專利名稱：具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是關(guān)于一種晶片電路元件，尤其是指ー種具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件。
背景技木晶片型電路元件目前已被廣泛的使用于各種電子設(shè)備中，不但在電路板上所占用的體積小，尤其安裝時(shí)可以符合表面安裝技術(shù)的需要，便于自動(dòng)化組裝設(shè)置，因此現(xiàn)在已經(jīng)有例如晶片電阻、晶片電容、晶片電感、晶片電壓器或晶片保險(xiǎn)絲等電路元件。此類晶片型電路元件通常是在基板上形成不同電路，而成形電路的常見方式一般可分為傳統(tǒng)的薄膜電路元件及厚膜電路元件，其中薄膜電路元件是在基板上以微影エ藝的方式來制作電路膜層，而厚膜電路元件則是在基板上以印刷及燒結(jié)定形的方式來制作電路膜層。這兩種不同エ藝所制作出的晶片型電路元件相互比較，可發(fā)現(xiàn)薄膜電路元件的制作成本雖高，但是在電路布局的精準(zhǔn)度及隨溫度變化的穩(wěn)定度皆優(yōu)于厚膜電路元件，而且在電子設(shè)備的功能不斷復(fù)雜化，但能運(yùn)用的空間卻愈來愈小的情況下，使用微影エ藝的薄膜電路元件是目前較佳的解決方案。然而，當(dāng)晶片電阻等元件在電子設(shè)備中受電運(yùn)作過程中，無法避免地會將部分能量轉(zhuǎn)換為熱能而造成溫度上升，對于晶片電路元件而言，過高的溫度將會產(chǎn)生不良影響，不僅工作效率變差，元件中的各種不同層級材料，也會因彼此膨脹系數(shù)差異，隨溫度上升而產(chǎn)生不同尺寸的膨脹，各層級間的結(jié)合隨之受損，使用壽命從而明顯縮短，進(jìn)ー步地，如果晶片電路元件是保險(xiǎn)絲，環(huán)境溫度上升便會影響作為保護(hù)之用的保險(xiǎn)絲平白燒毀、提早斷路。不幸地，在實(shí)際電能仍處于可接受的安全范圍之內(nèi)時(shí)，原本應(yīng)該作為保護(hù)電子設(shè)備的保險(xiǎn)絲元件，卻反而因?yàn)椴僮鳝h(huán)境的熱積存，讓該晶片保險(xiǎn)絲提前熔斷，平添操作變數(shù)而増加困擾。欲提升導(dǎo)熱效果，又必須考量各種材質(zhì)的導(dǎo)熱能力，其中，一般常作為基板的陶瓷材料中，氧化鋁(三氧化ニ鋁)基板雖然價(jià)格低廉，但導(dǎo)熱系數(shù)僅有約20W/m* K，導(dǎo)熱效果不佳；氮化鋁基板導(dǎo)熱系數(shù)約170W/m K，但價(jià)格亦較氧化鋁基板高出近十倍，即使有部分制造者試圖將高導(dǎo)熱材料例如銅(導(dǎo)熱系數(shù)約380W/m*K)等金屬設(shè)置于基板的另ー側(cè)，以解決元件發(fā)熱問題，但由于基板本身的厚度有數(shù)百微米(Pm)，元件發(fā)熱受到基板阻撓及累積，即使部分發(fā)熱被傳導(dǎo)至元件相反側(cè)面而導(dǎo)出，但基板的操作環(huán)境溫度已經(jīng)大幅提升，上述高發(fā)熱問題仍不能徹底解決。因此，如何制作出能有效導(dǎo)離晶片元件受致能所產(chǎn)生的熱，達(dá)到提升工作效率、令使用壽命增長、降低溫度過高而喪失原有功能的機(jī)率，無疑將成為具有絕佳產(chǎn)品競爭カ的解決方案。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的ー個(gè)目的在于提供ー種具有ー層散熱層、令受電產(chǎn)生熱能可被有效導(dǎo)離的具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件，以提升產(chǎn)品操作穩(wěn)定性。本實(shí)用新型的另一目的在于提供ー種具有ー層形成有間隙的散熱層的具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件，確保散熱層不致引發(fā)短路，以維持電路元件電氣特性。