專利名稱：具有減少的離子流的預(yù)清潔腔室的制作方法
具有減少的離子流的預(yù)清潔腔室
MM
本發(fā)明的實施例一般涉及基板處理系統(tǒng)。
置量
可使用基板處理系統(tǒng)以在處理步驟前清潔基板，所述基板處理系統(tǒng)諸如是等離子體預(yù)清潔腔室。舉例來說，基板可在進(jìn)入等離子體預(yù)清潔腔室前例如通過如蝕刻工藝、灰化工藝或類似工藝而被處理?；蹇赡茉谶M(jìn)入等離子體預(yù)清潔腔室時帶有殘余物，可需要去除這些殘余物而不導(dǎo)致?lián)p害基板，所述殘余物諸如是蝕刻殘余物、氧化物或類似物。發(fā)明人觀察到，常規(guī)的預(yù)清潔腔室可能會在某些基板上產(chǎn)生損害，所述基板例如是低于65nm的介電薄膜。
因此，發(fā)明人提供一種改良的預(yù)清潔腔室。
概沭
本文公開用于處理基板的設(shè)備。在某些實施例中，基板處理系統(tǒng)可包括處理腔室、 基板支撐件及等離子體過濾器，所述處理腔室具有用來接收等離子體的第一空間(volume) 和用來處理基板的第二空間，所述基板支撐件設(shè)置于第二空間中，所述等離子體過濾器設(shè)置于處理腔室中并且在第一空間及第二空間之間，使得形成在第一空間的等離子體可僅從第一空間經(jīng)由等離子體過濾器而流進(jìn)第二空間。在某些實施例中，基板處理系統(tǒng)包括耦接至處理腔室的處理套件，其中等離子體過濾器設(shè)置于處理套件中。
在某些實施例中，基板處理系統(tǒng)包括處理腔室、基板支撐件、環(huán)、主體、唇部(Iip) 及等離子體過濾器。所述 處理腔室具有第一空間及第二空間。所述基板支撐件設(shè)置于第二空間中。所述環(huán)具有第一外側(cè)緣及具有第一內(nèi)側(cè)緣，所述第一外側(cè)緣構(gòu)造為放置于處理腔室的壁上。所述主體從環(huán)的第一內(nèi)側(cè)緣向下延伸，所述主體具有多個側(cè)壁，所述等側(cè)壁限定在基板支撐件上方的開口。所述唇部從主體的側(cè)壁延伸至位于基板支撐件方的開口。所述等離子體過濾器具有由唇部的第二內(nèi)側(cè)緣所支撐的周緣，使得形成在第一空間中的等離子體可僅從第一空間經(jīng)由等離子體過濾器而流進(jìn)第二空間。
本發(fā)明的其它及進(jìn)一步的實施例將于下敘述。
附圖簡要說明
可通過參考描繪于附圖中的本發(fā)明示范性實施例來理解以上簡要概述的和以下更詳細(xì)討論的本發(fā)明的實施例。然而，應(yīng)注意的是，附圖僅描繪本發(fā)明的典型實施例，因此不應(yīng)被視為對本發(fā)明的范圍的限制，這是因為本發(fā)明可允許其它同等有效的實施例。


圖1顯示根據(jù)本發(fā)明的某些實施例的基板處理系統(tǒng)的示意圖。
圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的某些實施例的基板處理系統(tǒng)的等離子體過濾器的立體圖。
為促進(jìn)理解，在可能地情況下，可使用相同的標(biāo)號來表示各附圖中共有的相同元件。附圖未按比例繪制且可為了清楚而加以簡化表示。預(yù)期一個實施例的元件及特征可有利地并入其它實施例中而不需進(jìn)一步詳述。
具體描沭
本文公開用于處理基板的設(shè)備。本發(fā)明設(shè)備的實施例可有利于減少等離子體中的離子流(ion current)，所述等離子體是用來清潔設(shè)置于設(shè)備中的基板。舉例來說，所減少的離子流可有利地用來去除污染物而不損害基板，所述污染物諸如是蝕刻殘余物、氧化物或類似物。本發(fā)明設(shè)備的實施例例如可以是用來清潔具有污染物的合適基板，所述基板諸如是具有低介電常數(shù)的介電材料的基板，該低介電常數(shù)的介電材料的基板一旦經(jīng)蝕刻會在該低介電常數(shù)的介電材料中形成溝道、過孔(via)或類似物。舉例來說，基板可在后段工藝 (back end of line, BEOL)處理前在本發(fā)明設(shè)備中清潔，以去除蝕刻殘余物、氧化物或類似物，以暴露金屬表面而形成金屬互連結(jié)構(gòu)。
