專利名稱：復(fù)合絕緣全屏蔽中間連接頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種新型的復(fù)合絕緣全屏蔽中間連接頭。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的絕緣母線在技術(shù)上能夠?qū)崿F(xiàn)單根母線做到全絕緣，但是在每根母線的兩端存在高壓端，而所要連接的兩臺(tái)設(shè)備之間的距離往往都超過單根母線長(zhǎng)度的距離，因此，需用中間接頭將兩根母線連接，這樣就存在不同的兩根母線之間的高壓端之間和中間接頭的部位存在帶電情況，現(xiàn)有的技術(shù)在中間連接處不能夠?qū)崿F(xiàn)全絕緣，有部分企業(yè)采用了外加屏蔽筒的技術(shù)，但是因?yàn)榧夹g(shù)上不過關(guān)，加上屏蔽筒老化容易進(jìn)水，反而更容易出現(xiàn)質(zhì)量事故。
發(fā)明內(nèi)容為了克服上述缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種新型的復(fù)合絕緣全屏蔽中間連接頭。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種復(fù)合絕緣全屏蔽中間連接頭，包括中間連接頭、母線，中間接頭與母線連接， 其特征在中間連接頭外包覆有復(fù)合絕緣全屏蔽結(jié)構(gòu)，本結(jié)構(gòu)由一層或數(shù)層絕緣層和中間屏蔽均壓層組成，在其外設(shè)有接地屏蔽層、外絕緣層和外保護(hù)層。上述數(shù)層中間屏蔽均壓層中的外層的屏蔽均壓層比內(nèi)層的屏蔽均壓層略長(zhǎng)。上述接地屏蔽層比所有中間屏蔽均壓層長(zhǎng)。本實(shí)用新型外面一層的屏蔽均壓層要長(zhǎng)于里面一層的屏蔽均壓層，接地屏蔽層要長(zhǎng)于所有的屏蔽均壓層，從而達(dá)到在接地屏蔽層時(shí)其電位降低到零電位，并通過引出的接地線和接地系統(tǒng)相連接，再外加絕緣層和保護(hù)層，從而實(shí)現(xiàn)了中間接頭部位表面零電位，達(dá)到實(shí)現(xiàn)接頭部位的全絕緣。因此絕緣效果好，能夠?qū)崿F(xiàn)中間接頭部位全絕緣，中間接頭表面零電位。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
一種新型的復(fù)合絕緣全屏蔽中間連接頭，包括中間連接頭1、母線2，中間接頭1與母線2連接。其特征在中間連接頭1外包覆有復(fù)合絕緣全屏蔽結(jié)構(gòu)，本結(jié)構(gòu)通過絕緣層5 和中間屏蔽均壓層4，將電位逐步降低，絕緣層5和中間屏蔽均壓層4可以由一層到數(shù)層構(gòu)成，其層數(shù)取決于母線導(dǎo)體的工作電壓等級(jí)，導(dǎo)體工作電壓越高其層數(shù)設(shè)計(jì)越多。在其外設(shè)有接地屏蔽層3、外絕緣層6和外保護(hù)層7。
權(quán)利要求1.一種復(fù)合絕緣全屏蔽中間連接頭，包括中間連接頭、母線，中間接頭與母線連接，其特征在中間連接頭外包覆有復(fù)合絕緣全屏蔽結(jié)構(gòu)，本結(jié)構(gòu)由一層或數(shù)層絕緣層和中間屏蔽均壓層組成，在其外設(shè)有接地屏蔽層、外絕緣層和外保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合絕緣全屏蔽中間連接頭，其特征在于中間屏蔽均壓層中的外層的屏蔽均壓層比內(nèi)層的屏蔽均壓層略長(zhǎng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合絕緣全屏蔽中間連接頭，其特征在于接地屏蔽層比所有中間屏蔽均壓層長(zhǎng)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種復(fù)合絕緣全屏蔽中間連接頭，包括中間連接頭、母線，中間接頭與母線連接，其特征在中間連接頭外包覆有復(fù)合絕緣全屏蔽結(jié)構(gòu)，本結(jié)構(gòu)由一層或數(shù)層絕緣層和中間屏蔽均壓層組成，在其外設(shè)有接地屏蔽層、外絕緣層和外保護(hù)層。本實(shí)用新型外面一層的屏蔽均壓層要長(zhǎng)于里面一層的屏蔽均壓層，接地屏蔽層要長(zhǎng)于所有的屏蔽均壓層，從而達(dá)到在接地屏蔽層時(shí)其電位降低到零電位，并通過引出的接地線和接地系統(tǒng)相連接，再外加絕緣層和保護(hù)層，從而實(shí)現(xiàn)了中間接頭部位表面零電位，達(dá)到實(shí)現(xiàn)接頭部位的全絕緣。因此絕緣效果好，能夠?qū)崿F(xiàn)中間接頭部位全絕緣，中間接頭表面零電位。
文檔編號(hào)H01R11/01GK201985267SQ20112004093
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年2月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月18日
發(fā)明者盧世華 申請(qǐng)人:杭州華新高科新材料有限公司