專利名稱：一種多晶硅濕刻機(jī)的抽風(fēng)蓋板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種多晶硅濕刻機(jī)的抽風(fēng)蓋板。
背景技術(shù)：
多晶硅太陽能電池片的濕刻生產(chǎn)一般采用多晶硅濕刻機(jī)，多晶硅濕刻機(jī)內(nèi)具有藥液池，藥液池的上方設(shè)置有抽風(fēng)蓋板，濕刻機(jī)一般可允許5道上料，即5片多晶硅片同時(shí)在藥液上漂過，硅片只有下表面及側(cè)面接觸到藥液，上表面由于是擴(kuò)散面，擴(kuò)散后產(chǎn)生方塊電阻，故藥液不漫過上表面，這種濕刻技術(shù)俗稱水上漂技術(shù)，硅片與藥液反應(yīng)時(shí)會(huì)釋放出氣體與酸氣，氣體與酸氣經(jīng)抽風(fēng)蓋板被抽風(fēng)裝置吸走，現(xiàn)有的多晶硅濕刻機(jī)的抽風(fēng)蓋板，一般在本體縱向方向上開設(shè)6-8個(gè)貫穿自身的徑向尺寸相同的抽風(fēng)孔，不但不能夠及時(shí)抽走氣體與酸氣，而且抽風(fēng)不均勻，導(dǎo)致酸氣與硅片上表面接觸增大了方塊電阻，影響了電池片的電性能，而且每道硅片的方塊電阻上升值不一樣，彼此之間相差較大，不符合標(biāo)準(zhǔn)范圍，影響了電池片的轉(zhuǎn)換效率。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供可及時(shí)、均勻得吸走氣體和酸氣，進(jìn)而增進(jìn)多晶硅太陽能電池片的電性能的多晶硅濕刻機(jī)的抽風(fēng)蓋板。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種多晶硅濕刻機(jī)的抽風(fēng)蓋板， 沿所述抽風(fēng)蓋板縱向方向的中部開設(shè)一排貫穿自身的正面、背面的基準(zhǔn)抽風(fēng)孔，平行于所述基準(zhǔn)抽風(fēng)孔在所述抽風(fēng)蓋板上開設(shè)多排抽風(fēng)孔，所述抽風(fēng)孔密集、均勻得排布在所述抽風(fēng)蓋板本體上，所述抽風(fēng)孔在所述抽風(fēng)蓋板的橫向方向上至少排布有三列，每列所述抽風(fēng)孔相互平行。優(yōu)選地，所述抽風(fēng)孔為圓形或多邊形。優(yōu)選地，所述抽風(fēng)孔的徑向尺寸由所述基準(zhǔn)抽風(fēng)孔向兩側(cè)逐排增大，每排所述抽風(fēng)孔的徑向尺寸相同。由于上述技術(shù)方案的運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)開設(shè)貫穿抽風(fēng)蓋板的正面、背面的抽風(fēng)孔，在縱向方向上，以抽風(fēng)蓋板中部的基準(zhǔn)抽風(fēng)孔為基準(zhǔn)設(shè)置多排平行的抽風(fēng)孔，抽風(fēng)孔自基準(zhǔn)抽風(fēng)孔起越向外則徑向尺寸越大，在橫向方向上確保至少設(shè)置有三列抽風(fēng)孔，抽風(fēng)孔均勻密集得排布在抽風(fēng)蓋板上，抽風(fēng)孔的數(shù)量較多，可在單位時(shí)間內(nèi)吸走較多的氣體及酸氣，且越遠(yuǎn)離基準(zhǔn)抽風(fēng)口，抽風(fēng)口的徑向尺寸就越大，在吸力逐漸減弱的情況下，這確保了抽風(fēng)的均勻，濕刻后的多晶硅太陽能電池片的電性能更好。
附圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖來進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)。[0011]參見圖1所示，在本實(shí)施例中，沿抽風(fēng)蓋板2的中部位置開設(shè)一排貫穿自身的正面、背面的圓形基準(zhǔn)抽風(fēng)孔1，于基準(zhǔn)抽風(fēng)孔1的兩側(cè)沿抽風(fēng)蓋板2的縱向方向開設(shè)多排平行于基準(zhǔn)抽風(fēng)孔1的一排圓形抽風(fēng)孔如3，每排抽風(fēng)孔如3的抽風(fēng)孔的徑向尺寸相同，在橫向方向上，圓形抽風(fēng)孔至少排布為三列，每列抽風(fēng)孔互相平行，這種排布方式確保了抽風(fēng)孔在抽風(fēng)蓋板2上均勻、密集得排布，使抽風(fēng)蓋板2上排布的抽風(fēng)孔較多，單位時(shí)間內(nèi)被吸走的氣體與酸氣的量較多，大大降低了整個(gè)藥液池區(qū)域的酸氣量，降低了方塊電阻的上升值， 減小了酸氣對(duì)多晶硅太陽能電池片的電性能的影響。在圖1中，基準(zhǔn)抽風(fēng)孔1的徑向尺寸是所有抽風(fēng)孔中最小的，同時(shí)，抽風(fēng)裝置也布置在該處，使得該處的抽吸力最大，由基準(zhǔn)抽風(fēng)孔1向兩側(cè)設(shè)置的每排抽風(fēng)孔如3的徑向尺寸逐排增大，同時(shí)，距離基準(zhǔn)抽風(fēng)孔1越遠(yuǎn)的位置，抽吸力越弱，所以抽氣孔徑向尺寸的變大有效提高了其抽氣量，這種結(jié)構(gòu)使得各排抽氣孔的抽氣量趨于均勻，使各道硅片的方塊電阻上升值均勻，提高了產(chǎn)品電性能的穩(wěn)定性，提高了產(chǎn)品的合格率。
權(quán)利要求1.一種多晶硅濕刻機(jī)的抽風(fēng)蓋板，其特征在于沿所述抽風(fēng)蓋板縱向方向的中部開設(shè)一排貫穿自身的正面、背面的基準(zhǔn)抽風(fēng)孔，平行于所述基準(zhǔn)抽風(fēng)孔在所述抽風(fēng)蓋板上開設(shè)多排抽風(fēng)孔，所述抽風(fēng)孔密集、均勻得排布在所述抽風(fēng)蓋板本體上，所述抽風(fēng)孔在所述抽風(fēng)蓋板的橫向方向上至少排布有三列，每列所述抽風(fēng)孔相互平行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅濕刻機(jī)的抽風(fēng)蓋板，其特征在于所述抽風(fēng)孔為圓形或多邊形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅濕刻機(jī)的抽風(fēng)蓋板，其特征在于所述抽風(fēng)孔的徑向尺寸由所述基準(zhǔn)抽風(fēng)孔向兩側(cè)逐排增大，每排所述抽風(fēng)孔的徑向尺寸相同。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種多晶硅濕刻機(jī)的抽風(fēng)蓋板，在抽風(fēng)蓋板縱向方向的中部位置開設(shè)基準(zhǔn)抽風(fēng)孔，在基準(zhǔn)抽風(fēng)孔的兩側(cè)設(shè)置與之平行的徑向尺寸逐漸增大的多排抽風(fēng)孔，抽風(fēng)孔在橫向方向上至少排布為三列，這樣抽風(fēng)量較大且抽風(fēng)較均勻，增進(jìn)了多晶硅太陽能電池片的電性能的穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)H01L21/306GK202217645SQ20112033575
公開日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2011年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月8日
發(fā)明者莫毓東, 蔣劍波, 趙春慶, 陸佳佳 申請(qǐng)人:昊誠光電(太倉)有限公司