在一非限制例中，可使用本發(fā)明的實施例以清潔前端互連結(jié)構(gòu)而通過減少寄生電容來提高產(chǎn)品效性能，所述互連結(jié)構(gòu)具有多孔超低介電常數(shù)(ultra low k，ULK)的電介質(zhì)。 由于高含量的碳，ULK電介質(zhì)可能會對等離子體處理更敏感。在某些實施例中，ULK電介質(zhì)可具有約2. 5或更小的介電常數(shù)?？墒褂帽景l(fā)明的實施例以在任何合適的裝置節(jié)點(diǎn)處清潔基板，所述合適的裝置節(jié)點(diǎn)諸如是(但不限于)約40nm或以下。
圖1顯示根據(jù)本發(fā)明的某些實施例的基板處理系統(tǒng)。舉例來說，在某些實施例中， 基板處理系統(tǒng)可為預(yù)清潔腔室，所述預(yù)清潔腔室諸如是可由加州圣克拉拉市的應(yīng)用材料公司購得的Preclean II腔室。其它的處理腔室可依據(jù)在本文所提供的技術(shù)而修改。一般來說，基板處理系統(tǒng)40包括處理腔室72，該處理腔室72具有第一空間73及第二空間75。第一空間73可包括處理腔室72的一部分，等離子體77在該部分待接收(如，引進(jìn)或形成)。 第二空間75可包括處理腔室72的一部分，該處理腔室72的一部分是利用來自等離子體77 的反應(yīng)物來處理基板之處。 舉例來說，基板支撐件42可設(shè)置在處理腔室72的第二空間75 內(nèi)。等離子體過濾器89可設(shè)置在處理腔室72中而在第一空間73與第二空間75之間，使得形成在第一空間73中的等離子體77 (或從等離子體77所形成的反應(yīng)物)可僅經(jīng)由等離子體過濾器89而到達(dá)第二空間75。
基板處理系統(tǒng)40可包括耦接至處理腔室的氣體入口 76，以提供可用來形成等離子體77的一種或多種處理氣體在第一空間中。氣體排氣裝置78可耦接至處理腔室72，舉例來說，氣體排氣裝置78可在包括有第二空間75的腔室72的較低位置耦接至處理腔室 72。在某些實施例中，RF功率源74可耦接至感應(yīng)線圈98，以在處理腔室內(nèi)72產(chǎn)生等離子體77。替代地(未圖示)，等離子體例如可由遠(yuǎn)程等離子體源或類似物而遠(yuǎn)程產(chǎn)生，并流進(jìn)處理腔室的第一空間73。在某些實施例中，功率源80可耦接至基板支撐件42，以在當(dāng)離子通量(ion flux)出現(xiàn)在基板支撐件42的表面上時，控制流至基板54的離子通量。舉例來說，基板處理系統(tǒng)40可包括控制器110，以控制基板處理系統(tǒng)40的一個或多個部件，以執(zhí)行對于基板54的操作。其它或進(jìn)一步的部件及基板處理系統(tǒng)40將于下敘述。
處理腔室72包括壁82、底部84及頂部86。介電蓋體88可設(shè)置在頂部86的下方及處理套件90的上方，處理套件90耦接至處理腔室72，且構(gòu)造為支撐等離子體過濾器 89。介電蓋體88可如圖1中所不為半球形(dome-shaped)。介電蓋體88是由介電材料制成，所述介電材料諸如是玻璃或石英，且一般為可替換部件而可在系統(tǒng)88中處理一定數(shù)量的基板后替換。感應(yīng)線圈98可環(huán)繞在介電蓋體88設(shè)置并耦接至RF功率源74，以將RF功率感應(yīng)地耦接至第一空間75而在第一空間73內(nèi)形成等離子體77。替代感應(yīng)線圈98，或與感應(yīng)線圈98結(jié)合，可使用遠(yuǎn)程等離子體源(未圖示)以在第一空間73中形成等離子體77 或以將第一等離子體77提供至第一空間73。
