專利名稱：用于制造光電子半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提出一種用于制造光電子半導(dǎo)體器件的方法以及一種光電子半導(dǎo)體器件。

發(fā)明內(nèi)容
待實(shí)現(xiàn)的目的在于，提出用于制造光電子半導(dǎo)體器件的方法，所述方法對(duì)于后續(xù)的半導(dǎo)體器件的電接觸部而言是節(jié)約材料的。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，在第一步驟a)中提供載體，所述載體具有上偵牝和與載體的上側(cè)相對(duì)置的下側(cè)。載體能夠是電路板或金屬載體框架(引線框架)。同樣能夠考慮的是，載體構(gòu)成為是柔性的并且例如構(gòu)成為薄膜。所述載體能夠借助例如金屬的可導(dǎo)電的材料形成，和/或借助電絕緣材料，例如硬質(zhì)塑料材料、熱塑性材料和/或陶瓷材料形成。如果載體用電絕緣材料形成，那么載體在上側(cè)和/或下側(cè)具有帶狀電導(dǎo)線和接觸面。在上側(cè)和下側(cè)分別構(gòu)成通過載體的外面的一部分形成的面。下側(cè)上的面是載體的外面的一部分，所述外面在載體已安裝的狀態(tài)下朝向接觸載體一例如電路板。例如，在載體的下側(cè)上的面是安裝面，所述安裝面能夠用于將后續(xù)的半導(dǎo)體器件安裝在接觸載體上。此外，載體具有至少一個(gè)設(shè)置在載體的上側(cè)的連接面。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，在下一個(gè)步驟b)中將至少一個(gè)光電子器件施加在載體的上側(cè)，其中所述光電子器件具有至少一個(gè)背離載體的接觸面。至少一個(gè)接觸面用于電接觸光電子器件，并且用例如金屬的可導(dǎo)電的材料形成。例如，連接面和光電子器件在橫向方向上并排地設(shè)置?！皺M向”在本文中是指平行于載體的主延伸方向的方向。例如，光電子器件借助背離接觸面的外面接合、焊接或?qū)щ姷卣迟N在載體的接觸部位上。光電子器件尤其能夠是接收輻射或者發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片。例如半導(dǎo)體芯片是熒光二極管芯片(Lumineszenzdiodenchip),也可以是發(fā)光二極管芯片(Leuchtdiodenchip)或激光二極管
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心/T O根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，在下一個(gè)步驟c)中將電絕緣材料施加到接觸面和連接面上。優(yōu)選地，在電絕緣材料一方和接觸面和連接面另一方之間既不構(gòu)成縫隙也不構(gòu)成中斷。例如，電絕緣材料在連接面和/或接觸面的背離載體的外面上完全地覆蓋所述連接面和/或接觸面。此外，可導(dǎo)電的材料也覆蓋接觸面的和連接面的側(cè)面。電絕緣材料沒有填充材料的雜質(zhì)顆粒?！皼]有填充材料的雜質(zhì)顆?！痹诒疚闹惺侵?，填充材料的雜質(zhì)顆粒沒有從外部明確地引入到電絕緣材料中。最可能的是，例如由制造所決定，在電絕緣材料中仍存在有填充材料的雜質(zhì)顆粒的殘留物。然而優(yōu)選地，雜質(zhì)顆粒的濃度以低的濃度存在于電絕緣材料中，使得雜質(zhì)顆粒對(duì)電絕緣材料的性質(zhì)不起負(fù)面的物理和/或化學(xué)作用。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，在下一個(gè)步驟d)中，將電絕緣層施加到電絕緣材料的、光電子器件的和載體的暴露的部位上。優(yōu)選地，電絕緣層在所述部位上形狀配合地覆蓋電絕緣材料和光電子器件。例如，載體的暴露的部位在其上側(cè)也部分地或完全地由電絕緣層覆蓋。電絕緣層具有可預(yù)設(shè)濃度的填充材料的雜質(zhì)顆粒。也就是說，填充材料的雜質(zhì)顆粒從外部目的明確地引入電絕緣層的材料中。