專利名稱：電氣裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電氣裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為構(gòu)成要素而具備有機層的電子元件，例如有機電致發(fā)光元件(OrganicElectroluminescent Element)、有機光電轉(zhuǎn)換元件、有機晶體管等的電子元件,一般由于被曝露在大氣中而導(dǎo)致發(fā)光特性等比較容易劣化。為了抑制這樣的電子元件的特性的劣化，通常會對具備有機層的電子元件實施密封工序。參照圖5對于密封進行說明。圖5是說明密封工序的概略的圖。密封工序通過如下方式進行，例如，首先以將支承基板51上所搭載的電子元件54加以包圍的方式配置密封構(gòu)件52，其次經(jīng)由該密封構(gòu)件52將密封基板53貼合在支承基板51上。由此，電子元件54被支承基板51、密封基板53和密封構(gòu)件52包圍，且被與外界隔斷。上述密封構(gòu)件52使用阻氣性高的材料。例如作為這樣的密封構(gòu)件52而使用含有玻璃(玻璃料)的熔接劑的熔封工序得到研究。玻璃料由在較低溫下熔融的薄片狀或粉末狀的玻璃(以下，僅稱為“熔接玻璃粉”。)構(gòu)成。在熔封工序中使用的是將該熔接玻璃粉分散在溶劑中的膏狀的熔接劑。在熔封工序中，首先，對于搭載有電子元件54的支承基板51按照持續(xù)包圍該電子元件54的方式線狀地供給熔接劑，其次進行預(yù)燒成，預(yù)先去除熔接劑的溶劑成分，其后在夾隔熔接劑下將支承基板51和密封基板53貼合。然后通過對熔接劑照射激光而加熱熔接玻璃粉，一下子使之熔融。若停止激光的照射，則熔接劑的溫度下降，熔接劑再次硬化。如此形成由熔接劑硬化的玻璃所構(gòu)成的密封構(gòu)件52，由支承基板51、密封基板53和密封構(gòu)件52包圍的區(qū)域被氣密性地密封(例如參照專利文獻I)。先行技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1:特開2003-123966號公報上述熔接劑的加熱，通過將針對熔接劑的激光照射沿著所供給的熔接劑遍及全周地加以掃描而得以進行。在此加熱時，若由于場所不同而導(dǎo)致熔接劑的加熱溫度產(chǎn)生不均勻，則熔接劑的熔融狀態(tài)發(fā)生不均勻。其結(jié)果是，密封構(gòu)件自身的性狀、密封基板或支承基板和密封構(gòu)件的密接性等產(chǎn)生不均，進而密封的可靠性降低。因此在熔封工序中需要將所供給的熔接劑遍及全周地均勻地加熱而使之熔融。但是，僅僅單純地使激光在遍及熔接劑的全周均勻地照射下，熔接劑仍會發(fā)生加熱不均。熔接劑并非被供給(涂布)到由均勻的材質(zhì)構(gòu)成的襯底層之上，而通常被涂布到材質(zhì)根據(jù)場所而有所不同的襯底層之上。例如在電氣裝置中，用于從外部將電信號輸入到電子兀件的多條電氣配線55以與熔接劑交叉的方式而設(shè)。因此作為涂布有熔接劑的襯底層，交替存在設(shè)有電氣配線55的部位、和未設(shè)電氣配線55的部位。照射激光時的熔接劑的溫度上升特性，根據(jù)涂布熔接劑的襯底層的材質(zhì)等而有所不同。因此，在上述的電氣裝置中，在電氣配線55上所涂布的熔接劑、和在沒有設(shè)置電氣配線55的部位上所涂布的熔接劑，在照射激光時的熔接劑的加熱溫度會不同，熔接劑的熔融狀態(tài)產(chǎn)生不均勻的問題存在。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠使封接材料(熔接劑)均勻地加熱而使之熔融的這樣的構(gòu)成的電氣裝置。本發(fā)明提供下述[I] [6]。[I] 一種電氣裝置，其具有如下:設(shè)定有密封區(qū)域的支承基板；設(shè)于所述密封區(qū)域內(nèi)的電路；在所述支承基板上，從所述密封區(qū)域內(nèi)至密封區(qū)域外延伸地設(shè)置，且將電信號輸入輸出源和所述電路進行電連接的電氣配線；以包圍所述密封區(qū)域的方式在所述支承基板上所設(shè)置的密封構(gòu)件；經(jīng)由所述密封構(gòu)件，貼合在所述支承基板上的密封基板，在所述電氣裝置中，所述電路具備具有有機層的電子元件，在所述電氣配 線和所述密封構(gòu)件交叉的交叉區(qū)域，所述電氣配線由透光性的電氣配線構(gòu)成。[2]根據(jù)[I]所述的電氣裝置，其中，所述透光性的電氣配線的厚度為50nm以上且低于300nm。[3]根據(jù)[I]或[2]所述的電氣裝置，其中，所述透光性的電氣配線的電阻率低于300 μ Ω cm。