處理套件90可包括環(huán)91，所述環(huán)諸如是凸緣(flange)，該環(huán)91具有第一外側(cè)緣 93，該第一外側(cè)緣93構(gòu)造為放置在該處理腔室72的壁82上。舉例來說，如圖1所示，環(huán)91 可放置在壁82上且具有介電蓋體88及頂部86。然而,在圖1中所示的實施例僅作為示例， 還可能有其它的實施例。舉例來說，環(huán)可構(gòu)造為放置在腔室的內(nèi)側(cè)特征結(jié)構(gòu)上(未圖示)， 如從壁82向內(nèi)延伸的唇部或類似物。環(huán)91可進(jìn)一步包括第一內(nèi)側(cè)緣95。處理套件90可包括主體97，該主體97從該91的第一內(nèi)側(cè)緣95向下延伸。主體 97可包括側(cè)壁99，該側(cè)壁99限定基板支撐件42上方的開口 100。舉例來說，如圖1中所示，開口 100的直徑可超過基板支撐件42的直徑。舉例來說，形成在基板支撐件42與主體 97的側(cè)壁99之間的間隙102可用作為流道(flow path)，該流道供處理氣體、副產(chǎn)物及其它待排出至排氣裝置78的材料。
處理套件90可包括唇部104，該唇部104從該主體97的側(cè)壁99延伸至基板支撐件42上方的開口 100。唇部104可構(gòu)造為支撐等離子體過濾器89 (如下所討論)。唇部 104可從主體97的側(cè)壁99延伸，舉例來說，如從圖1中所示唇部104在環(huán)91下方的位置沿著側(cè)壁99而延伸。替代地，唇部104可從主體97鄰近環(huán)91的位置延伸，如唇部104從與環(huán)91在相同水平的位置延伸。唇部104可從主體97在任何合適的位置延伸，使得等離子體過濾器89可位于感應(yīng)線圈98的平面下方，以防止與感應(yīng)耦合的干擾，及防止任何的偏離等離子體在等離子體過濾器89下方產(chǎn)生。
唇部104可具有第二內(nèi)側(cè)緣106，該第二內(nèi)側(cè)緣106構(gòu)造為支撐等離子體過濾器 89的周緣在第二內(nèi)側(cè)緣106上。舉例來說，第二內(nèi)側(cè)緣106可包括環(huán)繞在第二內(nèi)側(cè)緣106 構(gòu)造的凹槽108，以支撐等離子體過濾器89在凹槽108中。然而，凹槽108僅為用于支撐等離子體過濾器89的一個示范實施例，且其它合適的保持機(jī)構(gòu)可被使用。
處理套件90可包括任何適合于系統(tǒng)40中所執(zhí)行工藝的合適材料。處理套件90 的部件可用以限定第一空間73及第二空間75。舉例來說，第一空間73可由至少該環(huán)91、 該唇部104、該等離子體過濾器89及該介電蓋體88所限定。舉例來說，在某些實施例中，如圖1中所示第一空間73可進(jìn)一步由主體97的側(cè)壁99所限定。舉例來說，第二空間75可由唇部104、等離子體過濾器89、主體97及基板支撐件42所限定。
圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的某些實施例的等離子體過濾器89的立體圖。在某些實施例中，等離子體過濾器89包括平板202，該平板202具有多個開口 87，該多個開口 87設(shè)置為從等離子體過濾器89的面對第一空間表面83穿過等離子體過濾器89至等離子體過濾器89的面對第二空間表面85。多個開口 87將第一空間73流動地耦接至第二空間75。平板202可由介電材料制成，所述介電材料諸如是石英或適于處理化學(xué)的其它材料。在某些實施例中，平板202可包括篩網(wǎng)(screen)或網(wǎng)(mesh)，其中篩網(wǎng)或網(wǎng)的開口區(qū)對應(yīng)由孔 (apertUre)87所提供的期望開口區(qū)。替代地，也可使用平板與篩網(wǎng)或網(wǎng)的結(jié)合。
