硅基led芯片切割方法及其切割用分光器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種硅基LED芯片切割方法及其切割用分光器，屬于LED芯片切割技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]芯片切割工藝其實(shí)就是通過滾刀機(jī)械磨損或鐳射灼燒后，再通過劈裂，將大圓片劈成矩形小晶粒的過程。
[0003]硅作為四元系LED芯片基材，在業(yè)界內(nèi)以造價(jià)低廉，同等面積亮度高的優(yōu)點(diǎn)快速取代金屬基材，逐漸成為主流四元芯片基材。
[0004]硅基材質(zhì)地堅(jiān)硬，脆，易碎，傳統(tǒng)的單點(diǎn)雷射切割過程中硅片容易產(chǎn)生彎翹，致使二軸切割水平無(wú)法對(duì)齊，切割動(dòng)作無(wú)法順利完成。所以只能通過低功率多次切割同一切割道的辦法來(lái)避免片子彎翹，但這種方法的缺點(diǎn)是時(shí)間長(zhǎng)，效率低，切割道多次灼燒后的外觀差。如果要滿足大批量生產(chǎn)的話，人員與機(jī)臺(tái)需求量大，造成的機(jī)臺(tái)成本與人員成本極高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的切割效率的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，避免切割過程中硅片產(chǎn)生彎翹、切割效率高的硅基LED芯片切割方法及其切割用分光器。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為硅基LED芯片切割方法，按照以下步驟進(jìn)行，
a、取硅基芯片樣版片，將硅基芯片樣版本貼于SPV224白膜表面，然后放在鐳射切割機(jī)的載盤上，并將載盤移動(dòng)至鐳射源下方，并啟動(dòng)真空吸緊膠膜；
b、將分光器安裝在雷射源與放大器之間后進(jìn)行試切，檢查硅基芯片樣版片表面的切痕辨別被分出的多個(gè)鐳射點(diǎn)是否在同一水平線上，若不在，調(diào)整分光鏡的鏡片角度，再試切，直至被分出的多個(gè)鐳射點(diǎn)在同一水平線上；再取一分光鏡安裝在放大器與反光鏡之間，然后進(jìn)行試切、調(diào)整，直至被分出的多個(gè)鐳射點(diǎn)在同一水平線上；
c、調(diào)整功率、量測(cè)和檢查切深，打開鐳射源功率與量測(cè)，將多點(diǎn)鐳射光點(diǎn)打在量側(cè)儀表面，通過調(diào)整電流與頻率，左右滑動(dòng)硅基芯片樣版本，然后取下硅基芯片樣版本，在高倍顯微鏡下檢查切深；
d、切深滿足后，取硅基芯片按照步驟a、b、c調(diào)整水平，設(shè)定邊界，確定標(biāo)準(zhǔn)點(diǎn)，開始切割。
[0007]優(yōu)選的，所述步驟c中所述儀射源的輸出功率為3w，切深為40_60um。
[0008]—種分光器，包括底座、安裝板和分光鏡片，所述底座上設(shè)置有安裝板，所述安裝板上設(shè)置有階梯通孔，所述階梯通孔內(nèi)設(shè)置有分光鏡片，所述分光鏡片的下端設(shè)置有定位螺塞，分光鏡片的上端設(shè)置有微調(diào)螺塞，分光鏡片外部設(shè)置有鏡片定位圓環(huán)，所述鏡片定位圓環(huán)通過螺栓固定在安裝板上。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下技術(shù)效果:本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，不但可以避免切割過程中硅片產(chǎn)生彎翹，而且可以提高生產(chǎn)效率與良率，降低機(jī)臺(tái)成本與人力成本，可實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)作業(yè)。
【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明中鐳射切割的原理框圖。
[0011]圖2為本發(fā)明中分光器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖3為本發(fā)明中分光器的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]為了使本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0014]如圖1所示，硅基LED芯片切割方法，按照以下步驟進(jìn)行，
a、取硅基芯片樣版片，將硅基芯片樣版本貼于SPV224白膜表面，然后放在鐳射切割機(jī)的載盤上，并將載盤移動(dòng)至鐳射源下方，并啟動(dòng)真空吸緊膠膜；
b、將分光器安裝在雷射源與放大器之間后進(jìn)行試切，檢查硅基芯片樣版片表面的切痕辨別被分出的多個(gè)鐳射點(diǎn)是否在同一水平線上，若不在，調(diào)整分光鏡的鏡片角度，再試切，直至被分出的多個(gè)鐳射點(diǎn)在同一水平線上；再取一分光鏡安裝在放大器與反光鏡之間，然后進(jìn)行試切、調(diào)整，直至被分出的多個(gè)鐳射點(diǎn)在同一水平線上；
c、調(diào)整功率、量測(cè)和檢查切深，打開鐳射源功率與量測(cè)，將多點(diǎn)鐳射光點(diǎn)打在量側(cè)儀表面，通過調(diào)整電流與頻率，左右滑動(dòng)硅基芯片樣版本，然后取下硅基芯片樣版本，在高倍顯微鏡下檢查切深；其中鐳射源的輸出功率為3w，切深為40-60um ；
