專利名稱：薄層封裝、具有薄層封裝的光電子半導(dǎo)體本體和用于制造薄層封裝的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
提出一種薄層封裝、一種具有薄層封裝的光電子半導(dǎo)體本體和一種用于制造薄層封裝的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種尤其用于光電子半導(dǎo)體本體的薄層封裝，所述薄層封裝適合于良好地封裝具有形貌上不平坦部的表面。此外，應(yīng)提出一種具有所述薄層封裝的光電子半導(dǎo)體本體以及一種用于制造所述薄層封裝的方法。所述目的通過(guò)具有權(quán)利要求1的特征的薄層封裝、通過(guò)具有權(quán)利要求12的特征的光電子半導(dǎo)體本體和具有權(quán)利要求15的步驟的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。有利的改進(jìn)形式以及實(shí)施形式在從屬權(quán)利要求中提出。用于光電子半導(dǎo)體本體的薄層封裝尤其具有以下層:-借助于PVD(物理氣相沉積)法沉積的PVD層，和-借助于CVD(化學(xué)氣相沉積)法沉積的CVD層。在PVD法(“physical vapour deposition”,物理氣相沉積)中，將待覆層的表面在一定體積中、例如在容器中提供。此外，在所述體積中提供氣相的原材料。原材料直接地冷凝在表面上進(jìn)而在表面上構(gòu)成固態(tài)的PVD層。尤其熱蒸鍍以及濺鍍屬于PVD法，在熱蒸鍍中原材料通過(guò)施加溫度轉(zhuǎn)化成氣相，在濺鍍中原材料通過(guò)離子轟擊轉(zhuǎn)化成氣相。此外，電子束蒸鍍也是PVD法，其中原材料借助于電子束轉(zhuǎn)化成氣相。通常PVD層典型地表示出結(jié)晶界限，其中PVD層的擴(kuò)散系數(shù)沿著結(jié)晶界限通常明顯高于在體積材料中。在CVD法(“chemical vapour d印osition”,化學(xué)氣相沉積)中，同樣在一定體積中提供待覆層的表面。此外，在所述體積中提供至少一種原材料，由所述原材料通過(guò)化學(xué)反應(yīng)在待覆層的表面上沉積出固態(tài)的CVD層。通常，在所述體積中存在至少一種第二原材料，第一原材料與所述第二原材料在表面上形成固態(tài)的CVD層的情況下進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。因此，CVD法的特征在于待覆層的表面上的至少一種化學(xué)反應(yīng)以用于形成CVD層。通常，化學(xué)反應(yīng)在特定的反應(yīng)溫度下發(fā)生。尤其優(yōu)選地，待覆層的表面具有使用于形成固態(tài)的CVD層的化學(xué)反應(yīng)發(fā)生的反應(yīng)溫度。在化學(xué)氣相沉積中也能夠使用多于兩種的原材料。目前，尤其將CVD法理解成以下方法:PECVD法(“plasma enhanced chemicalvapour deposition”，等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)，MOCVD 法(“metal organic chemicalvapour deposition”,金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積),ALD 法(“atomic layer deposition”,原子層沉積)和NLD法(“nano layer deposition”,納米層沉積)。在PECVD法中，通常在化學(xué)沉積時(shí)點(diǎn)燃在體積中的等離子，而在MOCVD法中，在使用至少一種金屬有機(jī)的原始化合物情況下進(jìn)行化學(xué)沉積。
