小為20×20μm。區(qū)域11的大小為51.2×51.2μm的區(qū)域。圖10是基于EPMA分析的區(qū)域10內(nèi)的元素分布圖。圖11是基于EPMA分析的區(qū)域11內(nèi)的元素分布圖。根據(jù)基于EPMA分析的元素分布圖，發(fā)現(xiàn)了實(shí)施例3中所添加的Cu在磁性體內(nèi)不是均勻地分散而是偏析。[STEM-EDS分析/線分析]使用掃描透射電子顯微鏡所具備的能量分散型X射線分光（STEM-EDS）分析實(shí)施例3和比較例5所得到的磁性體的截面。將實(shí)施例3的結(jié)果表示在圖12（a）和圖12（b）中。將比較例5的分析結(jié)果表示在圖13（a）和圖13（b）中。圖12（b）中的LG20000～LG20029是由STEM-EDS測(cè)量各元素的含有率的部位（分析部位），與圖12（a）中的線段LG2上大致等間隔排列的各點(diǎn)相對(duì)應(yīng)。圖13（b）中的LG50000～LG50029是由STEM-EDS測(cè)量各元素的含量的部位（分析部位），與圖13（a）中的線段LG5上大致等間隔排列的各點(diǎn)相對(duì)應(yīng)。圖12（b）和圖13（b）所示的各分析部位處的元素的含有率的單位為“原子%”。圖12（a）和圖13（a）中的各箭頭表示進(jìn)行線分析的方向。圖12（b）的LG20000是線分析的開始點(diǎn)，位于圖12（a）的箭頭的起點(diǎn)側(cè)。圖12（b）的LG20029是線分析的終點(diǎn)，位于圖12（a）的箭頭的前端側(cè)。圖13（b）的LG50000是線分析的開始點(diǎn)，位于圖13（a）的箭頭的起點(diǎn)側(cè)。圖13（b）的LG50029是線分析的終點(diǎn)，位于圖13（a）的箭頭的前端側(cè)。圖12（b）中的LG20000～LG20029中所附的長(zhǎng)度（單位：μm）是各分析部位與LG20000相距的距離。圖13（b）中的LG50000～LG50029中所附的長(zhǎng)度（單位：μm）是各分析部位與LG50000相距的距離。如圖12（b）所示，確認(rèn)了在添加了Cu的原料混合物的進(jìn)行了熱處理的實(shí)施例3的磁性體中，主相顆粒內(nèi)的Cu的含有率與晶粒邊界處的Cu的含有率同等程度。另一方面，如圖13（b）所示，確認(rèn)了在原料混合物中不添加Cu的比較例5中，即使對(duì)原料混合物進(jìn)行熱處理，主相顆粒內(nèi)也基本不存在Cu，而在晶粒邊界存在比較多量的Cu。[STEM-EDS分析/點(diǎn)分析]使用STEM-EDS分析實(shí)施例3和比較例5所得到的各磁性體的截面。將實(shí)施例3的分析結(jié)果表示在圖14（a）、14（b）和14（c）中。將比較例5的分析結(jié)果表示在圖15（a）、15（b）和15（c）中。由STEM-EDS測(cè)量圖14（a）和14（b）所示的各測(cè)量部位“+”處的各元素的含有率。圖14（c）表示圖14（a）和圖14（b）中的各測(cè)量部位的各元素的含有率。由STEM-EDS測(cè)量圖15（a）和15（b）所示的各測(cè)量部位“+”處的各元素的含有率。圖15（c）表示圖15（a）和圖15（b）中的各測(cè)量部位處的各元素的含有率。再有，圖14（c）和圖15（c）所記載的“晶粒邊界”是指構(gòu)成磁性體的2種晶體顆粒（主相顆粒）的邊界區(qū)域?！熬Я＿吔缛帱c(diǎn)”是指構(gòu)成磁性體的3種以上的晶體顆粒所包圍的相?；趫D14（c）所示的點(diǎn)分析的結(jié)果，求出實(shí)施例3的磁性體的晶粒邊界的各元素的含有率的平均值、主相顆粒內(nèi)的各元素的含有率的平均值、以及晶粒邊界三相點(diǎn)的各元素的含有率的平均值。將其結(jié)果表示在表3中?