[4]根據(jù)[I]或[2]所述的電氣裝置，其中，電子元件是有機電致發(fā)光元件、有機光電轉(zhuǎn)換元件或有機晶體管。[5] 一種電氣裝置的制造方法，該電氣裝置是[I] [4]中任一項所述的電氣裝置，其中，所述制造方法包括如下工序:準(zhǔn)備支承基板的工序，該支承基板設(shè)定有密封區(qū)域、且設(shè)置有電路及將電信號輸入輸出源與所述電路進行電連接的電氣配線，并且所述電路設(shè)于該密封區(qū)域內(nèi)；沿著所述密封區(qū)域的外緣進行封接材料供給的工序；經(jīng)由所述封接材料，將所述密封基板和所述支承基板貼合的工序；對所述封接材料照射電磁束，而使所述封接材料加熱且熔融的工序；使所述封接材料冷卻、且硬化而構(gòu)成密封構(gòu)件的工序。[6]根據(jù)[5]所述的電氣裝置的制造方法，其中，在使所述封接材料加熱且熔融的工序中，遍及配置有所述封接材料的整個區(qū)域，以相同強度照射所述電磁束。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種在不會降低設(shè)計的自由度下使封接材料均勻地加熱且熔融的這樣的構(gòu)成的電氣裝置。


圖1是模式化地表示顯示裝置的俯視圖。圖2是在圖1的切面線I1-1I的位置切斷的顯示裝置的概略的剖面圖。圖3是模式化地放大表示密封構(gòu)件和電氣配線交叉的區(qū)域的圖。圖4是在圖3的切面線IV-1V的位置切斷的顯示裝置的概略的剖面圖。圖5是說明密封工序的概略的圖。
具體實施例方式以下，參照附圖，對于本發(fā)明的實施方式進行說明。還有，各附圖在能夠理解發(fā)明的程度上，不過是概略性地表示構(gòu)成要素的形狀、大小和配置。本發(fā)明不受以下的記述限定，各構(gòu)成要素在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)可以適宜變更。在用于以下說明的附圖中，對于同樣的構(gòu)成要素附加相同的符號加以表示，有省略重復(fù)的說明的情況。另外，本發(fā)明的實施方式的構(gòu)成，并不一定按圖示例的配置進行制造或使用。本發(fā)明的電氣裝置，具有如下:設(shè)定有密封區(qū)域的支承基板；設(shè)于所述密封區(qū)域內(nèi)的電路；在所述支承基板上，從所述密封區(qū)域內(nèi)至密封區(qū)域外延伸地設(shè)置，且將電信號輸入輸出源和所述電路進行電連接的電氣配線；以包圍所述密封區(qū)域的方式在所述支承基板上所設(shè)置的密封構(gòu)件；經(jīng)由所述密封構(gòu)件，貼合在所述支承基板上的密封基板，并且，在所述電氣裝置中，所述電路具備有著有機層的電子元件，在所述電氣配線與所述密封構(gòu)件交叉的交叉區(qū)域，所述電氣配線由透光性電氣配線構(gòu)成。本發(fā)明只要是具備有著有機層的電子元件、且組裝有用于使電子元件工作的電路的電氣裝置，則哪種裝置都能夠適用。作為具有有機層的電子元件的例子，可列舉有機電致發(fā)光元件、有機光電轉(zhuǎn)換元件和有機晶體管等。例如本發(fā)明的電氣裝置，能夠適用于:組裝有作為像素的光源或背光所使用的有機電致發(fā)光元件和電路的顯示裝置；作為太陽能電池、光傳感器所使用的有機光電轉(zhuǎn)換元件和嵌入電路的光電轉(zhuǎn)換裝置；以及為了驅(qū)動或控制上述有機電致發(fā)光元件、有機光電轉(zhuǎn)換元件和其他的電子元件所使用的有機晶體管被嵌入電路的電氣裝置。還有以下，以組裝有作為像素的光源使用的有機電致發(fā)光元件和電路的顯示裝置為例，對于本發(fā)明的電氣裝置進行說明。顯示裝置大體分為有源矩陣驅(qū)動型的裝置和無源矩陣驅(qū)動型的裝置。本發(fā)明可以適用于這兩種類型的顯示裝置，但在本實施方式中作為一例，對于有源矩陣驅(qū)動型的顯示裝置進行說明。<顯示裝置的構(gòu)成>參照圖1和圖2，首先對于顯示裝置11的構(gòu)成進行說明。圖1是模式化地表示顯示裝置的俯視圖。圖2是在圖1的切面線I1-1I的位置切斷的顯示裝置的概略的剖面圖。作為電氣裝置的顯示裝置11，具備如下:設(shè)定有密封區(qū)域的支承基板12 ;設(shè)于所述密封區(qū)域13內(nèi)的電路14 ;在所述支承基板12上，從所述密封區(qū)域13內(nèi)至密封區(qū)域13外延伸地設(shè)置，且將電信號輸入輸出源19和所述電路14進行電連接的電氣配線15 ;以包圍所述密封區(qū)域13的方式在所述支承基板12上所設(shè)置的密封構(gòu)件16 ;經(jīng)由所述密封構(gòu)件16，貼合在所述支承基板12上的密封基板17。在圖1中，包圍電路14、且由虛線表示的區(qū)域，相當(dāng)于密封構(gòu)件16 ;該密封構(gòu)件16所包圍的部分相當(dāng)于密封區(qū)域13。