如果例如由制造所決定的或由于雜質(zhì)顆粒從電絕緣層擴(kuò)散到電絕緣材料中而使電絕緣材料同樣具有填充材料的雜質(zhì)顆粒，那么優(yōu)選填充材料的雜質(zhì)顆粒在電絕緣材料中的濃度相對(duì)于填充材料的雜質(zhì)顆粒在電絕緣層中的濃度是可忽略的。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，在下一個(gè)步驟e)中，至少在接觸面和連接面上方的區(qū)域中移除電絕緣材料，由此在電絕緣材料中產(chǎn)生至少兩個(gè)開口。開口分別在豎直方向上完全地延伸穿過電絕緣材料，其中接觸面和連接面至少局部地沒有電絕緣材料?！柏Q直方向”在本文中是指垂直于橫向方向的方向。例如開口具有至少一個(gè)側(cè)面。開口的至少一個(gè)側(cè)面能夠至少局部地通過電絕緣材料形成。 根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，在下一個(gè)步驟f )中，可導(dǎo)電的材料設(shè)置在電絕緣層上并且至少局部地設(shè)置在開口中，其中可導(dǎo)電的材料將接觸面與連接面導(dǎo)電地連接。也就是說，可導(dǎo)電的材料導(dǎo)電地將光電子器件與載體的連接面連接，并且在此在光電子器件和連接面之間至少局部地在電絕緣層的背離載體的外側(cè)伸展。在此，可導(dǎo)電的材料能夠局部地直接施加在電絕緣層的外面上。例如，可導(dǎo)電的材料用金屬或者可導(dǎo)電的粘結(jié)材料形成。優(yōu)選地，完全地通過可導(dǎo)電的材料形成光電子器件和載體的連接面之間的導(dǎo)電連接部。例如借助導(dǎo)電材料完全地填充開口。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，在第一步驟a)中提供載體，所述載體具有上側(cè)，與載體的上側(cè)相對(duì)置的下側(cè)以及至少一個(gè)設(shè)置在載體的上側(cè)的連接面。在下一個(gè)步驟b)中將至少一個(gè)光電子器件施加在載體的上側(cè)，其中光電子器件具有至少一個(gè)背離載體的接觸面。在下一個(gè)步驟c)中，將電絕緣材料施加到接觸面和連接面上，其中電絕緣材料沒有填充材料的雜質(zhì)顆粒。在另一個(gè)步驟d)中，將電絕緣層施加到電絕緣材料的、光電子器件的和載體的暴露的部位上，其中電絕緣層具有可預(yù)設(shè)濃度的填充材料的雜質(zhì)顆粒。在下一個(gè)步驟e)中，至少在接觸面和連接面上方的區(qū)域中移除電絕緣材料，由此在電絕緣材料中產(chǎn)生至少兩開口。在下一個(gè)步驟f )中，將可導(dǎo)電的材料設(shè)置電絕緣層上并且至少局部地設(shè)置在開口中，其中所述可導(dǎo)電的材料將接觸面與連接面導(dǎo)電地連接。在此，用于制造光電子半導(dǎo)體器件的此處所描述的方法還以下述知識(shí)為基礎(chǔ)，SP在從具有可預(yù)設(shè)濃度的填充材料的雜質(zhì)顆粒的電絕緣層中暴露光電子器件的電接觸部時(shí)，在剝離電絕緣層之后，在接觸部的接觸面上仍能夠余留填充材料的雜質(zhì)顆粒的剩余物。填充材料的雜質(zhì)顆粒的余留在接觸面上的剩余物能夠?qū)е鹿怆娮悠骷目呻娊佑|性降低。此夕卜,通過填充材料的余留的雜質(zhì)顆粒能夠損壞光電子器件的接觸面。目前為了說明用于制造光電子半導(dǎo)體器件的方法，其中能夠避免后續(xù)的光電子器件的電接觸部的損壞并且同時(shí)改進(jìn)可電接觸性，在此所描述的方法還利用思想，即將電絕緣材料施加到光電子器件的電接觸部上，其中電絕緣材料沒有填充材料的雜質(zhì)顆粒。在另一個(gè)步驟中，電絕緣層施加到電絕緣材料的暴露的部位上，其中電絕緣層具有可預(yù)設(shè)濃度的填充材料的雜質(zhì)顆粒。換句話說，沒有填充材料的雜質(zhì)顆粒的電絕緣材料設(shè)置在電接觸部和電絕緣層之間。也就是說，光電子器件的電接觸部的接觸面僅與電絕緣材料直接接觸。換而言之，在暴露電接觸部期間，電絕緣材料用作為雜質(zhì)顆粒和電接觸部之間的間隔保持件。因此避免電接觸部與填充材料的雜質(zhì)顆粒直接接觸。如果現(xiàn)在在電接觸部上方的區(qū)域中移除電絕緣材料，那么在移除之后能夠最小化余留在接觸面上的填充材料的雜質(zhì)顆粒的剩余物。