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新型覆晶封裝結構的制作方法

文檔序號:7183223閱讀:299來源:國知局
專利名稱:新型覆晶封裝結構的制作方法
技術領域
本實用新型涉及ー種覆晶封裝結構,尤其是ー種將晶片覆于軟性承載器上的新型覆晶封裝結構。
背景技術
由于覆晶結合技術可應用于高接腳數(shù)的晶片封裝結構,并具有縮小封裝面積及縮短訊號傳輸路徑等諸多優(yōu)點,使得覆晶封裝技術目前已被廣泛地應用在晶片封裝領域。現(xiàn)有的覆晶封裝結構包括晶片、軟性承載器、多個凸塊和底角層,由于要在晶片以及軟性承載器之間澆注底膠材料以形成包覆凸塊的底膠層,底膠材料無法完全充滿晶片與軟性承載器間,使得底膠層具有多個孔洞,然而,底膠層具有多個孔洞將使得底膠層無法完全包覆凸塊,部門凸塊暴露于環(huán)境中,凸塊容易受到外界影響而產生裂縫,進而影響到覆晶封裝結構的可靠度。因此,現(xiàn)有技術有待于改進和提聞。
發(fā)明內容有鑒于此,本實用新型的目的是通過在晶片的表面設置多個擬凸塊的設計,提供一種可減少軟性承載器的變形量,進而減少底膠層中的孔洞產生的新型覆晶封裝結構。。為達到上述目的,本實用新型是通過以下技術手段來實現(xiàn)的ー種新型覆晶封裝結構,包括晶片,軟性承載器和底膠層,所述的軟性承載器包括軟性基板、設置于軟性基板上的線路層和配置于線路層上的防焊層,該防焊層暴露出與凸塊和擬凸塊電性連接的線路層;所述的晶片的下表面設有多個焊墊和多個擬焊墊,該些焊墊和擬焊墊上分別設有多個凸塊和多個擬凸塊,該些凸塊與擬凸塊通過線路層與軟性基板電性連接;所述的線路層與凸塊之間以及線路層與擬凸塊之間設有導電材料;所述的底膠層包覆凸塊與擬凸塊,防止凸塊與擬凸塊受到損壞。與現(xiàn)有技術相比,本實用新型的有益效果是由于在晶片的表面設置多個擬凸塊,這些擬凸塊在晶片與軟性承載器電性連接的過程中有助于軟性承載器的表面變形量較不明顯;當?shù)啄z材料注入晶片與軟性承載器之間所圍成的空間而形成底膠層時,底膠材料可平順地注入,因而可降低底膠層的內部形成孔洞的幾率,進而提高滴膠填充制程的良率。本實用新型結構簡單,設計合理,有效地提高覆晶封裝結構的可靠度,具有巨大的市場價值。

附圖I為本實用新型ー種新型覆晶封裝結構的結構示意圖。圖中各標號分別是(1)晶片,(2)軟性基板,(3)線路層,(4)焊墊,(5)凸塊,(6)擬凸塊,(7)底膠層,(8)擬焊墊,(9)導電材料,(10)防焊層。
具體實施方式
[0010]
以下結合附圖對 本實用新型作進ー步的詳細說明參看圖1,本實用新型ー種新型覆晶封裝結構,包括晶片1,軟性承載器和底膠層7,所述的軟性承載器包括軟性基板2、設置于軟性基板2上的線路層3和配置于線路層3上的防焊層10,該防焊層10暴露出與凸塊5和擬凸塊6電性連接的線路層3 ;所述的晶片I的下表面設有多個焊墊4和多個擬焊墊8,該些焊墊4和擬焊墊8上分別設有多個凸塊5和多個擬凸塊6,該些凸塊5與擬凸塊6通過線路層3與軟性基板2電性連接;所述的線路層3與凸塊之間5以及線路層3與擬凸塊6之間設有導電材料9 ;所述的底膠層7包覆凸塊5與擬凸塊6,防止凸塊5與擬凸塊6受到損壞。以上所述,僅是本實用新型的較佳實施例而已,并非對本實用新型作任何形式上的限制,任何熟悉本專業(yè)的技術人員可能利用上述掲示的技術內容加以變更或修飾為等同變化的等效實施例,但是凡未脫離本實用新型技術方案內容,依據(jù)本實用新型的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本實用新型技術方案的范圍內。
權利要求1. ー種新型覆晶封裝結構,包括晶片,軟性承載器和底膠層,其特征是所述的軟性承載器包括軟性基板、設置于軟性基板上的線路層和配置于線路層上的防焊層,該防焊層暴露出與凸塊和擬凸塊電性連接的線路層;所述的晶片的下表面設有多個焊墊和多個擬焊墊,該些焊墊和擬焊墊上分別設有多個凸塊和多個擬凸塊,該些凸塊與擬凸塊通過線路層與軟性基板電性連接;所述的線路層與凸塊之間以及線路層與擬凸塊之間設有導電材料;所述的底膠層包覆凸塊與擬凸塊,防止凸塊與擬凸塊受到損壞。
專利摘要本實用新型公開了一種新型覆晶封裝結構,包括晶片,軟性承載器和底膠層,所述的軟性承載器包括軟性基板、設置于軟性基板上的線路層和配置于線路層上的防焊層,該防焊層暴露出與凸塊和擬凸塊電性連接的線路層;所述的晶片的下表面設有多個焊墊和多個擬焊墊,該些焊墊和擬焊墊上分別設有多個凸塊和多個擬凸塊,該些凸塊與擬凸塊通過線路層與軟性基板電性連接;所述的線路層與凸塊之間以及線路層與擬凸塊之間設有導電材料;所述的底膠層包覆凸塊與擬凸塊,防止凸塊與擬凸塊受到損壞。本實用新型結構簡單,設計合理,有效地提高覆晶封裝結構的可靠度,具有巨大的市場價值。
文檔編號H01L33/54GK202363513SQ20112048799
公開日2012年8月1日 申請日期2011年11月30日 優(yōu)先權日2011年11月30日
發(fā)明者彭蘭蘭 申請人:彭蘭蘭
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