專利名稱：堇青石質(zhì)陶瓷及使用其的半導體制造裝置用部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及堇青石質(zhì)陶瓷及使用其的半導體制造裝置用部件。
背景技術(shù)：
堇青石質(zhì)陶瓷由于熱膨脹系數(shù)小而被用于過濾器、蜂窩狀物(honeycomb)、耐火物等中。并且，近年來，提出了將其用于真空裝置結(jié)構(gòu)體、基座(susceptor)、臺架(stage)或者半導體制造工藝中的夾具等半導體制造裝置用部件的方案，作為這樣的堇青石質(zhì)陶瓷，提出了如下的堇青石質(zhì)陶瓷:以80 92重量％的比例含有堇青石、以2 20重量％的比例含有稀土元素(RE)的氧化物，并且，上述堇青石的晶體粒子由高溫型堇青石和低溫型堇青石的混合組織構(gòu)成，低溫型堇青石在堇青石晶體粒子中所占的面積比例為5%以上、且楊氏模量為120GPa以上(參考專利文獻I)。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1:日本特開2001-39764號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題在LSI等半導體的制造工序中，隨著電路微細化的迅速發(fā)展，其線寬高精密化至亞微米級的水平，例如，對于在Si晶片上形成高精密電路的曝光裝置所使用的臺架，要求IOOnm(0.1ym)以下的定位精 度，由部件具有的熱膨脹系數(shù)引起的對位誤差會對產(chǎn)品的品質(zhì)、成品率產(chǎn)生很大的影響。因此，為了提高曝光裝置中使用的臺架的定位精度而提高品質(zhì)、成品率，要求構(gòu)成上述臺架的陶瓷顯示出ppm級 ppb級的熱膨脹系數(shù)。進而，真空裝置結(jié)構(gòu)體、基座、臺架或者半導體制造工藝中的夾具等半導體制造裝置用部件隨著半導體晶片的尺寸增大而不斷大型化，需要應(yīng)對自重、懸臂支撐結(jié)構(gòu)等，因而，要求在低熱膨脹化的同時提高機械強度(四點彎曲強度)。本發(fā)明是為了應(yīng)對上述要求而完成的發(fā)明，其目的在于，提供熱膨脹系數(shù)小、機械強度優(yōu)異的堇青石質(zhì)陶瓷及使用其的半導體制造裝置用部件。用于解決問題的手段本發(fā)明的堇青石質(zhì)陶瓷的特征在于，相對于具有以氧化物換算量計含有Mgl2.6質(zhì)量％以上且14.0質(zhì)量％以下、以氧化物換算量計含有A133.4質(zhì)量％以上且34.4質(zhì)量％以下、及以氧化物換算量計含有Si52.0質(zhì)量％以上且53.6質(zhì)量％以下的組成范圍的主成分100質(zhì)量％，含有換算成氧化物時為4.5質(zhì)量％以上且15.0質(zhì)量％以下的Y、Yb、Er及Ce中的任一種作為副成分，并且堇青石、二硅酸鹽及尖晶石作為晶相存在。另外，本發(fā)明的半導體制造裝置用部件的特征在于，使用了上述構(gòu)成的本發(fā)明的堇青石質(zhì)陶瓷。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的堇青石質(zhì)陶瓷，通過相對于具有以氧化物換算量計含有Mgl2.6質(zhì)量％以上且14.0質(zhì)量％以下、以氧化物換算量計含有A133.4質(zhì)量％以上且34.4質(zhì)量％以下、及以氧化物換算量計含有Si52.0質(zhì)量％以上且53.6質(zhì)量％以下的組成范圍的主成分100質(zhì)量％，含有換算成氧化物時為4.5質(zhì)量％以上且15.0質(zhì)量％以下的Y、Yb、Er及Ce中的任一種作為副成分，并且堇青石、二硅酸鹽及尖晶石作為晶相存在，從而能將顯示負側(cè)的熱膨脹系數(shù)的堇青石、與顯示正側(cè)的熱膨脹系數(shù)的二硅酸鹽及尖晶石的晶相的存在比率最優(yōu)化，能使得到的堇青石質(zhì)陶瓷的熱膨脹系數(shù)在±120ppb/°C的范圍內(nèi)。