專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
本申請(qǐng)要求2011年8月30日提交的韓國專利申請(qǐng)No. 10-2011-0087327的優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容通過引用合并于此。用于在屏幕上顯示多種信息的圖像顯示設(shè)備是信息和通信時(shí)代的核心技術(shù)的一種。這種圖像顯示設(shè)備已經(jīng)被開發(fā)的更薄、更輕并且更便攜，并且進(jìn)一步具有高性能。實(shí)際上，由于平板顯示裝置具有減小的重量和體積以及陰極射線管(CRT)的公知缺點(diǎn)使得平板 顯示裝置在顯示領(lǐng)域備受關(guān)注。平板顯示裝置包括OLED裝置，其通過控制有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光量來顯示圖像。OLED裝置是采用位于電極之間的薄發(fā)光層的自發(fā)光顯示裝置。因此，OLED裝置可的和紙一樣薄。這種OLED裝置通過封裝基板發(fā)光來顯示圖像。封裝的基板包括以矩陣形狀排列并且均配置有3色(即，紅、綠、藍(lán))子像素的多個(gè)像素、單元驅(qū)動(dòng)器陣列和有機(jī)發(fā)光陣列。為了實(shí)現(xiàn)多種顏色，OLED裝置采用被配置以分別發(fā)射紅、綠和藍(lán)光的有機(jī)發(fā)光層。有機(jī)發(fā)光層夾在兩個(gè)電極之間并且用于形成有機(jī)發(fā)光二極管。圖I是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的OLED裝置的密封區(qū)域的截面圖。如圖I所示，OLED裝置限定為有效顯示區(qū)域(active area)和焊盤區(qū)域，在有效顯示區(qū)域中排列均包括有機(jī)發(fā)光二極管的多個(gè)像素，并且在焊盤區(qū)域中沿著有效顯示區(qū)域的輪廓形成驅(qū)動(dòng)元件或者供電導(dǎo)線。OLED裝置包括占據(jù)焊盤區(qū)域的邊緣的密封線區(qū)域。在密封線區(qū)域中，布置了用于將設(shè)置有有機(jī)發(fā)光二極管的陣列基板與上基板18進(jìn)行組合的密封劑。OLED裝置的陣列基板包括疊置在下基板10上的緩沖層11、柵絕緣層12和層間絕緣膜13。陣列基板還包括在層間絕緣膜13上形成的信號(hào)導(dǎo)線15。信號(hào)導(dǎo)線15可以用于形成具有地導(dǎo)線的供電導(dǎo)線或者驅(qū)動(dòng)元件。附圖中插入但是未說明的附圖標(biāo)記“20”指示堤層。堤層20不僅僅用于限定有效顯示區(qū)域內(nèi)的像素區(qū)域而且用于形成有機(jī)發(fā)光二極管。當(dāng)在如上所述的下基板10上形成諸如薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管的元件時(shí)，按照與(或者電力導(dǎo)線)信號(hào)導(dǎo)線15交叉的方式沿著下基板的邊緣形成密封線19。接著，將上基板20和下基板10彼此組合。如附圖所示，為了減少處理的數(shù)量而取消了在信號(hào)線15上形成的保護(hù)層的工序。換句話說，從最近的OLED裝置的制造工序中取消了保護(hù)層形成工序。然而，因此，在布置密封線19和信號(hào)導(dǎo)線15的區(qū)域中產(chǎn)生污染缺陷。圖2是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的OLED裝置的密封線區(qū)域中產(chǎn)生的污染缺陷的照片圖。參照?qǐng)D2，可見在包括信號(hào)導(dǎo)線15上形成的密封線19的區(qū)域A中產(chǎn)生污染缺陷。換句話說，由于取消保護(hù)膜形成工序而導(dǎo)致在有效顯示區(qū)域的薄膜晶體管區(qū)域和焊盤區(qū)域的信號(hào)導(dǎo)線區(qū)域上形成相關(guān)技術(shù)的保護(hù)膜的情況下不發(fā)生的污染缺陷。然而，必須通過取消保護(hù)膜形成工序來減少制造工序的數(shù)量，以提供針對(duì)OLED裝置的高產(chǎn)量和成本降低。因此，必須開發(fā)適用于減少工序數(shù)量并且防止污染缺陷的新技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本實(shí)施方式的一個(gè)總體方面，一種OLED裝置，所述OLED裝置包括基板，其被限定為以矩陣形狀布置有多個(gè)像素的有效顯示區(qū)域、形成有驅(qū)動(dòng)元件的面板內(nèi)柵極(GIP)區(qū)域、接地區(qū)域和密封線區(qū)域；薄膜晶體管，其位于所述有效顯示區(qū)域內(nèi)的每個(gè)像素區(qū)域中；有機(jī)發(fā)光二極管，其位于保護(hù)膜上，并且被配置為包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極；堤層，其將所述有機(jī)發(fā)光二極管劃分為多個(gè)像素單元；信號(hào)導(dǎo)線，其形成在所述接地區(qū)域和所述密封線區(qū)域中；以及延伸部分，其由與所述有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極相同的材料制成并且被配置為覆蓋所述信號(hào)導(dǎo)線，其中，所述密封線區(qū)域中的密封線被形成在被所述延伸部分覆蓋的所述信號(hào)導(dǎo)線的邊緣上、以及與所述信號(hào)導(dǎo)線的邊緣相鄰的層間絕緣膜 上。