三相整流橋模塊的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種三相整流橋模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的三相整流橋模塊通常將6個(gè)二極管芯片分成兩組按照兩種方向安裝，在生產(chǎn)加工時(shí)，需要分辨二極管的電極朝向，容易發(fā)生裝反的問題，導(dǎo)致產(chǎn)品合格率低，而且不易采用自動(dòng)化規(guī)模化生產(chǎn)，產(chǎn)品的價(jià)格高，性價(jià)比低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]由于上述原因，本實(shí)用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單，體積小，工藝簡化，品質(zhì)穩(wěn)定易于規(guī)?；a(chǎn)，性價(jià)比高的三相整流橋模塊。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用一種三相整流橋模塊，包括底板、外殼、陶瓷片、二極管芯片、可控硅芯片、正電極、負(fù)電極、L型電極、R2電極、G電極，所述陶瓷片真空焊接在底板上，L型電極焊接在一側(cè)的陶瓷片上，負(fù)電極焊接在另一側(cè)的陶瓷片上，6個(gè)二極管芯片按陰極朝上分兩列分別焊接在3個(gè)L型電極和負(fù)電極上，L型電極的下端橫跨焊接在另一列二極管芯片的上端的陰極面上，可控硅芯片下端焊接有連接片，連接片焊接在陶瓷片上，連接片向一側(cè)延伸形成引出端，R2電極連接在L型電極一側(cè)的二極管芯片的陰極面上和可控硅芯片的引出端上，正電極連接在可控硅芯片上端的陰極面上，G電極通過軟線連接在可控硅芯片的觸發(fā)門極上，外殼蓋在底板上，正電極、負(fù)電極、L型電極、R2電極、G電極的引出端伸出到外殼外。
[0005]本實(shí)用新型的具體設(shè)置為所述L型電極的下端形成拱形橫跨連接在二極管芯片的上端陰極面上。
[0006]本實(shí)用新型的具體設(shè)置為所述R2電極的一端為“M”狀拱橋形分別與3個(gè)二極管芯片和可控硅芯片的引出端連接，R2電極的另一端為“L”狀懸空引出端。
[0007]本實(shí)用新型的有益效果是二極管全部正燒(芯片上面是陰極，下面是陽極)，并采用下端為拱形的L型電極，串聯(lián)二極管芯片的陰極和陽極，以及采用“M”狀拱橋形的R2電極連接構(gòu)成整流正極，使模塊的工藝簡化，品質(zhì)穩(wěn)定易于規(guī)?；a(chǎn)，具有體積小、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用前景廣泛。
【附圖說明】
[0008]圖1是本實(shí)用新型具體實(shí)施例的示意圖。
[0009]圖2是本實(shí)用新型具體實(shí)施例去掉外殼的示意圖。
[0010]圖3是本實(shí)用新型具體實(shí)施例去掉外殼的俯視圖。
[0011]圖4是本實(shí)用新型具體實(shí)施例去掉外殼的側(cè)視圖。
[0012]圖5是本實(shí)用新型具體實(shí)施例的R2電極的示意圖。
[0013]圖6是本實(shí)用新型具體實(shí)施例的L電極的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]如圖1-圖6所示，本實(shí)用新型的具體實(shí)施例是一種三相整流橋模塊，包括底板1、外殼2、陶瓷片3、二極管芯片4、可控硅芯片5、正電極6、負(fù)電極7、L型電極8、R2電極9、G電極10，陶瓷片3真空焊接在底板I上，L型電極8焊接在一側(cè)的陶瓷片3上，負(fù)電極7焊接在另一側(cè)的陶瓷片3上，6個(gè)二極管芯片4按陰極朝上分兩列分別焊接在3個(gè)L型電極8和負(fù)電極7上，L型電極8的下端形成拱形81橫跨焊接在另一列二極管芯片4的上端的陰極面上，可控硅芯片5下端焊接有連接片51，連接片51焊接在陶瓷片3上，連接片51向一側(cè)延伸形成引出端52，R2電極9的一端為“M”狀拱橋形91分別與3個(gè)二極管芯片4和可控硅芯片5的引出端連接，R2電極9的另一端為“L”狀懸空引出端，正電極6連接在可控硅芯片5上端的陰極面上，G電極10通過軟線連接在可控硅芯片5的觸發(fā)門極上，外殼2蓋在底板I上，正電極6、負(fù)電極7、L型電極8、R2電極9、G電極10的引出端伸出到外殼2外。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種三相整流橋模塊，包括底板、外殼、陶瓷片、二極管芯片、可控硅芯片、正電極、負(fù)電極、L型電極、R2電極、G電極，其特征在于:所述陶瓷片真空焊接在底板上，L型電極焊接在一側(cè)的陶瓷片上，負(fù)電極焊接在另一側(cè)的陶瓷片上，6個(gè)二極管芯片按陰極朝上分兩列分別焊接在3個(gè)L型電極和負(fù)電極上，L型電極的下端橫跨焊接在另一列二極管芯片的上端的陰極面上，可控硅芯片下端焊接有連接片，連接片焊接在陶瓷片上，連接片向一側(cè)延伸形成引出端，R2電極連接在L型電極一側(cè)的二極管芯片的陰極面上和可控硅芯片的引出端上，正電極連接在可控硅芯片上端的陰極面上，G電極通過軟線連接在可控硅芯片的觸發(fā)門極上，外殼蓋在底板上，正電極、負(fù)電極、L型電極、R2電極、G電極的引出端伸出到外殼外。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三相整流橋模塊，其特征在于:所述L型電極的下端形成拱形橫跨連接在二極管芯片的上端陰極面上。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的三相整流橋模塊，其特征在于:所述R2電極的一端為“M”狀拱橋形分別與3個(gè)二極管芯片和可控硅芯片的引出端連接，R2電極的另一端為“L”狀懸空引出端。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種三相整流橋模塊，包括底板、外殼、陶瓷片、二極管芯片、可控硅芯片、正電極、負(fù)電極、L型電極、R2電極、G電極，L型電極焊接和負(fù)電極焊接在陶瓷片上，6個(gè)二極管芯片按陰極朝上分兩列分別焊接在3個(gè)L型電極和負(fù)電極上，L型電極的下端橫跨焊接在另一列二極管芯片的上端的陰極面上，可控硅芯片通過連接片焊接在陶瓷片上，連接片向一側(cè)延伸形成引出端，R2電極連接在L型電極一側(cè)的二極管芯片的陰極面上和可控硅芯片的引出端上，正電極連接在可控硅芯片上端的陰極面上，G電極通過軟線連接在可控硅芯片的觸發(fā)門極上，外殼蓋在底板上。本實(shí)用新型的品質(zhì)穩(wěn)定易于規(guī)?；a(chǎn)，具有體積小、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】H01L25/07, H02M7/00
【公開號(hào)】CN205029569
【申請?zhí)枴緾N201520857070
【發(fā)明人】張彭春, 黃紅兵, 黃澤彬
【申請人】欣大電氣有限公司
【公開日】2016年2月10日
【申請日】2015年10月26日