由此，在所述方法中能夠避免光電子器件的電接觸部的損壞，由此不僅能夠提高后續(xù)的光電子半導(dǎo)體器件的使用壽命，而且例如也能夠提高后續(xù)的半導(dǎo)體器件的光學(xué)輸出功率。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，電絕緣材料和電絕緣層具有相同的材料。例如，電絕緣層和電絕緣材料除了填充材料的雜質(zhì)顆粒以外由相同的材料形成。由此有利地避免例如電絕緣層在橫向方向上從電絕緣材料中脫落，因?yàn)槌颂畛洳牧系碾s質(zhì)顆粒以夕卜，電絕緣層和電絕緣材料的彼此鄰接的邊界面具有盡可能相似的特性。例如，電絕緣材料和電絕緣層的熱膨脹系數(shù)相互匹配。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，在接觸面和/或連接面上方的區(qū)域中移除電絕緣層，由此產(chǎn)生開口。例如電絕緣層完全地覆蓋電絕緣材料和光電子器件的所有暴露的部位。例如，在載體的上側(cè)的所有的暴露的部位同樣完全地由電絕緣層覆蓋。因此，開口在豎直方向上連續(xù)地且貫通地延伸穿過電絕緣層和電絕緣材料。因此，開口的側(cè)面不僅通過電絕緣材料形成也通過電絕緣層形成。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，電絕緣層包含至少一種熒光轉(zhuǎn)換材料。所述熒光轉(zhuǎn)換材料用于至少部分地將光電子器件內(nèi)部所產(chǎn)生的初級(jí)電磁輻射轉(zhuǎn)換為其它波長(zhǎng)的電磁輻射。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，在步驟d)之前，將電絕緣材料至少部分地施加到光電子器件的輻射穿透面上，其中電絕緣材料是可透過輻射的。例如，電絕緣材料是透明的。經(jīng)由輻射穿透面，將例如在光電子器件內(nèi)產(chǎn)生的電磁輻射從光電子器件中耦合輸出，或者檢測(cè)從光電子器件中穿過輻射穿透面進(jìn)入光電子器件中的電磁輻射?！翱赏高^輻射”尤其意味著，電絕緣材料可透過至少至80%的，優(yōu)選至多于90%的電磁輻射。例如，電絕緣層在橫向方向上直接與電絕緣材料鄰接。這能夠表示，電絕緣層在邊緣部分地或完全地包圍電絕緣材料和/或光電子器件。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，接下來并且在步驟d)之前，將至少一個(gè)轉(zhuǎn)換層施加到電絕緣材料的背離光電子器件的外面上。優(yōu)選地，光電子器件和轉(zhuǎn)換層在豎直方向上至少局部地重疊?！爸丿B”在本文中表示，光電子器件和轉(zhuǎn)換層在垂直于豎直方向上的假設(shè)平面上的數(shù)學(xué)投影至少部分地疊合。轉(zhuǎn)換層用于將在光電子器件內(nèi)部所產(chǎn)生的初級(jí)電磁輻射至少部分地轉(zhuǎn)換為其它波長(zhǎng)的輻射。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，電絕緣層是反射輻射的或者吸收輻射的，并且將電絕緣層施加到光電子器件的、電絕緣材料的和轉(zhuǎn)換層的暴露的部位上。“反射輻射”尤其意味著，電絕緣層反射至少至80%的，優(yōu)選至多于90%的射到其上的電磁輻射。例如對(duì)于外部觀察者而言電絕緣層顯現(xiàn)為白色。例如為此，將反射輻射的顆粒引入電絕緣層中，所述反射福射的顆粒例如用TiO2、BaSO4、ZnO或AlxOy材料中的至少一種形成或包含上述材料中的一種。例如，反射輻射的顆粒以重量百分比為至少20%的和至多50%的濃度，例如為30%的濃度引入電絕緣層中。在吸收輻射的電絕緣層中，電絕緣層對(duì)與外部觀察者而言能夠顯現(xiàn)為黑色或彩色。例如，因此將碳黑顆粒引入電絕緣層中。轉(zhuǎn)換層的背離光電子器件的外面保持沒有電絕緣層?！皼]有”意味著，轉(zhuǎn)換層的背離光電子器件的外面既不被電絕緣層覆蓋，也不在豎直方向上設(shè)置在轉(zhuǎn)換層的下游。因此，輻射能夠不受阻礙地從轉(zhuǎn)換層中射出，而不射到電絕緣層上。最可能的是，仍由制造公差所決定的是，在轉(zhuǎn)換層的外面上能夠存在電絕緣層的材料剩余物，然而所述材料剩余物覆蓋至多至10%的外面，優(yōu)選至多5%的外面。