根據(jù)本實(shí)施方式的另一個(gè)總體方面，一種OLED制造方法，所述方法包括制備基板，所述基板被限定為以矩陣形狀形成有多個(gè)像素的有效顯示區(qū)域、形成有驅(qū)動(dòng)元件的面板內(nèi)柵極(GIP)區(qū)域、接地區(qū)域和密封線區(qū)域；在所述有效顯示區(qū)域中的每個(gè)像素區(qū)域中形成薄膜晶體管，以及在與所述密封線區(qū)域和所述接地區(qū)域相對(duì)應(yīng)的層間絕緣膜上形成信號(hào)導(dǎo)線，所述薄膜晶體管配置有溝道層、柵絕緣膜、柵極以及源極和漏極；在設(shè)置有所述薄膜晶體管的所述基板上形成保護(hù)膜，并且通過接觸孔形成工序露出所述薄膜晶體管的所述漏極的一部分和所述信號(hào)導(dǎo)線；以及在設(shè)置有所述保護(hù)膜的所述基板上形成有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管配置有第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極，其中，在形成所述第一電極時(shí)形成延伸部分以覆蓋所述信號(hào)導(dǎo)線。根據(jù)本實(shí)施方式的又一個(gè)總體方面，一種OLED制造方法，所述方法包括基板，其被限定為以矩陣形狀形成有多個(gè)像素的有效顯示區(qū)域、形成有驅(qū)動(dòng)元件的面板內(nèi)柵極(GIP)區(qū)域、接地區(qū)域和密封線區(qū)域；薄膜晶體管，其形成于所述有效顯示區(qū)域內(nèi)的每個(gè)像素區(qū)域中；有機(jī)發(fā)光二極管，其被配置為包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極，并且所述有機(jī)發(fā)光二極管被形成在被設(shè)置用于覆蓋所述薄膜晶體管的保護(hù)膜上；堤層，其被形成為將所述有機(jī)發(fā)光二極管劃分為多個(gè)像素單元；信號(hào)導(dǎo)線，其形成在所述接地區(qū)域和所述密封線區(qū)域中；以及密封線，其形成在所述密封線區(qū)域中；其中，所述信號(hào)導(dǎo)線與柵絕緣膜和層間絕緣膜之間的所述薄膜晶體管的柵極形成在同一層，并且在被形成用于覆蓋所述信號(hào)導(dǎo)線的層間絕緣膜上形成與所述信號(hào)導(dǎo)線相對(duì)的密封線。根據(jù)本實(shí)施方式的再一個(gè)總體方面，一種OLED制造方法，所述方法包括制備基板，所述基板被限定為以矩陣形狀形成有多個(gè)像素的有效顯示區(qū)域、形成有驅(qū)動(dòng)元件的面板內(nèi)柵極(GIP)區(qū)域、接地區(qū)域和密封線區(qū)域；在所述有效顯示區(qū)域中的每個(gè)像素區(qū)域中形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管配置有溝道層、柵極以及源極和漏極，以及在形成所述柵極時(shí)在與所述密封線區(qū)域和所述接地區(qū)域相對(duì)應(yīng)的柵絕緣膜上形成信號(hào)導(dǎo)線；在設(shè)置有所述薄膜晶體管的所述基板上形成保護(hù)膜，并且露出所述薄膜晶體管的所述漏極的一部分；在設(shè)置有所述保護(hù)膜的所述基板上形成有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管配置有第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極；以及在所述密封線區(qū)域內(nèi)的為了覆蓋所述信號(hào)導(dǎo)線而形成的層間絕緣膜上形成密封線，并且所述密封線與所述層間絕緣膜直接接觸。在研讀以下附圖和具體描述之后其它系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)將對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員變得明顯。本說明書中包括的全部這些附加系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)在本發(fā)明的范圍內(nèi)，并且被以下的權(quán)利要求保護(hù)。此部分的內(nèi)容均不作為對(duì)權(quán)利要求的限制。其它方面和優(yōu)點(diǎn)在下面接合實(shí)施方式一起討論。應(yīng)該理解，對(duì)本公開的以上概述和以下詳述都是示例性和解釋性的，并旨在對(duì)所要求保護(hù)的本公開提供進(jìn)一步的解釋。


附圖被包括在本申請(qǐng)中以提供對(duì)實(shí)施方式的進(jìn)一步理解，并結(jié)合到本申請(qǐng)中且構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，附圖示出了本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，且與說明書一起用于解釋本公開的原理。在附圖中
圖I是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的OLED裝置的密封區(qū)域的截面圖；圖2是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的OLED裝置的密封線區(qū)域中產(chǎn)生的污染缺陷的照片圖；圖3是示出根據(jù)本公開的一種實(shí)施方式的OLED裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖4是沿著圖3的1-1’線截取的示出OLED裝置的截面圖；圖5A到圖是例示根據(jù)本公開的一種實(shí)施方式的制造OLED裝置的方法的截面圖；以及圖6到圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施方式的OLED裝置的截面圖。