目前將原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)稱作CVD法,其中將第一氣態(tài)的原材料輸入到體積中，在所述體積中提供待覆層的表面，使得第一氣態(tài)的原材料吸附在表面上。在用原材料的原子層或分子層將表面優(yōu)選完全地或幾乎完全地覆蓋之后，沉積飽和并且不再沉積有另外的材料。隨后，第一原材料中仍氣態(tài)的或以還未吸附在表面上存在的部分通常再次從體積中移除并且輸入第二原材料。第二原材料設(shè)為用于與在表面上吸附的第一原始化合物在形成固態(tài)的ALD層的情況下進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。這兩種上述的工藝步驟多次重復(fù)，直至實(shí)現(xiàn)ALD層的期望的厚度。目前將NLD法稱作CVD法，其中在達(dá)到層厚的預(yù)設(shè)值之后，中斷CVD層的層生長(zhǎng)。所述預(yù)設(shè)值優(yōu)選位于0.5nm和5nm之間，其中包括邊界值。在下一步驟中，對(duì)所述層進(jìn)行等離子處理。通常，通過(guò)等離子處理，有利地將氣態(tài)的原材料中沒(méi)有完全反應(yīng)掉的剩余物移除，所述剩余物通常是有機(jī)性質(zhì)的。這通常正面地影響層特性。多次重復(fù)CVD沉積和等離子處理，直至達(dá)到NLD層的期望的層厚。不同于ALD法，借助于NLD法沉積厚度超出原子層的CVD層在工藝步驟中是可能的。目前此外尤其也應(yīng)將CVD法理解成下述方法，其中在體積中，除了待覆層的表面之外，僅提供唯一的氣態(tài)原材料，所述唯一的氣態(tài)原材料為了形成固態(tài)的CVD層與待覆層的表面的化學(xué)基團(tuán)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。例如，能夠在體積中提供氣態(tài)的六甲基二硅烷(HMDS)作為原材料，所述原材料與表面上的、例如半導(dǎo)體表面上的OH基團(tuán)形成作為CVD層的固態(tài)的HMDS 層。在形貌上不平坦部的結(jié)構(gòu)薄弱部位能夠在PVD法期間在PVD層中例如通過(guò)原材料傾斜地射入到待覆層的表面上、通過(guò)由于自身形成的PVD層引起的遮蔽或被沉積的原材料的不足的表面移動(dòng)性形成。中心思想在于，借助于第二層來(lái)封閉PVD層的結(jié)構(gòu)薄弱部位，所述結(jié)構(gòu)薄弱部位尤其能夠存在于待覆層的表面的形貌上的不平坦部。結(jié)構(gòu)薄弱部位通常具有高的縱橫比。由于高的包覆，CVD法尤其適合于進(jìn)行封閉。有利地，在此描述的薄層封裝通常是相對(duì)于侵蝕性液體嚴(yán)密密封的，例如將所述薄層封裝用在半導(dǎo)體技術(shù)中的濕法化學(xué)工藝中。此外，薄層封裝優(yōu)選基本上是氣密的并且通常阻止原子或離子、例如金屬離子的擴(kuò)散。尤其優(yōu)選地，在此描述的具有CVD層和PVD層的薄層封裝適合于能夠相對(duì)于環(huán)境影響、尤其相對(duì)于液體來(lái)嚴(yán)密密封地封裝具有不平坦部的表面，所述不平坦部具有大于20:1的縱橫比。但是，薄層封裝也適合于可靠地封裝具有較小的縱橫比的結(jié)構(gòu)化的表面。尤其優(yōu)選地，PVD層和CVD層構(gòu)成共同的邊界面，也就是說(shuō)，PVD層和CVD層彼此直接地接觸。根據(jù)薄層封裝的一個(gè)實(shí)施形式，PVD層構(gòu)成為是導(dǎo)電的。因此，尤其可能的是，產(chǎn)生導(dǎo)電的薄層封裝，經(jīng)由所述薄層封裝能夠有利地電接觸待封裝的半導(dǎo)體本體。PVD層的厚度優(yōu)選地位于50nm和400nm之間，其中包括邊界值。根據(jù)薄層封裝的一個(gè)實(shí)施形式，PVD層具有下述材料中的至少一種或由下述材料中的至少一種制成:鈦、鎢、鈦鎢、氮化鈦、氮化鎢、鈦鎢氮化物、鉬、鎳、金、鉭。具有所述材料中的一種或由所述材料中的一種制成的PVD層通常構(gòu)成為是導(dǎo)電的。