本實施方式的電路14，包含如下而構(gòu)成:作為像素的光源而使用的多個有機電致發(fā)光元件；個別驅(qū)動有機電致發(fā)光元件的像素電路。就像素電路而言，從支承基板12的厚度方向的一方看(以下，稱為“俯視”。)，在顯示圖像信息的區(qū)域(以下，稱為圖像顯示區(qū)域18。)被形成。像素電路由有機晶體管、無機晶體管、電容器等構(gòu)成。在形成于支承基板12上的像素電路上，形成有覆蓋該像素電路的平坦化膜。平坦化膜例如由有機的絕緣膜、無機的絕緣膜構(gòu)成。還有絕緣膜的一部分在加熱熔接劑而使之熔融時被加熱，因此絕緣膜優(yōu)選使用具有耐熱性的。因此，絕緣膜之中的、在使熔接劑加熱而得以熔融時被加熱的部位所設(shè)置的絕緣膜，從耐熱性的觀點出發(fā)，優(yōu)選由無機絕緣膜構(gòu)成。這樣的無機絕緣膜中，例如，能夠使用硅氧化膜、硅氮化膜和硅氧化氮化膜等的金屬氧化膜。無機絕緣膜的厚度通常為50nm 3000nm左右。該絕緣膜在形成電路的工序中能夠由等離子體CVD法、濺射法等的已知的成膜法形成。多個有機電致發(fā)光元件被設(shè)置在像素電路上。即有機電致發(fā)光元件，在圖像顯示區(qū)域18被設(shè)于上述平坦化膜上。有機電致發(fā)光元件，例如矩陣狀配置，在圖像顯示區(qū)域18中，分別沿著行方向X和列方向Y空出規(guī)定的間隔而配置。有機電致發(fā)光元件和像素電路，由在厚度方向上貫通平坦化膜的導(dǎo)體電連接。如上述，電路14被設(shè)置在支承基板12上所設(shè)定的密封區(qū)域13內(nèi)。換言之，就是密封區(qū)域13被設(shè)定在內(nèi)含設(shè)有電路14的圖像顯示區(qū)域18的區(qū)域。設(shè)有電路14的支承基板12，例如由玻璃板、金屬板、樹脂薄膜、它們的層疊體構(gòu)成。朝向支承基板12而使光出射的所謂底部發(fā)光型的有機電致發(fā)光元件被搭載于支承基板12時，支承基板12由示出光透過性的構(gòu)件構(gòu)成。在顯示裝置11中，設(shè)有用于將規(guī)定的電信號輸入電路14的多條電氣配線15。所謂規(guī)定的電信號，意思是用于使多個有機電致發(fā)光元件分別以規(guī)定的發(fā)光強度發(fā)光的電信號，例如，是用于在多個有機電致發(fā)光元件之中個別地選擇應(yīng)該要發(fā)光的有機電致發(fā)光元件的電信號，是用于指定有機電致發(fā)光元件的發(fā)光強度的電信號。顯示裝置11中設(shè)有多個有機電致發(fā)光元件，因此需要用于傳輸電信號的多條電氣配線。上述電信號從外部的電信號輸入輸出源19被輸入到電路14。在顯示裝置11中，電信號輸入輸出源19由所謂的驅(qū)動電路實現(xiàn)。多條電氣配線15是為了使電信號輸入輸出源19和電路14連接而設(shè)置的，因此在支承基板12上以從密封區(qū)域13內(nèi)延伸至密封區(qū)域13外的方式而設(shè)。還有，也有在此多條電氣配線15上設(shè)置絕緣膜的情況。如圖1所75,在本實施方式中，多條電氣配線15以朝向電信號輸入輸出源19收斂的方式,通過矩形的密封區(qū)域13的外緣的一邊，且從密封區(qū)域13內(nèi)延伸至密封區(qū)域13外。多條電氣配線15也可以將電路14作為中心、且從密封區(qū)域13內(nèi)至密封區(qū)域13外放射狀地延伸。還有電信號輸入輸出源19比密封區(qū)域13更靠外側(cè)設(shè)置，如本實施方式，電氣裝置(顯示裝置11)可以具備電信號輸入輸出源19作為驅(qū)動電路，另外電氣裝置也可以不具備電信號輸入輸出源19。就密封構(gòu)件16而言,在支承基板12上，以沿著密封區(qū)域13的外緣而包圍密封區(qū)域13的方式設(shè)置。換言之，密封區(qū)域13是被密封構(gòu)件16包圍的區(qū)域，其外緣由密封構(gòu)件16規(guī)定。如上述多條電氣配線15從密封區(qū)域13內(nèi)延伸至密封區(qū)域13外而設(shè)，因此，沿著密封區(qū)域的外緣而延伸的密封構(gòu)件16，以在俯視下與多條電氣配線15交叉的方式配置。參照圖3和圖4，對于顯示裝置的更具體的構(gòu)成進行說明。圖3是模式化地放大示出在俯視下密封構(gòu)件16和電氣配線15交叉的區(qū)域(區(qū)域A:參照圖1。)的圖。圖4是在圖3所示的切面線IV-1V的位置切斷的顯示裝置的模式化的剖面圖。在以下的說明中，在密封構(gòu)件16延伸的整個區(qū)域之中，將在俯視下電氣配線15和密封構(gòu)件16交叉而彼此重合的區(qū)域稱為交叉區(qū)域(LI)，將去除該交叉區(qū)域的其余的區(qū)域稱為非交叉區(qū)域。