可使用等離子體過濾器89以在等離子體77形成在處理腔室中之后限制等離子體 77的離子流。舉例來說，等離子體77的離子流可通過控制等離子體過濾器89的一個或多個態(tài)樣而被修改成所期望的離子流。舉例來說，多個開口 87的尺寸、空間及/或幾何配置可在整個平板202的表面上做變化。舉例來說，當(dāng)?shù)入x子體77從第一空間73移動到第二空間75時，多個開口的開口 87數(shù)量可選擇成足以減少在等離子體77中的離子流。開口 87 的尺寸范圍從O. 03英寸(O. 07厘米)至約3英寸(7. 62厘米)。開口 87可被配置為限定平板202的表面的開口區(qū)從約2%至約90%。在某些實施例中，一個或多個開口 87包括多個以方格圖案配置、約半英寸(1. 25厘米)直徑的洞，限定出約30%的開口區(qū)。需考慮的是， 可使用其它尺寸的洞或不同尺寸的洞來配置洞的其它幾何或隨機(jī)圖案。洞的尺寸、形狀及圖案可取決于第二空間75中的所期望離子密度而變化。舉例來說，可使用更多小直徑的洞以在第二空間75中增加自由基對離子密度的比率。在其它狀況下，數(shù)個較大的洞可交互散布于小洞間，以在第二空間中增加離子對自由基密度比率。替代地，較大洞可位在平板202 的特定區(qū)中以均勻分布在第二空間75中的離子分布。
替代地，或結(jié)合地，舉例來說，每一開口 87在等離子體過濾器89上的位置可為同樣的目的而選擇。舉例來說，可選擇位置以對應(yīng)等離子體77的密度，如若等離子體77在近中心處具有較高的離子密度，而在近等離子體77的鞘層具有較低的離子密度。舉例來說， 任何這種在等離子體77中的非均勻性(若存在)由如在近等離子體過濾器89的中心處的開口具有較高的離子密度，而在近等離子體過濾器89的邊緣具有較低的離子密度而產(chǎn)生。 因此，當(dāng)?shù)入x子體77從第一空間73移動到第二空間75時，多個開口 87的開口 87密度可選擇成足以減少在等離子體77中的離子流。
可使用等離子體過濾器89的其它態(tài)樣以調(diào)整等離子體77的離子流。替代地，或與上所討論的態(tài)樣結(jié)合，舉例來說，當(dāng)?shù)入x子體77從第一空間73移動到第二空間75時，多個開口 87的每一開口 87的直徑可選擇成足以減少在等離子體77中的離子流。舉例來說， 若每一開口 87的直徑小于等離子體77的鞘層寬度，開口 87可限制可到達(dá)第二空間75的離子流。替代地，或與上所討論的態(tài)樣結(jié)合，舉例來說，等離子體過濾器89的厚度可調(diào)整， 使得改變每一開口 87的長度，以控制等離子體77中的離子流。開口 87可允許自由基及其它中性氣體種類到達(dá)第二空間75且可處理在基板支撐件42上的基板。此外，等離子體過濾器89可通過唇部104的位置及/或通過相對等離子體過濾器89的基板支撐件42表面的位置而放置在基板支撐件42上方的足夠遠(yuǎn)處，以允許擴(kuò)散而抹除(smear out)對多個開口 87的圖案的沖擊，所述多個開口 87的圖案設(shè)置在設(shè)置在基板支撐件42上的基板上。
回到系統(tǒng)40，氣體入口 76連接至處理氣體供應(yīng)器92并在處理期間將處理氣體引進(jìn)至系統(tǒng)40中。如圖所示，氣體入口 76經(jīng)由介電蓋體88而耦接至第一空間75。然而，氣體入口 76可于任何合適的位置而耦接入第一空間75。氣體排氣裝置78可包括伺服控制節(jié)流閥94及 真空泵96。真空泵96在處理之前先抽空系統(tǒng)40。在處理期間，在處理期間真空泵96及伺服控制節(jié)流閥94在系統(tǒng)40內(nèi)維持所期望壓力。在某些實施例中，處理氣體可包含氫(H2)、氦(He)或類似物的一種或多種。在某些實施例中，處理氣體包含氫及氦的混和物，其中氫約5%。
基板支撐件42 —般包括一個或多個加熱器44、RF電極46及夾持電極48。舉例來說，RF電極46可包含鈦且可連接至功率源80以在處理期間提供RF偏壓。使用偏壓功率至RF電極46可促進(jìn)等離子體點(diǎn)火(plasma ignition)及/或控制離子流。然而，從RF 電極46輸出的偏壓功率可能不與系統(tǒng)40的所有實施例兼容。因此，等離子體點(diǎn)火在這些例子中需通過其它手段而完成。舉例來說，在足夠高的壓力(取決于氣體種類)時，在感應(yīng)線圈98及第一空間73之間的電容耦合可導(dǎo)致等離子體點(diǎn)火。
