專利名稱：通過鍍鎳鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
通過鍍鎳鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件本實(shí)用新型涉及一種通過鍍鎳鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件。 [背景技術(shù)]現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件，它的基本結(jié)構(gòu)是將經(jīng)過封裝的半導(dǎo)體發(fā)光二極管與其驅(qū)動(dòng)或控制電路器件在完成連接后，用密封材料密封，并輸出可見光。經(jīng)過封裝的半導(dǎo)體發(fā)光二極管與其驅(qū)動(dòng)或控制電路器件分別粘結(jié)在支架上，通過鍵合銅絲相互連接。雖然銅引線鍵合作為一種可行的、經(jīng)濟(jì)的解決方案，已應(yīng)用在半導(dǎo)體封裝中。但是由于銅引線鍵合是集成到現(xiàn)有的鎳引線鍵合工藝(主要是焊層材料)及封裝設(shè)備上，所以，目前銅引線鍵合所占的引線鍵合比例依然很少，主要是因?yàn)殂~引線鍵合面臨著一些難點(diǎn)(1)鍵合銅絲容易被氧化；(2)鍵合接口結(jié)合力不夠強(qiáng)壯，可靠性不穩(wěn)定。電子結(jié)構(gòu)和原子尺寸決定著化學(xué)性能，鍵合銅絲容易被氧化。在鎳引線鍵合工藝中，芯片焊盤由鎳或鋁、引線框架(支架或基板)焊層由鎳層構(gòu)成，鎳原子容易擴(kuò)散、再結(jié)晶，接口結(jié)合力強(qiáng)壯。而銅與鎳焊接，接口結(jié)合力較弱，可靠性不穩(wěn)定，是業(yè)界一直致力解決的難題。隨著工業(yè)逐步向綠色封裝轉(zhuǎn)移，NiPdAu預(yù)鍍引線框架正逐漸獲得應(yīng)用，除了不用擔(dān)心錫須生長(zhǎng)問題的好處之外，NiPdAu引線框架取消了后鍍工藝，有助于縮短生產(chǎn)周期。把銅線和NiPdAu引線框架結(jié)合起來，將會(huì)在電阻、成本節(jié)約和周期時(shí)間方面有顯著改善。然而，在NiPdAu框架上的銅線鍵合和在鍍鎳的框架上的銅線鍵合之間存在顯著不同，需要不同的結(jié)合條件，提高接口結(jié)合力。本實(shí)用新型的目的是提供了一種通過鍍鎳鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件。本實(shí)用新型采用下述技術(shù)方案一種通過鍍鎳鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件，其特征在于包括支架，在所述的支架上通過導(dǎo)電膠粘接有至少一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件和至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)或控制電路器件，在所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件與驅(qū)動(dòng)或控制電路器件之間連接有鍍鎳鍵合銅絲，在所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件與所述的支架連接有鍍鎳鍵合銅絲，所述的驅(qū)動(dòng)或控制電路器件與支架之間設(shè)有鍍鎳鍵合銅絲，在所述的支架，半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件，驅(qū)動(dòng)或控制電路器件，鍍鎳鍵合銅絲外封裝有的密封體。如上所述的通過鍍鎳鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件，其特征在于所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管和封裝所述半導(dǎo)體發(fā)光二極管的封裝體。[0012]如上所述的通過鍍鎳鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件，其特征在于所述鍍鎳鍵合銅絲包括銅芯線或銅合鎳芯線，在銅芯線或銅合鎳芯線的表面包覆有鎳層， 所述的鎳層是通過電化學(xué)鍍或化學(xué)鍍工藝沉積在銅芯線或銅合鎳芯線表面上形成的。如上所述的通過鍍鎳鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件，其特征在于所述的鍍鎳鍵合銅絲直徑范圍為0. 075mm-0. 010mm，鎳層厚度為0. 1-0. 4um。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型中半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件與驅(qū)動(dòng)或控制電路器件之間，半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件與所述的支架，所述的驅(qū)動(dòng)或控制電路器件與支架之間，分別通過一種表面包覆純鎳層或鎳合鎳層的鍵合銅絲連接，這樣解決鍵合銅絲被氧化問題，可在保護(hù)氣芬下進(jìn)行鍵合，提高接口結(jié)合強(qiáng)度和穩(wěn)定的可靠性。鍍鎳鍵合銅絲能通過不多的成本增加來獲得額外的連接能力提升，提高封裝性能和實(shí)現(xiàn)高密度封裝。

