專利名稱：多晶硅片水膜保護(hù)擴(kuò)散面刻蝕裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池，特別涉及太陽(yáng)能電池中多晶硅片化學(xué)邊緣刻蝕裝置。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能電池制造商目前正面臨電池價(jià)格持續(xù)低迷與太陽(yáng)能級(jí)多晶硅料和硅片價(jià)格不斷上漲的雙向壓力。從今年1月1日開始，歐洲主要市場(chǎng)削減了太陽(yáng)能的上網(wǎng)電價(jià)補(bǔ)貼，這對(duì)光電組件成品價(jià)格帶來(lái)壓力。而由于供應(yīng)有限，硅價(jià)并沒(méi)有下降，相反正在一路飆升。數(shù)據(jù)顯示，2011年3月份，太陽(yáng)能級(jí)多晶硅和硅片價(jià)格持續(xù)上漲。最新出版的BNEF太陽(yáng)能價(jià)值鏈指數(shù)顯示，2011年3月份多晶硅平均價(jià)格達(dá)到79美元/公斤，是2009年5月該指數(shù)創(chuàng)立以來(lái)的最高值。由于進(jìn)口限制和國(guó)內(nèi)供應(yīng)有限，中國(guó)國(guó)內(nèi)的多晶硅價(jià)格比世界其他地區(qū)更高。硅片價(jià)格同樣有所上漲，3月份6英寸的多晶硅晶片平均價(jià)格為3. 62美元 /片，比2月份增長(zhǎng)了 3%。而多晶硅電池3月份的均價(jià)為1. 25美元/瓦，比2010年12月下降了 9.4%。因此如何提高太陽(yáng)能電池制造過(guò)程中的良品率和電池的轉(zhuǎn)換效率成了電池制造商在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中能夠立于不敗之地的一個(gè)關(guān)鍵因素。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種多晶硅片水膜保護(hù)擴(kuò)散面刻蝕裝置，該裝置可有效地避免硅片腐蝕區(qū)域擴(kuò)大和腐蝕破壞。本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案為一種多晶硅片水膜保護(hù)擴(kuò)散面刻蝕裝置，包括去離子水儲(chǔ)存箱、噴灑水膜裝置，在去離子水儲(chǔ)存箱內(nèi)設(shè)有低液位感應(yīng)器和高液位感應(yīng)器，低液位感應(yīng)器、高液位感應(yīng)器連有 PLC控制器，PLC控制器與進(jìn)水管的氣動(dòng)閥、排水管的氣動(dòng)閥相連。所述的噴灑水膜裝置包括噴水管，噴水管上設(shè)有5 10個(gè)噴水道，每個(gè)噴水道噴口設(shè)置一個(gè)硅片感應(yīng)器，硅片感應(yīng)器通過(guò)PLC控制器連接噴水閥。所述的去離子水儲(chǔ)存箱分成5 10個(gè)相同的儲(chǔ)水區(qū)，每個(gè)儲(chǔ)水區(qū)對(duì)應(yīng)著一個(gè)噴水道供應(yīng)噴水。所述的噴水道的噴口設(shè)有5 8個(gè)出水孔。當(dāng)?shù)鸵何桓袘?yīng)器感應(yīng)到低液位時(shí)進(jìn)水管氣動(dòng)閥自動(dòng)打開加水，但高液位感應(yīng)器感應(yīng)到高液位時(shí)進(jìn)水管氣動(dòng)閥自動(dòng)關(guān)閉停止加水。每個(gè)噴水道都設(shè)置一個(gè)硅片感應(yīng)器，當(dāng)硅片經(jīng)過(guò)感應(yīng)器時(shí)，信號(hào)輸送到PLC控制器，信號(hào)經(jīng)PLC處理后將噴水信號(hào)輸出，此時(shí)輸出的噴水信號(hào)已被延遲使硅片經(jīng)過(guò)噴水點(diǎn)時(shí)正好對(duì)硅片上表面即擴(kuò)散面進(jìn)行噴水。當(dāng)擴(kuò)散后得硅片擴(kuò)散面朝上經(jīng)過(guò)噴水點(diǎn)時(shí)，噴水裝置將對(duì)硅片的擴(kuò)散面自動(dòng)噴灑一層去離子水膜作為掩蔽層然后進(jìn)入刻蝕槽，克服了人工上片時(shí)硅片不整齊導(dǎo)致噴水點(diǎn)不是同一時(shí)間作業(yè)，噴水點(diǎn)的壓力時(shí)常變化使噴水量有差異及去離子水儲(chǔ)存箱在使用過(guò)程中液位的降低幅度大導(dǎo)致水壓的降低的問(wèn)題，完全適合于大規(guī)模生產(chǎn)。[0010]將單一的去離子水儲(chǔ)存箱改成五個(gè)相同的在同一安裝高度的去離子水儲(chǔ)存箱，每個(gè)供應(yīng)一道噴水點(diǎn)，將每個(gè)存水箱的高低液位傳感器的間距減小，即使液位變化減小；將每道的噴水點(diǎn)的噴水口的3個(gè)孔改成5個(gè)孔，能更好的解決水壓不同導(dǎo)致水膜不能夠穩(wěn)定的覆蓋全硅片的問(wèn)題。