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，在接觸面上方的區(qū)域中移除轉(zhuǎn)換層，由此產(chǎn)生至少一個(gè)開口。換而言之，開口在豎直方向上連續(xù)地且貫通地不僅穿過轉(zhuǎn)換層和電絕緣材料。例如，在接觸面上方的開口的側(cè)面完全通過轉(zhuǎn)換層和電絕緣材料形成。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，轉(zhuǎn)換層在豎直方向上與電絕緣層齊平。也就是說，在轉(zhuǎn)換層和電絕緣層之間、在橫向方向上既不構(gòu)成縫隙也不構(gòu)成中斷。例如，轉(zhuǎn)換層和電絕緣層共同構(gòu)成連續(xù)且貫通的平面。優(yōu)選地，轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換元件從外部可見的，并且對(duì)于外部觀察者而言例如顯現(xiàn)為彩色。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，在步驟c)之前，將至少一個(gè)電子組件在載體上沿橫向方向與光電子器件間隔地設(shè)置在載體的上側(cè)，其中在將電子組件設(shè)置在載體上之后，首先將電絕緣材料施加到電子組件的暴露的部位上,并且接下來將電絕緣層施加到電絕緣材料的暴露的部位上。例如，以與光電子器件一樣的方式接觸所述電子組件。也就是說，因此同樣經(jīng)由引入電絕緣材料和/或電絕緣層中的開口來接觸電子組件，在所述開口中至少局部地設(shè)置導(dǎo)電材料。例如，電子組件包含或是克服由于靜電充電所引起的損壞的保護(hù)電路(也作ESD保護(hù)電路)。例如電絕緣材料除了可能用于接觸的開口以外完全地且形狀配合地覆蓋電子組件。如果電絕緣材料同樣由電絕緣層形狀配合地覆蓋，那么電子組件對(duì)于外部觀察者而言例如能夠通過電絕緣層完全地遮蓋和/或覆蓋。此外，還提出一種光電子半導(dǎo)體器件。光電子半導(dǎo)體器件例如能夠借助于在此所描述的方法制造，如結(jié)合一個(gè)或多個(gè)上述實(shí)施形式來進(jìn)行描述。也就是說，針對(duì)在此所描述的方法而闡述的特征也針對(duì)在此所描述的光電子半導(dǎo)體器件公開，并且反之亦然。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，光電子半導(dǎo)體器件包括載體，所述載體具有上側(cè)、與載體的上側(cè)相對(duì)置的下側(cè)以及至少一個(gè)設(shè)置在上側(cè)的連接面。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，光電子半導(dǎo)體器件包括至少一個(gè)設(shè)置在載體的上側(cè)的光電子器件，所述光電子器件具有至少一個(gè)背離載體的接觸面。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，光電子半導(dǎo)體器件包括電絕緣材料，所述電絕緣材料被施加在光電子器件的輻射穿透面上，其中電絕緣材料沒有填充材料的雜質(zhì)顆粒。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，光電子半導(dǎo)體器件包括電絕緣層，所述電絕緣層在橫向方向上直接與電絕緣材料鄰接，其中電絕緣層具有可預(yù)設(shè)濃度的填充材料的雜質(zhì)顆粒。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，光電子半導(dǎo)體器件包括在接觸面上引入電絕緣材料中的材料開口。材料開口例如在橫向方向上通過材料開口的至少一個(gè)側(cè)面來限界。側(cè)面能夠完全地通過電絕緣層形成。優(yōu)選地，材料開口在豎直方向上貫通地延伸穿過電絕緣材料。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，接觸面在材料開口的區(qū)域中至少局部地沒有電絕緣材料。也就是說，接觸面和材料開口在豎直方向上至少局部地彼此重疊。