專利名稱：大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦30dB衰減片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉一種大功率氮化鋁陶瓷基板衰減片，特別涉及一種大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦30dB的衰減片。
背景技術(shù)：
目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負(fù)載片來吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無法對基站的工作狀況做實(shí)時的監(jiān)控，當(dāng)基站工作發(fā)生故障時無法及時地作出判斷，對設(shè)備沒有有保護(hù)作用。而衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號，對基站進(jìn)行實(shí)時監(jiān)控，從而對設(shè)備形成有效保護(hù)。衰減片作為一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說其應(yīng)與兩端電路都是匹配的。目前國內(nèi)150W-30dB的氮化鋁陶瓷衰減片，其衰減精度不僅大多只能做到 IG頻率以內(nèi)，少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設(shè)備配備的VSWR較難控制，輸出端得到的信號不符合實(shí)際要求。特別是在衰減片使用頻段高于2G時，其衰減精度往往達(dá)不到要求，回波損耗變大，滿足不了 2G以上的頻段應(yīng)用要求。

實(shí)用新型內(nèi)容針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種阻抗?jié)M足 50士 1.5 Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為30士 ldB，駐波要求在3G頻段輸入端為1.2以內(nèi)，輸出端為1. 25以內(nèi)，能夠滿足目前3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受150瓦的功率的大功率氮化鋁陶瓷基板衰減片。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦30dB衰減片，其特征在于其包括一 9. 55*6. 35*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及電阻，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述玻璃保護(hù)膜及導(dǎo)線上印刷有第一黑色保護(hù)膜，所述第一黑色保護(hù)膜上印刷有一介質(zhì)層，所述介質(zhì)層上印刷有第二黑色保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述背導(dǎo)層、導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。上述技術(shù)方案具有如下有益效果該衰減片以9. 55*6. 35*1MM的氮化鋁基板作為基準(zhǔn)，在第一黑色保護(hù)膜上加印了一層介質(zhì)層，這樣能夠有效的改善衰減片的衰減精度，使得該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規(guī)格下可到達(dá)阻抗50士 1. 5 Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為30 士 ldB，駐波要求在3G頻段輸入端為1.2以內(nèi)，輸出端為1.25以內(nèi)，能夠滿足目前 3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受150瓦的功率的技術(shù)要求，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)，填補(bǔ)了國內(nèi)不能生產(chǎn)150瓦30dB衰減片的空白。
3[0010]上述說明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。如圖1所示，該大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦30dB衰減片包括一 9. 55*6. 35*1MM 的氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有背導(dǎo)層，氮化鋁基板1的正面印刷有導(dǎo)線2及電阻Rl、R2、R3、R4及R5，導(dǎo)線2連接上述電阻Rl、R2、R3、R4、R5形成衰減電路，衰減電路的接地端通過銀漿與背導(dǎo)層電連接，從而使衰減電路導(dǎo)通。背導(dǎo)層、導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。在電阻上R1、R2、R3、R4、R5印刷有玻璃保護(hù)膜3，玻璃保護(hù)膜3及導(dǎo)線2上印刷有第一黑色保護(hù)膜4，第一黑色保護(hù)膜4上印刷有一介質(zhì)層5。介質(zhì)層5上印刷有第二黑色保護(hù)膜，第二黑色保護(hù)膜上可印刷品牌和型號。第一黑色保護(hù)膜、第二黑色保護(hù)膜可對衰減電路起到雙重保護(hù)的作用。該衰減片輸入端和接地的阻抗為50士1.5Ω，輸出端和接地端的阻抗為 50士 1. 5Ω。信號從輸入端進(jìn)入衰減片，從輸出端經(jīng)過1 1、1 2、1 5、1 3、1 4對功率的逐步吸收， 從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號。該衰減片以9. 55*6. 35*1MM的氮化鋁基板作為基準(zhǔn)，在第一黑色保護(hù)膜上加印了一層介質(zhì)層，這樣能夠有效的改善衰減片的衰減精度，同時采用該結(jié)構(gòu)可增大電阻R3，R4 的電阻面積，使其抗高低溫沖擊性能增加，進(jìn)而避免了在輸出端焊接引線時高溫對電阻的淬傷而壞掉的風(fēng)險。使得該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規(guī)格(9. 55*6. 35*1MM)下可到達(dá)阻抗50 士1. 5 Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為30 士 IdB，駐波要求在3G頻段輸入端為1. 2 以內(nèi)，輸出端為1. 25以內(nèi)，能夠滿足目前3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受150瓦的功率的技術(shù)要求，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)，填補(bǔ)了國內(nèi)不能生產(chǎn)150瓦30dB衰減片的空白。以上對本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦30dB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本實(shí)用新型的限制，凡依本實(shí)用新型設(shè)計思想所做的任何改變都在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦30dB衰減片，其特征在于其包括一 9. 55*6. 35*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及電阻，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦30dB衰減片，其特征在于所述玻璃保護(hù)膜及導(dǎo)線上印刷有第一黑色保護(hù)膜，所述第一黑色保護(hù)膜上印刷有一介質(zhì)層， 所述介質(zhì)層上印刷有第二黑色保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦30dB衰減片，其特征在于所述背導(dǎo)層、導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種大功率氮化鋁陶瓷基板150瓦30dB衰減片，其包括一9.55*6.35*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及電阻，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜，所述玻璃保護(hù)膜及導(dǎo)線上印刷有第一黑色保護(hù)膜，所述第一黑色保護(hù)膜上印刷有一介質(zhì)層。該衰減片在第一黑色保護(hù)膜上加印了一層介質(zhì)層，這樣能夠有效的改善衰減片的衰減精度，使得該衰減片能夠滿足目前3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受150瓦的功率的技術(shù)要求。
文檔編號H01P1/22GK202121043SQ20112025985
公開日2012年1月18日 申請日期2011年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月22日
發(fā)明者郝敏 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司