如圖3所不,多條電氣配線15在俯視彼此分離排列。密封構(gòu)件16設(shè)于多條電氣配線15上，以跨越多條電氣配線15的方式持續(xù)延伸。在電氣配線15和密封構(gòu)件16交叉的交叉區(qū)域，電氣配線15由透光性的電氣配線構(gòu)成。電氣配線15僅在交叉區(qū)域及其鄰域由透光性的電氣配線構(gòu)成，優(yōu)選在交叉區(qū)域及其鄰域以外的部位，由比透光性的電氣配線的電阻率小的電氣配線構(gòu)成。因為這能夠減小電氣配線整體的電阻。但是，電氣配線15其全體也可以由透光性的電氣配線構(gòu)成。還有，因為一般不透光性的電氣配線比透光性的電氣配線的電阻率小,所以在電氣配線15之中的交叉區(qū)域及其鄰域以外的部位，作為比透光性的電氣配線的電阻率小的電氣配線，能夠使用不透光性的電氣配線。如圖4所示，本實施方式的電氣配線15，由像素側(cè)配線部15a、交叉配線部15b、端子側(cè)配線部15c構(gòu)成。像素側(cè)配線部15a是在密封區(qū)域13內(nèi)、即像素電路側(cè)所配置的電氣配線，其一端與電路14連接。交叉配線部15b是在交叉區(qū)域及其鄰域所配置的電氣配線。端子側(cè)配線部15c是在密封區(qū)域13外所配置的電氣配線，其一端連接于電信號輸入輸出源19的端子。交叉配線部15b中，其一端與像素側(cè)配線部15a的另一端物理性地接觸連接；交叉配線部15b的另一端，與端子側(cè)配線部15c的另一端物理性地連接。如此，像素側(cè)配線部15a、交叉配線部15b、端子側(cè)配線部15c被電連接。還有在圖4所示的構(gòu)成中，交叉配線部15b，其兩端部以分別爬到像素側(cè)配線部15a上和端子側(cè)配線部15c上的方式連接。但是，交叉配線部15b、與像素側(cè)配線部15a和端子側(cè)配線部15c，也可以由如下方式構(gòu)成:像素側(cè)配線部15a和端子側(cè)配線部15c之中的一方爬到交叉配線部15b的兩端部上，并且交叉配線部15b爬到像素側(cè)配線部15a和端子側(cè)配線部15c之中的另一方上；或者像素側(cè)配線部15a和端子側(cè)配線部15c的兩方爬到交叉配線部15b上。在本實施方式中，交叉配線部15b由透光性的電氣配線構(gòu)成，像素側(cè)配線部15a和端子側(cè)配線部15c分別是比交叉配線部15b的電阻率小的電氣配線，由不透光性的電氣配線構(gòu)成。交叉配線部15b的延伸方向的長度L2,從電阻的觀點出發(fā)優(yōu)選短的一方。在此,交叉配線部15b的延伸方向的長度L2，意思是像素側(cè)配線部15a的一端、與端子側(cè)配線部15c的一端之間的交叉配線部15b的長度。如后述，交叉配線部15b上的密封構(gòu)件16上被照射電磁束。因此交叉配線部15b的延伸方向的長度L2，優(yōu)選比照射到密封構(gòu)件16上的電磁束的點徑大的一方。因為這能夠防止電磁束照射到不透光性的電氣配線上。在本說明書中，所謂電磁束的點徑，意思是用與在照射方向上延伸的光軸正交的平面切斷電磁束時，相對于光軸上的強度，在所述平面上能夠使強度為“Ι/e2”的位置加以連結(jié)而成的近圓形的閉合曲線的直徑。符號“e”是納皮爾常數(shù)。還有近圓形的閉合曲線雖然不一定是正圓，但在要求得近圓形的閉合曲線的直徑時，使近圓形的閉合曲線近似于圓而計算其直徑即可。交叉配線部15b的延伸方向的長度L2，優(yōu)選是密封構(gòu)件16的寬度LI的3倍左右。在此所謂密封構(gòu)件16的寬度LI，意思是在與支承基板12的厚度方向和密封構(gòu)件16的延伸方向正交的寬度方向上的密封構(gòu)件16的長度。電氣配線15之中的、透光性的電氣配線，由金屬薄膜、透明導(dǎo)電性氧化物等的薄膜構(gòu)成。具體來說，由 Au、Ag、Al、Cu、Cr、W、Mo、Mg、Ta、T1、氧化銦錫(Indium Tin Oxide:ΙΤ0)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide:IZ0)等的薄膜或其層疊膜構(gòu)成。還有使用金屬薄膜時，通過使厚度極薄，便能夠作為透光性電極使用。但是，若金屬薄膜的厚度過薄，則電阻變高，因此在透光性的電氣配線中，優(yōu)選適用ITO，IZO等的透明導(dǎo)電性氧化物的薄膜。透光性的電氣配線的厚度優(yōu)選為50nm以上、低于300nm。另外，優(yōu)選透光性的電氣配線的電阻率低于300 μ Ω cm。還有透光性的電氣配線的電阻率的下限值沒有特別限定。透光性的電氣配線的電阻率通常為80 μ Qcm以上。透光性的電氣配線，能夠透過照射到封接材料16上的電磁束即可。