具體實(shí)施例方式下面將詳細(xì)描述本公開的實(shí)施方式，在附圖中例示出了本發(fā)明的示例。下文引入的實(shí)施方式作為示例提供以向本領(lǐng)域技術(shù)人員而言傳達(dá)本發(fā)明的精神。因此，這些實(shí)施方式可以按照不同形狀實(shí)現(xiàn)，因而不限制于這里描述的這些實(shí)施方式。在附圖中，為了便于描述夸張了裝置的大小、厚度等。盡可能在包括附圖的本公開中用相同的附圖標(biāo)記代表相同或類似構(gòu)件。圖3是示出根據(jù)本公開的一種實(shí)施方式的OLED裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖4是沿著圖3的1-1’線截取的示出OLED裝置的截面圖。參照?qǐng)D3和圖4，OLED裝置100可以定義為有效顯示區(qū)域(X區(qū)域)、密封線區(qū)域(Z區(qū)域)和GIP (面板中柵極)區(qū)域(Y區(qū)域)。有效顯示區(qū)域(X區(qū)域)可限定為按照矩陣形狀排列的多個(gè)像素區(qū)域。在每個(gè)像素區(qū)域中形成有有機(jī)發(fā)光二極管230和薄膜晶體管TFT。占據(jù)OLED裝置100的邊緣的密封線區(qū)域(Z區(qū)域)用于組合下基板200與上基板300。GIP區(qū)域(Y區(qū)域)定位在有效顯示區(qū)域(X區(qū)域)和密封線區(qū)域(Z區(qū)域)之間。在GIP區(qū)域(Y區(qū)域)中形成有選通驅(qū)動(dòng)電路元件。焊盤區(qū)域130和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)區(qū)域140可設(shè)置在OLED裝置100的邊緣。焊盤區(qū)域130用于與外部信號(hào)連接器(未示出)電氣連接。如圖所示，OLED裝置100中可還包括定位在GIP區(qū)域(Y區(qū)域)和密封線區(qū)域(Z區(qū)域)之間的接地區(qū)域。在接地區(qū)域上形成有用于地連接的信號(hào)導(dǎo)線275。信號(hào)導(dǎo)線275與GIP區(qū)域(Y區(qū)域)中的元件電氣接觸。在根據(jù)本公開的一種實(shí)施方式個(gè)OLED裝置的詳細(xì)結(jié)構(gòu)中，在下基板200的有效顯示區(qū)域(X區(qū)域)中形成有薄膜晶體管TFT。薄膜晶體管TFT配置有溝道層214，該溝道層形成在下基板200上形成的緩沖層201上；柵極211，該柵極形成在柵絕緣膜202上，該柵絕緣膜被形成以覆蓋溝道層214 ;以及源極217a和漏極217b，該源極217a和漏極217b被配置以分別通過所形成的接觸孔接觸溝道層214的源和漏區(qū)域，柵極211位于源極217a和漏極217b之間。另外，在薄膜晶體管TFT上方形成有有機(jī)發(fā)光二極管230。有機(jī)發(fā)光二極管230配置有與薄膜晶體管TFT相對(duì)地順序地形成的第一電極(陽極)220、有機(jī)發(fā)光層221和第二電極(陰極)223，在有機(jī)發(fā)光二極管230和薄膜晶體管TFT之間設(shè)置有保護(hù)膜209。保護(hù)膜209由有機(jī)材料形成。
有機(jī)發(fā)光二極管230被堤層240劃分為多個(gè)像素單元。堤層240用于限定多個(gè)像素區(qū)域。為了減小掩模處理的數(shù)量，本公開的一種實(shí)施方式迫使使用諸如半色調(diào)掩模或者衍射掩模的單個(gè)掩模按照一體形成堤層240和間隔體250。類似于有效顯示區(qū)域(X區(qū)域)，還在與GIP區(qū)域(Y區(qū)域)、接地區(qū)域和密封線區(qū)域(Z區(qū)域)相對(duì)應(yīng)地在下基板200上形成緩沖層201和柵絕緣層202。另外，在對(duì)應(yīng)于GIP區(qū)域(Y區(qū)域)在柵絕緣膜202上形成多個(gè)驅(qū)動(dòng)元件(未示出)和供電導(dǎo)線247。另外，在形成多個(gè)驅(qū)動(dòng)元件的下基板上形成有保護(hù)膜209。在保護(hù)膜209上順序地形成有與第一電極220在同一層形成的第一連接電極270和從第二電極223延伸的第二連接電極260。第一連接電極270和第二連接電極260用于將有效顯示區(qū)域(X區(qū)域)內(nèi)的有機(jī)發(fā)光二極管230的第二電極223接地。第一連接電極270和第二連接電極260通過在堤層240中形成的接觸孔彼此電氣接觸。形成延伸部分270a以從第一連接電極270延伸到密封線區(qū)域(Z區(qū)域)并且電氣接觸信號(hào)導(dǎo)線275。信號(hào)導(dǎo)線275可變?yōu)榈貙?dǎo)線。被配置以從第一電極270延伸的延伸部分270a完全覆蓋對(duì)應(yīng)于接地區(qū)域和密封線區(qū)域(Z區(qū)域)在層間絕緣膜212上形成的信號(hào)導(dǎo)線 275。在被延伸部分270a覆蓋的信號(hào)導(dǎo)線275上形成有密封線400。按此方式，根據(jù)本公開的一種實(shí)施方式的OLED裝置使在密封線區(qū)域(Z區(qū)域)和接地區(qū)域中形成的信號(hào)導(dǎo)線275被在形成有機(jī)發(fā)光二極管230的第一電極220時(shí)從第一連接電極270延伸而形成的延伸部分270a所覆蓋，該延伸部分270a代替了保護(hù)膜。