專利名稱：形成tft陣列基板的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及顯示領域，尤其涉及形成用于反射式或半反半透式IXD的TFT陣列基板的方法。
背景技術：
目前，反射式液晶顯示器、半反半透液晶顯示器由于具有良好的戶外顯示效果和低功耗，因此越來越受到歡迎。圖1為現(xiàn)有技術的反射式液晶顯示器的像素結構的平面示意圖，參考圖1，現(xiàn)有技術中的反射式液晶顯示器的像素結構包括:柵極11，源極12，漏極13，與柵極11電連接的掃描線14，與源極12電連接的數據線15，位于像素區(qū)的公共電極21、像素電極22和反射電極23，其中，反射電極23具有多個凸起24，像素電極22通過通孔25與漏極13電連接。圖2 圖5為TFT陣列基板形成工藝沿圖1所示的A-A方向的剖面示意圖，圖2 圖5僅顯示一個像素。用于反射式顯示器的TFT陣列基板的形成工藝包括:結合參考圖1和圖2，提供基板10，在基板10上形成金屬層，對該金屬層進行圖形化，形成柵極11、掃描線14和公共電極21，在圖2中的剖示位置僅顯示出公共電極21，且圖2中公共電極21的形狀僅起示意作用。形成介質層31，覆蓋柵極11、掃描線14、公共電極21和基板10 ;之后在介質層31上形成非晶硅層，對非晶硅層進行圖形化形成有源區(qū)(圖中未示)；接著形成金屬層，覆蓋有源區(qū)和介質層31 ;然后，對金屬層進行圖形化形成源極12、漏極13和數據線15，在圖2中的剖示位置僅顯示出漏極13，且圖2中漏極13的形狀僅為示意作用；之后形成鈍化層32，覆蓋源極12、漏極13、數據線15、介質層31、有源區(qū)，并對鈍化層32進行圖形化形成開口 27，暴露出漏極13。其中，形成柵極11、掃描線14和公共電極21為第一道掩膜工藝，形成有源區(qū)為第二道掩膜工藝，形成源極12、漏極13、數據線15為第三道掩膜工藝，形成開口 27為第四道掩膜工藝。參考圖3，形成有機膜層33，覆蓋鈍化層32并填充開口 27覆蓋漏極13。參考圖4，利用掩膜版對有機膜層33進行第一曝光，該第一曝光是為在有機膜層33中形成凸起24,其中第一曝光時光線的掃描速度為85mm/sec(毫米/分)；再利用另一道掩膜版對有機膜層33進行第二曝光，該第二曝光是為在有機膜層33中形成通孔25，第二曝光時光線的掃描速度為20mm/sec ;之后，對進行了第一曝光和第二曝光的有機膜層33進行顯影，在有機膜層33形成凹槽26和通孔25，相鄰凹槽26之間的有機膜層為凸起24。進行第一曝光用到第五道掩膜工藝，進行第二曝光用到了第六道掩膜工藝。參考圖5，接著形成像素電極層，并對像素電極層進行圖形化形成像素電極22 ;然后，形成反射層，并對反射層進行圖形化形成反射電極23。形成像素電極22和反射電極23分別為第七道和第八道掩膜工藝?，F(xiàn)有技術的反射式顯示器的生產工藝為了形成凸起24和通孔25，需要對有機膜層33進行兩次曝光、一次顯影，與其他模式的顯示器相比，兩次曝光耗費較長的生產時間；而且，形成通孔的第二曝光的光線的掃描速度為20mm/sec,20mm/sec的曝光掃描速度太慢，嚴重影響了生產效率，產率僅為其他模式顯示器的1/6。為了提高產率，一些工廠嘗試使用半灰調掩膜版(halftone mask)，用一張掩膜版來形成凸起和通孔，可以僅利用一次曝光和一次顯影工藝。與以上所述的八道掩膜工藝相t匕，利用半灰調掩膜版不僅節(jié)省了一道掩膜版，而且僅使用一次曝光過程。然而，為了形成通孔圖形，曝光掃描速度仍然必須保持在20mm/sec,20mm/sec的曝光掃描速度太慢。同時，半灰調工藝不穩(wěn)定，而且制造半灰調掩膜版的成本高。因此利用半灰調掩膜版不能節(jié)省成本、提高產率。而且，現(xiàn)有技術的半反半透式顯示器反射區(qū)的生產工藝也同樣存在以上問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有技術用于反射式或半反半透式顯示器的TFT陣列基板的形成方法，產率低、成本高。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種形成TFT陣列基板的方法，包括:步驟1:提供基板，在所述基板上形成TFT開關、數據線、掃描線、公共電極和鈍化層；步驟2:在所述鈍化層上形成有機膜層；步驟3:利用具有通孔定位孔圖形和凹槽圖形的掩膜版對所述有機膜層進行曝光和顯影，形成通孔定位孔和多個凹槽；步驟4:刻蝕所述通孔定位孔底部的有機膜層和鈍化層形成通孔，所述通孔暴露出TFT開關的漏極；步驟5:依次形成像素電極和反射電極，覆蓋所述圖形化后的有機膜層、凹槽的側壁和底部、通孔的側壁和底部?？蛇x的，所述TFT陣列基板為反射型液晶顯示器的陣列基板。