CVD層的厚度優(yōu)選地位于2nm和20nm之間，其中包括邊界值。根據(jù)一個(gè)實(shí)施形式，CVD層具有下述材料中的一種或由下述材料中的一種制成:硅、氧化硅、氮化硅、氮化鈦。具有硅、氧化硅或氮化硅或由上述材料中的一種制成的CVD層通常構(gòu)成為是電絕緣的。根據(jù)薄層封裝的一個(gè)實(shí)施形式，CVD層具有電絕緣的材料或由所述材料中的一種制成。有利地，與例如為氮化鈦的導(dǎo)電的材料相比，電絕緣的材料通常能夠明顯成本更低地且以更小的操作耗費(fèi)借助于CVD法沉積。此外，也可能的是，薄層封裝由多個(gè)交替設(shè)置的CVD層和PVD層構(gòu)成。在此，不是必需的是，PVD層和CVD層具有相同的材料和/或相同的厚度。根據(jù)一個(gè)實(shí)施形式，將CVD層以直接接觸的方式施加到PVD層上并且對(duì)CVD層進(jìn)行回蝕，使得CVD層僅填充PVD層中的結(jié)構(gòu)薄弱部位。以這種方式和方法，有利地，當(dāng)將能導(dǎo)電的材料用于PVD層時(shí)，也能夠與具有絕緣材料的CVD層實(shí)現(xiàn)能導(dǎo)電的薄層封裝。尤其優(yōu)選地，PVD層在該實(shí)施形式中與待封裝的半導(dǎo)體本體的表面直接地接觸。此夕卜，優(yōu)選地，薄層封裝在該實(shí)施形式中具有僅一個(gè)CVD層和僅一個(gè)PVD層。尤其優(yōu)選地，薄層封裝在該實(shí)施形式中由唯一的CVD層和唯一的PVD層構(gòu)成。在面中對(duì)CVD層進(jìn)行回蝕優(yōu)選地借助于定向的刻蝕法、例如借助于回濺(Ruecksputtern)進(jìn)行。定向的方法在此能夠理解成,刻蝕以定向的方式和方法進(jìn)行,這意味著，將材料以各向異性的方式從被刻蝕的表面移除。優(yōu)選進(jìn)行回蝕，使得在被覆層的表面上的、不具有形貌上的不平坦部和/或裂縫的部分上的CVD層再次被可靠地移除，反之，CVD層的材料在結(jié)構(gòu)薄弱部位中保留下來(lái)。有利地，在所述解決方案中，對(duì)CVD材料存在很大的選擇。因此，尤其能夠?qū)VD層使用例如為氮化硅的絕緣材料，其中盡管如此仍能夠?qū)崿F(xiàn)導(dǎo)電的薄層封裝。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施形式，在回蝕的CVD層上設(shè)置有另一 PVD層，所述另一 PVD層同樣借助于CVD法沉積。根據(jù)一個(gè)實(shí)施形式，將CVD層直接地沉積在待覆層的半導(dǎo)體本體上。在CVD層上設(shè)置PVD層，所述PVD層優(yōu)選地與CVD層直接地接觸。在此，PVD層用于保護(hù)CVD層免受機(jī)械的和/或化學(xué)的侵蝕。薄層封裝尤其適合于用在光電子的、優(yōu)選為發(fā)射輻射的半導(dǎo)體本體中。尤其優(yōu)選地，薄層封裝對(duì)半導(dǎo)體本體的例如為電接觸部或反射層的金屬元件相對(duì)于環(huán)境影響進(jìn)行封裝。在此，薄層封裝通常集成到半導(dǎo)體本體中。尤其優(yōu)選地，將薄層封裝以直接接觸的方式施加到待封裝的元件上。此外，薄層封裝適合于密封地封裝研磨過(guò)的表面，例如研磨過(guò)的晶圓表面，所述研磨過(guò)的表面通常由于磨痕而強(qiáng)烈地裂開。根據(jù)光電子半導(dǎo)體本體的一個(gè)實(shí)施形式，金屬元件具有下述材料中的至少一種或由下述材料中的至少一種制成:銀、鋁、金、鈦、鎳。反射的金屬層例如能夠設(shè)為用于反射在半導(dǎo)體本體的外延的半導(dǎo)體層序列的有源區(qū)中產(chǎn)生的電磁輻射。金屬層的厚度優(yōu)選地位于50nm和250nm之間，其中包括邊界值。優(yōu)選地，反射的金屬層沒(méi)有完全地覆蓋外延的半導(dǎo)體層序列，而是在側(cè)向至少空出外延的半導(dǎo)體層序列的子區(qū)域。