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中A處的放大圖；圖3為鍍鎳鍵合銅絲的剖面示意圖之一；圖4為鍍鎳鍵合銅絲的剖面示意圖之二。如圖1和2所示，本實(shí)用新型公開了一種通過鍍鎳鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件，包括支架1，在所述的支架1上通過導(dǎo)電膠5粘接有至少一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件3和至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)或控制電路器件4，在所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件3與驅(qū)動(dòng)或控制電路器件4之間連接有鍍鎳鍵合銅絲6，在所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件3與所述的支架1連接有鍍鎳鍵合銅絲6，所述的驅(qū)動(dòng)或控制電路器件4與支架1之間連接有鍍鎳鍵合銅絲6，在所述的支架1，半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件3，驅(qū)動(dòng)或控制電路器件4，鍍鎳鍵合銅絲6外封裝有的密封體7。本實(shí)用新型中所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件3包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管和封裝所述半導(dǎo)體發(fā)光二極管的封裝體。本實(shí)用新型中，所述的鍍鎳鍵合銅絲6直徑范圍為0. 075mm-0. 010mm，鎳層63厚度為 0. 1-0. 4um。鍍鎳鍵合銅絲6有多種實(shí)施方式。第一種，如圖3所示，鍍鎳鍵合銅絲6由銅芯線61和包覆于銅芯線61表面的鎳層 63鎳層63化學(xué)質(zhì)量成份99. 99%組成。第二種，如圖4示，鍍鎳鍵合銅絲6由銅合鎳芯線62和包覆于銅合鎳芯線62表面的鎳層63鎳層63化學(xué)質(zhì)量成份99. 99%組成。本實(shí)用新型中表面包覆鎳層或鎳合鎳層是通過電化學(xué)鍍或化學(xué)鍍工藝將鎳沉積在銅絲表面。
權(quán)利要求1.一種通過鍍鎳鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件，其特征在于包括支架(1)，在所述的支架(1)上通過導(dǎo)電膠( 粘接有至少一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件(3) 和至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)或控制電路器件G)，在所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件C3)與驅(qū)動(dòng)或控制電路器件(4)之間連接有鍍鎳鍵合銅絲(6)，在所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件( 與所述的支架(1)連接有鍍鎳鍵合銅絲(6)，所述的驅(qū)動(dòng)或控制電路器件(4)與支架(1)之間設(shè)有鍍鎳鍵合銅絲(6)，在所述的支架(1)，半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件(3)，驅(qū)動(dòng)或控制電路器件G)，鍍鎳鍵合銅絲(6)外封裝有的密封體(7)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通過鍍鎳鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件，其特征在于所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件C3)包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管和封裝所述半導(dǎo)體發(fā)光二極管的封裝體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的通過鍍鎳鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件，其特征在于所述鍍鎳鍵合銅絲(6)包括銅芯線(61)或銅合鎳芯線(62)，在銅芯線(61) 或銅合鎳芯線(6 的表面包覆有鎳層(63)，所述的鎳層(6 是通過電化學(xué)鍍或化學(xué)鍍工藝沉積在銅芯線(61)或銅合鎳芯線(62)表面上形成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通過鍍鎳鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件， 其特征在于所述的鍍鎳鍵合銅絲(6)直徑范圍為0.075mm-0.010mm，鎳層(63)厚度為 0. 1-0. 4um。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種通過鍍鎳鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件，其特征在于包括支架，在所述的支架上通過導(dǎo)電膠粘接有至少一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件和至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)或控制電路器件，在所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件與驅(qū)動(dòng)或控制電路器件之間連接有鍍鎳鍵合銅絲，在所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件與所述的支架連接有鍍鎳鍵合銅絲，所述的驅(qū)動(dòng)或控制電路器件與支架之間設(shè)有鍍鎳鍵合銅絲，在所述的支架，半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件，驅(qū)動(dòng)或控制電路器件，鍍鎳鍵合銅絲外封裝有的密封體。本實(shí)用新型的目的是提供了一種通過鍍鎳鍵合銅絲連接的半導(dǎo)體發(fā)光二極管二次封裝件。
文檔編號(hào)H01L33/48GK202018998SQ20112009994
公開日2011年10月26日 申請(qǐng)日期2011年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月8日
發(fā)明者袁毅 申請(qǐng)人:袁毅