專利名稱：超薄型表面貼裝電極化臺(tái)座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及全金屬材料封裝型壓電晶體的電極裝置，尤其是一種超薄型表面貼裝電極化臺(tái)座，以及采用該電極化臺(tái)座的表面貼裝壓電晶體裝置。
背景技術(shù)：
隨著電子終端產(chǎn)品的小型化、便攜化的發(fā)展趨勢(shì)，頻率元器件受其絕緣墊片的影響，不能很好地向片式化、電極化方向發(fā)展，現(xiàn)有的49S/SMD絕緣墊片是采用PPS、PPA等耐高溫工程塑料注塑成型，受材料本身限制，目前此類絕緣墊片實(shí)際使用厚度最薄為0. 40mm ； 而SNC/SUB或2PD/4PD等帶有電極的絕緣墊片，是將電極與PPS、PPA等工程塑料一起注塑而成型，或者將電極嵌在預(yù)先注塑成型的絕緣墊片上，它的實(shí)際使用厚度最薄為1. 5mm。以上兩種絕緣墊片嚴(yán)重制約了壓電晶體全金屬封裝向片式化、電極化方向發(fā)展。 目前，國(guó)外片式元器件已是一個(gè)成熟的產(chǎn)業(yè)，大多采用陶瓷/金屬和陶瓷/玻璃封裝形式， 然而上述兩種封裝結(jié)構(gòu)都是采用陶瓷基座，只是采用不同的封裝形式而已。但此兩種封裝形式受其封裝材料(基座、上蓋、玻璃膠)成本和資源供應(yīng)的限制(上述三種材料依賴進(jìn)口) 以及其工藝屬性限制，一直影響了國(guó)內(nèi)片式化元器件的發(fā)展。

實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)以上現(xiàn)有片式化元器件封裝技術(shù)裝備的不足，本實(shí)用新型的目的是提供一種超薄型表面貼裝電極化臺(tái)座，以及采用該電極化臺(tái)座的壓電晶體裝置。本實(shí)用新型的目的是通過(guò)采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的超薄型表面貼裝電極化臺(tái)座，包括非金屬材料層和設(shè)在非金屬材料層上的金屬材料層，所述非金屬材料層和金屬材料層相互連接固定并形成整體結(jié)構(gòu)，所述金屬材料層上設(shè)有電極電路，所述金屬材料層的厚度小于等于總厚度的二分之一。作為本實(shí)用新型的優(yōu)選技術(shù)方案，所述非金屬材料層和金屬材料層的總厚度小于等于0. 40毫米。作為本實(shí)用新型的優(yōu)選技術(shù)方案，所述非金屬材料層上涂覆有耐高溫涂層。作為本實(shí)用新型的優(yōu)選技術(shù)方案，所述非金屬材料包括玻璃纖維布；所述耐高溫涂層包括聚四氟乙烯涂層或環(huán)氧樹脂涂層；所述金屬材料包括銅箔、鋁箔或銀箔。作為本實(shí)用新型的優(yōu)選技術(shù)方案，所述非金屬材料層、耐高溫涂層和金屬材料層的總厚度小于等于0. 25毫米。作為本實(shí)用新型的優(yōu)選技術(shù)方案，所述金屬材料層上設(shè)有至少兩個(gè)相互隔開作為電極電路的金屬片，所述每塊金屬片上分別開有通孔。表面貼裝壓電晶體裝置，包括全金屬封裝壓電晶體元器件和絕緣墊片，該裝置的電極部分由壓電晶體元器件的引線構(gòu)成，所述絕緣墊片和所述電極即是上述的超薄型表面貼裝電極化臺(tái)座，所述壓電晶體元器件設(shè)在電極化臺(tái)座之上并與所述電極電路連接。本實(shí)用新型的有益效果是相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型采用新的制造工藝獲得新的片式臺(tái)座材料，并利用新的片式臺(tái)座材料與銅箔熱壓復(fù)合，獲得超薄結(jié)構(gòu)的電極化臺(tái)座。本實(shí)用新型使電子元器件傳統(tǒng)的全金屬封裝SMD產(chǎn)品進(jìn)一步小型化、片式化，減小了產(chǎn)品體積。本實(shí)用新型使傳統(tǒng)的49S/SMD絕緣墊片厚度從0. 45毫米降為0. 25毫米，SNC/SUB 或2PD/4PD絕緣墊片厚度從1. 5毫米降為0. 