因此，在半導(dǎo)體層序列-金屬層的表面上出現(xiàn)棱，所述棱是形貌上的不平坦部。尤其地，金屬層例如在制造半導(dǎo)體本體時(shí)對(duì)濕法化學(xué)工藝是敏感的。對(duì)此，必須至少針對(duì)液體來(lái)可靠地封裝金屬層。對(duì)此，尤其地，如同在上文中描述的薄層封裝是適合的。光電子半導(dǎo)體本體例如能夠?yàn)榘l(fā)光二極管或尤其優(yōu)選為薄膜發(fā)光二極管。薄膜發(fā)光二極管目前理解成下述發(fā)光二極管，在所述發(fā)光二極管中將用于外延的半導(dǎo)體層序列的外延生長(zhǎng)的生長(zhǎng)襯底從外延的半導(dǎo)體層序列移除或打薄，使得生長(zhǎng)襯底本身不再適合于使外延的半導(dǎo)體層序列機(jī)械地穩(wěn)定。對(duì)此，在薄膜發(fā)光二極管中設(shè)有單獨(dú)施加的支承體，所述支承體設(shè)置在金屬層上或上方。用于制造薄層封裝的方法，尤其包括以下步驟:-借助于PVD法沉積PVD層，并且-借助于CVD法沉積CVD層。此外，在上文中結(jié)合薄層封裝描述的特征也能夠?yàn)橹圃旆椒ǖ囊徊糠帧?br>

本發(fā)明的其他的有利實(shí)施形式和改進(jìn)方案接下來(lái)從結(jié)合附圖描述的實(shí)施例中得出。圖1A至IC示出在用于制造根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的薄層封裝的不同方法階段期間的光電子半導(dǎo)體本體的示意剖面圖，圖2示出具有根據(jù)另一實(shí)施例的薄層封裝的光電子半導(dǎo)體本體的示意剖面圖，圖3A、3B和3C示出在制造根據(jù)另一實(shí)施例的薄層封裝時(shí)在不同的方法階段期間的光電子半導(dǎo)體本體的示意剖面圖，圖4示出具有根據(jù)另一實(shí)施例的薄層封裝的半導(dǎo)體本體的示意剖面圖。圖5A、5B和5C示出在其中制造根據(jù)另一實(shí)施例的薄層封裝的生產(chǎn)步驟期間的半導(dǎo)體本體的示意剖面圖。
具體實(shí)施例方式相同的、相同類型的或起相同作用的元件在圖中設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。附圖和在附圖中示出的元件彼此間的大小比例不能視作是按照比例的。相反地，為了更好的可視性和/或?yàn)榱烁玫睦斫?，能夠夸大地示出各個(gè)元件，尤其是層厚。根據(jù)圖1A的實(shí)施例的光電子半導(dǎo)體本體具有外延的半導(dǎo)體層序列1，所述外延的半導(dǎo)體層序列具有用于產(chǎn)生輻射的有源區(qū)2。有源區(qū)2優(yōu)選地包括的pn結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單量子阱或尤其優(yōu)選多量子阱結(jié)構(gòu)(MQW)，以用于產(chǎn)生輻射。術(shù)語(yǔ)量子阱結(jié)構(gòu)在此不包含關(guān)于量子化的維數(shù)的說(shuō)明。因此，所述量子阱結(jié)構(gòu)還包括量子阱、量子線和量子點(diǎn)以及所述結(jié)構(gòu)的任意組合。外延的半導(dǎo)體層序列I在生長(zhǎng)襯底3上外延地生長(zhǎng)。將金屬層4作為金屬元件以直接接觸的方式施加到外延的半導(dǎo)體層序列I的與生長(zhǎng)襯底3對(duì)置的側(cè)上，所述金屬層適合于反射有源區(qū)2的輻射。金屬層4在此優(yōu)選地由銀形成或者具有銀。金屬層4的厚度通常位于50nm和250nm之間，其中包括邊界值。金屬層4設(shè)為用于將在有源區(qū)2中產(chǎn)生的輻射朝半導(dǎo)體本體的發(fā)射輻射的前側(cè)5反射。金屬層4目前沒(méi)有在外延的半導(dǎo)體層序列I的整個(gè)表面上施加，而是僅覆蓋外延的半導(dǎo)體層序列I的表面的子區(qū)域。在金屬層4的側(cè)向，外延的半導(dǎo)體層序列I的表面的各個(gè)子區(qū)域沒(méi)有金屬層4。