另外，通過存在作為晶相的尖晶石，從而抑制堇青石的晶相的晶粒生長，能夠?qū)⑤狼嗍|(zhì)陶瓷制成由微細晶體構(gòu)成的高致密體，因而，能夠提高機械特性。另外，根據(jù)本發(fā)明的半導體制造裝置用部件，通過使用本發(fā)明的堇青石質(zhì)陶瓷，從而能實現(xiàn)100nm(0.1um)以下的定位精度，在Si晶片的聞精密電路的形成中，能提聞品質(zhì)及成品率。
具體實施例方式以下，對本實施方式的堇青石質(zhì)陶瓷的一例進行說明。本實施方式的堇青石質(zhì)陶瓷中，相對于具有以氧化物換算量計含有Mgl2.6質(zhì)量％以上且14.0質(zhì)量％以下、以氧化物換算量計含有A133.4質(zhì)量％以上且34.4質(zhì)量％以下、及以氧化物換算量計含有Si52.0質(zhì)量％以上且53.6質(zhì)量％以下的組成范圍的主成分100質(zhì)量％，含有換算成氧化物時為4.5質(zhì)量％以上且15.0質(zhì)量％以下的Y、Yb、Er及Ce中的任一種作為副成分。并且，本實施方式的堇青石質(zhì)陶瓷中，作為晶相，存在:由Mg0、Al203和5叫這3種成分形成的堇青石(Mg2Al4Si5O18);由Y、Yb、Er及Ce中的任一種的氧化物和SiO2形成的二硅酸鹽(例如Yb2Si2O7);和由MgO和Al2O3形成的尖晶石(MgAl2O4)。這里，本實施方式的堇青石質(zhì)陶瓷通過滿足上述組成范圍并存在作為晶相的堇青石、二硅酸鹽及尖晶石，從而能夠?qū)@示負側(cè)的熱膨脹系數(shù)的堇青石、與顯示正側(cè)的熱膨脹系數(shù)的二硅酸鹽及尖晶石的晶相的存在比率最優(yōu)化，能使得到的堇青石質(zhì)陶瓷的熱膨脹系數(shù)接近O(Zero)。具體而言，通過滿足上述組成范圍并存在作為晶相的堇青石、二硅酸鹽及尖晶石，從而能夠使室溫(20 25°C )下的堇青石質(zhì)陶瓷的熱膨脹系數(shù)在±120ppb/°C的范圍內(nèi)。需要說明的是，在顯示正側(cè)的熱膨脹系數(shù)的二硅酸鹽及尖晶石中，二硅酸鹽比尖晶石在正側(cè)顯示出更大的熱膨脹系數(shù)的值。
另外，使副成分相對于主成分100質(zhì)量％的含量在Y、Yb、Er及Ce中的任一種換算成氧化物時為4.5質(zhì)量％以上且15.0質(zhì)量％以下的原因在于，副成分的含量小于4.5質(zhì)量％時，二硅酸鹽的存在比率變少，室溫(20 25°C)下的堇青石質(zhì)陶瓷的熱膨脹系數(shù)小于-120ppb/°C。另外，其原因還在于，副成分的含量超過15.0質(zhì)量％時，二硅酸鹽的存在比率變多，室溫(20 25°C )下的堇青石質(zhì)陶瓷的熱膨脹系數(shù)超過+120ppb/°C。另外，通過存在作為晶相的尖晶石，從而抑制堇青石的晶相的晶粒生長，能夠?qū)⑤狼嗍|(zhì)陶瓷制成由微細晶體構(gòu)成的高致密體，因此，能夠提高機械特性。具體而言，能使四點彎曲強度為170MPa以上。若具有170MPa以上的強度，則在伴隨半導體晶圓的尺寸增大的部件的大型化中成為問題的、因自重引起的破損、在懸臂支撐結(jié)構(gòu)中施加載荷時的破損等的風險少，因此，能夠適合用于真空裝置結(jié)構(gòu)體、基座、臺架、半導體制造工藝中的夾具等半導體制造裝置用部件中。需要說明的是，關(guān)于上述四點彎曲強度，基于Jis R1601-2008來測定即可。另外，自不必說，尖晶石適宜分散存在于堇青石的晶相間。