本實(shí)用新型的另ー目的在于提供ー種具有高散熱效率、増加元件使用壽命的具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件。依照本實(shí)用新型掲示的ー種具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件，包括一片基板本體，具有兩個(gè)端緣、及兩個(gè)分別連接前述端緣且彼此相對的側(cè)面；ー層形成于上述側(cè)面之一上、對應(yīng)上述兩個(gè)端緣的導(dǎo)熱層；一層結(jié)合至該導(dǎo)熱層上的中介層；一層結(jié)合至該中介層上的阻抗層，包括兩個(gè)分別對應(yīng)上述ニ端緣的導(dǎo)接端部、及連接前述導(dǎo)接端部的元件部；及一對分別對應(yīng)該基板本體的前述ニ端緣、并且分別導(dǎo)接該阻抗層的前述兩個(gè)導(dǎo)接端部的端電扱。由于本實(shí)用新型所掲示的具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件，是先在基板本體濺鍍及電鍍ー層金屬材質(zhì)的散熱層，并于散熱層上附著ー層中介層，接著在中介層上設(shè)置ー層具有兩個(gè)導(dǎo)接端部的元件部，并透過中介層附著于散熱層，再于基板本體兩側(cè)面濺鍍及電鍍供·導(dǎo)接至元件部的兩個(gè)導(dǎo)接端部的端電極，令電能導(dǎo)接至端電極時(shí)，元件部所產(chǎn)生的熱量可被散熱層有效率地導(dǎo)離。且本案散熱層更可形成一個(gè)位于兩端之間的間隙，并讓間隙位在偏離電路元件的中心位置，亦即，即便在制作過程中，中介層分布形成有瑕疵而未均勻涂布，或因長時(shí)間使用而使絕緣效果受損，造成阻抗層與散熱層間的絕緣效果減損，仍可藉由形成的間隙，阻絕阻抗層的兩端藉由散熱層而短路的風(fēng)險(xiǎn)。尤其當(dāng)元件部受致能時(shí)產(chǎn)生的熱主要集中在約略為兩個(gè)導(dǎo)接端部之間的的中央處，偏心分布的散熱層中，涵蓋中央部分的一者可以承擔(dān)主要的散熱責(zé)任，達(dá)到散熱效率的提升，以及令元件使用壽命有效延長；尤其是針對例如晶片保險(xiǎn)絲類的產(chǎn)品，更可避免因?yàn)闇囟冗^高而造成元件產(chǎn)生誤動(dòng)作的情況發(fā)生，達(dá)成上述所有目的。

圖I是本實(shí)用新型的具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件的第一較佳實(shí)施例的制造流程圖；圖2是本實(shí)用新型的具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件的第一較佳實(shí)施例的基板本體的俯視圖；圖3是圖2的基板本體的側(cè)視圖；圖4是圖3的基板本體的側(cè)面濺鍍ー層金屬種子層的側(cè)視圖；圖5是圖4的金屬種子層上壓印ー層光阻膜的側(cè)視圖；圖6是圖5的金屬種子層經(jīng)由電鍍及蝕刻作業(yè)，并去除剩余光阻膜后，形成ー層導(dǎo)熱層的側(cè)視圖；圖7是圖6的導(dǎo)熱層及基板本體上另壓印一層光阻膜做為中介層，并在中介層上壓印ー層阻抗層的側(cè)視圖；圖8是圖7的阻抗層進(jìn)行曝光及顯影形成一個(gè)預(yù)定圖案的俯視圖；圖9是圖7的基板本體上設(shè)有阻抗層及封裝保護(hù)層的側(cè)視圖；[0022]圖10是圖9的基板本體成條堆疊并露出兩端緣，并同步濺鍍及電鍍增厚，形成兩端的端電極的側(cè)視圖；圖11是圖10的基板本體逐一分離成顆粒，完成本例的具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件的側(cè)視圖；圖12是本實(shí)用新型的具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件的第二較佳實(shí)施例的制造流程圖；圖13是本實(shí)用新型的高導(dǎo)熱晶片電路元件的導(dǎo)熱層上壓印ー層中介層的側(cè)視圖；圖14是圖13的中介層上濺鍍ー層金屬種子層，且在金屬種子層上設(shè)置ー層光阻膜的側(cè)視圖； 