目前,在金屬層4上和在外延的半導(dǎo)體層序列I的側(cè)向露出的表面上設(shè)置有PVD層6，所述PVD層借助于PVD法沉積。PVD層6與金屬層4并且與外延的半導(dǎo)體層序列I的表面直接接觸。PVD層6優(yōu)選地具有50nm和400nm之間的厚度，其中包括邊界值。PVD層6目前構(gòu)成為是導(dǎo)電的。所述PVD層例如具有鈦鎢氮化物。替選地，PVD層6也能夠具有下述材料中的一種或由下述材料中的一種制成:鈦、鎢、鈦鎢、氮化鈦、氮化鎢、鈦鎢氮化物、鉬、鎳、金、鉭。PVD層6由于其制造工藝而具有結(jié)晶界限7。由于金屬層4的厚度，在半導(dǎo)體本體的表面中，在從金屬層4到外延的半導(dǎo)體層序列I的過(guò)渡部上分別存在棱8。由于通過(guò)兩個(gè)棱8形成的形貌上的不平坦部，PVD層6在所述位置上具有裂縫9。為了填充PVD層6內(nèi)的裂縫9，現(xiàn)在在下一方法步驟中將CVD層10借助于CVD法以直接接觸的方式沉積到PVD層6上(圖1B)。PVD層6和CVD層10目前構(gòu)成薄層封裝11。如果能實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電的薄層封裝11，例如以便能夠通過(guò)薄層封裝11電接觸外延的半導(dǎo)體層序列1，那么CVD層10由導(dǎo)電的原材料、例如由氮化鈦形成。CVD層10的厚度優(yōu)選地位于2nm和20nm之間，其中包括邊界值。CVD層10填充位于其下方的PVD層6中的裂縫9并且也密封結(jié)晶界限7。以所述方式和方法，薄層封裝11可靠地尤其相對(duì)于液體密封敏感的金屬層4。在下一個(gè)步驟中，將支承體12設(shè)置在薄層封裝11上或上方并且移除或打薄生長(zhǎng)襯底3，使得所述生長(zhǎng)襯底不再單獨(dú)地使外延的半導(dǎo)體層序列I足夠地機(jī)械穩(wěn)定。替代生長(zhǎng)襯底3，支承體12使外延的半導(dǎo)體層序列I機(jī)械地穩(wěn)定(圖1C)。與根據(jù)圖1C的實(shí)施例的光電子半導(dǎo)體本體不同地，根據(jù)圖2的實(shí)施例的光電子半導(dǎo)體本體具有下述薄層封裝11，在所述薄層封裝中，CVD層10直接接觸金屬層4。此外，CVD層10也在金屬層4側(cè)向設(shè)置在外延的半導(dǎo)體層序列I的表面上。此外，將PVD層6以直接接觸的方式設(shè)置到CVD層10上。PVD層6在此用于保護(hù)CVD層10免受機(jī)械的和化學(xué)的侵蝕。在根據(jù)圖3A的實(shí)施例的光電子半導(dǎo)體本體中，不同于根據(jù)圖1B的方法階段，CVD層10構(gòu)成為電絕緣的。對(duì)此，CVD層10優(yōu)選包括氮化硅或由氮化硅制成。在下一個(gè)方法步驟中，如同在圖3B中可見，借助于定向的方法、例如借助于濺鍍對(duì)電絕緣的CVD層10進(jìn)行回蝕。在回蝕時(shí)，PVD層6的表面中的、不具有由于位于所述PVD層下方的棱8而產(chǎn)生的薄弱部位的部分被完全地露出。僅分別在金屬層4側(cè)向的裂縫9還由CVD層6的材料嚴(yán)密密封地填充，其中所述裂縫由于金屬層4和外延的半導(dǎo)體層序列I之間的高度差而在PVD層6中產(chǎn)生。在下一方法步驟中，另一 PVD層13借助于PVD法沉積(圖3C)。所述另一 PVD層13在第一 PVD層6的空出的表面上與所述第一 PVD層直接地接觸。所述另一 PVD層13例如能夠如同第一 PVD層6來(lái)構(gòu)造。在根據(jù)圖4的實(shí)施例的半導(dǎo)體本體中的薄層封裝11具有PVD層6，所述PVD層以直接接觸的方式借助于PVD法沉積到金屬層4上。PVD層6例如具有約為IOOnm的厚度并且由鈦鎢氮化物形成。將CVD層10借助于CVD法以直接接觸的方式沉積到PVD層6上。CVD層10例如具有約為IOnm的厚度并且由氮化鈦形成。