需要說明的是，關(guān)于構(gòu)成本實施方式的堇青石質(zhì)陶瓷的各成分的換算成氧化物時的含量，可以如下求出:將堇青石質(zhì)陶瓷的一部分粉碎，將所得粉體溶解于鹽酸等溶液中，然后，使用ICP (電感稱合等離子體,Inductively Coupled Plasma)發(fā)射光譜分析裝置(島津制作所制造:ICPS-8100)進行測定，使用所得各金屬元素的含量的值，分別換算成氧化物。另外，關(guān)于堇青石、二硅酸鹽、尖晶石的各晶相的確認，例如，可以如下確認:使用X射線衍射裝置(PANalytical公司制造-X PertPRO)，在2 Θ = 8。 80°、CuK α:測定的條件下測定堇青石質(zhì)陶瓷的表面，將所得X射線衍射圖和JCPDS卡對照，進行晶相的鑒定。另外，關(guān)于熱膨脹系數(shù)的測定，可以如下測定:準備長度10 20mm、邊長或直徑為5mm左右的棱柱或圓柱試樣，依據(jù)JIS R1618-2002，使用例如激光熱膨脹計LIX-1 (真空理工(株)制造)作為測定裝置，以等速升溫測定的模式在升溫速度:1°C /min的條件下測定所需溫度范圍的熱膨脹系數(shù)。并且，本實施方式的堇青石質(zhì)陶瓷中，將二硅酸鹽的含量設(shè)為A、將尖晶石的含量設(shè)為B時，A和B的比率A/B優(yōu)選為0.5以上且24.0以下。如上所述，二硅酸鹽和尖晶石的含量的比率A/B為0.5以上且24.0以下時，能夠?qū)@示負側(cè)的熱膨脹系數(shù)的堇青石、與顯示正側(cè)的熱膨脹系數(shù)的二硅酸鹽及尖晶石的晶相的存在比率進一步最優(yōu)化，因此，能使室溫(20 25°C)下的堇青石質(zhì)陶瓷的熱膨脹系數(shù)在±100ppb/°C的范圍內(nèi) 。需要說明的是，關(guān)于二硅酸鹽及尖晶石的含量，例如，使用X射線衍射裝置(PANalytical公司制造:X’PertPRO)，在2 Θ =8。 80。、CuK a i測定的條件下實施X射線衍射測定，使用Rietveld解析程序RIETAN，對X射線衍射測定結(jié)果進行解析，由此從堇青石、二硅酸鹽及尖晶石的各晶相的比例算出即可。關(guān)于二硅酸鹽和尖晶石的含量的比率A/B，由算出的各自的含量算出即可。另外，作為構(gòu)成將二硅酸鹽的含量設(shè)為A、將尖晶石的含量設(shè)為B時A和B的比率A/B為0.5以上且24.0以下的堇青石質(zhì)陶瓷的晶相的具體的含量，二硅酸鹽為2.6 12.7質(zhì)量％左右，尖晶石為0.53 5.1質(zhì)量％左右，余量為堇青石。進而，優(yōu)選使二硅酸鹽的含量為4.5質(zhì)量％以上且7.0質(zhì)量％以下、尖晶石的含量為1.4質(zhì)量％以上且3.3質(zhì)量％以下。由此，能使室溫(20 25°C )下的堇青石質(zhì)陶瓷的熱膨脹系數(shù)的絕對值更小。另外，二硅酸鹽的含量為4.9質(zhì)量％以上且5.6質(zhì)量％以下、尖晶石的含量為2.2質(zhì)量％以上且2.8質(zhì)量％以下時，能使室溫(20 25°C )下的堇青石質(zhì)陶瓷的熱膨脹系數(shù)的絕對值較小并接近零。另外，本實施方式的堇青石質(zhì)陶瓷優(yōu)選還含有顏料成分。像這樣含有顏料成分時，通過與其它色調(diào)的陶瓷組合，能帶來如謀求色彩的調(diào)和或顯眼等視覺效果。另外，在將堇青石質(zhì)陶瓷作為例如會受到光的散射影響的分析用鏡筒等光學系支撐部件使用時，如果使用形成灰色系等色調(diào)的顏料成分制作堇青石質(zhì)陶瓷，則由于堇青石質(zhì)陶瓷呈現(xiàn)灰色系色調(diào)而能夠使光的散射受到抑制而使分析精度的降低較少。
