專利名稱：低導(dǎo)通壓降可控硅芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體芯片，特別涉及一種低導(dǎo)通壓降可控硅芯片。
背景技術(shù)：
應(yīng)用傳統(tǒng)鈦鎳銀金屬化工藝制作的可控硅芯片是由硅片、鈦層、鎳層、銀層構(gòu)成。 由于金屬鈦與硅的接觸電阻較大，導(dǎo)通壓降較高，使其正常工作條件下發(fā)熱量較高，影響產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種導(dǎo)通壓降小、發(fā)熱量低、可靠性好、使用壽命長(zhǎng)的低導(dǎo)通壓降可控硅芯片。本實(shí)用新型涉及的低導(dǎo)通壓降可控硅芯片，包括硅片，依次設(shè)在硅片背面的鈦層、 鎳層、銀層，其特殊之處是在硅片背面位于硅片和鈦層之間設(shè)有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為1 1.5 μ m。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)在在硅片和鈦層之間設(shè)有高純鋁層，使芯片背面呈鋁、 鈦、鎳、銀四層金屬?gòu)?fù)合結(jié)構(gòu)，鈦、鎳作為緩沖層能夠降低應(yīng)力，鋁硅合金化工藝控制容易， 能夠形成良好的歐姆接觸，使接觸電阻小，從而減小導(dǎo)通壓降，進(jìn)而降低通態(tài)功耗，使可控硅芯片發(fā)熱量低，可靠性好，使用壽命長(zhǎng)。

圖1是芯片剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖中硅片1、高純鋁層2、鈦層3、鎳層4、銀層5。
具體實(shí)施方式
如圖所示，在硅片1的背面蒸鍍一層1 1. 5 μ m厚的高純鋁層2，高純鋁層的厚度為1 1. 5 μ m ；在高純鋁層2上依次蒸鍍鈦層3、鎳層4、銀層5。
權(quán)利要求1. 一種低導(dǎo)通壓降可控硅芯片，包括硅片，依次設(shè)在硅片背面的鈦層、鎳層、銀層，其特征是在硅片背面位于硅片和鈦層之間設(shè)有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為1 L 5 μ m0
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種低導(dǎo)通壓降可控硅芯片，包括硅片，依次設(shè)在硅片背面的鈦層、鎳層、銀層，其特殊之處是在硅片背面位于硅片和鈦層之間設(shè)有高純鋁層，所述的高純鋁層的厚度為1～1.5μm。優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)在硅片背面設(shè)高純鋁層，使芯片背面呈鋁、鈦、鎳、銀四層金屬?gòu)?fù)合結(jié)構(gòu)，鈦、鎳作為緩沖層能夠降低應(yīng)力，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導(dǎo)通壓降，進(jìn)而降低通態(tài)功耗，使可控硅芯片發(fā)熱量低，可靠性好，使用壽命長(zhǎng)。
文檔編號(hào)H01L29/74GK202009002SQ20112011555
公開(kāi)日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2011年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月19日
發(fā)明者劉鑫, 劉鐵銘, 婁達(dá), 孫國(guó)偉, 王立偉, 趙秀麗 申請(qǐng)人:錦州遼晶電子科技有限公司