因此，密封線400直接接觸延伸部分270a。換句話說，密封線400接觸具有優(yōu)異的粘貼屬性的延伸部分270a。據(jù)此，可增強(qiáng)下基板200和上基板300的組合特性。另外，根據(jù)本公開的一種實(shí)施方式的OLED裝置迫使將信號(hào)導(dǎo)線275定位在從密封線400的中心向下基板200的中心的內(nèi)方向。因此,密封線400與跟信號(hào)導(dǎo)線275相鄰的層間絕緣膜212和覆蓋信號(hào)導(dǎo)線275的延伸部分270a相接觸。據(jù)此，可防止由于潮濕侵入造成的有機(jī)發(fā)光二極管330劣化缺陷。圖5A到圖是例示根據(jù)本公開的一種實(shí)施方式的制造OLED裝置的方法的截面圖。
參照?qǐng)D5A到圖5D，在限定為有效顯示區(qū)域(X區(qū)域)、GIP區(qū)域(Y區(qū)域)、接地區(qū)域和密封線區(qū)域(Z區(qū)域)的下基板200上形成有緩沖層201。作為下基板200的示例，可使用絕緣玻璃、塑料或者導(dǎo)電基板。緩沖層201可由諸如聚酰亞胺、感光亞克力等的有機(jī)絕緣材料或者諸如SiNx和SiO2的無機(jī)絕緣材料制成。在有效顯示區(qū)域(X區(qū)域)中形成有頂柵型的薄膜晶體管TFT。為了形成薄膜晶體管TFT，在緩沖層201上形成有溝道層214。溝道層214包括摻雜的溝道區(qū)和源/漏區(qū)。在設(shè)置有溝道層214的下基板200的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜202?？赏ㄟ^在緩沖層201上形成非晶硅層并且通過熱處理工序使非晶硅晶體化為晶體硅層來制備溝道層214。柵絕緣膜202可由諸如氮化硅SiNx、氧化硅SiOx等的有機(jī)絕緣材料形成。另外，柵絕緣膜202可包括由無機(jī)絕緣材料之一形成的單層，或者由不同的無機(jī)絕緣材料形成的多層。 在下基板200上形成上述柵絕緣膜202之后，在柵絕緣膜202上以與溝道層214相對(duì)地形成柵極211?？赏ㄟ^在下基板200的整個(gè)區(qū)域上形成金屬膜并且通過掩模工序?qū)饘倌?gòu)圖來制備柵極211。此時(shí)，在下基板200的GIP區(qū)域(Y區(qū)域)上(更具體地，在對(duì)應(yīng)于GIP區(qū)域(Y區(qū)域)的柵絕緣膜202上)形成供電導(dǎo)線247和附圖中未示出的多個(gè)驅(qū)動(dòng)元件包括的晶體管的其它柵極。另外，在下基板200上對(duì)應(yīng)于密封線區(qū)域(Z區(qū)域)和接地區(qū)域的區(qū)域疊置緩沖層201和柵絕緣膜202。如圖5C所示，在形成上述柵極211等之后，在下基板200的整個(gè)表面上形成有層間絕緣膜212，并且通過接觸孔形成工序在層間絕緣膜212中形成與溝道層214的源/漏區(qū)域相對(duì)的有接觸孔。之后，通過形成與溝道層214的漏/源區(qū)域分別電氣接觸的源極217a和漏極217b來完成薄膜晶體管。通過在下基板200的整個(gè)表面上沉積源/漏金屬膜并且通過另一個(gè)掩模工序?qū)υ?漏金屬膜構(gòu)圖來形成源極217a和漏極217b。源/漏金屬膜可按照單層或者多層結(jié)構(gòu)形成，源/漏金屬膜可由銅Cu、鋁Al、鋁合金AINd、鑰Mo、鉻Cr、鈦Ti、鉭Ta、鑰鎢MoW、上述這些金屬的合金等形成。同時(shí)，對(duì)應(yīng)于密封線區(qū)域(Z區(qū)域)和接地區(qū)域在層間絕緣膜212上形成信號(hào)導(dǎo)線275。對(duì)應(yīng)于GIP區(qū)域(Y區(qū)域)在層間絕緣膜212上還形成附圖中未示出的晶體管的數(shù)據(jù)線和源極/漏極。在完成上述薄膜晶體管TFT之后，在下基板200的整個(gè)表面上形成保護(hù)膜209。針對(duì)保護(hù)膜209執(zhí)行又一個(gè)掩模工序從而在保護(hù)膜209中形成與漏極217b相對(duì)的接觸孔，并且在密封線區(qū)域(Z區(qū)域)和接地區(qū)域中形成的信號(hào)導(dǎo)線外部地露出。保護(hù)膜209可由無機(jī)絕緣材料或者諸如BCB(苯并環(huán)丁烯)、丙烯酸基樹脂、PFCB等的有機(jī)絕緣材料制成。另外，可通過旋涂法等涂布上述材料中的一種來形成保護(hù)膜209。之后，在保護(hù)膜209上按照與薄膜晶體管TFT的漏極217b電氣接觸的方式形成用于有機(jī)發(fā)光二極管230的第一電極220。通過在上述下基板200的整個(gè)表面上形成金屬膜并且通過再次掩模工序?qū)饘倌?gòu)圖來制備有機(jī)發(fā)光二極管230的第一電極220。第一電極220可由諸如ITO (氧化銦錫)、T0 (氧化錫)、IZO (氧化銦鋅)、ITZO (氧化銦錫鋅)等透明導(dǎo)電材料形成?；蛘撸谝浑姌O220可形成有雙層或者三層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括諸如銀膜的金屬膜。當(dāng)形成第一電極220時(shí)，在GIP區(qū)域(Y區(qū)域)和接地區(qū)域和密封線區(qū)域(Z區(qū)域)中同時(shí)形成第一連接電極270和配置為從第一電極延伸到密封線區(qū)域(Z區(qū)域)的延伸部分270a。第一連接電極270和延伸部分270a按照彼此結(jié)合為一體形成并且由相同材料形成。