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，至少一個(gè)轉(zhuǎn)換層被施加到電絕緣材料的背離光電子器件的外面上，其中電絕緣層是反射輻射的或吸收輻射的并且轉(zhuǎn)換層的背離載體的外面沒有電絕緣層。例如，電絕緣層在橫向方向上完全地環(huán)繞轉(zhuǎn)換層和光電子器件。電絕緣層例如完全地且形狀配合地覆蓋轉(zhuǎn)換層的側(cè)面和光電子器件的以及載體的暴露的部位。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，引入轉(zhuǎn)換層中的層開口在豎直方向上與引入電絕緣材料中的材料開口至少部分地疊合，其中層開口和材料開口共同形成一個(gè)開口。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施形式，在連接面上，在電絕緣層和電絕緣材料中引入另一開口，其中連接面至少局部地沒有電絕緣材料。根據(jù)光電子半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施形式，所述光電子半導(dǎo)體器件包括可導(dǎo)電的材料，所述可導(dǎo)電的材料局部地設(shè)置在電絕緣層的背離載體的一側(cè)上并且至少局部地設(shè)置在開口中，并且將接觸面與連接面導(dǎo)電地連接。


在下文中根據(jù)實(shí)施例和與其相關(guān)的附圖詳細(xì)闡述在此所描述的方法以及在此所描述的光電子半導(dǎo)體器件。圖1A至5C示出用于通過在此所描述的方法進(jìn)行制造的各個(gè)生產(chǎn)步驟的一個(gè)實(shí)施例。圖6示出在此所描述的光電子半導(dǎo)體器件的一個(gè)實(shí)施例的示意側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式在實(shí)施例和附圖中相同的或起相同作用的組成部分總是設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。所示出的元件不能夠視為是按比例的，相反地，為了更好的理解能夠夸張大地示出各個(gè)元件。圖1A示出在此所描述的方法的步驟a)和步驟b)，其中首先提供載體1，所述載體具有上側(cè)12和與載體I的上側(cè)12相對(duì)置的下側(cè)11。載體I例如由陶瓷材料形成。載體I的帶狀電導(dǎo)線121和123在載體I的上側(cè)12和下側(cè)11局部地構(gòu)成面。在帶狀導(dǎo)線121的背離載體I的下側(cè)11的外面上首先施加電接觸層122。光電子器件2施加到電接觸層122上。所述光電子器件2具有背離載體I的接觸面22。光電子器件2能夠是發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片發(fā)射紫外輻射或可見光。電子組件9在橫向方向LI上與光電子器件2間隔地施加在接觸層122上。電子組件9具有背離載體I的接觸面91。例如，不僅電子組件9而且光電子器件2能夠借助于通孔經(jīng)由帶狀電導(dǎo)線123電接觸。這種通孔例如從載體I的上側(cè)12起在朝著載體的下側(cè)11的方向上完全地延伸穿過載體I。例如，借助這種通孔能夠表面安裝后續(xù)的半導(dǎo)體器件100。圖1B沿著橫向方向L2不出載體I和電子組件9。橫向方向LI和L2展開一個(gè)假設(shè)的平面，所述假設(shè)的平面平行于載體I的主延伸平面伸展。在此，橫向方向LI和L2在平面的內(nèi)相互垂直地伸展。在圖1B中示出，連接面13在橫向方向L2上與電子組件9間隔地施加在帶狀電導(dǎo)線121的背離載體I的外面上，其中在豎直方向V上在連接面13和導(dǎo)線121之間設(shè)置有電接觸材料122。圖2A還沿著橫向方向L2示出在下一個(gè)步驟c)中的載體1，其中將輻射可透過的電絕緣材料3施加到連接面13的、電接觸材料122的所有的暴露的部位上以及施加到電子組件9和接觸面91上。例如，能夠借助于定量分配、噴射或澆注來進(jìn)行施加。電絕緣材料3沒有填充材料41的雜質(zhì)顆粒42。當(dāng)前，電絕緣材料3由硅樹脂形成。在圖2B中沿著橫向方向LI示出載體1，其中光電子器件2的輻射穿透面23，光電子器件2的接觸面22以及電子組件9和接觸面91的所有的暴露的部位完全地由電絕緣層