25毫米；本實(shí)用新型可以將不同規(guī)格的絕緣墊片融為一體，并有效降低生產(chǎn)成本。本實(shí)用新型將傳統(tǒng)全金屬封裝的SMD產(chǎn)品小型化、片式化，有利于不同類型的各種絕緣墊片按同樣的原理將絕緣體和電極融為一體，能夠有效降低產(chǎn)品成本；本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)新穎、生產(chǎn)效率高、性能優(yōu)越、可規(guī)模化生產(chǎn)，具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景，促進(jìn)全金屬封裝的SMD產(chǎn)品向小型化、片式化方向發(fā)展，促進(jìn)電子技術(shù)和頻率元器件更新?lián)Q代，有利于國(guó)民經(jīng)濟(jì)信息化發(fā)展的需要。
以下結(jié)合附圖與具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
超薄型表面貼裝電極化臺(tái)座，包括非金屬材料層和設(shè)在非金屬材料層上的金屬材料層，所述非金屬材料層和金屬材料層相互連接固定并形成整體結(jié)構(gòu)，所述金屬材料層上設(shè)有電極電路，所述金屬材料層的厚度小于等于總厚度的二分之一。如圖1和圖2所示，本實(shí)施例中，本實(shí)用新型所述非金屬材料層是玻璃纖維布層1， 玻璃纖維布層1上涂覆有一層耐高溫聚四氟乙烯涂層3 ；作為另一種實(shí)施方式，耐高溫涂層 3也可以采用環(huán)氧樹脂涂層。本實(shí)用新型所述金屬材料層包括銅箔層，銅箔層包括兩個(gè)相互隔開作為電極電路的銅箔片2，所述每塊銅箔片2上分別開有通孔4。作為另一種實(shí)施方式，本實(shí)用新型銅箔2也可以采用鋁箔、銀箔或其它金屬材料。本實(shí)施例所述玻璃纖維布層 1和耐高溫聚四氟乙烯涂層3的厚度約0. 20毫米，銅箔2的厚度約0. 05毫米，玻璃纖維布層1、聚四氟乙烯涂層3和銅箔2的總厚度小于等于0. 25毫米。超薄型表面貼裝電極化臺(tái)座的制造工藝，該工藝包括以下步驟(1)將無(wú)堿玻璃纖維布浸漬后燒結(jié)，得到玻璃纖維漆布；(2)對(duì)上述步驟獲得的玻璃纖維漆布進(jìn)行裁切，得到玻璃纖維漆布片；(3)將步驟(2)獲得的單層玻璃纖維漆布片進(jìn)行疊層，得到多層的玻璃纖維漆布片；(4)在步驟(2)或步驟(3)獲得的單層或多層玻璃纖維漆布片上單面覆銅箔，經(jīng)熱壓形成玻璃纖維漆布覆銅板；(5)將步驟(4)獲得的玻璃纖維漆布覆銅板按照產(chǎn)品電路的設(shè)計(jì)要求蝕刻；(6)將步驟(5)獲得的產(chǎn)品根據(jù)設(shè)計(jì)要求裁切成條形狀半成品；[0031](7)將上述條形狀半成品使用沖床沖切成電極化臺(tái)座。本實(shí)施例中，所述步驟(1)采用的浸漬材料包括聚四氟乙烯乳液或環(huán)氧樹脂乳液， 所述環(huán)氧樹脂乳液是無(wú)鹵阻燃環(huán)氧樹脂乳液。表面貼裝壓電晶體裝置，包括全金屬封裝壓電晶體元器件和絕緣墊片，該裝置的電極部分由壓電晶體元器件的引線構(gòu)成，所述絕緣墊片和所述電極即是以上實(shí)施例所述的超薄型表面貼裝電極化臺(tái)座，所述壓電晶體元器件設(shè)在電極化臺(tái)座之上并與所述電極電路連接。本實(shí)用新型是對(duì)傳統(tǒng)全金屬封裝SMD產(chǎn)品小型化、片式化的一次材料革命，采用聚四氟乙烯玻璃纖維布或環(huán)氧樹脂玻璃纖維布為基材，將單面熱壓銅箔設(shè)計(jì)成SMD專用電極，根據(jù)配套的尺寸經(jīng)沖切成型，將不同電極的SMD產(chǎn)品的絕緣墊片電極化。本實(shí)用新型所采用的兩種基材因有玻璃纖維布作為支撐并涂覆耐高溫的聚四氟乙烯或環(huán)氧樹脂，能夠使本工藝所獲得的新材料在加工元器件時(shí)，經(jīng)回流焊、波峰焊不起翹、不變形，同時(shí)又有很好的絕緣性。