專利名稱：檢測晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及半導(dǎo)體光刻技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于檢測旋轉(zhuǎn)單元中的沖洗機構(gòu)的沖洗狀態(tài)的檢測晶片。
背景技術(shù)：
光刻工藝是半導(dǎo)體制造中最為重要的工藝步驟之一，光刻的作用主要是將掩模版上的圖形復(fù)制到半導(dǎo)體晶片上，為下一步進行刻蝕或離子注入工序做好準備。而在光刻工藝中，涂膠過程占有非常重要的地位，因為涂膠的質(zhì)量直接決定著光刻工藝中的對準的質(zhì)量，因此如何確保涂膠的質(zhì)量就顯得非常重要。目前，涂光刻膠一般都是通過旋轉(zhuǎn)涂膠法實現(xiàn)，而旋轉(zhuǎn)涂膠法一般都需要使用涂布顯影機；關(guān)于涂布顯影機，請參考圖1，圖1為涂布顯影機的正視圖，如圖1所示，所述涂布顯影機包括旋轉(zhuǎn)單元101以及位于所述旋轉(zhuǎn)單元101上的真空吸盤102，半導(dǎo)體晶片103 放置在所述真空吸盤102上，并被所述真空吸盤102吸住。旋轉(zhuǎn)涂膠法又分為靜態(tài)涂膠和動態(tài)涂膠兩種，所謂靜態(tài)涂膠，是指半導(dǎo)體晶片被真空吸盤吸住后，在靜止的狀態(tài)下，往半導(dǎo)體晶片的中心滴光刻膠，接著旋轉(zhuǎn)單元加速旋轉(zhuǎn)，帶動所述半導(dǎo)體晶片加速旋轉(zhuǎn)，使光刻膠均勻地分布在半導(dǎo)體晶片的表面，并甩掉多余的光刻膠；所謂動態(tài)涂膠，是指半導(dǎo)體晶片被真空吸盤吸住后，所述旋轉(zhuǎn)單元低速旋轉(zhuǎn)，帶動半導(dǎo)體晶片低速旋轉(zhuǎn)，在半導(dǎo)體晶片低速旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，往半導(dǎo)體晶片的中心滴光刻膠， 接著旋轉(zhuǎn)單元加速旋轉(zhuǎn)，帶動所述半導(dǎo)體晶片加速旋轉(zhuǎn)，使光刻膠均勻地分布在半導(dǎo)體晶片的表面，并甩掉多余的光刻膠。然而，在旋轉(zhuǎn)涂膠過程中，半導(dǎo)體晶片的背面也會沾有光刻膠，半導(dǎo)體晶片背面的光刻膠如果不及時去除，將會給后續(xù)工藝步驟帶來嚴重影響。為了去除半導(dǎo)體晶片背面的光刻膠，在所述旋轉(zhuǎn)單元上都設(shè)置有沖洗機構(gòu)，所述沖洗機構(gòu)包括噴嘴，所述噴嘴吸取沖洗劑，并噴射到半導(dǎo)體晶片背面的某一區(qū)域，在離心力的作用下，所述沖洗劑流向半導(dǎo)體晶片的外沿，從而清除半導(dǎo)體晶片背面的光刻膠。所述沖洗劑通常為光刻膠稀釋劑(0K73)， 所述稀釋劑(0K73)的成分為70%的PGME和30%的PGMEA，其中，PGME為單甲基醚丙二醇 (CH3OCH2CH(OH)CH3)，PGMEA 為丙二醇甲醚醋酸酯(CH3COOCH(CH3)CH2OCH3)，由于在旋轉(zhuǎn)涂膠過程中，所述光刻膠還未經(jīng)過高溫處理，因此非常容易清洗干凈。上述的旋轉(zhuǎn)涂膠是通過涂布顯影機中的涂膠單元實現(xiàn)的，在所述涂布顯影機中還設(shè)置有顯影單元，并且，在顯影過程中，也需要使用沖洗機構(gòu)吸取沖洗劑對半導(dǎo)體晶片的背面進行清洗，所述沖洗劑一般為去離子水。為了達到較佳的沖洗效果，通常需要定期對沖洗機構(gòu)的狀況，如噴嘴的位置及沖洗劑的流速進行監(jiān)控及調(diào)節(jié)。然而，由于噴嘴通常都位于半導(dǎo)體晶片的下方，且沖洗劑通常都是透明的化學(xué)藥品，并且半導(dǎo)體晶片是不透明的，因此很難清楚直接地檢測沖洗機構(gòu)的狀況，從而也無法對沖洗機構(gòu)進行調(diào)節(jié)。