3覆蓋。圖3A示出，在下一個(gè)步驟中將轉(zhuǎn)換層6施加到電絕緣材料3的背離光電子器件2的外面32上。在圖4A中示出，如在下一步驟d)中，將電絕緣層4完全地施加到電絕緣材料3的、光電子器件2的所有的暴露的部位上以及施加到載體I的上側(cè)12的面上。優(yōu)選地，電絕緣層4形狀配合地覆蓋上述部位。電絕緣層具有填充材料41的雜質(zhì)顆粒42。當(dāng)前，電絕緣層用基體材料，例如硅樹脂、環(huán)氧樹脂或由硅樹脂和環(huán)氧樹脂組成的混合物形成，填充材料41以可預(yù)設(shè)的濃度引入到所述基體材料中。在圖4A中所示出的實(shí)施例中，填充材料41是反射輻射的材料，其中雜質(zhì)顆粒42是反射輻射的顆粒，所述顆粒特別能夠借助TiO2形成。換而言之，對(duì)于外部觀察者而言，電絕緣層4顯現(xiàn)為白色。在此，完全地遮住電子組件9以及載體I的和光電子器件2的由電絕緣層4覆蓋的部位。在豎直方向V上，電絕緣層4與轉(zhuǎn)換層6齊平。在此，轉(zhuǎn)換層6的背離光電子器件2的外面62沒有電絕緣層4。圖4B沿著橫向方向L2示出在圖4A中所示出的、由載體1、光電子器件2、電子組件9以及電絕緣材料3和電絕緣層4所組成的復(fù)合件。在圖4B中可以看出，連接面13同樣完全地由電絕緣材料3形狀配合地覆蓋，其中在這種情況下電絕緣材料3的所有的暴露的部位也由電絕緣層4形狀配合地覆蓋。在圖5A中示出其它的步驟e)和f)，其中首先在豎直方向V上移除在光電子器件2的接觸面22上和在電子組件9的接觸面91上的電絕緣材料3和電絕緣層4。接觸面22和91由于開口 5而至少局部地沒有電絕緣層4和電絕緣材料3。在下一步驟f)中，可導(dǎo)電的材料8設(shè)置在開口 5中，其中可導(dǎo)電的材料8完全地填充開口 5。此外還可以看出，可導(dǎo)電的材料8局部地設(shè)置在電絕緣層4的背離載體I的外面上。在執(zhí)行步驟e)和f )之后能夠制造光電子半導(dǎo)體器件100。在圖5B中沿著橫向方向L2示出在圖5A中示出的光電子半導(dǎo)體器件100。在此可以看出，同樣在豎直方向V上在連接面13上穿過電絕緣層4和電絕緣材料3引入開口 5。在開口 5中設(shè)置可導(dǎo)電的材料8，其中在這種情況下可導(dǎo)電的材料3也完全地填充在連接面13上引入的開口 5。在圖5C中示出在圖5A和圖5B中示出的半導(dǎo)體器件100的示意俯視圖。可以看出，可導(dǎo)電的材料8將電子組件9的接觸面91和光電子器件2的接觸面22分別與連接面13電接觸，并且在橫向方向L2上在連接面13和這兩個(gè)接觸面22和91之間貫穿地伸展。在圖6中沿著橫向方向L2示出在此所描述的半導(dǎo)體器件100的側(cè)向剖面圖。光電子半導(dǎo)體器件100具有載體1，所述載體具有上側(cè)12以及與上側(cè)12相對(duì)置的下側(cè)11。此夕卜，光電子半導(dǎo)體器件100具有設(shè)置在上側(cè)12上的連接面13。在帶狀導(dǎo)線121的背離載體I的外面上施加接觸層122。光電子器件2施加到接觸層122上。光電子器件2具有背離載體I的接觸面22。此外，電絕緣材料3施加到光電子器件2的輻射穿透面23上并且完全地覆蓋輻射穿透面23。此外，在圖6中可以看出，轉(zhuǎn)換層6施加到電絕緣材料3的背離光電子器件2的外面32上。通過在接觸面22上引入電絕緣材料3中的材料開口 51，使接觸面22至少局部地沒有電絕緣材料3。此外，在豎直方向V上經(jīng)由材料開口 51將層開口 52引入到轉(zhuǎn)換層6中，所述層開口在豎直方向V上與材料開口 51疊合。通過層開口 51和材料開口 52構(gòu)成連續(xù)的且貫通的開口 5。此外，在豎直方向V上在連接面13上將另一開口 5’引入電絕緣層4和電絕緣材料3中，使得在這種情況下連接面13也至少局部地沒有電絕緣材料3?？蓪?dǎo)電的材料8在電絕緣層4的背離載體I的一側(cè)在電絕緣層4上連續(xù)地沿橫向方向L2在接觸面22和連接面13之間伸展。在此，可導(dǎo)電的材料8設(shè)置在開口 5和5’中，完全地填充所述開口。