根據(jù)本實(shí)施方式的制造方法，形成延伸部分270a以完全覆蓋通過去除保護(hù)膜209而外部地露出的信號(hào)導(dǎo)線275。因此，信號(hào)導(dǎo)線275被延伸部分270a從外部屏蔽。在形成上述第一電極220之后,彼此結(jié)合為一體形成用于將有機(jī)發(fā)光二極管230的形成區(qū)域限定為像素單元的堤層240和間隔體250?？赏ㄟ^在上述下基板200的整個(gè)表面上形成有機(jī)膜并且使用半色調(diào)掩?；蛘哐苌溲谀?duì)有機(jī)膜構(gòu)圖來制備堤層240和間隔 體 250。更具體地，將有機(jī)膜形成為具有與間隔體250的高度相對(duì)應(yīng)的厚度。另外，通過將半色調(diào)掩模的半透射區(qū)域或者衍射掩模的衍射圖案與堤層240相對(duì)、將半色調(diào)掩?；蛘哐苌溲谀５姆峭干鋮^(qū)域與間隔體250相對(duì)、以及將半色調(diào)掩?；蛘哐苌溲谀５耐干鋮^(qū)域與第一電極220的要露出的區(qū)域相對(duì)來對(duì)有機(jī)膜構(gòu)圖。之后，在第一電極220的露出部分上順序地形成有機(jī)發(fā)光層221和第二電極223。據(jù)此，完成有機(jī)發(fā)光二極管230。換句話說，堤層240將OLED裝置100的有效顯示區(qū)域(X區(qū)域)限定為像素單元?？稍诿總€(gè)像素區(qū)域中形成紅、綠、藍(lán)或者白有機(jī)發(fā)光層221。附圖中插入但是未說明的附圖標(biāo)記“ 260 ”指示第二連接電極。第二連接電極260與第二電極223結(jié)合為一體形成。另外，第二連接電極260與在GIP區(qū)域(Y區(qū)域)中的堤層下方形成的第一連接電極270電氣接觸。在下基板200上形成上述有機(jī)發(fā)光二極管230之后，在下基板200上對(duì)應(yīng)于密封線區(qū)域(Z區(qū)域)形成密封線400，接著上基板300與下基板200組合。據(jù)此，完成OLED裝置。具體地，本實(shí)施方式的OLED裝置制造方法迫使在信號(hào)導(dǎo)線275和延伸部分270a的邊緣以及與信號(hào)導(dǎo)線275相鄰的層間絕緣膜212上形成密封線400。因此，不同于相關(guān)技術(shù)的是，信號(hào)導(dǎo)線275不露出于外部。另外，密封線400直接接觸覆蓋信號(hào)導(dǎo)線275的延伸部分270a而不直接接觸信號(hào)導(dǎo)線275。因此，與密封線400接觸信號(hào)導(dǎo)線275的情形相比較，密封線400的接觸屬性增強(qiáng)。按此方式，本實(shí)施方式的OLED裝置制造方法迫使信號(hào)導(dǎo)線沿著要被由金屬材料形成的延伸部分覆蓋的有效顯示區(qū)域的輪廓形成。因此，OLED裝置可防止外部潮濕侵入。另外，本實(shí)施方式的OLED裝置制造方法迫使信號(hào)導(dǎo)線275和延伸部分270a的邊緣定位在OLED裝置100的從密封線區(qū)域(Z區(qū)域)內(nèi)的密封線的中心向有效顯示區(qū)域(X區(qū)域)延伸的內(nèi)方向上定位。據(jù)此，可防止由于潮濕侵入造成的有機(jī)發(fā)光二極管230的劣化現(xiàn)象。圖6到圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施方式的OLED裝置的截面圖。圖6和圖7中的與圖4相同的附圖標(biāo)記對(duì)應(yīng)于相同部件。因此，將針對(duì)與圖4區(qū)分的部件描述圖6和圖7的OLED裝置。參照?qǐng)D6，根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方式的OLED裝置可限定為有效顯示區(qū)域(X區(qū)域)、密封線區(qū)域(Z區(qū)域)、GIP區(qū)域(Y區(qū)域)和接地區(qū)域。有效顯示區(qū)域(X區(qū)域)可限定為按照矩陣形狀排列的多個(gè)像素區(qū)域。在每個(gè)像素區(qū)域中形成有有機(jī)發(fā)光二極管230和薄膜晶體管TFT。占據(jù)OLED裝置100的邊緣的密封線區(qū)域(Z區(qū)域)用于組合下基板200與上基板300。GIP區(qū)域(Y區(qū)域)定位在有效顯示區(qū)域(X區(qū)域)和密封線區(qū)域(Z區(qū)域)之間。在GIP區(qū)域(Y區(qū)域)中形成有柵驅(qū)動(dòng)電路元件。根據(jù)本公開的另一個(gè)實(shí)施方式，在下基板200上形成有緩沖層201、溝道層214和柵絕緣膜202之后，接著在柵絕緣膜202上形成與溝道層214相對(duì)的柵極211?？赏ㄟ^在具有柵絕緣膜202的下基板200的整個(gè)表面上形成金屬膜并且通過掩模工序?qū)饘倌?gòu)圖來制備柵極211。 在形成柵極211時(shí)，同時(shí)形成GIP區(qū)域(Y區(qū)域)中的供電導(dǎo)線247和密封線區(qū)域(Z區(qū)域)和接地區(qū)域中的信號(hào)導(dǎo)線375。在形成上述柵極211和信號(hào)導(dǎo)線375之后，在下基板200的整個(gè)表面上形成層間絕緣膜212。當(dāng)在下基板200上形成上述層間絕緣膜212時(shí)，通過接觸孔形成工序在層間絕緣膜的與溝道層214的源/漏區(qū)域相對(duì)的區(qū)域中形成接觸孔。同時(shí)，可在層間絕緣膜212的與信號(hào)導(dǎo)線375相對(duì)的再一個(gè)區(qū)域中形成再一個(gè)接觸孔。盡管附圖中未示出，再一個(gè)接觸孔將用于以后將第一連接電極370與信號(hào)導(dǎo)線375電氣接觸。