可選的，在步驟4中，所述刻蝕通孔定位孔部的有機膜層和鈍化層形成通孔包括:形成圖形化的光刻膠層，覆蓋所述圖形化后的有機膜層的上表面、凹槽的側壁和底部,暴露出通孔定位孔的側壁和底部；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕圖形化后的有機膜層和鈍化層形成通孔；去除圖形化的光刻膠層。可選的，在步驟4中，所述刻蝕通孔定位孔部的有機膜層和鈍化層形成通孔包括:直接刻蝕所述圖形化后的有機膜層和鈍化層，直至所述通孔定位孔的底部暴露出TFT開關中的漏極形成通孔。可選的，在步驟3中，所述通孔定位孔的高度大于凹槽的高度。本發(fā)明的用于反射式顯示器的TFT陣列基板的形成方法，形成鈍化層后，并不對鈍化層進行圖形化的工藝，節(jié)約一道掩膜。在鈍化層上形成有機膜層后，利用具有通孔定位孔圖形和凹槽圖形的掩膜版遮罩在有機膜層上，對所述有機膜層進行曝光；對曝光后的有機膜層進行顯影在有機膜層中形成通孔定位孔和多個凹槽；然后刻蝕通孔定位孔底部的有機膜層和鈍化層形成暴露出漏極的通孔。之后，再形成反射電極和像素電極。由于利用同時具有通孔圖形和凸起圖形的掩膜版，并且利用一次曝光在有機膜層中形成凹槽、通孔定位孔，因此可以節(jié)省一道掩膜工藝，而且，由于不需要在顯影時形成通孔，而是通過刻蝕形成了通孔，所以曝光掃描的速度也不需要降低，可以保持在85mm/sec，相應的可以提高產率，降低成本。另外，由于利用同時具有通孔圖形和凸起圖形的掩膜版，這樣可以節(jié)約一張掩膜版，相應的也就可以降低成本。在一實施例中，形成通孔和凹槽的方法為:形成圖形化的光刻膠層，覆蓋所述有機膜層、凹槽的側壁和底部，暴露出通孔定位孔的底部；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述有機膜層、鈍化層，形成通孔；去除圖形化的光刻膠層。該實施例相對于現(xiàn)有技術節(jié)約
了一道掩膜工藝。在另一實施例中，形成凹槽和通孔定位孔后，直接干法刻蝕有機膜層和鈍化層，形成通孔，由于不需要使用掩膜工藝，相對于現(xiàn)有技術節(jié)約了兩道掩膜工藝，成本進一步降低。本發(fā)明還提供另一種形成TFT陣列基板的方法，包括:步驟1:提供基板，在所述基板上形成TFT開關、數據線、掃描線、公共電極和鈍化層；步驟2:在所述鈍化層上形成有機膜層；步驟3:利用具有凹槽圖形、通孔定位孔圖形和透射區(qū)域開口定位孔圖形的掩膜版對所述有機膜層進行曝光和顯影，形成多個凹槽、通孔定位孔和透射區(qū)域開口定位孔；步驟4:刻蝕所述通孔定位孔和所述透射區(qū)域開口定位孔底部的有機膜層和鈍化層，分別形成通孔和透射區(qū)域開口，所述通孔暴露出TFT開關的漏極；步驟5:形成像素電極覆蓋所述圖形化后的有機膜層、凹槽、通孔和透射區(qū)域開口 ；在反射區(qū)域的像素電極上形成反射電極?？蛇x的，所述TFT陣列基板為半反半透型液晶顯示器的陣列基板?？蛇x的，在步驟4中，所述刻蝕所述通孔定位孔和所述透射區(qū)域開口定位孔底部的有機膜層和鈍化層包括:直接刻蝕所述圖形化后的有機膜層和鈍化層，形成通孔以及透射區(qū)域開口?？蛇x的，在步驟3中，所述通孔定位孔的高度大于所述凹槽的高度?？蛇x的，在步驟4中，所述刻蝕通孔定位孔和透射區(qū)域開口定位孔底部的有機膜層和鈍化層，分別形成通孔和透射區(qū)域開口包括:形成圖形化的光刻膠層，覆蓋所述圖形化后的有機膜層的上表面、凹槽的側壁和底部,暴露出通孔定位孔的側壁和底部、透射區(qū)域開口定位孔底部和側壁；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕圖形化后的有機膜層和鈍化層形成通孔和透射區(qū)域開口；去除圖形化的光刻膠層。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:本發(fā)明的用于半反半透式顯示器的TFT陣列基板的形成方法，形成鈍化層后，并不對鈍化層進行圖形化的工藝，節(jié)約一道掩膜。在鈍化層上形成有機膜層后，利用具有通孔定位孔圖形、透射區(qū)域開口定位孔圖形和凹槽圖形的掩膜版遮罩在有機膜層上，對所述有機膜層進行曝光；對曝光后的有機膜層進行顯影在有機膜層中形成通孔定位孔、透射區(qū)域開口定位孔和多個凹槽；然后刻蝕通孔定位孔底部和透射區(qū)域開口定位孔底部的有機膜層和鈍化層形成暴露出漏極的通孔以及透射區(qū)域開口。之后，再形成反射電極和像素電極。由于利用同時具有通孔定位孔圖形、凹槽圖形和透射區(qū)域開口定位孔圖形的掩膜版，并且利用一次曝光在有機膜層中形成通孔定位孔、凹槽、透射區(qū)域開口定位孔，因此可以節(jié)省一道掩膜工藝，而且，由于不需要在顯影時形成通孔、透射區(qū)域開口，而是通過刻蝕形成了通孔、透射區(qū)域開口，所以曝光掃描的速度也不需要降低，可以保持在85mm/sec，相應的可以提高產率，降低成本。