專利名稱：光伏模塊制造技術(shù)
方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光伏模塊和生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)：
光伏裝置可包括透明薄膜，所述透明薄膜也是電荷的導(dǎo)體。光伏裝置的功能可取決于緊密接觸的稱作n型的高電子區(qū)域和稱作P型的高空穴濃度區(qū)域的形成。過去的光伏裝置由于在制造期間和制造之后暴露于光而受到可逆地或不可逆地影響。


圖I是光伏模塊的示意圖。圖2是光伏模塊的示意圖。圖3是光伏模塊的示意圖。圖4是用于制造光伏模塊的系統(tǒng)的示意圖。圖5是用于制造光伏模塊的系統(tǒng)的示意圖。圖6是用于制造光伏模塊的系統(tǒng)的示意圖。
具體實施例方式光伏器件可以包括形成在基底(或超基底)上的多個層。例如，光伏器件可包括以堆疊件形成在基底上的阻擋層、透明導(dǎo)電氧化物(TCO)層、緩沖層、半導(dǎo)體窗ロ層和半導(dǎo)體吸收層。每個層可繼而包括多于ー個的層或膜。例如，半導(dǎo)體窗ロ層和半導(dǎo)體吸收層ー起可被視為半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層可包括在TCO層上創(chuàng)建(例如，形成或沉積)的第一膜和在第一膜上創(chuàng)建的第二膜。另外，每個層可以覆蓋器件的所有部分或一部分，和/或覆蓋位于層下方的層或基底的所有部分或一部分。例如，“層”可以指與表面的所有部分或一部分接觸的任何量的任何材料。薄膜太陽能電池(例如，包括銅-銦-鎵-硒(CIGS)、碲化鎘(CdTe)和非晶硅(a-Si)的薄膜太陽能電池)通常在延長時間段(>0.5小吋-幾天)的曝光之后顯示出其電流-電壓行為的變化。諸如CIGS太陽能電池的一些結(jié)構(gòu)顯示出完全可逆的瞬時劣化。諸如a-Si太陽能電池的一些結(jié)構(gòu)顯示出不可逆的劣化，通常稱作穩(wěn)定化。在CdTe太陽能電池中，已經(jīng)觀測到兩種現(xiàn)象，其中，效率提高，并在短暫地暴露于光之后穩(wěn)定化或劣化。目前，因為器件在制造エ藝結(jié)束時可能處于非典型的預(yù)期現(xiàn)場性能的狀態(tài)，所以這樣的可逆或不可逆變化對相關(guān)器件性能的適當評估產(chǎn)生困難。開發(fā)出制造エ藝和相關(guān)系統(tǒng)作為使用曝光的替代方案，以引起器件的這些變化。
諸如CIGS、CdTe和a_Si的薄膜太陽能電池通常在延長時間段(> 0. 5小時-幾天)的曝光之后顯示出其電流-電壓行為的變化。提高的溫度可以加速這些變化。另外，在光伏器件中產(chǎn)生偏壓的外部電源的應(yīng)用可足以引起這些變化。測試通過在曝光期間提高溫度的借助于エ藝溫度的加速。在使器件保持在升高溫度下的同時，可以在恒定的電流負載下實現(xiàn)相同的效果。在恒定的電流負載下的同時提高溫度可以加速變化。這些變化能夠使エ藝變得具有可エ藝性。在一些實施例中，可以將該エ藝與層壓エ藝組合，層壓エ藝具有類似的循環(huán)時間，并可以提供引起必要變化所需的加熱。在層壓エ藝中，可以通過被設(shè)計為將模塊密封并保持在一起長達許多年且在各種條件下的材料來將薄膜光伏器件包封在模塊內(nèi)。包封材料可以通過形成低溶解度化合物而有助于保持在模塊內(nèi)存在的重金屬，低溶解度化合物固化、螯化、吸附和/或固定模塊結(jié)構(gòu)內(nèi)的鎘和/或其它重金屬，從而有助于處理和處置。在一方面，用于制造光伏模塊的方法可包括將光伏模塊加熱到100°C以上的溫度；以及將電偏壓施加到加熱的光伏模塊。在層壓エ藝期間發(fā)生加熱光伏模塊的步驟可以包括在加熱光伏模塊之前將光伏模塊夾層放置為與光伏模塊基底接觸；以及將夾層和基 底按壓在一起。將電偏壓施加到光伏模塊可以在加熱光伏模塊之后發(fā)生。將電偏壓施加到光伏模塊可以在光伏模塊的加熱期間發(fā)生。將電偏壓施加到光伏模塊可以在層壓エ藝期間發(fā)生。將電偏壓施加到光伏模塊可以在層壓エ藝之后發(fā)生。