透光性的電氣配線，優(yōu)選例如電磁束的總光線透射率為70%以上的，更優(yōu)選為80%以上。另外透光性的電氣配線，優(yōu)選例如可視光透射率為80%以上的，更優(yōu)選為90%以上。電氣配線之中的像素部配線15a和端子部配線15c的示出不透光性的電氣配線，例如由金屬薄膜構(gòu)成。具體來說由Au、Ag、Al、Cu、Cr、W、Mg、Ta、T1、和Mo等的薄膜或其層疊膜構(gòu)成。示出不透光性的電氣配線，通過使厚度加厚便能夠降低電阻，因此其厚度通常為300A 10000 A，優(yōu)選為1000 A 5000 A。如圖3和圖4所示，在密封構(gòu)件16與電氣配線15重疊的部位，電氣配線15由透光性的電氣配線構(gòu)成，因此照射到密封構(gòu)件16的電磁束透過電氣配線15。由此，能夠避免電氣配線15吸收電磁束的能量、及因電磁束的照射造成的電氣配線的溫度上升，作為其結(jié)果是，能夠減小電氣配線 15的存在對密封構(gòu)件16的溫度上升造成的影響。因此，即使俯視下在電氣配線15上設(shè)有密封構(gòu)件16，也能夠使交叉區(qū)域的密封構(gòu)件16和非交叉區(qū)域的密封構(gòu)件16以相同方式加熱，能夠抑制加熱溫度的偏差，使密接性、氣密性均勻，進而能夠使密封的可靠性提高。就密封構(gòu)件16的寬度和厚度而言，考慮所需要的氣密度、封接材料的特性等而進行設(shè)定。密封構(gòu)件16的寬度LI，通常為500μπι 2000μπι左右，密封構(gòu)件16的厚度通常^j5ym~50ym 。就密封基板17而言，經(jīng)由密封構(gòu)件16被貼合在支承基板12上。密封基板17由玻璃板、金屬板、樹脂薄膜和其層疊體構(gòu)成。還有，有機電致發(fā)光元件是朝向密封基板17而使光出射的所謂頂部發(fā)光型的元件時，密封基板17由示出透光性的構(gòu)件構(gòu)成。<顯示裝置的制造方法>接下來，對于作為電氣裝置的顯示裝置的制造方法進行說明。本發(fā)明的電氣裝置的制造方法，包括如下工序:準(zhǔn)備支承基板的工序，該支承基板設(shè)定有密封區(qū)域、且設(shè)置有電路及將所述電信號輸入輸出源與所述電路進行電連接的電氣配線，并且所述電路設(shè)于該密封區(qū)域內(nèi)；沿著所述密封區(qū)域的外緣進行封接材料供給的工序；經(jīng)由封接材料而將所述密封基板和所述支承基板貼合的工序；對封接材料照射電磁束，而使所述封接材料加熱熔融的工序；使所述封接材料冷卻、且硬化而使所述密封構(gòu)件構(gòu)成的工序。(準(zhǔn)備支承基板的工序)在本工序中，首先準(zhǔn)備設(shè)有電路14和電氣配線15的支承基板12。在本實施方式中，例如，準(zhǔn)備在其上形成有由驅(qū)動有機電致發(fā)光元件的電路和多個有機電致發(fā)光元件構(gòu)成的電路14、以及電氣配線15的支承基板12。還有在本工序中，也可以從市場購買預(yù)設(shè)有電路14和電氣配線15的基板作為支承基板12。另外，準(zhǔn)備支承基板12時，也可以首先準(zhǔn)備基板，在基板上形成驅(qū)動有機電致發(fā)光元件的電路和電氣配線15，再在電氣配線15上形成多個有機電致發(fā)光元件，由此成為設(shè)有電路14和電氣配線15的支承基板12。已經(jīng)說明的像素電路和電氣配線15能夠采用從所周知的半導(dǎo)體元件的制造技術(shù)來形成。還有電氣配線15能夠通過如下方式形成，例如首先形成像素側(cè)配線部15a和端子側(cè)配線部15c，其后再形成交叉配線部15b ;或者首先形成交叉配線部15b，其后再形成像素側(cè)配線部15a和端子側(cè)配線部15c。電氣配線15，例如能夠通過涂布法、蒸鍍法，濺射法等形成。另外，電氣配線15能夠通過光刻法進行圖案形成。 有機電致發(fā)光兀件,包含一對電極和在一對電極間所設(shè)置的發(fā)光層而構(gòu)成。還有，在有機電致發(fā)光元件中，除了電極和發(fā)光層以外，還根據(jù)需要而設(shè)有規(guī)定的層。作為這樣的規(guī)定的層，例如可列舉空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、電子注入層，電子傳輸層和空穴阻擋層等。就有機電致發(fā)光元件而言，通過將這些構(gòu)成有機電致發(fā)光元件的多個層依次層疊而能夠被形成于像素電路上。在有機電致發(fā)光元件中，有低分子型的有機電致發(fā)光元件、高分子型的有機電致發(fā)光元件，但本發(fā)明中無論何類型的有機電致發(fā)光元件都能夠適用。有機電致發(fā)光元件的各層，能夠使用蒸鍍法、濺射法等的干式法，或噴墨法、噴嘴印刷法、旋涂法等的濕式法等的規(guī)定的方法依次層疊。