另外，由于利用同時具有通孔定位孔圖形、透射區(qū)域開口定位孔圖形和凹槽圖形的掩膜版，這樣可以節(jié)約掩膜版，相應的也就可以降低成本。在一實施例中，形成通孔、透射區(qū)域開口和凹槽的方法為:形成圖形化的光刻膠層，覆蓋所述有機膜層、凹槽的側壁和底部，暴露出通孔定位孔的底部、透射區(qū)域開口定位孔的底部；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述有機膜層、鈍化層，形成通孔、透射區(qū)域開口 ；去除圖形化的光刻膠層。該實施例相對于現(xiàn)有技術節(jié)約了掩膜工藝。在另一實施例中，形成凹槽、透射區(qū)域開口定位孔和通孔定位孔后，直接干法刻蝕有機膜層和鈍化層形成通孔以及透射區(qū)域開口，由于刻蝕時不需要使用掩膜工藝，進一步節(jié)約了掩膜工藝，成本進一步降低。


圖1為現(xiàn)有技術的反射式液晶顯示器的像素結構的平面示意圖；圖2 圖5為現(xiàn)有技術的用于反射式顯示器的TFT陣列基板的形成工藝沿圖1所示的A-A方向的剖面示意圖；圖6為本發(fā)明具體實施例的反射型液晶顯示器的TFT陣列基板的像素結構的平面示意圖；圖7是本發(fā)明具體實施例的形成TFT陣列基板方法的流程示意圖；圖8 圖14是本發(fā)明第一具體實施例的形成TFT陣列基板方法沿圖6所示的A-A方向的剖面結構示意圖；圖15 圖19是本發(fā)明第二具體實施例的形成TFT陣列基板方法沿圖6所示的A-A方向的剖面結構示意圖；圖20為本發(fā)明具體實施例的半反半透型液晶顯示器的TFT陣列基板的像素結構的平面示意圖；圖21和圖22為沿圖20所示的B-B方向的剖面結構示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施方式
的限制。圖6為本發(fā)明具體實施例的反射式液晶顯示器的TFT陣列基板的像素結構的平面示意圖，參考圖6，本發(fā)明具體實施例的像素結構包括:柵極41，源極42，漏極43，與柵極41電連接的掃描線44，與源極42電連接的數據線45，位于像素區(qū)的公共電極51、像素電極52和反射電極53，其中，反射電極53具有多個凸起54，在凸起54可實現(xiàn)對光線的漫反射，像素電極52通過通孔55與漏極43電連接。該像素結構與現(xiàn)有技術相同，為了清楚說明本發(fā)明，對該像素結構進行再次描述。圖7是本發(fā)明具體實施例的形成反射式液晶顯示器的TFT陣列基板方法的流程示意圖，參考圖7，本發(fā)明具體實施例的形成TFT陣列基板方法包括:步驟SI，提供基板，在所述基板上形成TFT開關、數據線、掃描線、公共電極和鈍化層；步驟S2，在所述鈍化層上形成有機膜層；步驟S3，利用具有通孔定位孔圖形和凹槽圖形的掩膜版對所述有機膜層進行曝光和顯影，形成通孔定位孔和多個凹槽；步驟S4，刻蝕所述通孔定位孔底部的有機膜層和鈍化層形成通孔，所述通孔暴露出TFT開關的漏極；步驟S5，依次形成像素電極和反射電極，覆蓋所述圖形化后的有機膜層、凹槽的側壁和底部、通孔的側壁和底部。第一實施例圖8 圖14是本發(fā)明第一具體實施例的形成TFT陣列基板方法的沿圖6所示的A-A方向的剖面結構不意圖,下面結合參考圖6、圖7和圖8 圖14圖詳細說明本發(fā)明第一具體實施例的形成TFT陣列基板方法。執(zhí)行步驟SI，結合參考圖6、圖7和圖8，提供基板40，在所述基板上形成有TFT開關、數據線45、掃描線44、公共電極51和鈍化層62。在本發(fā)明中，所述基板40玻璃基板，但不限于玻璃基板，可以為本領域技術人員公知的其他基板。具體的，在所述基板40上形成TFT開關、數據線45、掃描線44、公共電極51和鈍化層62包括:在所述基板40上形成第一導電層,其中，第一導電層的材料選自金、銀、銅、招、鈦、鉻、鑰、鎘、鎳、鈷其中之一或者它們的任意組合；利用光刻、刻蝕工藝圖形化所述第一導電層，形成TFT開關的柵極41、與柵極41電連接的掃描線44、公共電極51，在圖7的剖面位置，僅示意出公共電極51，且公共電極51的形狀僅為示意作用。形成柵介質61，覆蓋所述基板40、TFT開關的柵極41、掃描線44和公共電極51，該柵介質層61的材料可以選用氧化硅、氮氧化硅等本領域技術人員公知的材料。然后在柵介質61上形成有源層，并將其刻蝕出島狀即TFT開關的有源區(qū)，所述有源層的材料可以為多晶硅或者非晶硅。形成第二導電層，覆蓋所述有源區(qū)、柵介質層61，利用光刻、刻蝕工藝圖形化所述第二導電層形成源極42、漏極43、與所述源極42電連接的數據線45，其中，第二導電層的材料選自金、銀、銅、鋁、鈦、鉻、鑰、鎘、鎳、鈷其中之一或者它們的任意組合。之后，形成鈍化層62，覆蓋柵介質層61、TFT開關的源極42、漏極43、有源區(qū)、數據線45，鈍化層62的材料為氮化硅、氧化硅或者他們的組合，但不限于這些材料，可以為本領域技術人員公知的其他材料。