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種檢測晶片，以解決現(xiàn)有技術(shù)中很難清楚直接地檢測旋轉(zhuǎn)單元中的沖洗機構(gòu)的狀況，從而也無法對沖洗機構(gòu)進行調(diào)節(jié)的問題。為解決上述問題，本實用新型提出一種檢測晶片，用于檢測旋轉(zhuǎn)單元中的沖洗機構(gòu)的沖洗狀態(tài)，其中，所述旋轉(zhuǎn)單元上設(shè)置有真空吸盤，該檢測晶片為形狀與半導(dǎo)體晶片相同的玻璃，其背面從外邊沿向內(nèi)的第一圓環(huán)區(qū)域經(jīng)過磨砂化處理或貼有磨砂化薄膜，所述第一圓環(huán)區(qū)域的外徑等于玻璃的直徑，其內(nèi)徑比真空吸盤的直徑大5 IOmm ；所述玻璃的正面具有第一標記?？蛇x的，所述第一標記為第一圓線，所述第一圓線的直徑大于所述真空吸盤的直徑，小于所述玻璃的直徑?？蛇x的，所述第一標記為第二圓線及第三圓線，所述第二圓線的直徑大于所述真空吸盤的直徑，小于所述玻璃的直徑；所述第三圓線的直徑大于所述第二圓線的直徑，小于所述玻璃的直徑。可選的，所述玻璃的正面還具有第二標記，所述第二標記位于所述玻璃的中心?？蛇x的，所述玻璃的厚度為0.9 1.5mm。本實用新型由于采用以上的技術(shù)方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu)點和積極效果1、本實用新型提供的檢測晶片為圓片狀玻璃，所述玻璃的第一圓環(huán)區(qū)域經(jīng)過磨砂化處理或貼有磨砂化薄膜，從而凹凸不平，因此在常規(guī)情況下由于光的漫反射而不透明，而接觸到?jīng)_洗劑后，由于沖洗劑填平了玻璃的凹陷部分，消除了光的漫反射，使得第一圓環(huán)區(qū)域內(nèi)接觸到?jīng)_洗劑的部分透明，因而可直觀地了解到檢測晶片的哪些部分接觸到?jīng)_洗劑；2、本實用新型提供的檢測晶片的第一圓環(huán)區(qū)域以內(nèi)的玻璃沒有經(jīng)過磨砂化處理， 也沒有貼磨砂化薄膜，從而可方便真空吸盤吸緊檢測晶片；3、本實用新型提供的檢測晶片的正面設(shè)置有第一標記，所述第一標記用于判斷沖洗劑噴到檢測晶片的初始位置是否在所需范圍內(nèi)；4、本實用新型提供的檢測晶片的正面還具有第二標記，所述第二標記位于所述玻璃的中心，從而可方便地將所述檢測晶片的中心與所述真空吸盤的中心對準。

圖1為涂布顯影機的正視圖；圖2為本實用新型第一個實施例提供的檢測晶片的俯視圖；圖3為本實用新型第二個實施例提供的檢測晶片的俯視圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型提出的檢測晶片作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本實用新型的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用于方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。本實用新型的核心思想在于，提供一種檢測晶片，用于檢測旋轉(zhuǎn)單元中的沖洗機構(gòu)的沖洗狀態(tài)，其中，所述旋轉(zhuǎn)單元上設(shè)置有真空吸盤，該檢測晶片為圓片狀的玻璃，其背面從外邊沿向內(nèi)的第一圓環(huán)區(qū)域經(jīng)過磨砂化處理或貼有磨砂化薄膜，所述第一圓環(huán)區(qū)域的外徑等于玻璃的直徑，其內(nèi)徑比真空吸盤的直徑大5 IOmm ；所述玻璃的正面具有第一標記；由于所述第一圓環(huán)區(qū)域在常規(guī)情況下不透明，而接觸到?jīng)_洗劑后變得透明，因而可直觀地了解到檢測晶片的哪些部分接觸到?jīng)_洗劑；并且根據(jù)所述第一標記，可清楚地判斷沖洗劑噴到檢測晶片的初始位置是否在所需范圍內(nèi)；從而為檢測沖洗機構(gòu)的狀況提供了方便。