(封接材料供給工序)在本工序中，沿著密封區(qū)域13的外緣供給封接材料。封接材料供給到支承基板12和密封基板17之中的至少任意一方即可。在本實施方式中，在密封基板17上供給封接材料。作為封接材料，在本實施方式中使用膏狀的熔接劑。膏狀的熔接劑含有熔接玻璃粉和載劑(vehicle)而構(gòu)成。載劑由粘合劑及分散有該粘合劑和熔接玻璃粉的溶劑構(gòu)成。在熔接玻璃粉中，能夠使用以V205、W、SnO、SnO2, P2O5, Bi203、B2O3> ZnO 和 SiO2 等為含有成分的低熔點玻璃粉末。作為熔接玻璃粉，例如能夠使用旭硝子株式會社社制的BASl 15、BNLl 15BB-N、FP-74(商品名)等。作為粘合劑，能夠使用硝化纖維(nitro cellulose)、丙烯酸甲酯(methylacrylate)、丙烯酸乙酯(ethyl acrylate),丙烯酸丁酯(butyl acrylate)、乙基纖維素(ethyl cellulose)、輕基丙基纖維素(hydroxypropyl cellulose)、丁基纖維素(butylcellulose)等。作為溶劑、能夠使用二甘醇卡必醇醋酸酯(butyl carbitol acetate)、丙二醇二乙酯(propylene glycol diacetate)、甲基乙基酮(methyl ethyl ketone)、乙基卡必醇醋酸酯(ethyl carbitol acetate)、酢酸戍酉旨(Amyl acetate)等。
就封接材料而言，例如通過規(guī)定的涂布法，被供給到支承基板12和密封基板17之中的至少一方。封接材料例如通過絲網(wǎng)印刷法、透印版印刷法、噴墨印刷法和噴嘴印刷法等的印刷法，以及使用了點膠機的涂布法等來供給。其中優(yōu)選絲網(wǎng)印刷法。因為其容易控制被涂布面上的封接材料的厚度的均勻性、涂布狀態(tài)的再現(xiàn)性等，并且可以在短時間完成涂布。接著，在本實施方式中進行預(yù)燒成。通過進行預(yù)燒成，能夠去除封接材料之中不需要的成分。即，通過進行預(yù)燒成，溶劑氣化，并且粘合劑燃燒，載劑被從熔接劑中去除。其結(jié)果是，在密封基板17上殘留下熔接玻璃粉。預(yù)燒成以能夠去除載劑的溫度進行，例如以300°C 500°C進行。還有，除了封接材料以外，在密封基板17上還設(shè)有通過加熱而發(fā)生化學(xué)變化這樣的構(gòu)件時，在預(yù)燒成中，優(yōu)選只選擇性地加熱封接材料及其鄰域。例如在密封基板17上還構(gòu)成電路14的一部分時，優(yōu)選以不加熱在密封基板17上所形成的電路14的方式進行預(yù)燒成。另外在本實施方式中，雖然向密封基板17上供給封接材料，但假如在支承基板12上供給封接材料、再對封接材料進行預(yù)燒成，則為了防止有機電致發(fā)光元件和像素電路由于預(yù)燒成而劣化，優(yōu)選僅加熱封接材料及其周邊區(qū)域。0060(貼合密封基板和支承基板的工序)接著將密封基板17貼合在支承基板12上。在本實施方式中，使用光固化性樹脂進行暫封。就暫封而言，例如首先在所供給的封接材料的外側(cè)的區(qū)域，沿著封接材料而供給光固化性樹脂；其次，在真空中或惰性氣體氣氛中貼合密封基板17和支承基板12。密封基板17和支承基板12的貼合能夠以對準(zhǔn)標(biāo)記作為基準(zhǔn)進行。例如在密封基板17和支承基板12上分別預(yù)設(shè)對準(zhǔn)標(biāo)記，由光學(xué)傳感器識別該對準(zhǔn)標(biāo)記的位置，再基于識別的位置信息，進行密封基板17和支承基板12的位置校正,其后,貼合密封基板17和支承基板12即可。貼合密封基板17和支承基板12之后，對光固化性樹脂進行光照射，使光固化性樹脂固化。由此密封區(qū)域13被暫封。作為光固化性樹脂，例如能夠使用紫外線固化型環(huán)氧樹月旨、紫外線固化型丙烯酸樹脂。圖1 圖4雖然沒有示出光固化性樹脂，但進行暫封時，光固化性樹脂沿著密封構(gòu)件16延伸，因此實際上，例如圖1中表示密封構(gòu)件16的線和表示光固化性樹脂的線這兩條線，會沿著密封區(qū)域13的外緣延伸。還有光固化性樹脂和密封構(gòu)件16靠近配置時，在封接材料由激光(電磁束)加熱而使之熔融之際，光固化性樹脂燃燒之虞存在，因此優(yōu)選使光固化性樹脂和密封構(gòu)件16分開例如0.5mm以上而配置。另外作為其他的實施方式，在熔封工序后，雖然有暫封所需要的部位，但也可以將在電氣裝置的構(gòu)成中不需要的部位從電氣裝置上切割下來。例如，也可以在暫封所使用的光固化性樹脂和密封構(gòu)件16之間進行切斷，將比密封構(gòu)件16更靠外側(cè)的配置有光固化性樹脂的部分作為不需要的部分而從電氣裝置上切割下來。