執(zhí)行步驟S2，結合參考圖6、圖7和圖9，在所述鈍化層62上形成有機膜層63，也就是說，有機膜層63鋪滿整個TFT陣列基板。有機膜層63的材料為本領域技術人員公知的材料，形成方法可以旋涂、噴涂等。所述有機膜層63的作用主要是形成凸起54以及提高產品性能，比如有機膜層可以防止上下兩層導電層串擾等；有機膜層63的厚度根據實際需要確定，該第一實施例中，有機膜層63的厚度可以選擇在0.5 y m至3 y m之間，當然該有機膜層63的厚度不限于0.5 ii m至3 ii m,可以根據實際需要確定。執(zhí)行步驟S3，結合參考圖6、圖7和圖10，利用具有通孔定位孔圖形和凹槽圖形的掩膜版對所述有機膜層63進行曝光和顯影，形成通孔定位孔65和多個凹槽66。所述多個凹槽66之間的有機膜層為凸起54，即所述多個凹槽66是用來形成有機膜層的凸起54 ;所述通孔定位孔65定位出有機膜層和鈍化層中的通孔的位置，在步驟S3中，不需要形成通孔，而僅形成了定義通孔位置的通孔定位孔65。本發(fā)明中，有機膜層中形成的多個凹槽的尺寸可以不一樣，通孔定位孔65的尺寸可以比凹槽66的尺寸大、也可以比凹槽66的尺寸小或者與之相等。第一實施例中，可以選擇凹槽66的尺寸dl在Iiim 3.5iim之間；通孔定位孔的尺寸d2在7iim 15iim之間。具體的，可以通過對掩膜版上的凹槽圖形和通孔定位孔圖形進行限定，以達到在有機膜層中形成的凹槽、通孔定位孔的尺寸以及深度均到達實際生產的需要。第一實施例中，對有機膜層曝光的掃描速度在70 100mm/sec之間，具體的在本實施例中可以利用現(xiàn)有技術中的85mm/sec的掃描速度對有機膜層63進行曝光，同時形成通孔定位孔65和多個凹槽66，這樣相比于現(xiàn)有技術縮短了工藝的時間，相應的，提高了產率。本發(fā)明中，對有機膜層曝光的掃描速度不限于70 lOOmm/sec，可以根據采用的曝光光源的不同以及實際工藝的需求對有機膜層曝光的掃描速度進行調整。執(zhí)行步驟S4，結合參考圖6、圖7和圖11、圖12、圖13，刻蝕所述通孔定位孔底部的有機膜層63和鈍化層62形成通孔55，所述通孔55暴露出TFT開關的漏極43。具體的，在該第一實施例中，刻蝕所述通孔定位孔65底部的有機膜層63和鈍化層62形成通孔55包括:參考圖11，形成光刻膠層67，覆蓋圖形化后的有機膜層63，即覆蓋圖形化后的有機膜層63的上表面、多個凹槽66的側壁和底部、通孔定位孔65的側壁和底部；然后，參考圖12，利用具有通孔圖形的掩膜版對光刻膠層67進行曝光顯影，形成圖形化的光刻膠層67，覆蓋所述圖形化后的有機膜層63的上表面、多個凹槽66的側壁和底部，暴露出通孔定位孔65的側壁和底部。參考圖13，以所述圖形化的光刻膠層67為掩膜刻蝕圖形化后的有機膜層63、鈍化層62，形成通孔55，所述通孔55暴露出TFT開關的漏極43。其中，刻蝕方法為干法刻蝕，干法刻蝕中使用的氣體需要根據有機膜層63和鈍化層62的材質和厚度進行確定；形成通孔55后，利用灰化工藝去除圖形化的光刻膠層67。第一實施例中，由于在有機膜層中形成凹槽66、通孔定位孔65后，利用圖形化的光刻膠層67作為掩膜對有機膜層進行刻蝕形成通孔55，因此在刻蝕有機膜層63形成通孔55的過程中，不會刻蝕凹槽。另外，通孔55的作用僅起到將后續(xù)工藝中形成的像素電極與漏極電連接的作用，所以通孔55的孔徑可大、可小，因此該實施例中通孔定位孔65的尺寸可以比凹槽66的尺寸大、也可以比凹槽66的尺寸小或者與之相等。執(zhí)行步驟S5，結合參考圖6、圖7和圖14，依次形成像素電極52和反射電極53，覆蓋所述圖形化后的有機膜層63、多個凹槽66的側壁和底部、通孔55的側壁和底部。具體形成方法為:形成像素電極層，覆蓋所述圖形化后的有機膜層63、多個凹槽66的側壁和底部、通孔55的側壁和底部，然后，利用光刻刻蝕工藝圖形化所述像素電極層形成像素電極52;接著，形成反射層，利用光刻刻蝕工藝圖形化所述反射層形成反射電極53。本發(fā)明第一實施例形成用于反射式顯示器的TFT陣列基板的方法，形成鈍化層后，并不對鈍化層進行圖形化的工藝，節(jié)約一道掩膜版。在鈍化層上形成有機膜層后，利用具有通孔定位孔圖形和多個凹槽圖形的掩膜版對所述有機膜層進行第一次曝光；對曝光后的有機膜層進行顯影在有機膜層中形成多個凹槽和通孔定位孔，并且所述通孔定位孔的高度比多個凹槽的高度高；之后再使用具有通孔圖形的掩膜版刻蝕通孔定位孔下方的有機膜層和鈍化層，使通孔暴露出TFT開關的漏極。因此可以節(jié)省一道掩膜工藝，而且，由于不需要在顯影時形成通孔，而是僅形成了通孔定位孔，通過刻蝕通孔定位孔底部形成了通孔，所以曝光掃描的速度也不需要降低，可以保持在85mm/sec，也就相應的可以提高產率，降低成本。另外，相比于現(xiàn)有技術節(jié)省了一道掩膜版及相應的掩膜工藝，降低了成本。