將另一 PVD層13借助于PVD法以直接接觸的方式沉積到CVD層10上。所述另一 PVD層13在當(dāng)前實(shí)施例中如同第一 PVD層6地構(gòu)成。替選地，也可能的是，所述另一 PVD層13在材料組分和/或厚度方面不同于PVD層6。薄層封裝11目前通過(guò)第一 PVD層6、CVD層10和另一 PVD層13形成。因?yàn)榈谝?PVD層6、CVD層10和另一 PVD層13由導(dǎo)電的材料形成，薄層封裝11也構(gòu)成為是導(dǎo)電的。在根據(jù)圖5A至5C的實(shí)施例的方法中制造的光電子半導(dǎo)體本體包括帶有有源區(qū)2的半導(dǎo)體層序列1，所述有源區(qū)2適合于產(chǎn)生電磁輻射。半導(dǎo)體層序列I在生長(zhǎng)襯底3上外延地生長(zhǎng)。半導(dǎo)體層序列I具有階梯形的凹陷部，所述凹陷部穿透有源區(qū)2并且在先前的方法步驟中例如通過(guò)干法刻蝕制造。在階梯形的凹陷部側(cè)向，將第一電接觸部14設(shè)置到半導(dǎo)體層序列I上，所述第一電接觸部也能夠環(huán)形地圍繞整個(gè)半導(dǎo)體本體設(shè)置。第一電接觸部14例如能夠?yàn)镻型接觸部。此外，在P型接觸部上施加絕緣層15，所述絕緣層例如包括氧化硅或由氧化硅形成。在絕緣層15上施加光刻膠層16，所述光刻膠層空出階梯形凹陷部的中央凹部17。在階梯形凹陷部的中央凹部17中，在圖5A的方法步驟期間，沉積用于形成例如為η型接觸部的第二電接觸部19的金屬材料18。金屬材料18的沉積例如能夠通過(guò)電子束蒸鍍或熱蒸鍍進(jìn)行。如同在圖5Α中通過(guò)箭頭表明，能夠在此略微傾斜地進(jìn)行材料涂覆。因此，在中央凹部17的側(cè)面上形成沒(méi)有金屬材料18的區(qū)域，而在另一側(cè)面上聚集過(guò)量的材料。以所述方式和方法，在中央凹部17的側(cè)面上構(gòu)成形貌上的不平坦部。通過(guò)在中央凹部17中沉積金屬材料18而形成的第二電接觸部19是例如具有下述材料中的一種或由下述材料中的一種制成的金屬元件:銀、鋁、金、鈦、鎳。在下一沒(méi)有示出的方法步驟中移除光刻膠層16。在下一方法步驟中，為了封裝第二電接觸部19，如同在圖5Β中示出，在半導(dǎo)體本體上沉積PVD層6。PVD層6以直接接觸的方式設(shè)置到第二金屬接觸部上。在形貌上的不平坦部上能夠構(gòu)成PVD層6中的薄弱部位。在下一方法步驟中，如同在圖5C中示出，因此將CVD層10以直接接觸的方式沉積到PVD層6上，所述CVD層嚴(yán)密地封閉存在的薄弱部位。目前，薄層封裝11由PVD層6和CVD層10導(dǎo)電地構(gòu)成，使得能夠通過(guò)薄層封裝11電接觸有源區(qū)2。在下一目前沒(méi)有示出的方法步驟中，通常在背側(cè)將例如由鍺或硅制成的支承體施加到CVD層10上。支承體通常借助于合適的焊料與CVD層10連接。最終，將生長(zhǎng)襯底3從外延的半導(dǎo)體層序列I移除。半導(dǎo)體本體的由此露出的側(cè)通常設(shè)作為輻射出射面。本申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)DE102010044738.2的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容在此通過(guò)引用并入本文。本發(fā)明不局限于根據(jù)實(shí)施例進(jìn)行的描述。相反地，本發(fā)明包括每個(gè)新特征以及特征的任意的組合，這尤其是包含在權(quán)利要求中的特征的任意的組合，即使所述特征或所述組合自身沒(méi)有明確地在權(quán)利要求中或?qū)嵤├姓f(shuō)明時(shí)也如此。
權(quán)利要求
1.用于光電子半導(dǎo)體本體的薄層封裝(11)，具有: -借助于PVD法沉積的PVD層(6 )，和 -借助于CVD法沉積的CVD層(10)。