d、切深滿足后，取硅基芯片按照步驟a、b、c調(diào)整水平，設(shè)定邊界，確定標(biāo)準(zhǔn)點(diǎn)，開始切割。
[0015]在切割過程中，芯片上會(huì)有多點(diǎn)鐳射同時(shí)劃過芯片表面，以硅基芯片切割為例，X軸加Y軸共有350道，傳統(tǒng)的同一切割道多次劃過的鐳切方法，最少得走350X3=1050刀，方能切完，所耗時(shí)間將近40分鐘。而我們通過應(yīng)用分光器改良后的切割方法，只需要切350刀，時(shí)間13分鐘，大大提高了產(chǎn)能，節(jié)省了成本，提高了產(chǎn)品的外觀質(zhì)量。通過上述方法進(jìn)行切割作業(yè)時(shí)，被切的芯片相當(dāng)于被鐳射點(diǎn)同時(shí)劃過多次，及時(shí)阻止硅片的回融問題，避免了彎片，翹片的產(chǎn)生，而且切割痕跡的截面也非常的平整，外觀上不會(huì)有任何影響。
[0016]如圖2、圖3所不，一種分光器，包括底座1、安裝板2和分光鏡片3，所述底座I上設(shè)置有安裝板2，所述安裝板2上設(shè)置有階梯通孔4，所述階梯通孔4內(nèi)設(shè)置有分光鏡片3，所述分光鏡片3的下端設(shè)置有定位螺塞5，分光鏡片的上端設(shè)置有微調(diào)螺塞6，分光鏡片3外部設(shè)置有鏡片定位圓環(huán)7，所述鏡片定位圓環(huán)7通過螺栓8固定在安裝板2上。
[0017]其中階梯通孔4與風(fēng)光鏡片3之間有足夠的空隙，保證分光鏡片3能夠小角度轉(zhuǎn)動(dòng)，定位螺栓5用于支撐，在調(diào)整完成風(fēng)光鏡片的角度后，通過微調(diào)螺塞6進(jìn)行鎖緊。
[0018]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包在本發(fā)明范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.硅基LED芯片切割方法，其特征在于:按照以下步驟進(jìn)行， a、取硅基芯片樣版片，將硅基芯片樣版本貼于SPV224白膜表面，然后放在鐳射切割機(jī)的載盤上，并將載盤移動(dòng)至鐳射源下方，并啟動(dòng)真空吸緊膠膜； b、將分光器安裝在雷射源與放大器之間后進(jìn)行試切，檢查硅基芯片樣版片表面的切痕辨別被分出的多個(gè)鐳射點(diǎn)是否在同一水平線上，若不在，調(diào)整分光鏡的鏡片角度，再試切，直至被分出的多個(gè)鐳射點(diǎn)在同一水平線上；再取一分光鏡安裝在放大器與反光鏡之間，然后進(jìn)行試切、調(diào)整，直至被分出的多個(gè)鐳射點(diǎn)在同一水平線上； c、調(diào)整功率、量測(cè)和檢查切深，打開鐳射源功率與量測(cè)，將多點(diǎn)鐳射光點(diǎn)打在量側(cè)儀表面，通過調(diào)整電流與頻率，左右滑動(dòng)硅基芯片樣版本，然后取下硅基芯片樣版本，在高倍顯微鏡下檢查切深； d、切深滿足后，取硅基芯片按照步驟a、b、c調(diào)整水平，設(shè)定邊界，確定標(biāo)準(zhǔn)點(diǎn)，開始切割。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基LED芯片切割方法，其特征在于:所述步驟c中所述鐳射源的輸出功率為3w，切深為40-60um。
3.一種分光器，其特征在于:包括底座、安裝板和分光鏡片，所述底座上設(shè)置有安裝板，所述安裝板上設(shè)置有階梯通孔，所述階梯通孔內(nèi)設(shè)置有分光鏡片，所述分光鏡片的下端設(shè)置有定位螺塞，分光鏡片的上端設(shè)置有微調(diào)螺塞，分光鏡片外部設(shè)置有鏡片定位圓環(huán)，所述鏡片定位圓環(huán)通過螺栓固定在安裝板上。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種硅基LED芯片切割方法及其切割用分光器，屬于LED芯片切割技術(shù)領(lǐng)域,為解決切割效率的技術(shù)問題，提供了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，避免切割過程中硅片產(chǎn)生彎翹、切割效率高的硅基LED芯片切割方法及其切割用分光器,采用的技術(shù)方案為按照以下步驟進(jìn)行，a、取硅基芯片樣版片，b、將分光器安裝在雷射源與放大器之間后進(jìn)行試切，然后進(jìn)行試切、調(diào)整，直至被分出的多個(gè)鐳射點(diǎn)在同一水平線上；c、調(diào)整功率、量測(cè)和檢查切深，d、切深滿足后，取硅基芯片按照步驟a、b、c調(diào)整水平，設(shè)定邊界，確定標(biāo)準(zhǔn)點(diǎn)，開始切割;本發(fā)明廣泛用于LED芯片的切割。
【IPC分類】B23K26-067, B23K26-38, B23K26-402
【公開號(hào)】CN104801851
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510147136
【發(fā)明人】申辛海
【申請(qǐng)人】山西南燁立碁光電有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請(qǐng)日】2015年3月31日