施加電偏壓可以具有比加熱光伏模塊的持續(xù)時間長的持續(xù)時間。施加電偏壓可以具有比加熱光伏模塊的持續(xù)時間短的持續(xù)時間。施加電偏壓可以具有與加熱光伏模塊的持續(xù)時間基本相同的持續(xù)時間。施加電偏壓可以包括供給具有電壓上限的恒定電流。施加電偏壓可以包括供給具有電流上限的恒定電壓。電偏壓可以產(chǎn)生在光伏器件的短路電流的0. 3-5倍的范圍內(nèi)的電流。加熱光伏模塊可以包括將光伏模塊加熱到在100°C至220°C的范圍內(nèi)的溫度。加熱光伏模塊可以包括將光伏模塊加熱到在120°C至180°C的范圍內(nèi)的溫度。加熱光伏模塊可以包括將光伏模塊加熱到在120°C至160°C的范圍內(nèi)的溫度。層壓エ藝可以具有I分鐘至60分鐘的持續(xù)時間。層壓エ藝可以具有I分鐘至30分鐘的持續(xù)時間。層壓エ藝可以具有I分鐘至20分鐘的持續(xù)時間。層壓エ藝可以具有5分鐘至20分鐘的持續(xù)時間。施加電偏壓的步驟可以包括施加電偏壓達I分鐘至60分鐘。施加電偏壓的步驟可以包括施加電偏壓達I分鐘至20分鐘。施加電偏壓的步驟可以包括施加電偏壓達5分鐘至20分鐘。在一方面，用于制造光伏模塊的系統(tǒng)可以包括調(diào)節(jié)臺，調(diào)節(jié)臺包括加熱器和電源，加熱器被構(gòu)造為將光伏模塊加熱到大于100°c的溫度，電源被構(gòu)造為將電偏壓施加到光伏模塊。此系統(tǒng)可以包括層壓機，層壓機被構(gòu)造為在光伏模塊被加熱之后將光伏模塊夾層和光伏模塊基底按壓在一起。此系統(tǒng)可以包括從層壓機運送光伏模塊的傳送機。層壓機可以包括加熱器和按壓機，加熱器被構(gòu)造為將光伏模塊加熱到大于100°C的溫度，按壓機被構(gòu)造為迫使光伏模塊夾層和光伏基底壓在一起。電源可以被構(gòu)造為在加熱器加熱光伏模塊之后將電偏壓施加到光伏模塊。電源可以被構(gòu)造為與加熱器加熱光伏模塊同時地將電偏壓施加到光伏器件?？梢砸跃哂须妷荷舷薜暮愣娏髟O(shè)定電源?？梢砸跃哂须娏魃舷薜暮愣妷涸O(shè)定電源。
電偏壓可以產(chǎn)生在光伏器件的短路電流的0. 3-5倍的范圍內(nèi)的電流。加熱器可以被構(gòu)造為將光伏模塊加熱到在120°C至180°C的范圍內(nèi)的溫度。層壓機可以被構(gòu)造為將光伏模塊層壓I分鐘至20分鐘。此系統(tǒng)可以包括包含薄膜光伏器件的光伏模塊。此系統(tǒng)可以包括包含締化鎘光伏器件的光伏模塊。此系統(tǒng)可以包括包含CIGS光伏器件的光伏模塊。此系統(tǒng)可以包括包含非晶硅光伏器件的光伏模塊。參照圖I，光伏模塊101可以包括前基底100。前基底100可以包括任何適當?shù)牟牧希浒úＡ?，例如，鈉鈣玻璃?？上噜徲诳捎米鞯谝换椎那盎?00沉積ー個或多個層110，可以在第一基底的頂部上添加各種層。層110可以包括ー個或多個器件層。例如，層110可以包括ー個或多個薄膜光伏器件層。光伏器件層還可以包括相鄰于基底100的透明導(dǎo)電氧化物層、相鄰于透明導(dǎo)電氧化物層的半導(dǎo)體窗ロ層和相鄰于半導(dǎo)體窗ロ層的半導(dǎo)體吸收層。在一些實施例中，層110可以包括碲化鎘(CdTe)光伏器件層。CdTe光伏器件層還可以包括透明導(dǎo)電氧化物層、半導(dǎo)體窗ロ層和CdTe吸收層。在一些實施例中，層110可以包括銅銦鎵硒化合物(CIGS)光伏器件層。CIGS光伏器件層還可以包括透明導(dǎo)電氧化物層 和CIGS吸收層。層110可以包括任何適當?shù)墓夥詹牧?，其包括例如硅，例如非晶硅。?10可以包括相鄰于半導(dǎo)體吸收層的額外金屬層。可相鄰于層110沉積ー種或多種金屬固定劑。例如，可相鄰于層110沉積金屬固定劑120?？梢詮目砂ㄒ幌盗羞B接的光伏器件的光伏模塊的邊緣去除半導(dǎo)體材料和其它涂層的一部分?？梢酝ㄟ^任何適當?shù)姆椒◤倪吘壢コ雽?dǎo)體材料。已經(jīng)去除半導(dǎo)體材料的區(qū)域可以用于設(shè)置、形成或沉積與基底相鄰的夾層材料。