也就是說，可導(dǎo)電的材料8將接觸面22與連接面13導(dǎo)電地連接。電絕緣層4是反射輻射的或吸收輻射的，并且在豎直方向V上與轉(zhuǎn)換層6的背離載體I的外面62齊平，其中外面62沒有電絕緣層4。不通過根據(jù)實(shí)施例進(jìn)行的描述來限制本發(fā)明。相反，本發(fā)明包括每個(gè)新的特征以及特征的任意的組合，這尤其是包含在權(quán)利要求中的特征的任意的組合，即使所述特征或所述組合本身沒有在權(quán)利要求或?qū)嵤├忻鞔_地說明。本專利申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)102010044560.6的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過參引并入本文。
權(quán)利要求
1.關(guān)于制造光電子半導(dǎo)體器件(100)的方法，具有下述步驟: a)提供載體(1)，所述載體具有上側(cè)(12)、與所述載體(1)的上側(cè)(12)相對(duì)置的下側(cè)(11)以及至少一個(gè)設(shè)置在所述載體(1)的上側(cè)(12)上的連接面(13); b)將至少一個(gè)光電子器件(2)施加到所述載體(1)的上側(cè)(12)上，其中所述光電子器件(2)具有至少一個(gè)背離所述載體(1)的接觸面(22)； c)將電絕緣材料(3)施加到所述接觸面(22)和所述連接面(13)上，其中所述電絕緣材料(3)沒有填充材料(41)的雜質(zhì)顆粒(42)； d)將電絕緣層(4)施加到所述電絕緣材料(3)的、所述光電子器件(2)的和所述載體(1)的暴露的部位上，其中所述電絕緣層(4)具有可預(yù)設(shè)濃度的所述填充材料(41)的雜質(zhì)顆粒(42)； e)在所述接觸面(22)和所述連接面(13)上方的區(qū)域中至少移除所述電絕緣材料(3)，由此在所述電絕緣材料(3)中產(chǎn)生至少兩個(gè)開口(5)； f)將可導(dǎo)電的材料(8)設(shè)置在所述電絕緣層(4)上并且至少局部地設(shè)置在所述開口(5 )中，其中所述可導(dǎo)電的材料(8 )將所述接觸面(22 )與所述連接面(13 )導(dǎo)電地連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電絕緣材料(3)和所述電絕緣層(4)具有相同的材料。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中在所述接觸面(22)和/或所述連接面(13)上方的區(qū)域中移除所述電絕緣層(4)，由此產(chǎn)生所述開口(5)。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中所述電絕緣層(4)包含至少一種熒光轉(zhuǎn)換材料。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中在所述步驟d)之前，將所述電絕緣材料(3)至少部分地施加到所述光電子器件(2)的輻射穿透面(23)上，其中所述電絕緣材料(3)是輻射可穿透的。
6.根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中接下來并且在所述步驟d)之前將至少一個(gè)轉(zhuǎn)換層(6)施加到所述電絕緣材料(3)的背離所述光電子器件(2)的外面(32)上。
7.根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中所述電絕緣層(4)是反射輻射的或吸收輻射的，并且將所述電絕緣層(4)施加到所述光電子器件(2)的、所述電絕緣材料(3)的和所述轉(zhuǎn)換層(6)的暴露的部位上，其中所述轉(zhuǎn)換層(6)的背離所述光電子器件(2)的外面(62)保持沒有所述電絕緣層(4)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6至7之一所述的方法，其中在所述接觸面(22)上方的區(qū)域中移除所述轉(zhuǎn)換層(6)，由此產(chǎn)生至少一個(gè)所述開口(5)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8之一所述的方法，其中在豎直方向(V)上，所述轉(zhuǎn)換層(6)與所述電絕緣層(4)齊平。