本實(shí)用新型是將49S/SMD絕緣墊片和SNC/SUB或2PD/4PD絕緣墊片徹底薄型化， 很好地將49S/SMD絕緣墊片和SNC/SUB或2PD/4PD絕緣墊片融為一體。同時(shí)解決了 PPS、 PPA等絕緣墊片在回流焊超溫時(shí)變形、起翹，及加工過(guò)程中脆裂的問(wèn)題，徹底解決了現(xiàn)有產(chǎn)品不利于進(jìn)行超薄型加工的根本問(wèn)題。使用本實(shí)用新型超薄型表面貼裝電極化臺(tái)座，能將傳統(tǒng)的壓電晶體全金屬封裝產(chǎn)品小型化、片式化，部分替代陶瓷封裝的產(chǎn)品，從而解決傳統(tǒng)工藝屬性帶來(lái)的不足，并大大降低人工成本和材料成本。
權(quán)利要求1.一種超薄型表面貼裝電極化臺(tái)座，包括非金屬材料層和設(shè)在非金屬材料層上的金屬材料層，所述非金屬材料層和金屬材料層相互連接固定并形成整體結(jié)構(gòu)，其特征是所述金屬材料層上設(shè)有電極電路，所述金屬材料層的厚度小于等于總厚度的二分之一。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述超薄型表面貼裝電極化臺(tái)座，其特征是所述非金屬材料層和金屬材料層的總厚度小于等于0. 40毫米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述超薄型表面貼裝電極化臺(tái)座，其特征是所述非金屬材料層上涂覆有耐高溫涂層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述超薄型表面貼裝電極化臺(tái)座，其特征是所述非金屬材料包括玻璃纖維布；所述耐高溫涂層包括聚四氟乙烯涂層或環(huán)氧樹脂涂層；所述金屬材料包括銅箔、鋁箔或銀箔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述超薄型表面貼裝電極化臺(tái)座，其特征是所述非金屬材料層、耐高溫涂層和金屬材料層的總厚度小于等于0. 25毫米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述超薄型表面貼裝電極化臺(tái)座，其特征是所述金屬材料層上設(shè)有至少兩個(gè)相互隔開作為電極電路的金屬片，所述每塊金屬片上分別開有通孔。
7.一種表面貼裝壓電晶體裝置，包括全金屬封裝壓電晶體元器件和絕緣墊片，該裝置的電極部分由壓電晶體元器件的引線構(gòu)成，其特征是所述絕緣墊片和所述電極即是如權(quán)利要求1所述的超薄型表面貼裝電極化臺(tái)座，所述壓電晶體元器件設(shè)在電極化臺(tái)座之上并與所述電極電路連接。
專利摘要本實(shí)用新型涉及超薄型表面貼裝電極化臺(tái)座，屬于壓電晶體裝置技術(shù)領(lǐng)域，電極化臺(tái)座包括玻璃纖維布、耐高溫涂層和銅箔，耐高溫涂層包括聚四氟乙烯涂層或環(huán)氧樹脂涂層，總厚度小于0.25毫米。工藝包括浸漬、燒結(jié)、裁切、疊層、覆銅箔、熱壓、蝕刻、裁切、沖切。壓電晶體裝置包括壓電晶體元器件和絕緣墊片，電極部分由壓電晶體元器件的引線構(gòu)成，絕緣墊片和電極即是上述電極化臺(tái)座。本實(shí)用新型利用新的片式臺(tái)座材料與銅箔熱壓復(fù)合，獲得超薄結(jié)構(gòu)的電極化臺(tái)座。使電子元器件傳統(tǒng)的全金屬封裝SMD產(chǎn)品進(jìn)一步小型化、片式化，減小了產(chǎn)品體積，降低了生產(chǎn)成本；可以促進(jìn)電子技術(shù)和頻率元器件更新?lián)Q代，有利于國(guó)民經(jīng)濟(jì)信息化發(fā)展的需要。
文檔編號(hào)H01L41/053GK201936921SQ20112000819
公開日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2011年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月12日
發(fā)明者趙文杰 申請(qǐng)人:泰州市泰氟隆制品有限公司