參照圖2，已經(jīng)通過可包括激光劃片的機械裝置從光伏器件101去除了層110和層120的一部分。參照圖3，光伏模塊101可以包括與層110和層120接觸的一個或多個夾層138。光伏模塊101還可以包括背基底130。背基底130可以包括任何適當?shù)牟牧?，其包括玻璃，例如鈉鈣玻璃。在添加夾層138之后，可以將背基底130添加到光伏模塊101?？蛇x地，在添加夾層138之前，可以將背基底130添加到光伏模塊101。例如，可相鄰于層110和層120設(shè)置背基底130，從而靠近于前基底100和背基底130的邊緣部分形成空間。夾層材料可以設(shè)置在此空間中，從而形成夾層138。可以通過層壓エ藝將光伏模塊101的層對準、加熱并結(jié)合在一起。層壓包封光伏模塊101的半導(dǎo)體層、TC0、金屬導(dǎo)體和任何其它層，從而將光伏器件與環(huán)境密封。可以通過層壓エ藝將前基底100和背基底130與夾層138結(jié)合在一起。夾層可以包括熱塑性夾層。熱塑性夾層可以包括丙烯腈丁ニ烯苯こ烯(ABS)、丙烯酸樹脂(PMMA)、賽璐珞、こ酸纖維素、環(huán)烯烴共聚物(COC)、聚こ烯醇縮丁醛(PVB)、硅樹脂、環(huán)氧樹脂、こ烯こ酸こ烯酯(EVA)、こ烯こ烯醇(EVOH)、氟塑料(PTFE)、離聚物、KYDEX 、液晶聚合物(LCP)、聚縮醛(POM)、聚丙烯酸酷、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺(PA)、聚酰胺酰亞胺(PAI)、聚芳醚酮(PAEK)、聚丁ニ烯(PBD)、聚丁烯(PB)、聚對苯ニ甲酸丁ニ醇酯(PBT)、聚己酸內(nèi)酯(PCL)、聚氯三氟こ烯(PCTFE)、聚對苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)、聚對苯ニ甲酸環(huán)己ニ甲酯(PCT)、聚碳酸酯(PC)、聚羥基鏈烷酸酯(PHA)、聚酮(PK)、聚酷、聚こ烯(PE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酮酮(PEKK)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚醚砜(PES)、氯化聚こ烯(PEC)、聚酰亞胺(PI)、聚乳酸(PLA)、聚甲基戊烯(PMP)、聚苯醚(PPO)、聚苯硫醚(PPS)、聚鄰苯ニ甲酰胺(PPA)、聚丙烯(PP)、聚苯こ烯(PS)、聚砜(PSU)、聚對苯ニ甲酸丙ニ醇酯(PTT)、聚氨酷(PU)、聚こ酸こ烯酯(PVA)、聚氯乙烯(PVC)、聚偏ニ氯こ烯(PVDC)或苯こ烯-丙烯腈(SAN)或者任何其它適當?shù)牟牧?，或者它們的組合。在特定的實施例中，熱塑性夾層可以包括こ烯こ酸こ烯酯(EVA)、聚こ烯醇縮丁醛(PVB)、硅樹脂或環(huán)氧樹脂。參照圖4，光伏模塊101的前基底100、背基底130和夾層138可以按壓在一起。按壓前基底100、背基底130和夾層138的裝置可以包括層壓機200，層壓機200可以包括按壓機。在層壓機200的頂板210和底板220將前基底100和背基底130按壓在一起的同時，層壓機200可以通過層壓機200的面對背基底130的底加熱板220的加熱來處理層壓室230中的光伏模塊101。夾層138可以被熔化、允許在空隙中流動并填充，并且通過此エ藝而固化。層壓室230可以是真空室。在一些實施例中，除了在層壓エ藝過程中在層壓機200中進行處理之外，可以用紅外輻射(IR)源來加熱光伏模塊101。可以在將夾層138添加到光伏器件101之前或之后 使用IR加熱器。參照圖5和圖6，制造光伏模塊的系統(tǒng)可以包括層壓光伏模塊101的層壓機200、在層壓機200之后調(diào)節(jié)模塊101的調(diào)節(jié)臺300以及向光伏模塊101施加電偏壓的電源400。在一些實施例中，如圖6所示，電源400可以被構(gòu)造為向調(diào)節(jié)臺300上的光伏模塊101施加電偏壓。制造光伏模塊的系統(tǒng)可以包括傳送機500。調(diào)節(jié)臺300可以被構(gòu)造為在層壓機200和傳送機500之間調(diào)節(jié)光伏模塊101。