隨后，形成與溝道層214的源/漏區(qū)域電氣接觸的源極217a和漏極217b，從而完成薄膜晶體管?？赏ㄟ^在具有接觸孔的下基板200的整個(gè)表面上形成源/漏金屬膜并且通過另一個(gè)掩模工序?qū)υ?漏金屬膜構(gòu)圖來制備源極217a和漏極217b。源/漏金屬膜可按照單層或者多層結(jié)構(gòu)形成。單層和多層可由由銅Cu、鋁Al、鋁合金AINd、鑰Mo、鉻Cr、鈦Ti、鉭Ta、鑰鎢MoW、上述金屬的合金等形成。在完成上述薄膜晶體管之后，在下基板200的整個(gè)表面上形成保護(hù)膜209。針對(duì)保護(hù)膜209進(jìn)行又一個(gè)掩模工序從而在保護(hù)膜209中形成與漏極217b相對(duì)的接觸孔。另外，通過另一個(gè)掩模工序形成露出在密封線區(qū)域(Z區(qū)域)和接地區(qū)域中形成的信號(hào)導(dǎo)線375中的一條的另一個(gè)接觸孔。換句話說，當(dāng)在保護(hù)膜209中形成另一個(gè)接觸孔時(shí)，而不是當(dāng)在層間絕緣膜212中形成再一個(gè)接觸孔時(shí)，形成用于將信號(hào)導(dǎo)線375與第一連接電極370電氣連接的接觸孔。當(dāng)在保護(hù)膜209中形成另一個(gè)接觸孔時(shí)，可通過順序地去除與信號(hào)導(dǎo)線375相對(duì)的保護(hù)膜209和層間絕緣膜212的區(qū)域形成用于將信號(hào)導(dǎo)線375與第一連接電極370連接的接觸孔。更具體地，當(dāng)在保護(hù)膜202中形成另一個(gè)接觸孔時(shí)去除信號(hào)線區(qū)域(Z區(qū)域)和接地區(qū)域中的保護(hù)膜209以露出層間絕緣膜212。接著，可在層間絕緣膜212中形成上述露出信號(hào)導(dǎo)線375的一部分的接觸孔。保護(hù)膜209可由無機(jī)絕緣材料或者諸如BCB(苯并環(huán)丁烯)、丙烯酸基樹脂、PFCB等的有機(jī)絕緣材料制成。另外，可通過旋涂法等涂布上述材料中的一種來形成保護(hù)膜209。之后，在保護(hù)膜209上按照與薄膜晶體管TFT的漏極217b電氣接觸的方式形成用于有機(jī)發(fā)光二極管230的第一電極220。通過在上述下基板200的整個(gè)表面上形成金屬膜并且通過再次掩模工序?qū)饘倌?gòu)圖來制備有機(jī)發(fā)光二極管230的第一電極220。第一電極220可由諸如ITO (氧化銦錫)、T0 (氧化錫)、IZO (氧化銦鋅)、ITZO (氧化銦錫鋅)等透明導(dǎo)電材料形成?；蛘?，第一電極220可形成有雙層或者三層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括諸如銀膜的金屬膜。當(dāng)形成第一電極220時(shí)，在GIP區(qū)域(Y區(qū)域)和接地區(qū)域和密封線區(qū)域(Ζ區(qū)域)中同時(shí)形成第一連接電極370。第一連接電極370由相同材料形成。這種第一連接電極370在保護(hù)膜209上形成并且與以后形成的第二連接電極260電氣接觸。之后，通過與圖4描述的工序相同的工序形成有機(jī)發(fā)光二極管230、第二連接電極260和密封線400。因此，將省略關(guān)于形成有機(jī)發(fā)光二極管230、第二連接電極260和密封線400的詳細(xì)描述以避免重復(fù)。
按照此方式，本公開的另一個(gè)實(shí)施方式迫使與密封線400交疊的信號(hào)導(dǎo)線375不僅僅在柵絕緣膜202上形成而且用以后形成的層間絕緣膜212完全覆蓋。因此，密封線400與上基板300和下基板200的層間絕緣膜212直接接觸。因此，與金屬圖案相比較，可極大地增強(qiáng)用于層間絕緣膜212的密封線400的粘貼屬性。另外，本公開的另一個(gè)實(shí)施方式使在密封線下方布置的信號(hào)導(dǎo)線在柵絕緣膜和層間絕緣膜之間形成。據(jù)此，可防止由于潮濕侵入造成的有機(jī)發(fā)光二極管的劣化現(xiàn)象。此外，本公開的另一個(gè)實(shí)施方式允許信號(hào)導(dǎo)線在絕緣膜下方(更具體地，在層間絕緣膜下方)形成從而信號(hào)導(dǎo)線不露出于密封線區(qū)域的外部。因此，可防止潮濕侵入其中形成密封線的信號(hào)導(dǎo)線區(qū)域。如圖3和圖4所示，可按照沿從密封線400向有效顯示區(qū)域(X區(qū)域)的內(nèi)方向定位的方式在密封線區(qū)域(Ζ區(qū)域)和接地區(qū)域中形成信號(hào)導(dǎo)線275。在此情況下，由于信號(hào)導(dǎo)線275的寬度窄，所以信號(hào)導(dǎo)線275的電阻必定增加。為了解決此問題，本公開的又一個(gè)實(shí)施方式迫使如圖7所示在形成柵極時(shí)在柵絕緣膜202上形成輔助信號(hào)導(dǎo)線475。隨后，當(dāng)在層間絕緣膜212中形成針對(duì)源極217a和漏極217b的接觸孔時(shí)在層間絕緣膜212中形成與輔助信號(hào)導(dǎo)線475相對(duì)的通孔H。之后，當(dāng)在層間絕緣膜212上形成信號(hào)導(dǎo)線275時(shí)輔助信號(hào)導(dǎo)線475經(jīng)過通孔H與信號(hào)導(dǎo)線275電氣接觸。據(jù)此，可防止或者減輕信號(hào)導(dǎo)線275的電阻增加。另外，本公開的又一個(gè)實(shí)施方式用在形成信號(hào)導(dǎo)線275時(shí)形成的從第一電極延伸的延伸部分270a代替保護(hù)膜209來覆蓋密封線區(qū)域(Z區(qū)域)和接地區(qū)域中的信號(hào)導(dǎo)線275。