專利名稱：10安培硅整流二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種10安培硅整流二極管，尤其是涉及一種設(shè)置有引線裝置的 10安培硅整流二極管。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的二極管一般包括有晶粒，即通常所說的PN結(jié)，晶粒被封裝在塑料內(nèi)，然后晶粒的左右兩端通常兩條引線引出，同時所采用的原料中鉛等金屬元素較多。實用新型發(fā)明人在使用中發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在下述問題一、現(xiàn)有晶粒的制作過程由于材料所限， 二極管的整流電流一半較低；二，所采用的材料不夠環(huán)保，超過我國和歐盟等地區(qū)的環(huán)保標準，大量使用對環(huán)境造成較大破壞。有鑒于此，本實用新型發(fā)明人乃積極開發(fā)研究，并為改進上述產(chǎn)品的不足，經(jīng)過長久努力研究與實驗，終于開發(fā)設(shè)計出本實用新型的10安培硅整流二極管。
實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種10安培硅整流二極管，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中二極管耐壓值較低、容易受到污染及不夠環(huán)保的問題。為達到上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是一種10安培硅整流二極管，包括晶粒和環(huán)氧模塑料，所述晶粒為硅材料制作，所述晶粒的外側(cè)設(shè)置有引線裝置，所述晶粒與引線裝置的一端依次相連，所述環(huán)氧模塑料將所述晶粒和引線裝置的一端包覆在內(nèi)。優(yōu)選地，所述引線裝置為一干字結(jié)構(gòu)，包括一連接層、一防護層和一引線，所述連接層與所述焊片相接，所述引線的一端連接至連接層中央，所述防護層中央與所述引線連接。優(yōu)選地，所述晶粒和所述連接層相連側(cè)的表面積相等。優(yōu)選地，所述10安培硅整流二極管為環(huán)保材料制作。采用本實用新型的技術(shù)方案后，由于在所述晶粒的PN結(jié)沉積較厚，晶粒的兩側(cè)設(shè)置有引線裝置，引線裝置設(shè)置為干字結(jié)構(gòu)，包括有連接層和防護層，因此該二極管能夠承受較高的反向電壓，防護層能夠使得對引線加工時不會污染晶粒，使得本實用新型二極管的連接強度和工作穩(wěn)定性得到提高，同時采用環(huán)保材料制作，更能保護環(huán)境。

圖1是本實用新型實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實用新型實施例分解結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和實施方式對本實用新型作進一步詳細說明。請參閱圖1和圖2，為本實用新型一種具體實施方式
，一種10安培硅整流二極管， 包括晶粒1和環(huán)氧模塑料4，所述晶粒1的PN結(jié)沉積較厚，能夠承受反向電壓較高，本實用新型產(chǎn)品正向整流電流為10安培，所述晶粒的外側(cè)設(shè)置有引線裝置，所述晶粒1和引線裝置的一端依次相連，所述環(huán)氧模塑料4將所述晶粒1和引線裝置的一端包覆在內(nèi)。這樣，引線裝置的設(shè)置可使得本實用新型的連接更為可靠。采用本實用新型的技術(shù)方案后，由于PN結(jié)的設(shè)置較厚，并且外表采用阻介系數(shù)較高的環(huán)氧模塑料封裝，因此，本實用新型產(chǎn)品最高提供10安培整流電流，單一正向峰值浪涌電流可達400A，并具有低正向壓降、高電流容量、引線可焊性及高穩(wěn)定性等特點，同時可在二極管本體上標明極性，適用于在需要的任何位置安裝。作為優(yōu)選方式，所述引線裝置為一干字結(jié)構(gòu)，包括一連接層2、一防護層3和一引線5，所述連接層2與晶粒相接，所述引線5的一端連接至連接層2中央，所述防護層3中央與所述引線5連接并與所述連接層2隔有適當距離。如此，當所所述引線裝置與所述晶粒 1焊接在一起，同時所述晶粒1和所述連接層2相連側(cè)的表面積相等，這樣大幅提高了晶粒 1與引線裝置的連接面積，使得連接穩(wěn)固性大幅提高。在二極管的制作工藝中，對引線的處理中存在電鍍錫這樣一個步驟，在該步驟中引線5放入電鍍槽中滾動時，由于防護層3的存在，使得電鍍液不至于粘附在晶粒1上，從而確保了產(chǎn)品的質(zhì)量。同時，所述10安培硅整流二極管為環(huán)保材料制作，二極管的組成材料晶粒1、引線裝置等均采用符合中國“電子信息產(chǎn)品污染控制管理辦法”的有關(guān)規(guī)定，同時也符合歐盟環(huán)保法規(guī)標準，產(chǎn)品中五氧化砷等15種高關(guān)注物質(zhì)含量均低于0. 的標準，能夠節(jié)省資源、 減少對環(huán)境的污染。同時，采用本實用新型的技術(shù)方案后，本實用新型產(chǎn)品最大正向整流電流為10A， 反向漏電流小于10微安，單一正向浪涌電流為400A，正向電壓降小于0. 95伏，產(chǎn)品性能符合設(shè)計要求和國家標準。以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書所限定的保護范圍為準。
權(quán)利要求1.一種10安培硅整流二極管，包括晶粒和環(huán)氧模塑料，其特征在于所述晶粒采用半導(dǎo)體硅制作，所述晶粒的外側(cè)設(shè)置有引線裝置，所述晶粒與引線裝置的一端依次相連，所述環(huán)氧模塑料將所述晶粒和引線裝置的一端包覆在內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的10安培硅整流二極管，其特征在于所述引線裝置為一干字結(jié)構(gòu)，包括一連接層、一防護層和一引線，所述連接層與所述晶粒相接，所述引線的一端連接至連接層中央，所述防護層中央與所述引線連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的10安培硅整流二極管，其特征在于所述晶粒和所述連接層相連側(cè)的表面積相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的10安培硅整流二極管，其特征在于所述10安培硅整流二極管為環(huán)保材料制作。
專利摘要本實用新型公開了一種10安培硅整流二極管，包括晶粒和環(huán)氧模塑料，所述晶粒的PN結(jié)沉積較厚，所述晶粒的外側(cè)設(shè)置有引線裝置，所述晶粒與引線裝置的一端依次相連，所述環(huán)氧模塑料將所述晶粒和引線裝置的一端包覆在內(nèi)。本實用新型產(chǎn)品可廣泛適用于各種需要使用10安培硅整流二極管的場合。
文檔編號H01L29/861GK202103055SQ201120008390
公開日2012年1月4日 申請日期2011年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月12日
發(fā)明者張春培 申請人:連云港金堂福半導(dǎo)體器件有限公司