；趫D15（c）所示的點(diǎn)分析的結(jié)果，求出比較例5的磁性體的晶粒邊界的各元素的含有率的平均值、主相顆粒內(nèi)的各元素的含有率的平均值、以及晶粒邊界三相點(diǎn)的各元素的含有率的平均值。將其結(jié)果表示在表4中。[表3][表4]從表3和表4的比較確認(rèn)了，實(shí)施例3的主相顆粒內(nèi)的Cu的含有率與比較例5的主相顆粒內(nèi)的Cu的含有率相比更高。另外，確認(rèn)了在實(shí)施例3中，Cu在晶粒邊界三相點(diǎn)偏析。與實(shí)施例3和比較例5同樣地，對(duì)于其他實(shí)施例和比較例進(jìn)行利用STEM-EDS的點(diǎn)分析。將根據(jù)點(diǎn)分析的結(jié)果求出的各實(shí)施例和比較例的主相顆粒內(nèi)的Cu的含有率表示在表5中。將表5所記載的剩余磁通密度與Cu添加量和熱處理溫度的關(guān)系表示在表6中。將表5所記載的矯頑力與Cu添加量和熱處理溫度的關(guān)系表示在表7中。將表5所記載的mf/HcJ與Cu添加量與熱處理溫度的關(guān)系表示在表8中。將表5所記載的主相顆粒內(nèi)的Cu的含有率與Cu添加量和熱處理溫度的關(guān)系表示在表9中。表6～9中帶有“*”的數(shù)值是實(shí)施例的數(shù)值。[表5][表6][表7][表8][表9]確認(rèn)了在Cu添加量為1質(zhì)量%且熱處理溫度為700～950℃的實(shí)施例1～3和5中，Cu在Nd-Fe-B型主相顆粒內(nèi)均勻地?cái)U(kuò)散，矯頑力低。確認(rèn)了在Cu添加量為1.25質(zhì)量%且熱處理溫度為900～950℃的實(shí)施例4和6中，Cu在Nd-Fe-B型主相顆粒內(nèi)也均勻地?cái)U(kuò)散，矯頑力低。推測(cè)實(shí)施例1～6的低矯頑力是由于主相顆粒中的Nd2Fe14B的各向異性磁場(chǎng)HA下降而引起的。在Cu添加量為0且熱處理溫度為700～900℃的比較例1、3和5中，沒有發(fā)現(xiàn)伴隨著熱處理溫度的變化而來的磁性變化。即，并沒有確認(rèn)到比較例1、3和5的磁性體與其原料混合物之間有顯著的差異。另外，在Cu添加量為0且熱處理溫度為950℃的比較例7中，發(fā)現(xiàn)了晶粒生長(zhǎng)和mf/HcJ的增加。比較例7的晶粒生長(zhǎng)被認(rèn)為是由于熱處理溫度過高而引起的。另外，比較例7的mf/HcJ的增加被認(rèn)為是由于磁性體的磁化機(jī)制是形核型而引起的。在Cu添加量為1.25質(zhì)量%且熱處理溫度為700～800℃的比較例2和4中，認(rèn)為是由于熱處理溫度低因而Cu在Nd-Fe-B型主相顆粒內(nèi)不能均勻地?cái)U(kuò)散，其結(jié)果產(chǎn)生了Cu濃度高的部分。再有，推測(cè)在Cu濃度高的部分形成有Cu-稀土類化合物（例如NdCu5），奪走了Nd-Fe-B的一部分Nd。其結(jié)果被認(rèn)為是，比較例2和4的剩余磁通密度Br變低。Cu添加量為1.5質(zhì)量%且熱處理溫度為900～950℃的比較例6和8中，Cu添加量過多。其結(jié)果被認(rèn)為是，即使Cu在Nd-Fe-B型主相顆粒內(nèi)均勻地?cái)U(kuò)散，在主相顆粒外也還會(huì)存在多余的Cu。再有，推測(cè)由該多余的Cu形成Cu-稀土類化合物（例如NdCu5），奪走了Nd-Fe-B的一部分Nd。其結(jié)果被認(rèn)為是比較例6和8的剩余磁通密度Br變低。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明由于具備高剩余磁通密度且可以通過小的外部磁場(chǎng)使磁力可逆地變化，因此，作為家用電器、混合動(dòng)力車、電車或電梯等所配備的可變磁通電動(dòng)機(jī)用的可變磁力磁體是合適的。