圖15是圖14的金屬種子層經(jīng)由電鍍及蝕刻作業(yè)，并去除剩余光阻膜后，形成多個(gè)保險(xiǎn)絲熔斷部的俯視圖；圖16是圖15的保險(xiǎn)絲熔斷部上壓印ー層封裝保護(hù)層的側(cè)視圖；圖17是圖16的基板本體成條堆疊并露出兩端緣，并同步濺鍍及電鍍增厚，形成兩端的端電極的側(cè)視圖；圖18是圖17的基板本體逐一分離成顆粒，完成本例的具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件的側(cè)視圖；圖19是本例的導(dǎo)熱層的另ー實(shí)施方式的制造流程圖；圖20是本例導(dǎo)熱層另ー實(shí)施方式，于基板本體其中ー個(gè)側(cè)面上濺鍍ー層金屬種子層的側(cè)視圖；圖21是圖20的金屬種子層上壓印ー層光阻膜的側(cè)視圖；圖22是圖20的金屬種子層經(jīng)由電鍍及蝕刻作業(yè)，并去除剩余光阻膜后，形成ー層具有間隙的導(dǎo)熱層的側(cè)視圖；圖23是圖22的基板本體上形成ー層具有間隙的導(dǎo)熱層的俯視圖；圖24是本實(shí)用新型的具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件的第三較佳實(shí)施例的制造流程圖；圖25是本實(shí)用新型的具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件的導(dǎo)熱層上壓印ー層中介層的側(cè)視圖；圖26是圖25的中介層上濺鍍ー層金屬種子層，并再涂布ー層光阻膜于金屬種子層的側(cè)視圖；圖27是圖26的金屬種子層進(jìn)行電鍍及蝕刻，再去除剰余的光阻膜，并形成呈現(xiàn)螺旋狀的電感本體的俯視圖；圖28是圖27的電感本體的兩端分別打線導(dǎo)接至導(dǎo)接端部，并再于電感本體上壓印一層封裝保護(hù)層的側(cè)視圖；圖29是圖28的基板本體成條堆疊并露出兩端緣，并同步濺鍍及電鍍增厚，形成兩端的端電極的側(cè)視圖；及圖30是圖29的基板本體逐一分離成顆粒，完成本例的具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件的側(cè)視圖。主要元件符號說明[0044]21、31、41基板本體211、311、411端緣213、313側(cè)面210脆弱部231金屬種子層25I、452、35I、352光阻膜23、33、43導(dǎo)熱層25,35中介層26、37、47端電極27阻抗層28電阻本體29、39、49封裝保護(hù)層331,432金屬種子層38保險(xiǎn)絲熔斷部335間隙337,338導(dǎo)熱部45電感本體46導(dǎo)接端部
具體實(shí)施方式有關(guān)本實(shí)用新型的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效，在以下配合說明書附圖的較佳實(shí)施例的詳細(xì)說明中，將可清楚地呈現(xiàn)。本實(shí)用新型具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件的第一較佳實(shí)施例，其中晶片電路元件在本例中是例示為ー個(gè)晶片電阻，其制作的流程如圖I所示，ー開始如步驟101所示，將一片如圖2及圖3所示的以金屬材質(zhì)的氧化鋁或氮化鋁材質(zhì)的基板，預(yù)切割成復(fù)數(shù)彼此連結(jié)的基板本體21，且基板本體21具有兩個(gè)端緣211以及兩個(gè)側(cè)面213，兩個(gè)側(cè)面213呈彼此相對井分別連接至兩個(gè)端緣211而在各基板本體21間分別形成有ー個(gè)V型凹溝的脆弱部210，供未來分離各基板本體21之用。當(dāng)然，如熟于此技術(shù)領(lǐng)域者所能輕易理解，要將基板上的所有元件分離，未必局限于在此步驟中形成脆弱部，亦可在大致制造完成后，單純以例如激光切割等方式分離，并無不可。