基板支撐件42可包括夾持電極48，當(dāng)夾持電極48設(shè)置于基板支撐件上時，夾持電極48用來緊固基板54至基板支撐件42的表面。夾持電極48可經(jīng)由匹配網(wǎng)絡(luò)(未圖示)而耦接至夾持功率源50。夾持功率源50可以約2MHz或約13. 56MHz或約60MHz而產(chǎn)生最高12，OOOff的功率。在某些實施例中，夾持功率源50可提供連續(xù)或脈沖功率。在某些實施例中，夾持功率源可為DC或脈沖DC源。
基板支撐件可包括加熱器44，當(dāng)該加熱器44設(shè)置于基板支撐件42上時，加熱器 44用來加熱基板54至所期望溫度。加熱器44可為適于提供控制基板溫度的任何種類的加熱器。舉例來說，加熱器44可為電阻式加熱器。在此類實施例中，加熱器44可耦接至功率源52，該功率源52構(gòu)造為提供加熱器44功率而促進(jìn)加熱該加熱器44。在某些實施例中， 加熱器44可配置于基板支撐件42的表面上方或鄰近該基板支撐件42的表面處。替代地， 或結(jié)合地，在某些實施例中，加熱器可內(nèi)嵌于基板支撐件42內(nèi)。加熱器44的數(shù)量及配置可變化而提供對基板54的溫度的額外控制。舉例來說，在使用超過一個加熱器的實施例中， 加熱器可配置在多個區(qū)域，以促進(jìn)控制遍布基板54的溫度，因而提供增加的溫度控制。
控制器110包括中央處理單元(CPU) 112、存儲器114及用于CPU112的支持電路 116，且控制器110依照如在系統(tǒng)40中處理基板的方法促進(jìn)控制系統(tǒng)40的部件?？刂破?10 可為任何形式的通用目的計算機(jī)處理器的一種，該通用目的計算機(jī)處理器可使用于工業(yè)裝置，以控制不同的腔室及子處理器。CPU112的計算機(jī)可讀介質(zhì)或存儲器114可為一個或多個易于獲得的存儲器，所述存儲器諸如是隨機(jī)存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、磁盤、 硬盤、或任何其它形式的數(shù)字存儲器，無論是本地的或遠(yuǎn)程的皆可。支持電路116耦接至 CPU112，用于以常規(guī)方式支持處理器。這些電路包括高速緩存(cache)、電源供應(yīng)器、頻率電路、輸入/輸出電路及子系統(tǒng)及類似物。存儲器114存儲軟件(源或目標(biāo)代碼)，該軟件可執(zhí)行或可引起，以用此所述的方式控制系統(tǒng)40的操作。軟件程序(software routine)也可由第二 CPU (未圖示)而被存儲及/或執(zhí)行，該第二 CPU位于遠(yuǎn)離由CPUl 12所控制的硬件處。
在操作的例子中，基板54位于基板支撐42上，且系統(tǒng)40被抽空以提供真空處理環(huán)境。處理氣體經(jīng)由氣體入口 76而引入第一空間73。為啟動反應(yīng)，處理氣體的等離子體經(jīng)由感應(yīng)耦合及/或電容耦合而產(chǎn)生于處理區(qū)域中。初始等離子體77可通過將功率施加至感應(yīng)線圈98而產(chǎn)生。在減少反應(yīng)期間，感應(yīng)線圈98可以約IOOKHz與約60MHz之間而偏壓于約O. 0032W/cm2與約3. 2W/cm2之間，以感應(yīng)地維持于處理區(qū)域中的等離子體 ，同時基板支撐件42偏壓于約OW/cm2與約O. 32ff/cm2之間，以電容地維持等離子體。替代地，在減少反應(yīng)期間，在處理區(qū)域中的等離子體77可由感應(yīng)線圈98而單獨(dú)維持。需考慮的是，在處理區(qū)域內(nèi)的等離子體在處理期間，可僅通過感應(yīng)耦合、僅通過電容耦合或通過感應(yīng)及電容耦合兩者的結(jié)合而激發(fā)及維持。替代地，初始等離子體可通過偏壓基板支撐件42在約O. 0032W/ cm2與約O. 32ff/cm2之間而觸發(fā)，這對于200mm基板而言是對應(yīng)到約IW與約100W之間的RF 功率水平與約IOOKHz與約IOOMHz之間的頻率且維持約3秒的時間。
