專(zhuān)利名稱：一種發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
常用的LED的外形輪廓通常為正方形，因此不易使用在大屏幕背光屏，而其芯片一般也都是采用正方形芯片，例如常用的IW的大功率LED都采用面積為Imm2的正方形芯片，LED通電發(fā)光時(shí)顏色不均勻，中心亮度較高，四周亮度較低，發(fā)光時(shí)會(huì)產(chǎn)生“眩光”，因此不適合于大尺寸背光屏產(chǎn)品。
發(fā)明內(nèi)容為了克服上述的缺陷，本實(shí)用新型的目的是提供一種在發(fā)光時(shí)不會(huì)產(chǎn)生眩光問(wèn)題，適合于大尺寸背光屏產(chǎn)品的發(fā)光二極管。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案為一種發(fā)光二極管，它包括具有腔體的基體和設(shè)置在所屬腔體底部的芯片，所述芯片邊沿設(shè)有一圈玻璃質(zhì)保護(hù)層，芯片的水平投影為無(wú)折角的封閉形狀，芯片的縱向截面呈凸字形，側(cè)邊上部為凹弧形，下部為直邊，所述側(cè)邊的凹弧形段上設(shè)有一圈半絕緣多晶硅膜，所述玻璃質(zhì)保護(hù)層覆蓋半絕緣多晶硅膜上部的70-95%，所述腔體內(nèi)壁覆蓋反射層，所述基體為硅基體，所述基體的外形輪廓為長(zhǎng)方形。所述無(wú)折角的封閉形狀為圓形、橢圓形、角部位弧形的四邊形、角部為弧形的五邊形。所述腔體和所述芯片的外形輪廓也為長(zhǎng)方形。它還包括覆蓋在腔體上方的硅透鏡，所述硅透鏡與腔體相配合的截面為長(zhǎng)方形。所述基體的高度為0. 4mm-0. 8mm，所述基體的外形與腔體底部的長(zhǎng)寬比例范圍均為 1. 5:1-2. 5:1。所述反射層為鍍銀發(fā)射層或鍍鋁發(fā)射層。上述技術(shù)方案的有益之處在于本實(shí)用新型采用具有長(zhǎng)方形輪廓形狀的硅基體作為發(fā)光二極管載體，散熱性能好，能夠應(yīng)用于各種大屏幕背光屏；本新型采用的二極管芯片，其水平投影形狀能有效的防止方形芯片尖角造成的尖端放電，同時(shí)有效的提高二極管的耐壓能力，避免造成的二極管失效或者電路故障。本實(shí)用新型采用長(zhǎng)方形芯片，發(fā)光均勻，不會(huì)產(chǎn)生眩光問(wèn)題。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。

圖1為本新型的示意圖。圖2為本新型芯片示意圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例 如圖1、2所示的一種發(fā)光二極管，它包括具有腔體的基體1和設(shè)置在所屬腔體底部的芯片2，所述芯片2邊沿設(shè)有一圈玻璃質(zhì)保護(hù)層3，芯片的水平投影為無(wú)折角的封閉形狀，芯片的縱向截面呈凸字形，側(cè)邊上部為凹弧形，下部為直邊，所述側(cè)邊的凹弧形段上設(shè)有一圈半絕緣多晶硅膜4，所述玻璃質(zhì)保護(hù)層3覆蓋半絕緣多晶硅膜4上部的70-95%，所述腔體內(nèi)壁覆蓋反射層5，所述基體1為硅基體，所述基體1的外形輪廓為長(zhǎng)方形。所述無(wú)折角的封閉形狀為圓形、橢圓形、角部位弧形的四邊形、角部為弧形的五邊形。所述腔體和所述芯片2的外形輪廓也為長(zhǎng)方形。它還包括覆蓋在腔體上方的硅透鏡6，所述硅透鏡6與腔體相配合的截面為長(zhǎng)方形。所述基體1的高度為0. 4mm-0. 8mm，所述基體1的外形與腔體底部的長(zhǎng)寬比例范圍均為1. 5:1-2. 5:1。所述反射層5為鍍銀發(fā)射層或鍍鋁發(fā)射層。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極管，其特征在于它包括具有腔體的基體和設(shè)置在所屬腔體底部的芯片，所述芯片邊沿設(shè)有一圈玻璃質(zhì)保護(hù)層，芯片的水平投影為無(wú)折角的封閉形狀，芯片的縱向截面呈凸字形，側(cè)邊上部為凹弧形，下部為直邊，所述側(cè)邊的凹弧形段上設(shè)有一圈半絕緣多晶硅膜，所述玻璃質(zhì)保護(hù)層覆蓋半絕緣多晶硅膜上部的70-95%，所述腔體內(nèi)壁覆蓋反射層，所述基體為硅基體，所述基體的外形輪廓為長(zhǎng)方形。
2.如權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于所述無(wú)折角的封閉形狀為圓形、 橢圓形、角部位弧形的四邊形、角部為弧形的五邊形。
3.如權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于所述腔體和所述芯片的外形輪廓也為長(zhǎng)方形。
4.如權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于它還包括覆蓋在腔體上方的硅透鏡，所述硅透鏡與腔體相配合的截面為長(zhǎng)方形。
5.如權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于所述基體的高度為 0. 4mm-0. 8mm，所述基體的外形與腔體底部的長(zhǎng)寬比例范圍均為1. 5:1-2. 5:1。
6.如權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管，其特征在于所述反射層為鍍銀發(fā)射層或鍍鋁發(fā)射層。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供了一種發(fā)光二極管，包括具有腔體的基體和設(shè)置在所屬腔體底部的芯片，芯片邊沿設(shè)有一圈玻璃質(zhì)保護(hù)層，芯片的水平投影為無(wú)折角的封閉形狀，芯片的縱向截面呈凸字形，側(cè)邊上部為凹弧形，下部為直邊，側(cè)邊的凹弧形段上設(shè)有一圈半絕緣多晶硅膜，玻璃質(zhì)保護(hù)層覆蓋半絕緣多晶硅膜上部的70-95%，腔體內(nèi)壁覆蓋反射層，基體為硅基體，基體的外形輪廓為長(zhǎng)方形。本實(shí)用新型采用具有長(zhǎng)方形輪廓形狀的硅基體作為發(fā)光二極管載體，散熱性能好，能夠應(yīng)用于各種大屏幕背光屏；本實(shí)用新型采用的二極管芯片，其水平投影形狀能有效的防止方形芯片尖角造成的尖端放電，同時(shí)有效的提高二極管的耐壓能力，避免造成的二極管失效或者電路故障。
文檔編號(hào)H01L33/64GK202058784SQ20112019514
公開(kāi)日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2011年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月11日
發(fā)明者陳逸奇 申請(qǐng)人:陳逸奇