再如步驟102，請ー并參考如圖4所示，于各基板本體21其中一個(gè)側(cè)面213上濺鍍ー層金屬種子層231，接下來如步驟103，并如圖5所示，于金屬種子層231壓印ー層光阻膜251,再于光阻膜251上設(shè)置ー個(gè)部分遮蔽及曝露光阻膜251的光罩,再對光阻膜251進(jìn)行曝光及顯影作業(yè)，使得光阻膜251未被光罩遮蔽的部分改變相結(jié)構(gòu)并保留在金屬種子層231上，接著如步驟104，對金屬種子層231進(jìn)行電鍍及蝕刻作業(yè)，隨后便將剩余的光阻膜251移除，即形成一層如圖6所示的導(dǎo)熱層23，而本例的導(dǎo)熱層23是對應(yīng)基板本體21的兩個(gè)端緣211方向，但與末端保持一段距離設(shè)置，且本例的導(dǎo)熱層23選擇制成的質(zhì)材可選自銅、銀、金、鈦、鈦合金、鎳、鎳合金、鎳鉻合金所構(gòu)成的集合。接下來步驟105如圖7所示，在導(dǎo)熱層23及基板本體21上另壓印一層光阻膜做為中介層25 ;隨后在步驟106，再壓印ー層阻抗層27在中介層25上，令阻抗層27透過中介層25附著于導(dǎo)熱層23及基板本體21上，再如步驟107，于阻抗層27上設(shè)置ー個(gè)具有預(yù)定形狀的光罩20，以例如紫外線照射，使得未被光罩20所遮蔽的阻抗層27及中介層25的區(qū)域曝光而改變其相結(jié)構(gòu)，隨即沖洗顯影，即形成如圖8所示多個(gè)「エ」形狀且例示為電阻本體28的元件部。接下來如步驟108，一井參考圖9所示，于電阻本體28上壓印ー層封裝保護(hù)層29，接著如步驟109，以例如敲擊或機(jī)械切割的方式，沿著脆弱部210將整片基板沿上下方向分離成數(shù)排，并堆疊成如圖10所示，令各基板本體21的兩個(gè)端緣211暴露在圖式左右外側(cè)，并且同步濺鍍多層堆疊的成條基板本體21兩側(cè)面，并電鍍增厚，形成暴露封裝保護(hù)層29兩側(cè)并導(dǎo)接至電阻本體28的兩端的端電極26，最后如步驟110，將各基板本體21逐一分離成顆粒，就形成如圖11所示的晶片電阻。本實(shí)用新型具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件的第二較佳實(shí)施例，其中晶片電路元件在 本例中是例示為ー個(gè)晶片保險(xiǎn)絲，而元件部與前一實(shí)施例不同在于本例的元件部是以濺鍍及電鍍ー層鎳或錫等金屬材質(zhì)制成，其制作的流程如圖12，ー開始如步驟201所示，請參考圖13，在與前一實(shí)施例相同制成的導(dǎo)熱層33上同樣壓印ー層中介層35，接下來如步驟202，對中介層35進(jìn)行曝光作業(yè)而改變其相結(jié)構(gòu)，再如步驟203，并如圖14所示，于中介層35上濺鍍ー層金屬種子層331，且在金屬種子層331上設(shè)置ー層光阻膜352，再于光阻膜352上設(shè)置ー個(gè)部分遮蔽及曝露光阻膜352的光罩，再對光阻膜352進(jìn)行曝光及顯影作業(yè)，使得光阻膜352未被光罩遮蔽的部分改變相結(jié)構(gòu)并保留在金屬種子層331上，接著如步驟204，對金屬種子層331進(jìn)行電鍍及蝕刻作業(yè)，隨后便將剩余的光阻膜352移除，即形成ー層如圖15所示的例示為保險(xiǎn)絲熔斷部38的元件部,再如步驟205,如圖16所示,與前ー實(shí)施例同樣地在保險(xiǎn)絲熔斷部38上壓印ー層封裝保護(hù)層39，再如步驟206，將整片基板沿上下方向分離成數(shù)排，并堆疊成如圖17所示，令各基板本體31的兩個(gè)端緣311暴露在圖式左右外側(cè)，再以濺鍍并電鍍形成一對導(dǎo)接至保險(xiǎn)絲熔斷部38的兩端的端電極37，最后再如步驟207，將各基板本體31逐一分離成顆粒，就形成如圖18所示的晶片保險(xiǎn)絲。由于本例的金屬種子層與電鍍增厚材質(zhì)是選擇鎳或錫，當(dāng)高于額定電流的過電流情況發(fā)生時(shí)，由于預(yù)定保留線路區(qū)域具有一定內(nèi)阻，承受此過電流的流通而發(fā)熱，然而受到導(dǎo)熱層的散熱影響，可令保險(xiǎn)絲不會因?yàn)檫^熱但是電流仍在安全范圍而過早受熱熔斷，可増加使用本例晶片保險(xiǎn)絲的電子產(chǎn)品的使用壽命。