實施例1請參考圖2，圖2為本實用新型第一個實施例提供的檢測晶片的俯視圖，如圖2所示，本實用新型第一個實施例提供的檢測晶片200為形狀與半導(dǎo)體晶片相同的玻璃，其背面從外邊沿向內(nèi)的第一圓環(huán)區(qū)域210經(jīng)過磨砂化處理或貼有磨砂化薄膜，所述第一圓環(huán)區(qū)域210的外徑等于玻璃的直徑，其內(nèi)徑比真空吸盤的直徑大5 IOmm ；所述玻璃的正面具有第一標記220。進一步地，所述第一標記220為第一圓線，所述第一圓線的直徑大于所述真空吸盤的直徑，小于所述玻璃的直徑；所述第一圓線用于檢測沖洗劑噴到檢測晶片的初始位置是否在該圓線上，若在該圓線上，則滿足要求，若不在該圓線上，則需調(diào)整噴嘴的角度或調(diào)節(jié)沖洗劑的流速；并且由于半導(dǎo)體晶片背面沾有光刻膠的范圍通常在半導(dǎo)體晶片的邊緣， 從而只需保證沖洗劑噴到檢測晶片的初始位置在所述真空吸盤與沾有光刻膠的區(qū)域之間即可，之后所述沖洗劑在離心力的作用下甩向半導(dǎo)體晶片的邊沿，從而把半導(dǎo)體晶片背面的光刻膠沖洗干凈。進一步地，所述玻璃的正面還具有第二標記230，所述第二標記230位于所述玻璃的中心；所述第二標記230為所述檢測晶片200的中心與所述真空吸盤的中心的對準提供了標記。進一步地，所述玻璃的厚度為0. 9 1. 5mm，從而與通常的半導(dǎo)體晶片厚度相同。優(yōu)選地，所述檢測晶片200的直徑為300mm，這是因為半導(dǎo)體晶片的直徑最常見的為300mm ；所述第一圓環(huán)區(qū)域210的外徑為300mm，內(nèi)徑為140mm，這是因為真空吸盤的直徑通常為130mm;所述第一圓線的直徑為160mm，這是因為當(dāng)沖洗劑噴到半導(dǎo)體晶片的初始位置在該第一圓線上時，可以在保證真空吸盤正常工作的同時，將沾在半導(dǎo)體晶片背面的光刻膠完全沖洗干凈。實施例2請參考圖3，圖3為本實用新型第二個實施例提供的檢測晶片的俯視圖，如圖3所示，本實用新型第二個實施例提供的檢測晶片300為形狀與半導(dǎo)體晶片相同的玻璃，其背面從外邊沿向內(nèi)的第一圓環(huán)區(qū)域310經(jīng)過磨砂化處理或貼有磨砂化薄膜，所述第一圓環(huán)區(qū)域310的外徑等于玻璃的直徑，其內(nèi)徑比真空吸盤的直徑大5 IOmm ；所述玻璃的正面具
有第一標記。進一步地，所述第一標記為第二圓線321及第三圓線322，所述第二圓線321的直徑大于所述真空吸盤的直徑，小于所述玻璃的直徑；所述第三圓線322的直徑大于所述第二圓線321的直徑，小于所述玻璃的直徑；所述第二圓線321及第三圓線322組成的圓環(huán)區(qū)域用于檢測沖洗劑噴到檢測晶片的初始位置是否在該區(qū)域內(nèi)，若在該圓環(huán)區(qū)域內(nèi)，則滿足要求，若不在該圓環(huán)區(qū)域內(nèi)，則需調(diào)整噴嘴的角度或調(diào)節(jié)沖洗劑的流速；并且由于半導(dǎo)體晶片背面沾有光刻膠的范圍通常在半導(dǎo)體晶片的邊緣，從而只需保證沖洗劑噴到檢測晶片的初始位置在所述真空吸盤與沾有光刻膠的區(qū)域之間即可，之后所述沖洗劑在離心力的作用下甩向半導(dǎo)體晶片的邊沿，從而把半導(dǎo)體晶片背面的光刻膠沖洗干凈。進一步地，所述玻璃的正面還具有第二標記330，所述第二標記330位于所述玻璃的中心；所述第二標記330為所述檢測晶片300的中心與所述真空吸盤的中心的對準提供了標記。進一步地，所述玻璃的厚度為0. 9 1. 5mm，從而與通常的半導(dǎo)體晶片厚度相同。優(yōu)選地，所述檢測晶片300的直徑為300mm，這是因為半導(dǎo)體晶片的直徑最常見的為300mm ；所述第一圓環(huán)區(qū)域310的外徑為300mm，內(nèi)徑為140mm，這是因為真空吸盤的直徑通常為130mm ；所述第二圓線321的直徑為160mm，所述第三圓線322的直徑為170mm，這是因為當(dāng)沖洗劑噴到半導(dǎo)體晶片的初始位置在所述第二圓線321與所述第三圓線322組成的圓環(huán)區(qū)域內(nèi)時，可以在保證真空吸盤正常工作的同時，將沾在半導(dǎo)體晶片背面的光刻膠完全沖洗干凈。