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中在所述步驟c)之前將至少一個(gè)電子組件(9)在所述載體(1)上沿橫向方向(L)與所述光電子器件(2)間隔地設(shè)置在所述載體(1)的上側(cè)(12 )上，其中在將所述電子組件(9 )設(shè)置在所述載體(I)上之后，首先將所述電絕緣材料(3)施加到所述電子組件(9)的暴露的部位上，并且接下來將所述電絕緣層(4)施加到所述電絕緣材料(3)的暴露的部位上。
11.電子半導(dǎo)體器件(100)，具有-載體(1)，所述載體具有上側(cè)(12)，與所述載體(I)的上側(cè)(12)相對(duì)置的下側(cè)(11)，以及至少一個(gè)設(shè)置在所述上側(cè)(12)上的連接面(13); -至少一個(gè)設(shè)置在所述載體(I)的上側(cè)(12)上的光電子器件(2)，所述光電子器件具有至少一個(gè)背離所述載體(I)的接觸面(22)； -電絕緣材料(3)，所述電絕緣材料施加在所述光電子器件(2)的輻射穿透面(23)上，其中所述電絕緣材料(3)沒有填充材料(41)的雜質(zhì)顆粒(42)； -電絕緣層(4)，所述電絕緣層在橫向方向(L)上直接與所述電絕緣材料(3)鄰接，其中所述電絕緣層(4)具有可預(yù)設(shè)濃度的所述填充材料(41)的雜質(zhì)顆粒(42)， -在所述接觸面(22)上引入到所述電絕緣材料(3)中的材料開口(51)，其中 -所述接觸面(22)在所述材料開口(51)的區(qū)域中至少局部地沒有所述電絕緣材料(3)。
12.根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光電子半導(dǎo)體器件(100)， 其中至少一個(gè)轉(zhuǎn)換層(6)施加到所述電絕緣材料(3)的背離所述光電子器件(2)的外面(32)上，其中所述電絕緣層(4)是反射輻射的或吸收輻射的，并且所述轉(zhuǎn)換層(6)的背離所述載體(I)的外面(62 )沒有所述電絕緣層(4 )。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的光電子半導(dǎo)體器件(100)， 其中引入所述轉(zhuǎn)換層(6)中的層開口(52)在豎直方向(V)上與引入所述電絕緣材料(3)中材料開口(51)至少部分地疊合，其中所述材料開口(51)和所述層開口(52)共同構(gòu)成開口(5)。
14.根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光電子半導(dǎo)體器件(100)， 其中在所述連接面(13 )上將另一開口( 5 ’)引入所述電絕緣層(4)和所述電絕緣材料(3)中，其中所述連接面(13)至少部分地沒有所述電絕緣材料(3)。
15.根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光電子半導(dǎo)體器件(100)， 具有可導(dǎo)電的材料(8)，所述可導(dǎo)電的材料局部地設(shè)置在所述電絕緣層(4)的背離所述載體(I)的一側(cè)并且至少局部地設(shè)置在所述開口( 5，5 ’)中，并且將所述接觸面(22 )與所述連接面(13)導(dǎo)電地連接。
全文摘要
本發(fā)明提出一種用于制造光電子半導(dǎo)體器件的方法，其中避免后續(xù)的光電子半導(dǎo)體器件的電接觸部與填充材料的雜質(zhì)顆粒接觸。
文檔編號(hào)H01L33/50GK103098248SQ201180043207
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2011年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月7日
發(fā)明者托比亞斯·格比爾, 漢斯-克里斯托弗·加爾邁爾, 安德烈亞斯·魏瑪 申請(qǐng)人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司