因此，密封線400直接接觸延伸部分270a。換句話說，密封線400接觸具有優(yōu)異的粘貼屬性的延伸部分270a。據(jù)此，可增強(qiáng)下基板200和上基板300的組合特性。另外，根據(jù)本公開的一種實(shí)施方式的OLED裝置迫使將信號(hào)導(dǎo)線275沿從密封線400的中心向下基板200的中心的內(nèi)方向定位。因此，密封線400與跟信號(hào)導(dǎo)線275相鄰的層間絕緣膜212以及覆蓋信號(hào)導(dǎo)線275的延伸部分270a接觸。據(jù)此，可防止由于潮濕侵入造成的有機(jī)發(fā)光二極管330劣化缺陷。具體地，本公開的另一個(gè)實(shí)施方式可解決由于寬度窄造成的信號(hào)導(dǎo)線275的電阻增加。為此，在與信號(hào)導(dǎo)線275相對(duì)的柵絕緣膜202上形成輔助信號(hào)導(dǎo)線475以電氣連接到信號(hào)導(dǎo)線275。
盡管僅僅關(guān)于以上描述的實(shí)施方式有限地說明了本公開，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解本公開不限于這些實(shí)施方式，而不背離本公開的實(shí)質(zhì)的前提下可進(jìn)行修改和變化。因此，本公開的范圍將僅僅被所附的權(quán)利要求和 等同物確定。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括 基板，其被限定為以矩陣形狀布置有多個(gè)像素的有效顯示區(qū)域、具有驅(qū)動(dòng)元件的面板內(nèi)柵極(GIP)區(qū)域、接地區(qū)域和密封線區(qū)域； 薄膜晶體管，其位于所述有效顯示區(qū)域內(nèi)的每個(gè)像素區(qū)域中； 有機(jī)發(fā)光二極管，其位于保護(hù)膜上，并且被配置為包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極； 堤層，其將所述有機(jī)發(fā)光二極管劃分為多個(gè)像素單元； 信號(hào)導(dǎo)線，其位于所述接地區(qū)域和所述密封線區(qū)域中；以及 延伸部分，其布置為由與所述有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極相同的材料制成并且被配置為覆蓋所述信號(hào)導(dǎo)線， 其中，所述密封線區(qū)域中的密封線被布置在被所述延伸部分覆蓋的所述信號(hào)導(dǎo)線的邊緣上、以及與所述信號(hào)導(dǎo)線的邊緣相鄰的層間絕緣膜上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置還包括間隔體，其位于所述堤層上，與所述堤層結(jié)合為一體并且由與所述堤層相同材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置還包括 第一連接電極，其位于所述保護(hù)膜上；以及 第二連接電極，其電氣連接到所述第一連接電極并且與所述有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極結(jié)合為一體形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述延伸部分與第一連接電極結(jié)合為一體形成，并且與所述第二電極、第二連接電極、第一連接電極和所述信號(hào)導(dǎo)線電氣連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述密封線與覆蓋所述信號(hào)導(dǎo)線的所述延伸部分以及與所述延伸部分相鄰的所述層間絕緣膜直接接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置還包括輔助信號(hào)導(dǎo)線，其布置在所述信號(hào)導(dǎo)線下方并且電氣連接到所述信號(hào)導(dǎo)線。
7.—種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟 制備基板，所述基板被限定為以矩陣形狀形成有多個(gè)像素的有效顯示區(qū)域、形成有驅(qū)動(dòng)元件的面板內(nèi)柵極(GIP)區(qū)域、接地區(qū)域和密封線區(qū)域； 在所述有效顯示區(qū)域中的每個(gè)像素區(qū)域中形成薄膜晶體管，以及在與所述密封線區(qū)域和所述接地區(qū)域相對(duì)應(yīng)的層間絕緣膜上形成信號(hào)導(dǎo)線，所述薄膜晶體管配置有溝道層、柵絕緣膜、柵極以及源極和漏極； 在設(shè)置有所述薄膜晶體管的所述基板上形成保護(hù)膜，并且通過接觸孔形成工序露出所述薄膜晶體管的所述漏極的一部分和所述信號(hào)導(dǎo)線；以及 在設(shè)置有所述保護(hù)膜的所述基板上形成有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管配置有第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極， 其中，在形成所述第一電極時(shí)形成延伸部分以覆蓋所述信號(hào)導(dǎo)線。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述有機(jī)發(fā)光二極管的步驟還包括 形成堤層，所述堤層被配置為將所述有效顯示區(qū)域劃分為多個(gè)像素區(qū)域；以及 與所述堤層結(jié)合為一體的間隔體。