在本實用新型的一個具體實施例中，所述檢測晶片被描述成用于檢測涂布顯影機中的旋轉(zhuǎn)單元中的沖洗機構(gòu)的狀況，然而應(yīng)該認識到，根據(jù)實際情況，所述檢測晶片還可以用于檢測其它機臺中的沖洗機構(gòu)的狀況，例如專門的清洗設(shè)備的清洗機臺及CMP中的清洗單元，即只要在對旋轉(zhuǎn)狀態(tài)下半導(dǎo)體晶片的背面進行處理的機臺均可用本實用新型提供的檢測晶片進行檢測。綜上所述，本實用新型提供了一種檢測晶片，用于檢測旋轉(zhuǎn)單元中的沖洗機構(gòu)的沖洗狀態(tài)，其中，所述旋轉(zhuǎn)單元上設(shè)置有真空吸盤，該檢測晶片為圓片狀的玻璃，其背面從外邊沿向內(nèi)的第一圓環(huán)區(qū)域經(jīng)過磨砂化處理或貼有磨砂化薄膜，所述第一圓環(huán)區(qū)域的外徑等于玻璃的直徑，其內(nèi)徑比真空吸盤的直徑大5 IOmm ；所述玻璃的正面具有第一標記；由于所述第一圓環(huán)區(qū)域在常規(guī)情況下不透明，而接觸到?jīng)_洗劑后變得透明，因而可直觀地了解到檢測晶片的哪些部分接觸到?jīng)_洗劑；并且根據(jù)所述第一標記，可清楚地判斷沖洗劑噴到檢測晶片的初始位置是否在所需范圍內(nèi)；從而為檢測沖洗機構(gòu)的狀況提供了方便。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種檢測晶片，用于檢測旋轉(zhuǎn)單元中的沖洗機構(gòu)的沖洗狀態(tài)，其中，所述旋轉(zhuǎn)單元上設(shè)置有真空吸盤，其特征在于，該檢測晶片為形狀與半導(dǎo)體晶片相同的玻璃，其背面從外邊沿向內(nèi)的第一圓環(huán)區(qū)域經(jīng)過磨砂化處理或貼有磨砂化薄膜，所述第一圓環(huán)區(qū)域的外徑等于玻璃的直徑，其內(nèi)徑比真空吸盤的直徑大5 IOmm ；所述玻璃的正面具有第一標記。
2.如權(quán)利要求1所述的檢測晶片，其特征在于，所述第一標記為第一圓線，所述第一圓線的直徑大于所述真空吸盤的直徑，小于所述玻璃的直徑。
3.如權(quán)利要求1所述的檢測晶片，其特征在于，所述第一標記為第二圓線及第三圓線， 所述第二圓線的直徑大于所述真空吸盤的直徑，小于所述玻璃的直徑；所述第三圓線的直徑大于所述第二圓線的直徑，小于所述玻璃的直徑。
4.如權(quán)利要求1所述的檢測晶片，其特征在于，所述玻璃的正面還具有第二標記，所述第二標記位于所述玻璃的中心。
5.如權(quán)利要求1所述的檢測晶片，其特征在于，所述玻璃的厚度為0.9 1. 5mm。
專利摘要本實用新型公開了一種檢測晶片，用于檢測旋轉(zhuǎn)單元中的沖洗機構(gòu)的沖洗狀態(tài)，其中，所述旋轉(zhuǎn)單元上設(shè)置有真空吸盤，該檢測晶片為圓片狀的玻璃，其背面從外邊沿向內(nèi)的第一圓環(huán)區(qū)域經(jīng)過磨砂化處理或貼有磨砂化薄膜，所述第一圓環(huán)區(qū)域的外徑等于玻璃的直徑，其內(nèi)徑比真空吸盤的直徑大5～10mm；所述玻璃的正面具有第一標記；由于所述第一圓環(huán)區(qū)域在常規(guī)情況下不透明，而接觸到?jīng)_洗劑后變得透明，因而可直觀地了解到檢測晶片的哪些部分接觸到?jīng)_洗劑；并且根據(jù)所述第一標記，可清楚地判斷沖洗劑噴到檢測晶片的初始位置是否在所需范圍內(nèi)；從而為檢測沖洗機構(gòu)的狀況提供了方便。
文檔編號H01L21/00GK202003970SQ20112013063
公開日2011年10月5日 申請日期2011年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月28日
發(fā)明者張偉, 潘賢俊, 詹云 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司, 武漢新芯集成電路制造有限公司