在一些實施例中，系統(tǒng)可以以相同的溫度循環(huán)執(zhí)行層壓和調(diào)節(jié)(例如，光伏模塊的加熱和偏壓)。對于5-20分鐘的時間段，典型的層壓溫度在120°C至180°C的范圍內(nèi)。在此系統(tǒng)中，在溫度循環(huán)期間可以通過電源來提供電偏壓，電源可以以具有電壓上限的恒定電流或以具有電流上限的恒定電壓來設(shè)定。電流可以在光伏器件的短路電流的0. 3-5倍的范圍內(nèi)。電流可以在光伏器件的短路電流的0. 3-3倍的范圍內(nèi)。在一些實施例中，系統(tǒng)可以在層壓的溫度循環(huán)期間通過施加電偏壓在單個溫度循環(huán)期間提供光伏模塊的封裝層壓和調(diào)節(jié)。在一些實施例中，調(diào)節(jié)エ藝可以通過在層壓之后施加電偏壓和熱而發(fā)生。間接的熱可以部分地或完全地由層壓循環(huán)提供。離開層壓工具200時的典型模塊溫度可以為120°C至160°C，并且在保持溫度或使溫度從層壓溫度下降的同時，可以施加偏壓。エ藝時間可以在I分鐘至20分鐘的范圍內(nèi)。在一些實施例中，系統(tǒng)可以在完成層壓循環(huán)之后提供半導(dǎo)體的封裝層壓和調(diào)節(jié)。調(diào)節(jié)エ藝可以保持層壓工具的循環(huán)時間，并且模塊可以在エ藝期間在離開層壓工具200之后保持固定。不需要ニ級熱源。將電偏壓施加到光伏器件可以在層壓循環(huán)的加熱之前、之后或期間發(fā)生。將電偏壓施加到光伏器件的時長可以比層壓循環(huán)的加熱時長長或短。將電偏壓施加到光伏器件可以與層壓循環(huán)的加熱具有相同的時長。如圖6所示，用于制造光伏模塊的系統(tǒng)可以包括層壓機200、調(diào)節(jié)臺300、電源400和傳送機500。層壓機200可以包括加熱光伏模塊的加熱器和例如通過將光伏模塊夾層與光伏模塊基底按壓在一起來層壓光伏模塊的按壓機。可以將已經(jīng)加熱的光伏模塊設(shè)置在調(diào)節(jié)臺300中，調(diào)節(jié)臺300可以提供電接觸和偏壓。在通過層壓機200完成層壓循環(huán)之后，模塊可以保持在調(diào)節(jié)臺300中。層壓機200可以開始下ー個光伏模塊101的層壓循環(huán)。在光伏模塊的制造過程中，可以將電接觸焊盤應(yīng)用于光伏模塊101，電接觸焊盤并聯(lián)地或串聯(lián)地設(shè)置模塊。電源400可以用于在恒定電流模式或恒定電壓模式下操作模塊。典型的エ藝窗ロ可以是，電流在光伏器件的短路電流的0. 3-5倍(例如，0. 3-3倍)的范圍內(nèi)，施加的エ藝時間比層壓循環(huán)短。在該時間期間，光伏模塊101可以被積極地加熱、冷卻或僅暴露于環(huán)境，從而實現(xiàn)期望的溫度曲線。當前一批光伏模塊的模塊從調(diào)節(jié)臺300移開時，對下ー批光伏模塊完成層壓循環(huán)，并且下ー批可以進入位于接近調(diào)節(jié)臺300的傳送機500。如上所述，可以在正對光伏模塊加熱的同時，或者在已經(jīng)對光伏模塊加熱之后，發(fā)生通過施加電偏壓來調(diào)節(jié)光伏模塊。調(diào)節(jié)可以在層壓エ藝期間或在層壓エ藝之后發(fā)生。光伏模塊可以被層壓，層壓可以包括加熱光伏模塊。在已經(jīng)加熱光伏模塊之后并且光伏模塊正在冷卻的同時，然后可以通過施加電偏壓來調(diào)節(jié)加熱的光伏模塊。與未調(diào)節(jié)的光伏模塊相比，通過新的方法和系統(tǒng)處理的光伏器件可以具有大約5-20%的效率提高，例如在效率方面提高大約15%。在一些實施例中，制造光伏器件的新的方法可以實現(xiàn)生產(chǎn)成本的下降 和生產(chǎn)時間的縮短。已經(jīng)描述了本發(fā)明的許多實施例。然而，應(yīng)當理解的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出各種修改。還應(yīng)當理解的是，附圖未必是按比例畫出的，從而給出了對本發(fā)明的基本原理進行舉例說明的各種優(yōu)選特征的略微簡化的表示。