另外，在半導體制造裝置內(nèi)的加工產(chǎn)品狀態(tài)的確認中，在半導體制造裝置用部件的作用下光發(fā)生散射時，會給以小型照相機等光學設(shè)備進行的確認帶來障礙，因此，作為需要抑制光的散射的部件使用時，優(yōu)選形成呈灰色系色調(diào)的堇青石質(zhì)陶瓷。這里，為了形成呈現(xiàn)能抑制光的散射的灰色系色調(diào)的堇青石質(zhì)陶瓷，優(yōu)選的是，含有Mn、Cr及Co作為顏料成分且Mn、Cr及Co分別換算成MnO2Xr2O3及CoO后的總含量相對于主成分100質(zhì)量％為0.05質(zhì)量％以上且3質(zhì)量％以下。如上所述，在含有Mn、Cr及Co作為顏料成分并且Mn、Cr及Co分別換算成Μη02、Cr2O3及CoO后的總含量相對于主成分100質(zhì)量％為0.05質(zhì)量％以上且3質(zhì)量％以下時，對熱膨脹系數(shù)、機械特性的影響小，并且，不會出現(xiàn)因顏料成分之間的反應(yīng)、主成分和顏料成分之間的反應(yīng)而異相( 例如MnAl2O4, MnCr2O4)量增加，色調(diào)不均，從而導致外觀受損的情況，能夠形成呈現(xiàn)能抑制光散射的灰色系色調(diào)的堇青石質(zhì)陶瓷。需要說明的是，色調(diào)過暗時，存在吸收光能(以下記為吸光。)，溫度升高，因該溫度升高而使堇青石質(zhì)陶瓷膨脹，導致尺寸發(fā)生變化的風險，因此，為了抑制光的散射并抑制吸光，優(yōu)選使CIE1976L*a*b*色空間中的亮度指數(shù)L*為50以上且70以下。需要說明的是，關(guān)于該亮度指數(shù)L*，可以依據(jù)JIS Z8722-2000來測定。并且，使用上述熱膨脹系數(shù)小、機械強度優(yōu)異的堇青石質(zhì)陶瓷作為半導體制造裝置用部件時，能實現(xiàn)100nm(0.1ym)以下的定位精度，在Si晶片的高精密電路的形成中，能提聞品質(zhì)及成品率。以下，對本實施方式的堇青石質(zhì)陶瓷的制造方法進行說明。作為本實施方式的堇青石質(zhì)陶瓷的制造方法，首先，作為I次原料，準備預(yù)先合成的平均粒徑為0.5 5 μ m的合成堇青石粉末、平均粒徑為0.5 3 μ m的尖晶石粉末和平均粒徑為0.5 2 μ m的Y、Yb、Er及Ce中的任一種的氧化物粉末。需要說明的是，合成堇青石粉末及尖晶石粉末構(gòu)成本實施方式的主成分，Y、Yb、Er及Ce中的任一種的氧化物粉末構(gòu)成副成分。另外，合成堇青石粉末是從主成分100質(zhì)量％減去尖晶石粉末的添加量、并按照以氧化物換算量計含有Mgll.7質(zhì)量％以上且13.3質(zhì)量％以下、以氧化物換算量計含有A129.1質(zhì)量％以上且33.8質(zhì)量％以下、及以氧化物換算量計含有Si52.0質(zhì)量％以上且53.6質(zhì)量％以下的組成范圍預(yù)先合成的粉末。然后，稱量規(guī)定量的合成堇青石粉末及尖晶石粉末，例如，稱量93.5質(zhì)量％以上且99.9質(zhì)量％以下的合成堇青石粉末、0.01質(zhì)量％以上且6.5質(zhì)量％以下的尖晶石粉末。然后，相對于合成堇青石粉末和尖晶石粉末的總和100質(zhì)量％，以4.5質(zhì)量％以上且15.0質(zhì)量％的范圍的量稱量副成分，添加純水及各種粘結(jié)劑，使用球磨機進行5 30小時濕式混合及粉碎直至平均粒徑達到2 μ m以下，得到漿液。需要說明的是，通過設(shè)為上述添加量，從而使燒成后的堇青石質(zhì)陶瓷的組成范圍為:以氧化物換算量計含有Mgl2.6質(zhì)量％以上且14.0質(zhì)量％以下、以氧化物換算量計含有A133.4質(zhì)量％以上且34.4質(zhì)量％以下、及以氧化物換算量計含有Si52.0質(zhì)量％以上且53.6質(zhì)量％以下。另外，添加顏料成分時，相對于主成分100質(zhì)量％，稱量例如0.05質(zhì)量％以上且