第二實施例圖15 圖19是本發(fā)明第二具體實施例的形成TFT陣列基板方法的沿圖6所示的A-A方向的剖面結構示意圖，下面結合參考圖6、圖7、圖15 圖19詳細說明本發(fā)明第二具體實施例的形成TFT陣列基板方法。執(zhí)行步驟SI，結合參考圖6、圖7和圖15，提供基板40，在所述基板40上形成TFT開關、數據線45、掃描線44和公共電極51。該步驟SI與第一實施例的步驟SI相同，在此不做贅述。執(zhí)行步驟S2，結合參考圖6、圖7和圖16，在所述鈍化層62上形成有機膜層632。該步驟S2與第一實施例的步驟S2的方法基本相同。其中，有機膜層的厚度需要根據實際需求進行確定。執(zhí)行步驟S3，結合參考圖6、圖7和圖17，利用具有通孔定位孔圖形和凹槽圖形的掩膜版對所述有機膜層632進行曝光和顯影，形成多個凹槽66和通孔定位孔65，所述通孔定位孔65的高度比凹槽66的高度大。所述多個凹槽66之間的有機膜層為凸起54，即所述多個凹槽66是用來形成有機膜層凸起54的；所述通孔定位孔65定義有機膜層和鈍化層中的通孔的位置。結合參考圖18，由于在之后的步驟S4中，直接對有機膜層632進行刻蝕形成通孔55，因此在刻蝕通孔定位孔底部的有機膜時也刻蝕凹槽底部的有機膜。為了防止刻蝕有機膜層形成通孔55時，TFT開關上方的凹槽66的底部也被刻穿暴露出源極、漏極，在該第二實施例中，優(yōu)選的，通孔定位孔65的高度大于凹槽66的高度，可以選擇凹槽66的尺寸dl在Iiim 3.5iim之間，通孔定位孔的尺寸d2在7iim 15iim之間。在該實施例中，不限于孔定位孔65的高度大于凹槽66的高度，可以通過其他方式避免凹槽66的底部被刻穿暴露出源極、漏極，例如，可以在TFT開關區(qū)域上方不形成凹槽660執(zhí)行步驟S4，結合參考圖6、圖7和圖18，刻蝕所述通孔定位孔65底部的有機膜層632和鈍化層62形成通孔55，所述通孔55暴露出TFT開關的漏極43。具體的，在第二實施例中，刻蝕通孔定位孔65底部的有機膜層632和鈍化層62形成通孔55包括:直接刻蝕所述圖形化后的有機膜層632和鈍化層62，直至所述通孔定位孔65的底部暴露出TFT開關中的漏極43形成通孔55。也就是說，在該第二實施例中，不需要利用圖形化的光刻膠層定義通孔55的位置，而是對圖形化后的有機膜層632進行整體刻蝕，刻蝕為干法刻蝕，這樣，凹槽的底部、通孔定位孔的底部均向下延伸，在通孔定位孔的底部暴露出漏極43時，即通孔55形成時，停止刻蝕。因為有機膜層632的材料為有機材料,在第一實施例中的光刻膠層67也是有機材料，所以用有機膜層632作為掩膜對其進行刻蝕，或者用圖形化后光刻膠層67作為掩膜對有機膜層632進行刻蝕，最終都可以達到相同的效果；又由于有機膜層632的厚度在該刻蝕步驟中，整體變薄，因此在本實施例中的步驟S2中形成有機膜層632時，需要考慮有機膜層的厚度，根據實際情況比如刻蝕速度、刻蝕氣體或者有機膜層的材料等，確定有機膜層的厚度，一般情況下，相比于第一實施例中的有機膜層厚度，在第二實施例中的有機膜層增加的厚度范圍一般在5 % 30 %之間，但本發(fā)明不限于有機膜層增加的厚度范圍為5 % 30 %，有機膜層632的厚度需要根據實際情況確定。執(zhí)行步驟S5，參考圖6、圖7和圖19，依次形成像素電極52和反射電極53，覆蓋所述圖形化后的有機膜層632、多個凹槽66的側壁和底部、通孔55的側壁和底部。該步驟S5也與第一實施例的步驟S5相同,在此不做贅述。在第二實施例中，形成多個凹槽和通孔定位孔后，直接干法刻蝕有機膜層和鈍化層，直至所述通孔定位孔的底部暴露出TFT開關中的漏極形成通孔，由于刻蝕通孔定位孔時，不需要使用掩膜工藝，相對于第一實施例節(jié)約了一道掩膜工藝及其相應的工藝，相對于現(xiàn)有技術節(jié)約了兩道掩膜工藝，成本進一步降低。圖20為本發(fā)明具體實施例的半反半透型液晶顯示器的TFT陣列基板的像素結構的平面示意圖，本發(fā)明半反半透型液晶顯示器的TFT陣列基板的像素結構包括:柵極110、源極120、漏極130、與柵極110電連接的掃描線140、與源極120電連接的數據線150、位于像素區(qū)的公共電極510、位于透射區(qū)域開口 100和反射區(qū)的像素電極520，位于反射區(qū)域的反射電極102，且所述反射電極102位于反射區(qū)的所述像素電極520上，所述反射區(qū)域圍繞透射區(qū)域開口 100。其中，反射電極102具有多個凸起54，在凸起54可實現(xiàn)對光線的漫反射，像素電極520通過通孔55與漏極130電連接。該像素結構與現(xiàn)有技術的半反半透型液晶顯示器的像素結構基本相同。