專利名稱：改良的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種半導(dǎo)體元件，尤其是一種解決黏著層溢流污染焊線電性連接區(qū)域問題的晶片封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
集成電路中的晶片是由晶圓制作、電路設(shè)計(jì)、光罩制作以及切割晶圓等步驟而完成，每ー顆由晶圓切割所形成的晶片，在經(jīng)由晶片上的焊墊與外部訊號(hào)電性連接后，再以膠體材料將晶片包覆，，其封裝的目的在于防止晶片受到濕氣、熱量、雜訊的影響，并提供晶片與外部電路的間電性連接的媒介?，F(xiàn)有的封裝結(jié)構(gòu)包括晶片，線路基板，黏著層、多條焊線和膠體，晶片通過有環(huán)氧樹脂制成的黏著層接合于線路基板上，晶片上表面上的多個(gè)焊墊通過多個(gè)焊線與線路基板電性連接，膠體包覆晶片、黏著層和該些焊線。由于黏著層具有流動(dòng)性，黏著層的加壓容易使得黏著層溢流至線路基板的其他區(qū)域，甚至污染線路基板與該些焊線電性連接的區(qū)域，造成降低封裝的良率。因此，現(xiàn)有技術(shù)有待于改進(jìn)和提聞。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種解決黏著層溢流污染焊線電性連接區(qū)域問題的改良的晶片封裝結(jié)構(gòu)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)手段來實(shí)現(xiàn)的ー種改良的晶片封裝結(jié)構(gòu)，包括線路基板，兩階段熱固性黏著層，第一晶片、第二晶片和膠體，所述的線路基板的上表面中部黏著有兩階段熱固性黏著層，該兩階段熱固性黏著層的上表面設(shè)有第一晶片；所述的第一晶片的上表面還通過一黏著層接合第二晶片的下表面，所述的第一晶片和第二晶片的的上表面均設(shè)置的多個(gè)焊墊通過多條焊線電性連接線路基板的上表面，所述的膠體包覆第一晶片、第二晶片和該些焊線。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是由于本實(shí)用新型的晶片封裝結(jié)構(gòu)的兩階段熱固性黏著層可預(yù)先固化為固態(tài)或凝膠態(tài)的熱固性黏著層，因此在進(jìn)行后續(xù)將晶片壓合至線路基板或?qū)⒕瑝汉现亮硪痪闹瞥滩襟E時(shí)，兩階段熱固性黏著層不會(huì)溢流至線路基板或另一晶片的其他區(qū)域，進(jìn)而污染線路基板或另一晶片與焊線電性連接的區(qū)域。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、設(shè)計(jì)合理，具有廣泛的市場(chǎng)價(jià)值和巨大的市場(chǎng)潛力。

附圖I為本實(shí)用新型改良的晶片封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中各標(biāo)號(hào)分別是(I)線路基板，(2)兩階段熱固性黏著層，(3)第一晶片，(4)第二晶片，(5)膠體，(6)焊墊，(7)焊線，(8)黏著層。
具體實(shí)施方式
[0010]
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)ー步的詳細(xì)說明參看圖1，本實(shí)用新型ー種改良的晶片封裝結(jié)構(gòu)，包括線路基板1，兩階段熱固性黏著層2，第一晶片3、第二晶片和4膠體5，所述的線路基板I的上表面中部黏著有兩階段熱固性黏著層2，該兩階段熱固性黏著層2的上表面設(shè)有第一晶片3 ;所述的第一晶片3的上表面還通過一黏著層8接合第二晶片4的下表面，所述的第一晶片I和第二晶片2的的上表面均設(shè)置的多個(gè)焊墊6通過多條焊線7電性連接線路基板I的上表面，所述的膠體5包覆第一晶片3、第二晶片4和該些焊線7。以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員可能利用上述掲示的技術(shù)內(nèi)容加以變更或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但是凡未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1. ー種改良的晶片封裝結(jié)構(gòu)，包括線路基板，兩階段熱固性黏著層，第一晶片、第二晶片和膠體，其特征在于所述的線路基板的上表面中部黏著有兩階段熱固性黏著層，該兩階段熱固性黏著層的上表面設(shè)有第一晶片；所述的第一晶片的上表面還通過一黏著層接合第ニ晶片的下表面，所述的第一晶片和第二晶片的的上表面均設(shè)置的多個(gè)焊墊通過多條焊線電性連接線路基板的上表面，所述的膠體包覆第一晶片、第二晶片和該些焊線。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種改良的晶片封裝結(jié)構(gòu)，包括線路基板，兩階段熱固性黏著層，第一晶片、第二晶片和膠體，所述的線路基板的上表面中部黏著有兩階段熱固性黏著層，該兩階段熱固性黏著層的上表面設(shè)有第一晶片；所述的第一晶片的上表面還通過一黏著層接合第二晶片的下表面，所述的第一晶片和第二晶片的上表面均設(shè)置的多個(gè)焊墊通過多條焊線電性連接線路基板的上表面，所述的膠體包覆第一晶片、第二晶片和該些焊線。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、設(shè)計(jì)合理，具有廣泛的市場(chǎng)價(jià)值和巨大的市場(chǎng)潛力。
文檔編號(hào)H01L23/488GK202363450SQ201120488000
公開日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2011年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月30日
發(fā)明者彭蘭蘭 申請(qǐng)人:彭蘭蘭