技術(shù)編號：7177501
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型涉及一種半導(dǎo)體芯片，特別涉及一種低導(dǎo)通壓降可控硅芯片。 背景技術(shù)應(yīng)用傳統(tǒng)鈦鎳銀金屬化工藝制作的可控硅芯片是由硅片、鈦層、鎳層、銀層構(gòu)成。 由于金屬鈦與硅的接觸電阻較大，導(dǎo)通壓降較高，使其正常工作條件下發(fā)熱量較高，影響產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。發(fā)明內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種導(dǎo)通壓降小、發(fā)熱量低、可靠性好、使用壽命長的低導(dǎo)通壓降可控硅芯片。本實用新型涉及的低導(dǎo)通壓降可控硅芯片，包括硅片，依次設(shè)在硅片背面的鈦層、 鎳層、銀層，其特殊之處是在...
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