本發(fā)明提供的形成半反半透型液晶顯示器的TFT陣列基板方法包括:步驟SI，提供基板，在所述基板上形成TFT開關、數據線、掃描線、公共電極和鈍化層；步驟S2，在所述鈍化層上形成有機膜層；步驟S3，利用具有凹槽圖形、通孔定位孔圖形和透射區(qū)域開口定位孔圖形的掩膜版對所述有機膜層進行曝光和顯影，形成多個凹槽、通孔定位孔和透射區(qū)域開口定位孔；步驟S4，刻蝕所述通孔定位孔和所述透射區(qū)域開口定位孔底部的有機膜層和鈍化層，分別形成通孔和透射區(qū)域開口，所述通孔暴露出TFT開關的漏極；步驟S5，形成像素電極覆蓋所述圖形化后的有機膜層、凹槽、通孔和透射區(qū)域開口 ；在反射區(qū)域的像素電極上形成反射電極。其中，反射區(qū)域圍繞透射區(qū)域開口。第三實施例圖20為本發(fā)明具體實施例的半反半透型液晶顯示器的TFT陣列基板的像素結構的平面示意圖，圖21和圖22為沿圖20所示的B-B方向的剖面結構示意圖，本第三具體實施例提供的TFT陣列基板為半反半透型液晶顯示器的陣列基板，以下結合附圖具體說明第三實施例的半反半透型液晶顯示器的陣列基板的形成步驟。執(zhí)行步驟SI，提供基板40，在所述基板40上形成TFT開關、數據線150、掃描線140、公共電極510和鈍化層62。該步驟SI與第一實施例的步驟SI基本相同，在此不做贅述。執(zhí)行步驟S2，在所述鈍化層上形成有機膜層633。該步驟S2與第一實施例的步驟S2的方法相同。可選的，有機膜層633的厚度和第一實施例中的有機膜層63厚度不同。在第一實施例中的有機膜層63厚度只要滿足可形成凸起54以及防止上下兩層導電層串擾即可，厚度范圍較大，在0.5 y m至3 y m之間；但在本第三實施例中，有機膜層633還有形成雙盒厚結構的作用，即在后續(xù)的結構中會在有機膜層633的上方形成反射區(qū)域，所述反射區(qū)域的厚度是液晶盒厚度的一半左右。在現(xiàn)有技術中，半反半透型液晶顯示器的液晶盒厚度有3.5 y m 4.5 y m不等，根據需要可設置所述有機膜層633的厚度為1.75 y m 2.25 y m不等。當然，此處列舉的數據僅為示例，在實際工藝中，有機膜層633的厚度不局限于這些數據，可以根據實際工藝的需求進行調整。執(zhí)行步驟S3，利用具有凹槽圖形、通孔定位孔圖形和透射區(qū)域開口定位孔圖形的掩膜版對所述有機膜層633進行曝光和顯影，形成多個凹槽、通孔定位孔和透射區(qū)域開口定位孔。該步驟S3與第一實施例的步驟S3相比，為了形成透射區(qū)域開口，增加了透射區(qū)域開口定位孔的形成。本發(fā)明中，有機膜層中形成的多個凹槽的尺寸可以不一樣，凹槽、通孔定位孔以及透射區(qū)域開口定位孔三者的尺寸關系沒有具體限定，均可以根據實際需求進行確定。在該實施例中，可以選擇凹槽的尺寸在Ium 3.m之間,通孔定位孔的尺寸在7iim 15iim之間，透射區(qū)域開口定位孔圖形的尺寸為整個像素尺寸的5% 75%，可以根據不同像素尺寸來確定透射區(qū)域開口定位孔的尺寸。具體的，可以通過對掩膜版上的凹槽圖形、通孔定位孔圖形、透射區(qū)域開口定位孔圖形進行限定，以使在有機膜層中形成的凹槽、通孔定位孔、透射區(qū)域開口定位孔的尺寸以及深度均到達實際生產的需要。在該步驟S3中，利用同一掃描速度對有機膜層633進行曝光，曝光的掃描速度在70 100mm/sec之間，具體的在本實施例中可以利用現(xiàn)有技術中的85mm/sec的掃描速度對有機膜層633進行曝光，這樣相比于現(xiàn)有技術縮短了工藝的時間，相應的，提高了產率。本發(fā)明中，對有機膜層633曝光的掃描速度不限于70 lOOmm/sec，可以根據采用的曝光光源的不同以及實際工藝的需求對有機膜層曝光的掃描速度進行調整。執(zhí)行步驟S4，刻蝕所述通孔定位孔和所述透射區(qū)域開口定位孔底部的有機膜層633和鈍化層62，分別形成通孔55和透射區(qū)域開口 100，所述通孔55暴露出TFT開關的漏極 130。具體地，本步驟S4的工藝如下:形成光刻膠層，覆蓋圖形化后的有機膜層633，即覆蓋圖形化后的有機膜層633的上表面、多個凹槽66的側壁和底部、通孔定位孔的側壁和底部以及透射區(qū)域開口定位孔的側壁和底部；
然后，利用具有通孔圖形和透射區(qū)域開口圖形的掩膜版對光刻膠層進行曝光顯影，形成圖形化的光刻膠層，覆蓋所述圖形化后的有機膜層633的上表面、多個凹槽66的側壁和底部，暴露出通孔定位孔和透射區(qū)域開口定位孔的側壁和底部；接著，以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕圖形化后的有機膜層633、鈍化層62，形成通孔55和透射區(qū)域開口 100，其中所述通孔55暴露出TFT開關的漏極43。其中，刻蝕方法為干法刻蝕，干法刻蝕中使用的氣體需要根據有機膜層633和鈍化層62的材質和厚度進行確定；形成通孔55和透射區(qū)域開口 100后，利用灰化工藝去除圖形化的光刻膠層。