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，所述方法還包括形成密封線，所述密封線被配置為與所述信號(hào)導(dǎo)線的邊緣以及與所述信號(hào)導(dǎo)線的邊緣相鄰的層間絕緣膜直接接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，第一連接電極被形成在所述保護(hù)膜上并且電氣連接到第二連接電極，所述第二連接電極與所述有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極結(jié)合為一體形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述保護(hù)膜由無機(jī)絕緣材料和有機(jī)絕緣材料中的一種材料形成，所述有機(jī)絕緣材料包括苯并環(huán)丁烯(BCB)、丙烯酸基樹脂和PFCB。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，在形成所述柵極的步驟中使得在所述柵絕緣膜上與所述信號(hào)導(dǎo)線相對(duì)地或者在所述信號(hào)導(dǎo)線的下方附加地形成輔助信號(hào)導(dǎo)線。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述輔助信號(hào)導(dǎo)線經(jīng)由在所述層間絕緣膜中形成的通孔電氣連接到所述信號(hào)導(dǎo)線。
14.一種有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備,所述有機(jī)發(fā)光顯不設(shè)備包括 基板，其被限定為以矩陣形狀形成有多個(gè)像素的有效顯示區(qū)域、形成有驅(qū)動(dòng)元件的面板內(nèi)柵極(GIP)區(qū)域、接地區(qū)域和密封線區(qū)域； 薄膜晶體管，其形成于所述有效顯示區(qū)域內(nèi)的每個(gè)像素區(qū)域中； 有機(jī)發(fā)光二極管，其被配置為包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極，并且所述有機(jī)發(fā)光二極管被形成在被設(shè)置用于覆蓋所述薄膜晶體管的保護(hù)膜上； 堤層，其被形成為將所述有機(jī)發(fā)光二極管劃分為多個(gè)像素單元； 信號(hào)導(dǎo)線，其形成在所述接地區(qū)域和所述密封線區(qū)域中；以及 密封線，其形成在所述密封線區(qū)域中； 其中，所述信號(hào)導(dǎo)線與柵絕緣膜和層間絕緣膜之間的所述薄膜晶體管的柵極形成在同一層，并且在被形成用于覆蓋所述信號(hào)導(dǎo)線的層間絕緣膜上形成與所述信號(hào)導(dǎo)線相對(duì)的密封線。
15.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟 制備基板，所述基板被限定為以矩陣形狀形成有多個(gè)像素的有效顯示區(qū)域、形成有驅(qū)動(dòng)元件的面板內(nèi)柵極(GIP)區(qū)域、接地區(qū)域和密封線區(qū)域； 在所述有效顯示區(qū)域中的每個(gè)像素區(qū)域中形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管配置有溝道層、柵極以及源極和漏極，以及在形成所述柵極時(shí)在與所述密封線區(qū)域和所述接地區(qū)域相對(duì)應(yīng)的柵絕緣膜上形成信號(hào)導(dǎo)線； 在設(shè)置有所述薄膜晶體管的所述基板上形成保護(hù)膜，并且露出所述薄膜晶體管的所述漏極的一部分； 在設(shè)置有所述保護(hù)膜的所述基板上形成有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管配置有第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極；以及 在所述密封線區(qū)域內(nèi)的為了覆蓋所述信號(hào)導(dǎo)線而形成的層間絕緣膜上形成密封線，并且所述密封線與所述層間絕緣膜直接接觸。
全文摘要
本發(fā)明公開了有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。該OLED裝置包括基板，其被限定為有效顯示區(qū)域、面板內(nèi)柵極(GIP)區(qū)域、接地區(qū)域和密封線區(qū)域；薄膜晶體管；有機(jī)發(fā)光二極管；堤層，其將有機(jī)發(fā)光二極管劃分為多個(gè)像素單元；信號(hào)導(dǎo)線，其形成在接地區(qū)域和密封線區(qū)域中；以及延伸部分，其由與有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極相同的材料制成并且被配置為覆蓋信號(hào)導(dǎo)線，其中，密封線區(qū)域中的密封線被形成在被延伸部分覆蓋的信號(hào)導(dǎo)線的邊緣上、以及與所述信號(hào)導(dǎo)線的邊緣相鄰的層間絕緣膜上。該OLED裝置通過主要形成與沿有效顯示區(qū)域的邊緣形成的信號(hào)導(dǎo)線接觸的連接電極并用金屬圖案覆蓋該信號(hào)導(dǎo)線來防止在密封線區(qū)域產(chǎn)生污染缺陷。
文檔編號(hào)H01L51/52GK102969456SQ20111045684
公開日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月30日
發(fā)明者崔熙東, 田承峻 申請(qǐng)人:樂金顯示有限公司