然而，在本例中導(dǎo)熱層的制作方式更可如圖19所示，ー開始如步驟301，請參考圖20，在基板本體31其中一個(gè)側(cè)面313上濺鍍ー層金屬種子層331，接下來如步驟302，并如圖21所示，于金屬種子層331壓印ー層光阻膜351，再于光阻膜351上設(shè)置ー個(gè)部分遮蔽及曝露光阻膜351的光罩，再對光阻膜351進(jìn)行曝光及顯影作業(yè)，使得光阻膜351未被光罩遮蔽的部分改變相結(jié)構(gòu)并保留在金屬種子層331上，接著如步驟303，對金屬種子層331進(jìn)行電鍍及蝕刻作業(yè)，隨后便將剩余的光阻膜351移除，即形成一層如圖22及圖23所示的形成有一個(gè)間隙335的導(dǎo)熱層33，且導(dǎo)熱層33區(qū)分成兩個(gè)不同大小的導(dǎo)熱部337、338，使得導(dǎo)熱部338對應(yīng)元件部的范圍大于另ー個(gè)導(dǎo)熱部337，使得本例的間隙335是形成在供設(shè)置保險(xiǎn)絲熔斷部設(shè)置的偏離中心的位置處。由于本例的導(dǎo)熱層形成有ー個(gè)間隙，因此在本例的晶片保險(xiǎn)絲的制作過程當(dāng)中，發(fā)生中介層并未涂抹均勻，或是長時(shí)間導(dǎo)通電能令中介層受溫度影響而產(chǎn)生變質(zhì)時(shí)，仍可透過形成的間隙做為保險(xiǎn)絲熔斷部的兩端接觸或微接觸至導(dǎo)熱層而感電的安全斷開結(jié)構(gòu)，而且，保險(xiǎn)絲熔斷部兩端導(dǎo)接電能后，在導(dǎo)接兩端的中心位置處便是熱量產(chǎn)生最高處，因此具有偏離中心位置的間隙的散熱層能夠有效的進(jìn)行熱導(dǎo)離，使得中心位置熱量產(chǎn)生最高處仍可順利散熱，增加本例的晶片保險(xiǎn)絲的散熱效率。本實(shí)用新型具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件的第三較佳實(shí)施例，其中晶片電路元件在本例中是例示為ー個(gè)晶片電感，制作方式如圖24所示,如步驟401,請參考圖25所示于導(dǎo)熱層43上同樣壓印ー層中介層35，接下來如步驟402，對中介層35進(jìn)行曝光作業(yè)而改變其相結(jié)構(gòu)，接著如步驟403，并如圖26所示，于中介層35上濺鍍另ー層金屬種子層432，并再涂布一層光阻膜452，并將ー個(gè)具有預(yù)定圖案的光罩覆蓋于光阻膜452上進(jìn)行曝光及顯影作業(yè)，使得光阻膜452未被光罩遮蔽的部分改變相結(jié)構(gòu)并保留在金屬種子層432上，接下來如步驟404，對金屬種子層432進(jìn)行電鍍及蝕刻作業(yè)，隨后便將剩余的光阻膜452移除，即形成如圖27所示呈螺旋狀的電感本體45以及兩個(gè)供導(dǎo)接的導(dǎo)接端部46。接下來如步驟405，一井參考圖28所示，將電感本體45的兩端分別打線導(dǎo)接至導(dǎo)接端部46，并再于電感本體45上壓印ー層封裝保護(hù)層49，再如步驟406，將整片基板沿上下方向分離成數(shù)排，并堆疊成如圖29所示，令各基板本體41的兩個(gè)端緣411暴露在圖式左右外側(cè)，再以濺鍍并電鍍形成ー對導(dǎo)接至導(dǎo)接端部46的端電極47，最后再如步驟407，將各基板本體41逐一分離成顆粒，就形成如圖30所示的晶片電感。