執(zhí)行步驟S5:形成像素電極510覆蓋所述圖形化后的有機膜層633、凹槽66、通孔55和透射區(qū)域開口 100，在反射區(qū)域的像素電極510上形成反射電極102。其中，反射區(qū)域圍繞透射區(qū)域開口 100。所述像素電極510的材料為透明導電物質，如氧化銦錫。第三實施例中，由于在有機膜層中形成凹槽、通孔定位孔、透射區(qū)域開口定位孔后，利用圖形化的光刻膠層作為掩膜對有機膜層進行刻蝕形成通孔和透射區(qū)域開口，因此在刻蝕有機膜層形成通孔、透射區(qū)域開口的過程中，不會刻蝕凹槽。另外，通孔的作用僅起到將后續(xù)工藝中形成的像素電極與漏極電連接的作用，所以通孔的孔徑可大、可?。欢?，由于有機膜層為透明材料且其下層沒有導電層，因此透射區(qū)域開口的刻蝕深度不會對TFT基板造成影響，所以透射區(qū)域開口的孔徑可大、可小，透射區(qū)域開口定位孔的深度以及尺寸需根據實際工藝確定。本發(fā)明提供的半反半透型液晶顯示器的陣列基板以及形成方法，和現(xiàn)有技術相比，節(jié)省了掩膜版及其相應的工藝，使制程簡化，節(jié)省了成本；并且曝光掃描的速度也不需要降低，可以保持在85mm/sec，也就相應的可以提高產率。第四實施例本發(fā)明第四具體實施例的形成TFT陣列基板為半反半透型液晶顯示器的陣列基板。在本第四具體實施例中，形成所述半反半透型液晶顯示器的陣列基板的方法為:執(zhí)行步驟SI，提供基板，在所述基板上形成TFT開關、數據線、掃描線、公共電極和鈍化層。所述該步驟SI和第三實施例的步驟SI基本相同，此處不再詳細介紹。執(zhí)行步驟S2，在所述鈍化層上形成有機膜層。所述該步驟SI和第三實施例的步驟SI基本相同。其中，有機膜層的厚度需要根據實際需求進行確定。通常情況下，有機膜層和第三實施例中的有機膜層相比，厚度要大5% 30%，具體的，在1.84iim m之間，原因以下步驟會詳細解釋。執(zhí)行步驟S3，利用具有凹槽圖形、通孔定位孔圖形和透射區(qū)域開口定位孔圖形的掩膜版對所述有機膜層進行曝光和顯影，形成多個凹槽、通孔定位孔和透射區(qū)域開口定位孔。在該實施例中，優(yōu)選的，所述透射區(qū)域開口定位孔的高度大于所述通孔定位孔的高度。由于在之后的步驟S4中，直接對有機膜層進行刻蝕形成通孔、透射區(qū)域開口，因此在刻蝕通孔定位孔底部、透射區(qū)域開口定位孔底部的有機膜時也刻蝕凹槽底部的有機膜。為了防止刻蝕有機膜層形成通孔、透射區(qū)域開口時，TFT開關上方的凹槽的底部也被刻穿暴露出源極、漏極，在該第四實施例中，優(yōu)選的，所述通孔定位孔的高度大于所述凹槽的高度。由于有機膜層為透明材料且其下層沒有導電層，因此透射區(qū)域開口的刻蝕深度不會對TFT基板造成影響，可以將透射區(qū)域開口刻穿直至刻蝕到下層的鈍化層，也可以為透射區(qū)域開口底部還有殘留的有機膜，因此透射區(qū)域開口定位孔的高度沒有具體的限定，根據實際工藝確定即可。在該實施例中，不限于通孔定位孔的高度大于凹槽的高度，可以通過其他方式避免凹槽的底部被刻穿暴露出源極、漏極，例如，可以在TFT開關區(qū)域上方不形成凹槽。執(zhí)行步驟S4，刻蝕所述通孔定位孔和所述透射區(qū)域開口定位孔底部的有機膜層和鈍化層，分別形成通孔和透射區(qū)域開口，所述通孔暴露出TFT開關的漏極。具體的，在第四實施例中，步驟S4中刻蝕所述通孔定位孔和所述透射區(qū)域開口定位孔底部的有機膜層和鈍化層形成通孔和透射區(qū)域開口包括:直接刻蝕所述圖形化后的有機膜層和鈍化層，直至所述通孔定位孔的底部暴露出TFT開關中的漏極形成通孔以及形成透射區(qū)域開口。也就是說，在該第四實施例中，不需要利用掩膜版圖形化的光刻膠層定義通孔和透射區(qū)域開口的位置，而是對圖形化后的有機膜層進行整體刻蝕，刻蝕為干法刻蝕，這樣，相比于第三實施例，本第四實施例可以節(jié)省一道掩膜版，降低成本。在本實施例的步驟S4中，有機膜層的厚度在該刻蝕步驟中，整體變薄，因此在本實施例中的步驟S2中形成有機膜層時，需要考慮有機膜層的厚度，根據實際情況比如刻蝕速度、刻蝕氣體或者有機膜層的材料等，確定有機膜層的厚度。通常情況下，相比于第三實施例中的有機膜層厚度，在第四實施例中的有機膜層增加的厚度范圍一般在5% 30%之間。但本發(fā)明不限于有機膜層增加的厚度范圍為5% 30%，有機膜層的厚度需要根據實際情況確定。步驟S5，形成像素電極覆蓋所述圖形化后的有機膜層、凹槽、通孔和透射區(qū)域開口 ；在反射區(qū)域的像素電極上形成反射電極，所述反射區(qū)域圍繞透射區(qū)域開口設置。第四實施例中，形成凹槽、透射區(qū)域開口定位孔和通孔定位孔后，直接干法刻蝕有機膜層和鈍化層形成通孔以及透射區(qū)域開口，由于刻蝕時不需要使用掩膜工藝，相對于第三實施例進一步節(jié)約了掩膜工藝，成本進一步降低。需要說明的是，在本發(fā)明具體實施例的圖示中凸起均為不連續(xù)分布，但本本發(fā)明具體實施例中的凸起可以連續(xù)分布，也可以不連續(xù)分布，可以根據反射的需要進行設計。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，都可以利用上述揭示的方法和技術內容對本發(fā)明技術方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術方案的保護范圍。