腔室壓力可初始地通過設(shè)定伺服控制節(jié)流閥94至部分封閉狀態(tài)而建立至所期望的處理壓力。在處理期間，腔室壓力可通過控制伺服節(jié)流閥94的啟/閉狀態(tài)而維持在約 5mTorr與約IOOmTorr之間。可選地,在處理期間,基板54的溫度可由在基板支撐件42內(nèi)的加熱器44而控制。
在等離子體過濾器89位于基板54上方約O. 75英寸處的一個示范實施例中，測量具有或不具有等離子體過濾器89的離子流，該離子流是壓力的函數(shù)。所使用的處理氣體為在氦混合物中具有5%氫的氫。RF功率源74設(shè)定于約750瓦，以將功率提供至感應(yīng)線圈98 而促進(jìn)等離子體點(diǎn)火。發(fā)現(xiàn)等離子體過濾器89的存在可在約O至約lOOmTorr的壓力范圍間減少離子流到約1/100至約1/1000。
如上所討論，離子流可受到等離子體過濾器89中的開口 87的尺寸及數(shù)量而影響， 然而，諸如壓力、RF功率或類似手段之類的其它調(diào)整手段也為可行。舉例來說，在某些實施例中，可使用壓力以改變離子流到約1/4至約1/5。RF功率也可作為調(diào)整手段，但RF功率可受限于等離子體穩(wěn)定性。舉例來說，在某些實施例中，由RF功率源74所提供的功率可低于約550W以維持等離子體穩(wěn)定性。舉例來說，在某些實施例中，壓力可低于約lOOmTorr以維持等離子體穩(wěn)定性。
因此，已在本文提供用于處理基板的改良設(shè)備。本發(fā)明設(shè)備的實施例可有利于減少等離子體中的離子流，以對基 板的表面或設(shè)置于基板上的材料具有減少的損害，該等離子體是用來清潔設(shè)置在設(shè)備中的基板。
雖然上述涉及本發(fā)明的實施例，但可在不背離本發(fā)明的基本范圍下設(shè)計出本發(fā)明的其它與進(jìn)一步的實施例。
權(quán)利要求
1.一種基板處理系統(tǒng)，所述基板處理系統(tǒng)包括 處理腔室，所述處理腔室具有用來接收等離子體的第一空間和用于處理基板的第二空間； 基板支撐件，所述基板支撐件設(shè)置于所述第二空間中；和 等離子體過濾器，所述等離子體過濾器設(shè)置于所述處理腔室中并且在所述第一空間與所述第二空間之間，使得形成于所述第一空間中的等離子體可僅從所述第一空間經(jīng)由所述等離子體過濾器而流進(jìn)所述第二空間。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，所述基板處理系統(tǒng)進(jìn)一步包括 處理套件，所述處理套件耦接至所述處理腔室，其中所述等離子體過濾器設(shè)置于所述處理套件中。
3.如權(quán)利要求2所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述處理套件進(jìn)一步包括 環(huán)，所述環(huán)具有第一外側(cè)緣和第一內(nèi)側(cè)緣，所述第一外側(cè)緣構(gòu)造為放置于所述處理腔室的壁上； 主體，所述主體從所述環(huán)的所述第一內(nèi)側(cè)緣向下延伸，所述主體具有多個側(cè)壁，所述側(cè)壁限定在所述基板支撐件上方的開口，其中所述第一空間至少部分地設(shè)置于所述開口中；和 唇部，所述唇部從所述主體的所述側(cè)壁延伸至位于所述基板支撐件上方的所述開口，其中所述等離子體過濾器被支撐在所述唇部上。
4.如權(quán)利要求3所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述第二空間由所述唇部、所述等離子體過濾器、所述主體和所述基板支撐件所限定。