本實(shí)用新型應(yīng)用于硅片制作可有效地避免(1)因刻蝕槽中酸霧對(duì)硅片擴(kuò)散后N層進(jìn)行腐蝕破壞，這種破壞可導(dǎo)致硅片的方塊電阻不均勻在后續(xù)燒結(jié)后可導(dǎo)致電池的串聯(lián)電阻過(guò)大，嚴(yán)重的可燒穿太陽(yáng)能電池最終導(dǎo)致太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率下降；(2)刻蝕槽中藥液上翻到硅片的擴(kuò)散面的邊緣，將硅片擴(kuò)散面的邊緣的N層進(jìn)行腐蝕掉，這種情況可導(dǎo)致電池的并聯(lián)電阻過(guò)低，如果腐蝕區(qū)域擴(kuò)大到銀漿電極的下方可導(dǎo)致太陽(yáng)能電池被短路而導(dǎo)致失效片的產(chǎn)生。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；其中1.進(jìn)水管，2.低液位感應(yīng)器，3.高液位感應(yīng)器，4.去離子水儲(chǔ)存箱，5.噴灑水膜裝置，6.噴水管，7.噴口，8.排水管。
具體實(shí)施方式
一種多晶硅片水膜保護(hù)擴(kuò)散面刻蝕裝置，包括去離子水儲(chǔ)存箱4、噴灑水膜裝置 5，在去離子水儲(chǔ)存箱4內(nèi)設(shè)有低液位感應(yīng)器2和高液位感應(yīng)器3，低液位感應(yīng)器2、高液位感應(yīng)器3連有PLC控制器，PLC控制器與進(jìn)水管1的氣動(dòng)閥、排水管8的氣動(dòng)閥相連。所述的噴灑水膜裝置5包括噴水管6，噴水管6上設(shè)有5 10個(gè)噴水道，每個(gè)噴水道噴口 7設(shè)置一個(gè)硅片感應(yīng)器，硅片感應(yīng)器通過(guò)PLC控制器連接噴水閥。所述的去離子水儲(chǔ)存箱分成5 10個(gè)相同的儲(chǔ)水區(qū)，每個(gè)儲(chǔ)水區(qū)對(duì)應(yīng)著一個(gè)噴水道供應(yīng)噴水。所述的噴水道的噴口設(shè)有5 8個(gè)出水孔。當(dāng)?shù)鸵何桓袘?yīng)器感應(yīng)到低液位時(shí)進(jìn)水管氣動(dòng)閥自動(dòng)打開加水，但高液位感應(yīng)器感應(yīng)到高液位時(shí)進(jìn)水管氣動(dòng)閥自動(dòng)關(guān)閉停止加水。每個(gè)噴水道都設(shè)置一個(gè)硅片感應(yīng)器，當(dāng)硅片經(jīng)過(guò)感應(yīng)器時(shí)，信號(hào)輸送到PLC，信號(hào)經(jīng)PLC處理后將噴水信號(hào)輸出，此時(shí)輸出的噴水信號(hào)已被延遲使硅片經(jīng)過(guò)噴水點(diǎn)時(shí)正好對(duì)硅片上表面即擴(kuò)散面進(jìn)行噴水。
權(quán)利要求1.一種多晶硅片水膜保護(hù)擴(kuò)散面刻蝕裝置，包括去離子水儲(chǔ)存箱、噴灑水膜裝置，其特征是，在去離子水儲(chǔ)存箱內(nèi)設(shè)有低液位感應(yīng)器和高液位感應(yīng)器，低液位感應(yīng)器、高液位感應(yīng)器連有PLC控制器，PLC控制器與進(jìn)水管的氣動(dòng)閥、排水管的氣動(dòng)閥相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅片水膜保護(hù)擴(kuò)散面刻蝕裝置，其特征是，所述的噴灑水膜裝置包括噴水管，噴水管上設(shè)有5 10個(gè)噴水道，每個(gè)噴水道噴口設(shè)置一個(gè)硅片感應(yīng)器，硅片感應(yīng)器通過(guò)PLC控制器連接噴水閥。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅片水膜保護(hù)擴(kuò)散面刻蝕裝置，其特征是，所述的去離子水儲(chǔ)存箱分成5 10個(gè)相同的儲(chǔ)水區(qū)，每個(gè)儲(chǔ)水區(qū)對(duì)應(yīng)著一個(gè)噴水道供應(yīng)噴水。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的多晶硅片水膜保護(hù)擴(kuò)散面刻蝕裝置，其特征是，所述的噴水道的噴口設(shè)有5 8個(gè)出水孔。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種多晶硅片水膜保護(hù)擴(kuò)散面刻蝕裝置，包括去離子水儲(chǔ)存箱、噴灑水膜裝置，在去離子水儲(chǔ)存箱內(nèi)設(shè)有低液位感應(yīng)器和高液位感應(yīng)器，低液位感應(yīng)器、高液位感應(yīng)器連有PLC控制器，PLC控制器與進(jìn)水管的氣動(dòng)閥、排水管的氣動(dòng)閥相連。本實(shí)用新型克服了人工上片時(shí)硅片不整齊導(dǎo)致噴水點(diǎn)不是同一時(shí)間作業(yè)，噴水點(diǎn)的壓力時(shí)常變化使噴水量有差異及去離子水儲(chǔ)存箱在使用過(guò)程中液位的降低幅度大導(dǎo)致水壓的降低的問(wèn)題，完全適合于大規(guī)模生產(chǎn)。
文檔編號(hào)H01L31/18GK202004038SQ20112011545
公開日2011年10月5日 申請(qǐng)日期2011年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月19日
發(fā)明者夏俊華, 楊雷, 殷海亭, 王步峰, 錢金梁, 陳陽(yáng)泉 申請(qǐng)人:潤(rùn)峰電力有限公司