3.0質(zhì)量％以下的顏料成分，與合成堇青石粉末、尖晶石粉末及Y、Yb、Er及Ce中的任一種的氧化物粉末一起加入球磨機內(nèi)，用上述方法進行濕式混合即可。作為顏料成分，尤其優(yōu)選含有Mn、Cr及Co。然后，用噴霧造粒法(噴霧干燥法)使?jié){液噴霧，進行造粒，形成2次原料。然后，使用該2次原料，用靜壓成形(橡膠壓制)法、粉末壓制成形法進行成形，根據(jù)需要實施切削加工后，將其用燒成爐在大氣氛圍中以1340 1440°C的最高溫度保持I小時以上且10小時以下。其后，通過設(shè)成以10°C /min以下降溫至1000°C的燒成條件，從而能夠存在通過副成分與合成堇青石中的SiO2反應(yīng)而生成的二硅酸鹽。尤其是為了使燒成后的堇青石質(zhì)陶瓷的二硅酸鹽的含量A和尖晶石的含量B的比率A/B在0.5以上且24.0以下的范圍內(nèi)，設(shè)為1350 1420°C的最高溫度即可。然后，通過根據(jù)需要實施磨削加工，從而能夠得到本實施方式的堇青石質(zhì)陶瓷。另外，也可以在燒結(jié)后利用HP法(熱壓制法)、HIP法(熱等靜壓法、Hot IsostaticPressing)來實現(xiàn)進一步的致密化。由此，能夠使四點彎曲強度為190MPa以上。需要說明的是，作為1次原料，也可以代替Y、Yb、Er及Ce中的任一種的氧化物粉末、或者其一部分，而以二硅酸 鹽(Y2Si207、Yb2Si207、Er2Si207、Ce2Si207)的形式添加。實施例1制作如表I所示那樣分別改變了調(diào)配組成、副成分的種類、添加量等的試樣，實施堇青石質(zhì)陶瓷的各成分的質(zhì)量比率、晶相的確認、熱膨脹系數(shù)的測定。首先，作為I次原料，準備平均粒徑為2 μ m的合成堇青石粉末(以表I所示的MgO、Al2O3及SiO2的組成范圍預(yù)先合成)、平均粒徑為I μ m的尖晶石粉末和作為副成分的平均粒徑為I μ m的Yb203、Y203、Er203及Ce2O3的粉末。然后，以表I所示的添加量稱量尖晶石粉末，并以從100質(zhì)量％減去尖晶石粉末的添加量而得的量稱量合成堇青石粉末。并且，相對于合成堇青石粉末和尖晶石粉末的總和100質(zhì)量％，分別稱量表I所示的比例的副成分,相對于純水及主成分和副成分的總和100質(zhì)量％，添加2質(zhì)量％以下的粘結(jié)劑，使用球磨機進行24小時濕式混合及粉碎直至平均粒徑達到2 μ m以下，得到漿液。接著，使用噴霧造粒法(噴霧干燥法)使該漿液噴霧，進行造粒，得到2次原料。然后，使用該2次原料，利用粉末壓制成形法進行成形，在大氣氛圍中以1415°C的最高溫度保持5小時，然后，以10°C /min降溫至1000°C，進行燒成。然后，實施磨削加工，從而得到具有縱3mm、橫4臟、長45mm的尺寸的試樣N0.1 15、17 23、25 35、37 39、41 45。另外，除不添加尖晶石粉末以外，利用上述同樣的制造方法得到試樣N0.24、36、40、46。進而，除不添加作為副成分的Yb203、Y2O3> Er2O3及Ce2O3以外，利用上述同樣的制造方法得到試樣N0.16。然后，對于試樣N0.1 46，粉碎試樣的一部分，將所得粉體溶解在鹽酸等溶液中后，使用ICP發(fā)射光譜分析裝置(島津制作所制造:ICPS-8100)進行測定，使用所得各金屬元素的含量的值，分別換算成氧化物。之后，使用該換算成氧化物而得到的值，求出該氧化物在燒成后的MgO、Al2O3及SiO2的總和100質(zhì)量％中的質(zhì)量比率、以及副成分相對于MgO、Al2O3及SiO2的總和100質(zhì)量％的質(zhì)量比率。結(jié)果示于表2。另外，使用X射線衍射裝置(PANalytical公司制造:X，PertPRO)，在2 Θ = 8。 80° XuK a i測定的條件下實施各試樣表面的X射線衍射測定，得到X射線衍射圖，然后，與JCPDS卡對照，進行鑒定，由此確認到堇青石、二硅酸鹽、尖晶石的有無。需要說明的是，確認到的情況記為“〇”，確認不到的情況記為將結(jié)果示于表2。