權利要求
1.一種形成TFT陣列基板的方法，其特征在于，包括: 步驟1:提供基板，在所述基板上形成TFT開關、數據線、掃描線、公共電極和鈍化層； 步驟2:在所述鈍化層上形成有機膜層； 步驟3:利用具有通孔定位孔圖形和凹槽圖形的掩膜版對所述有機膜層進行曝光和顯影，形成通孔定位孔和多個凹槽； 步驟4:刻蝕所述通孔定位孔底部的有機膜層和鈍化層形成通孔，所述通孔暴露出TFT開關的漏極； 步驟5:依次形成像素電極和反射電極，覆蓋所述圖形化后的有機膜層、凹槽的側壁和底部、通孔的側壁和底部。
2.如權利要求1所述的形成TFT陣列基板的方法，其特征在于，所述TFT陣列基板為反射型液晶顯示器的陣列基板。
3.如權利要求2所述的形成TFT陣列基板的方法，其特征在于，在步驟4中，所述刻蝕通孔定位孔底部的有機膜層和鈍化層形成通孔包括: 形成圖形化的光刻膠層，覆蓋所述圖形化后的有機膜層的上表面、凹槽的側壁和底部，暴露出通孔定位孔的側壁和底部； 以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕圖形化后的有機膜層和鈍化層形成通孔； 去除圖形化的光刻膠層。
4.如權利要求2所述的形成TFT陣列基板的方法，其特征在于，在步驟4中，所述刻蝕通孔定位孔底部的有機膜層和鈍化層形成通孔包括: 直接刻蝕所述圖形化后的有機膜層和鈍化層，直至所述通孔定位孔的底部暴露出TFT開關中的漏極形成通孔。
5.如權利要求4所述的形成TFT陣列基板的方法，其特征在于，在步驟3中，所述通孔定位孔的高度大于凹槽的高度。
6.一種形成TFT陣列基板的方法，其特征在于，包括: 步驟1:提供基板，在所述基板上形成TFT開關、數據線、掃描線、公共電極和鈍化層； 步驟2:在所述鈍化層上形成有機膜層； 步驟3:利用具有凹槽圖形、通孔定位孔圖形和透射區(qū)域開口定位孔圖形的掩膜版對所述有機膜層進行曝光和顯影，形成多個凹槽、通孔定位孔和透射區(qū)域開口定位孔； 步驟4:刻蝕所述通孔定位孔和所述透射區(qū)域開口定位孔底部的有機膜層和鈍化層，分別形成通孔和透射區(qū)域開口，所述通孔暴露出TFT開關的漏極； 步驟5:形成像素電極覆蓋所述圖形化后的有機膜層、凹槽、通孔和透射區(qū)域開口 ；在反射區(qū)域的像素電極上形成反射電極。
7.如權利要求6所述的形成TFT陣列基板的方法，其特征在于，所述TFT陣列基板為半反半透型液晶顯示器的陣列基板。
8.如權利要求7所述的形成TFT陣列基板的方法，其特征在于，在步驟4中，所述刻蝕所述通孔定位孔和所述透射區(qū)域開口定位孔底部的有機膜層和鈍化層包括: 直接刻蝕所述圖形化后的有機膜層和鈍化層，形成通孔以及透射區(qū)域開口。
9.如權利要求8所述的形成TFT陣列基板的方法，其特征在于，在步驟3中，所述通孔定位孔的高度大于所述凹槽的高度。
10.如權利要求7所述的形成TFT陣列基板的方法，其特征在于，在步驟4中，所述刻蝕通孔定位孔和透射區(qū)域開口定位孔底部的有機膜層和鈍化層，分別形成通孔和透射區(qū)域開口包括: 形成圖形化的光刻膠層，覆蓋所述圖形化； 的有機膜層的上表面、凹槽的側壁和底部，暴露出通孔定位孔的側壁和底部、透射區(qū)域開口定位孔底部和側壁； 以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕圖形化后的有機膜層和鈍化層形成通孔和透射區(qū)域開口 ； 去除圖形化的光刻膠層?！?br> 全文摘要
一種形成TFT陣列基板的方法，包括提供基板，在所述基板上形成TFT開關、數據線、掃描線、公共電極和鈍化層；在所述鈍化層上形成有機膜層；利用具有通孔定位孔圖形和凹槽圖形的掩膜版對所述有機膜層進行曝光和顯影，形成通孔定位孔和多個凹槽；刻蝕所述通孔定位孔底部的有機膜層和鈍化層形成通孔，所述通孔暴露出TFT開關的漏極；依次形成像素電極和反射電極，覆蓋所述圖形化后的有機膜層、凹槽的側壁和底部、通孔的側壁和底部。本技術方案可以提高產率，節(jié)約成本。
文檔編號H01L21/77GK103187366SQ20111045358
公開日2013年7月3日 申請日期2011年12月29日 優(yōu)先權日2011年12月29日
發(fā)明者陳浩, 馬駿, 柴慧平 申請人:上海天馬微電子有限公司