5.如權(quán)利要求3所述的基板處理系統(tǒng)，所述基板處理系統(tǒng)進(jìn)一步包括 介電蓋體，所述介電蓋體設(shè)置于所述處理套件上方。
6.如權(quán)利要求5所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述第一空間由至少所述環(huán)、所述唇部、所述等離子體過濾器和所述介電蓋體所限定。
7.如權(quán)利要求5所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述介電蓋體為半球形。
8.如權(quán)利要求5所述的基板處理系統(tǒng)，所述基板處理系統(tǒng)進(jìn)一步包括 感應(yīng)線圈，所述感應(yīng)線圈鄰近所述介電蓋體設(shè)置，以將RF功率耦接至所述第一空間，以在所述第一空間中形成等離子體。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述等離子體過濾器進(jìn)一步包括 多個開口，所述多個開口設(shè)置從所述等離子體過濾器的面對第一空間表面穿過所述等離子體過濾器至所述等離子體過濾器的面對第二空間表面，其中所述多個開口將所述第一空間流動地耦接至所述第二空間。
10.如權(quán)利要求9所述的基板處理系統(tǒng)，其中，當(dāng)?shù)入x子體從所述第一空間移動到所述第二空間時，所述多個開口的開口數(shù)量足以減少在所述等離子體中的離子流。
11.如權(quán)利要求9所述的基板處理系統(tǒng)，其中，當(dāng)?shù)入x子體從所述第一空間移動到所述第二空間時，所述多個開口的開口密度足以減少在所述等離子體中的離子流。
12.如權(quán)利要求9所述的基板處理系統(tǒng)，其中，當(dāng)?shù)入x子體經(jīng)由每一開口從所述第一空間移動到所述第二空間時，所述多個開口的每一開口的直徑足以減少在所述等離子體中的離子流。
13.如權(quán)利要求1至8中任一項所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述等離子體過濾器包含石英。
14.如權(quán)利要求1至8中任一所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述基板支撐件進(jìn)一步包括 加熱器，當(dāng)所述加熱器設(shè)置于所述基板支撐件上時，所述加熱器用來加熱基板至所期望溫度。
15.如權(quán)利要求1至8中任一項所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述基板支撐件進(jìn)一步包括 夾持電極，當(dāng)所述夾持電極設(shè)置于所述基板支撐件上時，所述夾持電極用來緊固基板至所述基板支撐件的表面。
全文摘要
本文公開用于處理基板的設(shè)備。在某些實施例中，基板處理系統(tǒng)可包括處理腔室、基板支撐件及等離子體過濾器。該處理腔室具有用來接收等離子體的第一空間以及用來處理基板的第二空間。該基板支撐件設(shè)置于第二空間中。該等離子體過濾器設(shè)置于處理腔室中并且在第一空間及第二空間之間，使得形成在第一空間的等離子體可僅從第一空間經(jīng)由等離子體過濾器而流進(jìn)第二空間。在某些實施例中，基板處理系統(tǒng)包括耦接至處理腔室的處理套件，其中等離子體過濾器設(shè)置于處理套件中。
文檔編號H01L21/3065GK103003926SQ201180034795
公開日2013年3月27日 申請日期2011年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月25日
發(fā)明者約翰·C·福斯特, 何泰宏, 穆拉利·K·納拉辛漢, 傅新宇, 孫達(dá)雷吉恩·阿爾溫德, 郭曉曦 申請人:應(yīng)用材料公司