這種情況下，在暫封時，光固化性樹脂從密封構(gòu)件16分隔開規(guī)定的距離，以包圍密封構(gòu)件16的方式配置即可。在真空中進行暫封時，真空度優(yōu)選為IPa 90kPa。另外在惰性氣體氣氛中進行暫封時，優(yōu)選在露點為_70°C以下的惰性氣體氣氛中進行暫封。還有，作為惰性氣體，能夠使用氬氣、氮氣。另外照射到光固化性樹脂上的光能夠使用紫外線。如此通過在真空中或惰性氣體氣氛中進行暫封，比起在大氣中進行暫封，能夠使密封區(qū)域中的水分濃度和氧濃度降低。還有，雖然在暫封中氣密度未必高，但通過在暫封的狀態(tài)下進行后述的熔封，能夠提高密封區(qū)域的氣密度，由此，能夠?qū)⒚芊鈪^(qū)域內(nèi)的水分濃度和氧濃度保持在比大氣有所降低的狀態(tài)。(使封接材料加熱且熔融的工序)在本實施方式中，暫封后，在大氣中加熱封接材料而使之熔融。封接材料的加熱和熔融，通過對封接材料照射電磁束來進行。就電磁束的照射而言,在本實施方式中，從支承基板12和密封基板17之中的密封基板17側(cè)進行。例如將出射電磁束的頭(以下，稱為電磁束照射頭。)配置在密封基板17上，朝向密封基板17照射電磁束。從電磁束照射頭出射的電磁束，透過密封基板17，照射至封接材料上。電磁束適合使用能量密度高的光，適合使用激光。另外作為電磁束，優(yōu)選使用的是封接材料可高效率吸收光能的波長的光，并且使用以高透射率透過密封基板17的波長的光。換言之，密封基板17適合使用電磁束容易透過的構(gòu)件，封接材料適合使用容易吸收電磁束的材料。電磁束所使用的光的峰值波長通常為190nm 1200nm,優(yōu)選為300nm llOOnm。作為輻射電磁束的激光裝置，例如能夠使用YAG激光裝置、半導(dǎo)體激光裝置、氬離子激光裝置和受激準(zhǔn)分子激光裝置等。就電磁束的照射而言，例如能夠使用可以三維移動(掃描)電磁束照射頭的控制裝置進行。例如在與封接材料之間空出規(guī)定的間隔而配置電磁束照射頭，一邊對封接材料照射電磁束，一邊沿著封接材料使電磁束照射頭掃描即可。還有，電磁束的照射也可以在使電磁束的強度隨時間變動下進行，但優(yōu)選在不使電磁束的強度發(fā)生變動下在遍及配置有封接材料的整個區(qū)域以相同強度照射電磁束。因為這使裝置的設(shè)定簡便。另外，改變電磁束的強度時，還需要降低電磁束照射頭的掃描的速度，但在一邊保持強度固定、一邊使電磁束照射頭掃描時，則不需要降低掃描的速度，因此能夠縮短沿著封接材料使電磁束照射頭轉(zhuǎn)一圈時所需的時間。還有，就電磁束的照射而言，相對于所貼合的密封基板17和支承基板12，使電磁束照射頭相對地掃描即可，并不限于電磁束照射頭，例如也可以通過使所貼合的密封基板17和支承基板12移動來進行，另外，也可以通過使所貼合的密封基板17和支承基板12、與電磁束照射頭這兩方移動來進行。所貼合的密封基板17和支承基板12的移動，能夠通過在設(shè)有移動機構(gòu)的載物臺上，載置所貼合的密封基板17和支承基板12，通過使該載物臺移動來進行。電磁束的點徑優(yōu)選進行適宜調(diào)整。點徑的大小，能夠利用聚光透鏡等光學(xué)元件來進行調(diào)整。(構(gòu)成密封構(gòu)件的工序)接下來，使熔融的封接材料冷卻，且使之硬化而形成密封構(gòu)件16。還有，所熔融的封接材料，可以通過降低顯示裝置的周圍的溫度而加以冷卻，另外也可以通過自然冷卻而降低其溫度。例如，通過停止電磁束的照射，封接材料的溫度自然地降低，因此熔融的封接材料自然硬化。如此密封構(gòu)件16形成，密封區(qū)域13被氣密地密封。如以上說明的，在俯視下電氣配線15和密封構(gòu)件16交叉的交叉區(qū)域，電氣配線15由透光性電氣配線構(gòu)成，因此照射到密封構(gòu)件16的電磁束透過電氣配線15。因此，能夠抑制電氣配線15吸收電磁束的能量，以及能夠抑制因電磁束的照射造成的電氣配線15的溫度上升。作為結(jié)果是，能夠減小由電氣配線15的存在對密封構(gòu)件16的溫度上升造成的影響。因此，即使俯視下在電氣配線15上設(shè)有密封構(gòu)件16，也能夠使交叉區(qū)域的密封構(gòu)件16和非交叉區(qū)域的密封構(gòu)件16以相同方式加熱，能夠抑制加熱溫度的偏差。由此能夠均勻地加熱熔融封接材料，作為結(jié)果是能夠使密封構(gòu)件16自身的性狀、密封基板17或支承基板12與密封構(gòu)件16的密接性等均勻，能夠使密封的可靠性提高。另外，電氣配線15的外形能夠與現(xiàn)有的電氣裝置相同，因此通過蒸鍍法形成電氣配線15時使用的掩模的設(shè)計，能夠有效利用現(xiàn)有的技術(shù)的掩模的設(shè)計。