權(quán)利要求
1.一種用于制造光伏模塊的方法，所述方法包括 將光伏模塊加熱到100°c以上的溫度；以及 將電偏壓施加到加熱的光伏模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，在層壓エ藝期間發(fā)生加熱光伏模塊的步驟還包括 在加熱光伏模塊之前將光伏模塊夾層放置為與光伏模塊基底接觸；以及 將夾層和基底按壓在一起。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，將電偏壓施加到光伏模塊的步驟在加熱光伏模塊之后發(fā)生。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，將電偏壓施加到光伏模塊的步驟在光伏模塊的加熱期間發(fā)生。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，將電偏壓施加到光伏模塊的步驟在層壓エ藝期間發(fā)生。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，將電偏壓施加到光伏模塊的步驟在層壓エ藝之后發(fā)生。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，施加電偏壓具有比加熱光伏模塊的持續(xù)時間長的持續(xù)時間。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，施加電偏壓具有比加熱光伏模塊的持續(xù)時間短的持續(xù)時間。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，施加電偏壓具有與加熱光伏模塊的持續(xù)時間基本相同的持續(xù)時間。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，施加電偏壓包括供給具有電壓上限的恒定電流。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，施加電偏壓包括供給具有電流上限的恒定電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，電偏壓產(chǎn)生在光伏器件的短路電流的0.3-5倍的范圍內(nèi)的電流。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，加熱光伏模塊的步驟包括將光伏模塊加熱到在100°C至220°C的范圍內(nèi)的溫度。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，加熱光伏模塊的步驟包括將光伏模塊加熱到在120°C至180°C的范圍內(nèi)的溫度。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，加熱光伏模塊的步驟包括將光伏模塊加熱到在120°C至160°C的范圍內(nèi)的溫度。
16.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，層壓エ藝具有I分鐘至60分鐘的持續(xù)時間。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，層壓エ藝具有I分鐘至30分鐘的持續(xù)時間。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，層壓エ藝具有I分鐘至20分鐘的持續(xù)時間。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，層壓エ藝具有5分鐘至20分鐘的持續(xù)時間。