由于本實(shí)用新型所掲示的具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件，不僅能夠透過散熱層增加晶片電路元件受電產(chǎn)生熱能的熱導(dǎo)離效率，而且在使用上的安全考量，更可在散熱層上形成ー間隙，當(dāng)元件部的兩端接觸或微接觸至導(dǎo)熱層而不小心造成導(dǎo)接，形成的間隙即可做為安全的斷開結(jié)構(gòu)，再者，本實(shí)用新型的散熱層所形成的間隙更可形成在電路元件所設(shè)置的范圍的偏離中心位置，由于元件部受電時(shí)產(chǎn)生的熱量是集中在兩個(gè)導(dǎo)接端部之間的中央處，因此具有間隙形成在偏離中心位置散熱層即可有效率的將元件部兩個(gè)導(dǎo)接端部之間的中央處的熱量進(jìn)行導(dǎo)離，達(dá)到整體工作效率的提升，以及令使用壽命増加，而且，對于晶片保險(xiǎn)絲而言，環(huán)境溫度的降低，即可避免因?yàn)闇囟冗^高而造成元件產(chǎn)生誤動(dòng)作的情況發(fā)生，并達(dá)成上述所有的目的。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)不能以此限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，即凡依本實(shí)用新型申請權(quán)利要求書及說明書內(nèi)容所作的簡單的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型專利涵蓋的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件，其特征在于，包括 一片基板本體，具有兩個(gè)端緣、及兩個(gè)分別連接前述端緣且彼此相對的側(cè)面； 一層形成于上述側(cè)面之一上、對應(yīng)上述兩個(gè)端緣的導(dǎo)熱層； 一層結(jié)合至該導(dǎo)熱層上的中介層； 一層結(jié)合至該中介層上的阻抗層，包括兩個(gè)分別對應(yīng)上述二端緣的導(dǎo)接端部、及一個(gè)連接前述導(dǎo)接端部的元件部；及 一對分別對應(yīng)該基板本體的前述二端緣、并且分別導(dǎo)接該接阻抗層的前述兩個(gè)導(dǎo)接端部的端電極。
2.如權(quán)利要求I所述的晶片電路元件，其特征在于，其中該導(dǎo)熱層更包括兩個(gè)導(dǎo)熱部、及一個(gè)形成于前述導(dǎo)熱部間的間隙。
3.如權(quán)利要求2所述的晶片電路元件，其特征在于，其中該導(dǎo)熱層的上述兩導(dǎo)熱部分別對應(yīng)上述兩導(dǎo)接端部，且上述兩導(dǎo)熱部之一，對應(yīng)該元件部的范圍大于另一者，使得該間隙是形成在偏離該元件部中心的位置。
4.如權(quán)利要求I、2或3所述的晶片電路元件，其特征在于，更包括一層設(shè)置于該阻抗層上、且供上述端電極對暴露于其外的封裝保護(hù)層。
5.如權(quán)利要求1、2或3所述的晶片電路元件，其特征在于，其中該導(dǎo)熱層是選自銅、銀、金、鈦、鈦合金、鎳、鎳合金、鎳鉻合金所構(gòu)成的集合；及該基板本體是氧化鋁或氮化鋁材質(zhì)。
6.如權(quán)利要求1、2或3所述的晶片電路元件，其特征在于，其中該元件部是一個(gè)電阻本體。
7.如權(quán)利要求1、2或3所述的晶片電路元件，其特征在于，其中該元件部是一個(gè)電感本體。
專利摘要一種具有導(dǎo)熱層的晶片電路元件，是先在基板本體濺鍍及電鍍一層散熱層，并于散熱層上附著一層中介層，接著在中介層上設(shè)置一層具有兩個(gè)導(dǎo)接端部的元件部，再于基板本體兩側(cè)面濺鍍及電鍍供導(dǎo)接至元件部的兩個(gè)導(dǎo)接端部的端電極，且本實(shí)用新型的散熱層在制作過程中更可預(yù)先形成一個(gè)令散熱層兩端之間斷開的間隙，而且間隙形成位置更可在偏離電路元件所設(shè)置的范圍的中心位置，令電路元件受電過程中，集中在兩個(gè)導(dǎo)接端部之間的熱量最高的中央處能夠有效的由散熱層進(jìn)行熱導(dǎo)離，達(dá)到整體工作效率提升，以及令使用壽命增加的目的。
文檔編號H01L23/367GK202423255SQ201120418508
公開日2012年9月5日 申請日期2011年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月28日
發(fā)明者余河潔, 莊弘毅, 廖政龍, 林俊佑 申請人:璦司柏電子股份有限公司