另外，關(guān)于熱膨脹系數(shù)，準備將各試樣切斷為10mm長度、并對切斷的試樣的兩個 端面進行R加工而得到的試驗片，使用激光熱膨脹計LIX-1 (真空理工(株)制造)，以等 速升溫測定的模式，在升溫速度1°C /min的條件下測定20 25°C的溫度范圍的熱膨脹系 數(shù)，算出其平均值，由此求出熱膨脹系數(shù)，將結(jié)果示于表2。[表 1]
權(quán)利要求
1.一種堇青石質(zhì)陶瓷，其特征在于，相對于具有以氧化物換算量計含有Mgl2.6質(zhì)量％以上且14.0質(zhì)量％以下、以氧化物換算量計含有A133.4質(zhì)量％以上且34.4質(zhì)量％以下、及以氧化物換算量計含有Si52.0質(zhì)量％以上且53.6質(zhì)量％以下的組成范圍的主成分100質(zhì)量％，含有換算成氧化物時為4.5質(zhì)量％以上且15.0質(zhì)量％以下的Y、Yb、Er及Ce中的任一種作為副成分，并且堇青石、二硅酸鹽及尖晶石作為晶相存在。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堇青石質(zhì)陶瓷，其特征在于，將所述二硅酸鹽的含量設(shè)為A、將所述尖晶石的含量設(shè)為B時，A和B的比率A/B為0.5以上且24.0以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的堇青石質(zhì)陶瓷，其特征在于，所述二硅酸鹽的含量為4.5質(zhì)量％以上且7.0質(zhì)量％以下,所述尖晶石的含量為1.4質(zhì)量％以上且3.3質(zhì)量％以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項所述的堇青石質(zhì)陶瓷，其特征在于，還含有顏料成分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的堇青石質(zhì)陶瓷，其特征在于，含有Mn、Cr及CoCr作為所述顏料成分，并且Mn、Cr及Co分別 換算成Mn02、Cr2O3及CoO后的總含量相對于所述主成分100質(zhì)量％為0.05質(zhì)量％以上且3質(zhì)量％以下。
6.一種半導體制造裝置用部件，其特征在于，其使用了權(quán)利要求1 5中任一項所述的堇青石質(zhì)陶瓷。
全文摘要
本發(fā)明提供熱膨脹系數(shù)小、機械強度優(yōu)異的堇青石質(zhì)陶瓷及使用其的半導體制造裝置用部件。所述堇青石質(zhì)陶瓷中，相對于具有以氧化物換算量計含有Mg12.6質(zhì)量％以上且14.0質(zhì)量％以下、以氧化物換算量計含有Al33.4質(zhì)量％以上且34.4質(zhì)量％以下、及以氧化物換算量計含有Si52.0質(zhì)量％以上且53.6質(zhì)量％以下的組成范圍的主成分100質(zhì)量％，含有換算成氧化物時為4.5質(zhì)量％以上且15.0質(zhì)量％以下的Y、Yb、Er及Ce中的任一種作為副成分，并且堇青石、二硅酸鹽及尖晶石作為晶相存在。該堇青石質(zhì)陶瓷的熱膨脹系數(shù)在±120ppb/℃的范圍內(nèi)，四點彎曲強度為170MPa以上，具有低熱膨脹性及優(yōu)異的機械強度。
文檔編號H01L21/683GK103180262SQ20118005084
公開日2013年6月26日 申請日期2011年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月26日
發(fā)明者飯?zhí)镄抟? 福飯明雄, 須惠敏幸 申請人:京瓷株式會社