2.根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的薄層封裝(11)，其中所述PVD層(6)和所述CVD層(10)構(gòu)成共同的邊界面。
3.根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的薄層封裝(11)，其中所述PVD層(6)構(gòu)成為是導(dǎo)電的。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的薄層封裝(11)，其中所述PVD層(6)的厚度位于50nm和400nm之間，其中包括邊界值。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的薄層封裝(11)，其中所述PVD層(6)具有下述材料中的一種:鈦、鎢、鈦鎢、氮化鈦、氮化鎢、鈦鎢氮化物、鉬、鎳、金、鉭。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的薄層封裝(11)，其中所述CVD層(10)的厚度位于2nm和20nm之間，其中包括邊界值。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的薄層封裝(11)，其中所述CVD層(10)具有下述材料中的一種:娃、氧化娃、氮化娃、氮化鈦。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的薄層封裝(11)，所述薄層封裝具有多個(gè)交替設(shè)置的CVD 層(10)和 PVD 層(6，13)。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的薄層封裝(11)，其中 -所述CVD層(10 )直接地施加在所述PVD層(6 )上，并且 -對(duì)所述CVD層(10)進(jìn)行回蝕，使得所述CVD層(10)僅填充在所述PVD層(6)中的薄弱部位。
10.根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的薄層封裝(11)，其中在回蝕的所述CVD層(10)上設(shè)置借助于PVD法沉積的另一 PVD層(13 )。
11.根據(jù)權(quán)利要求9至10之一所述的薄層封裝(11)，其中所述CVD層(10)具有電絕緣的材料。
12.具有根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的薄層封裝(11)的光電子半導(dǎo)體本體，所述薄層封裝對(duì)所述半導(dǎo)體本體的金屬元件進(jìn)行封裝。
13.根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光電子半導(dǎo)體本體，其中所述金屬元件是電接觸部或反射層(4)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12至13之一所述的光電子半導(dǎo)體本體，其中所述金屬元件具有下述材料中的一種:銀、招、金、欽、鎮(zhèn)。
15.用于制造薄層封裝(11)的方法，具有以下步驟: -借助于PVD法沉積PVD層(6 )，和 -借助于CVD法沉積CVD層(10)。
全文摘要
提出一種用于光電子半導(dǎo)體本體的薄層封裝(11)，所述薄層封裝具有借助于PVD法沉積的PVD層(6)和借助于CVD法沉積的CVD層(10)。此外，提出一種具有薄層封裝的光電子半導(dǎo)體本體和一種用于制造薄層封裝的方法。
文檔編號(hào)H01L33/40GK103109384SQ201180043513
公開日2013年5月15日 申請(qǐng)日期2011年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月8日
發(fā)明者弗朗茨·埃伯哈德, 塞巴斯蒂安·特格爾, 科比尼安·佩爾茨爾邁爾 申請(qǐng)人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司