20.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，施加電偏壓的步驟包括施加電偏壓達I分鐘至60分鐘。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，施加電偏壓的步驟包括施加電偏壓達I分鐘至20分鐘。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，施加電偏壓的步驟包括施加電偏壓達5分鐘至20分鐘。
23.一種用于制造光伏模塊的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括 調(diào)節(jié)臺，包括加熱器和電源，加熱器被構(gòu)造為將光伏模塊加熱到大于100°c的溫度，電源被構(gòu)造為將電偏壓施加到光伏模塊。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)還包括被構(gòu)造為在加熱光伏模塊之后將光伏模塊夾層和光伏模塊基底按壓在一起的層壓機。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)還包括從層壓機運送光伏模塊的傳送機。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中，層壓機包括 加熱器，被構(gòu)造為將光伏模塊加熱到大于100°C的溫度；以及 按壓機，被構(gòu)造為迫使光伏模塊夾層和光伏基底壓在一起。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中，電源被構(gòu)造為在加熱器加熱光伏模塊之后將電偏壓施加到光伏模塊。
28.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中，電源被構(gòu)造為與加熱器加熱光伏模塊同時地將電偏壓施加到光伏器件。
29.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中，以具有電壓上限的恒定電流設(shè)定電源。
30.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中，以具有電流上限的恒定電壓設(shè)定電源。
31.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中，電偏壓產(chǎn)生在光伏器件的短路電流的0.3-5倍的范圍內(nèi)的電流。
32.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中，加熱器被構(gòu)造為將光伏模塊加熱到在120°C至180°C的范圍內(nèi)的溫度。
33.根據(jù)權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中，層壓機被構(gòu)造為將光伏模塊層壓I分鐘至20分鐘。
34.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)還包括包含薄膜光伏器件的光伏模塊。
35.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng),所述系統(tǒng)還包括包含締化鎘光伏器件的光伏模塊。
36.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng),所述系統(tǒng)還包括包含CIGS光伏器件的光伏模塊。
37.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)還包括包含非晶硅光伏器件的光伏模塊。
38.根據(jù)權(quán)利要求34所述的系統(tǒng)，其中，夾層包括熱塑性材料。
全文摘要
一種用于制造光伏模塊的方法包括層壓步驟。
文檔編號H01L31/042GK102804404SQ201180012175
公開日2012年11月28日 申請日期2011年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月1日
發(fā)明者馬克思·格魯克勒爾, 艾姆仁·科瀚 申請人:第一太陽能有限公司