在上述的實施方式中，對于電路14設(shè)置在支承基板12的形態(tài)的顯示裝置進行了說明。但是，也可以在密封基板17側(cè)設(shè)置電路14。例如也可以將像素電路設(shè)于支承基板12，將有機電致發(fā)光元件設(shè)于密封基板17。還有，設(shè)于支承基板12的像素電路、和設(shè)于密封基板17的有機電致發(fā)光元件，由規(guī)定的導(dǎo)電性構(gòu)件進行電連接即可。另外在上述的實施方式中，對于有源矩陣驅(qū)動型的顯示裝置進行了說明，但本發(fā)明也能夠適用于無源矩陣驅(qū)動型的顯示裝置。另外在上述的實施方式中，以作為具有有機層的電子元件設(shè)有有機電致發(fā)光元件的顯示裝置為例進行了說明，但作為具有有機層的電子元件的例子，還可列舉有機晶體管。因此本發(fā)明也能夠適用于在構(gòu)成像素電路的一部分的晶體管使用了有機晶體管的顯示裝置。符號說明11 顯示裝置12 支承基板13 密封區(qū)域14 電路15 電氣配線16 密封構(gòu)件17 密封基板18 圖像顯示區(qū)域19 電信號輸入輸出源51 支承基板52 密封構(gòu)件53 密封基板54 電子元件55 電氣配線
權(quán)利要求
1.一種電氣裝置，其具有: 設(shè)定有密封區(qū)域的支承基板； 設(shè)于所述密封區(qū)域內(nèi)的電路； 在所述支承基板上，從所述密封區(qū)域內(nèi)至密封區(qū)域外延伸地設(shè)置，且將電信號輸入輸出源和所述電路進行電連接的電氣配線； 以包圍所述密封區(qū)域的方式在所述支承基板上所設(shè)置的密封構(gòu)件； 經(jīng)由所述密封構(gòu)件，貼合在所述支承基板上的密封基板， 其中， 所述電路具備有著有機層的電子元件， 在所述電氣配線和所述密封構(gòu)件交叉的交叉區(qū)域，所述電氣配線由透光性的電氣配線構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電氣裝置，其中， 所述透光性的電氣配線的厚度為50nm以上且低于300nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電氣裝置，其中， 所述透光性的電氣配線的電阻率低于300 μ Qcrn。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電氣裝置，其中， 電子元件是有機電致發(fā)光元件、有機光電轉(zhuǎn)換元件或有機晶體管。
5.一種電氣裝置的制造方法，該電氣裝置是權(quán)利要求1所述的電氣裝置，其中， 所述電氣裝置的制造方法包括: 準(zhǔn)備支承基板的工序，該支承基板設(shè)定有密封區(qū)域、且設(shè)置有電路及將電信號輸入輸出源與所述電路進行電連接的電氣配線，并且所述電路設(shè)于所述密封區(qū)域內(nèi)； 沿著所述密封區(qū)域的外緣進行封接材料供給的工序； 經(jīng)由所述封接材料，將所述密封基板和所述支承基板貼合的工序； 對所述封接材料照射電磁束，而使所述封接材料加熱且熔融的工序； 使所述封接材料冷卻、且硬化而使密封構(gòu)件構(gòu)成的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電氣裝置的制造方法，其中， 在使所述封接材料加熱且熔融的工序中，遍及配置有所述封接材料的整個區(qū)域，以相同的強度照射所述電磁束。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠使封接材料均勻加熱熔融的構(gòu)成的電氣裝置。該電氣裝置具有如下設(shè)定有密封區(qū)域的支承基板(12)；設(shè)于所述密封區(qū)域內(nèi)的電路(14)；在所述支承基板上，從所述密封區(qū)域內(nèi)至密封區(qū)域外延伸地設(shè)置，且將電信號輸入輸出源和所述電路進行電連接的電氣配線(15)；以包圍所述密封區(qū)域的方式在所述支承基板上所設(shè)置的密封構(gòu)件(16)；經(jīng)由所述密封構(gòu)件，貼合在所述支承基板上的密封基板(17)，并且，該電氣裝置中，所述電路具備有著有機層的電子元件，在所述電氣配線和所述密封構(gòu)件交叉的交叉區(qū)域，所述電氣配線由透光性的電氣配線構(gòu)成。
文檔編號H01L27/32GK103222338SQ20118005625
公開日2013年7月24日 申請日期2011年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月3日
發(fā)明者西岡幸也 申請人:住友化學(xué)株式會社